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3 Circuits transistors bipolaires

3.1 Introduction
Malgr la suprmatie actuelle des transistors MOS dans les circuits intgrs trs
large chelle d'intgration (Very Large Scale Integration, VLSI : 10'000 plus de
100'000 transistors par circuit), le transistor bipolaire reste trs utilis dans les
circuits composants discrets ou les circuits intgrs qui exigent :
 des courants de sortie levs (tage de sortie) ;
 une grande vitesse de commutation (circuits logiques ultra-rapides) ;
 un gain de tension lev ;
 un faible bruit (pr-amplicateurs hi-) ;
 la ralisation de fonctions linaires hautes performances.
Le transistor bipolaire porte son nom en raison de son fonctionnement li aux
deux types de porteurs libres, les lectrons et les trous. C'est un dispositif semiconducteur prsentant trois couches alternes n, p et n pour un transistor npn ou
p, n et p pour un transistor pnp. La couche mdiane est la base. Les deux couches
externes sont l'metteur et le collecteur.

C
n
B

p
n

B
e

E
E

Fig. 3.1: Principe du transistor npn et son symbole

L'intgration d'un transistor sur un cristal de silicium correspond ainsi la juxtaposition d'une jonction np (base-metteur) et une jonction pn (base-collecteur). Grce
la polarisation positive de la jonction BE, on rend conductrice cette dernire et
les lectrons se dplacent de l'metteur vers la base. Cependant, comme le champ
lectrique cr par la tension positive du collecteur est trs lev, presque tous les
lectrons mis sont collects par ce dernier. Le courant de base est alors 100 500 fois
plus faible que les courants de collecteur et d'metteur. La jonction base-metteur

3 Circuits transistors bipolaires


travaille donc comme une jonction conductrice alors que la jonction collecteur-base
est polarise en sens inverse. Le courant de collecteur correspond alors au courant
de saturation inverse de la jonction.
Il est important de prciser qu'un transistor rel n'a pas une structure aussi symtrique que peut le faire accroire la description qui prcde. En eet, pour des raisons
physiques et technologiques :
 le transistor rel doit avoir une base trs mince (quelques diximes de microns) ;
 l'metteur et le collecteur dirent par leur gomtrie et leur dopage ;
 l'metteur est bien plus dop que la base ; etc.

3.2 quations et caractristiques d'un transistor


Comme on vient de le voir, la jonction BE du transistor fonctionne comme une diode
conductrice. la dirence de celle-ci, le facteur technologique

des transistors au

silicium est gal 1. On ne le fera donc pas apparatre dans la fonction exponentielle
traduisant le comportement de la diode.

IC

IB

C
B
UCE

UBE

-IC

-IB

-UCE

-UBE

E
npn

E
pnp

Fig. 3.2: Symboles, courants et tensions

Considrant le transistor npn et son symbole (gure 3.2), sa description passe par
l'criture des quations ci-dessous (elles sont similaires pour le transistor pnp) :
1. quation des courants

IE = IB + IC

(3.1)

2. quation de la jonction base-metteur conductrice


UBE /VT

IB = ISB e
o, comme pour la diode,
thermique

kT

VT

et

ISB

est le potentiel thermique quivalent l'nergie

des porteurs de charge

VT =

(3.2)

kT
' 26 mV @ T = 300 K
q

est le courant de saturation inverse de la jonction

(3.3)

BE

(de l'ordre du fA).

3. quations du courant de collecteur


a)

IC

command par le courant

IB

IC (IB ) = IB
o

(3.4)

est le gain en courant du transistor (pratiquement suprieur 100) ;

3.2 quations et caractristiques d'un transistor


IB( UBE )

IC( UCE ), IB = param

100

30

90

IB = 100A
25

80
IB = 80A

70
20

I [mA]

I [A]

60
I = 60A
B

15

50

40
IB = 40A

10
30

20

IB = 20A

5
10

0
0

0.2

0.4
UBE [V]

0.6

0.8

IB( UBE )

4
6
UCE [V]

10

IC( UCE ), IB = param

100

30

90
25

IB = 100A

20

IB = 80A

15

IB = 60A

10

IB = 40A

IB = 20A

80

70

IC [mA]

IB [A]

60

50

40

30

20

10

0
0

0.2

0.4
UBE [V]

0.6

0.8

4
6
UCE [V]

10

Fig. 3.3: Caractristiques d'un transistor bipolaire rel (en haut) et celles d'un tran-

sistor idal reprsent par un modle d'ordre 0 (en bas)

b)

IC

command par la tension

UBE

(quation (3.2) dans (3.4)) :


UBE /VT

IC (UBE ) = (ISB ) e

UBE /VT

= IS e

(3.5)

3 Circuits transistors bipolaires


c)

IC

dpendant de

UCE

UCE
IC (UCE ) = IC (IB ) 1 +
VA


VA ,

(3.6)

dit potentiel de Early, sert dcrire la pente non nulle des carac-

tristiques de sortie du transistor ; sa valeur est de l'ordre de la centaine


de volts.
Les caractristiques correspondant ces quations sont illustres par les deux graphes
du haut de la gure 3.3. Les graphes du bas montrent les caractristiques d'un transistor idal reprsent par son modle d'ordre 0.

Hypothse simplicatrice

Tenant compte des quations (3.1) et (3.4), le courant

d'metteur s'crit

IE = IC + IB = ( + 1) IB

(3.7)

Comme le gain en courant est gnralement suprieur 100, il vient

+1'

IE ' IC

(3.8)

3.3 Modle linaire


Comme on ne sait pas calculer des systmes caractriss par des quations non
linaires, on doit se contenter d'approximations linaires d'ordre 0 ou d'ordre 1. La
gure 3.3 montre les caractristiques d'un modle d'ordre 0 o les caractristiques
relles sont remplaces par des segments de droite de pente nulle ou innie et la
gure 3.4 illustre son schma quivalent d'ordre 0.

IC = IB

IB

IC
IB
UCE

UBE

UBE

Vj

UCE

Fig. 3.4: Modle linaire d'ordre 0 d'un transistor

On constate alors que la tension entre base et metteur est admise constante si le
transistor conduit et que le courant de collecteur ne dpend que du courant de base.
Ainsi, vue de l'extrieur, l'entre

BE

du transistor se ramne une source de tension

indpendante

UBE = Vj ' 0.6 V


alors que la sortie

CE

(3.9)

du transistor se ramne une source de courant idale com-

mande par le courant de base

IC = IB

(3.10)

3.4 Circuit gnral


3.3.1 Domaines de fonctionnement du transistor
Les circuits transistors sont gnralement constitus d'une ou plusieurs alimentations relies aux transistors par des rsistances. La gure 3.5 illustre un schma
type de circuit transistor dans lequel le courant de collecteur varie avec la tension
d'alimentation

VBB

applique la base du transistor.

RC
IC
RB

IB

VCC
IE

UC

VBB
UE

RE

Fig. 3.5: Circuit gnral

Pour que le transistor puisse fonctionner dans un domaine linaire (gure 3.6), le
courant de collecteur doit tre compris entre 0 et sa valeur de court-circuit

0 < IC < IC,max =


De la mme manire, la tension

UCE

VCC
RC + RE

(3.11)

ne peut pas tre ngative ni suprieure la

tension d'alimentation ; on a donc :

VCC > UCE > 0


L'tat du transistor dpend des valeurs de
1. si
2. si
3. si

IC

et

UCE

(3.12)
(gure 3.6) :

IC = 0, on dit que le transistor est bloqu (alors UCE = VCC ) ;


UCE = 0, le transistor est dit satur (alors IC ' IC,max ) ;
0 < IC < IC,max ou 0 < UCE < VCC , le transistor est actif .

3.4 Circuit gnral


Le circuit de la gure 3.5 est important car, suivant le point de vue que l'on prend,
il peut tre considr comme
 une source de courant,
 un amplicateur de tension,
 un circuit binaire,
 un amplicateur de courant,
 une source de tension.
Pour le voir, considrons les courants et tensions du circuit de la gure 3.5.

3 Circuits transistors bipolaires


IC

VCC

UCE
VCC

RC +RE
bloqu

actif

satur

bloqu

actif

satur

VBB

VBB

VBB,sat

Vj

Vj

VBB,sat

Fig. 3.6: Domaines de fonctionnement du transistor

3.4.1 Courant de collecteur


La dpendance du courant de collecteur

IC

par rapport la tension

VBB

se calcule

partir de l'quation de la maille d'entre :

VBB = RB IB + UBE + RE IE

(3.13)

Comme l'on a

UBE = Vj ,
il vient :

IC
IB =
,

1
IE = IC + IB = 1 +

1
1
VBB Vj = RB + RE 1 +

d'o :

IC =

!!

IC

(3.14)

IC

VBB Vj


RE 1 +

+ RB

(3.15)

Comme le gain en courant est gnralement bien suprieur 100, on a

1

et

l'expression du courant de collecteur s'crit plus simplement

IC =
En analysant l'expression du courant

VBB Vj
RE + RB /
IC ,

on constate que, dans le domaine actif, le

courant de collecteur ne dpend pas de la rsistance


se comporte donc comme une

(3.16)

source de courant

RC .

Vu de celle-ci, le transistor

dpendant de

VBB .

Comme on l'a

dj dit, ce rsultat n'est vrai que dans le domaine actif du transistor :

0 < IC <

VCC
RC + RE

(3.17)

3.4.2 Tension de collecteur


Si l'on considre la tension de collecteur, celle-ci vaut simplement :

UC = VCC RC IC

(3.18)

3.4 Circuit gnral


donc :

UC = VCC

RC
(VBB Vj )
RE + RB /

(3.19)

Cette tension est limite par le blocage et la saturation du transistor :

RE
RE + RC

VCC > UC > VCC

(3.20)

Entre ces deux points, la pente de la caractristique vaut :

dUC
RC
=
<0
dVBB
RE + RB /

(3.21)

Cette pente constante peut, dans une premire approximation, tre considre comme
le gain d'un

amplicateur de tension

ampliant les variations de

UC

VBB .

UE

VCC

VCC

VCC
VBB
Vj

RE
RC +RE

VBB
Vj

VBB,sat

VBB,sat

Fig. 3.7: Caractristiques du circuit gnral

Circuit binaire
caractristique

Si on ne met pas de rsistance d'metteur (RE = 0), la pente de la


UC (VBB ) devient trs forte et elle vaut RC /RB . Le circuit travaille

alors essentiellement en tat de blocage ou de saturation.


Cette situation est gnralement choisie lorsque l'on veut utiliser le transistor en
tant que

circuit binaire

qui, pour une faible variation de la tension

rapidement d'un tat l'autre. La tension de collecteur


bien dnis 0 et

UC

VBB ,

bascule

possde alors deux tats

VCC .

Dans ces deux tats statiques, la puissance consomme est pratiquement nulle (voir
section 3.4.5). Cependant, il ne faut pas oublier que de la puissance est dissipe lors
de chaque commutation ; c'est pourquoi la puissance consomme par les systmes
logiques augmente avec la frquence d'horloge du systme.

3.4.3 Tension d'metteur


Si l'on considre la tension d'metteur, celle-ci vaut simplement

UE = RE IE ' RE IC

(3.22)

3 Circuits transistors bipolaires


donc

UE =
La tension d'metteur

UE

RE
(VBB Vj )
RE + RB /

(3.23)

est galement limite par le blocage et la saturation du

transistor

0 < UE < VCC

RE
RE + RC

(3.24)

Entre ces deux points, la pente de la caractristique vaut :

RE
dUE
=
<1
dVBB
RE + RB /

(3.25)

Du point de vue de l'metteur, son potentiel suit la tension

VBB

Vj

prs avec une

pente infrieure l'unit. Il n'y a donc pas d'amplication de la tension, mais par
contre, le courant fourni par la source
d'un facteur

VBB

On a donc aaire un

Dans le cas o le terme

RB /

la rsistance d'metteur est ampli

amplicateur de courant ou de puissance.

est beaucoup plus petit

RE ,

la tension

UE ' VBB Vj
est indpendante de la charge
une

source de tension.

(3.26)

RE . Du point de vue de celle-ci, le transistor reprsente

3.4.4 tat de saturation


Lorsque le transistor sature au-del du point dlimitant le domaine actif et le domaine de saturation, le courant de base
et

IE .

La source de courant

IB

IB

n'est plus ngligeable par rapport

IC

est en eet remplace par un court-circuit et le

schma permettant de calculer l'tat de saturation est alors celui de la gure 3.8.

RC
RB

IC

IB

VBB

VCC
IE

Vj
RE

Fig. 3.8: Circuit gnral en tat de saturation

A partir de ce schma, on montre aisment que les courants et tensions d'un transistor en tat de saturation valent

IE = IB + IC

(3.27)

3.4 Circuit gnral


UE = UC = VCC IC RC

(3.28)

UB = UE + Vj

(3.29)

IB =

E
VBB Vj VCC RER+R
C

RB +

(3.30)

RE RC
RE +RC

E
VCC (VBB Vj ) RER+R
B

IC =

RC +

(3.31)

RE RB
RE +RB

On voit ainsi que le courant de base augmente fortement avec

VBB

alors que le

courant de collecteur diminue lgrement. On ne peut donc plus admettre

IE ' IC .

On notera d'autre part que les tensions de collecteur et d'metteur ne sont pas
constantes mais qu'elles augmentent lgrement avec

VBB .

3.4.5 Puissance dissipe par un transistor


Le transistor est un composant actif capable, comme nous venons de le voir, d'amplier des tensions ou des courants. Mais cela, il le fait en dissipant de l'nergie. Pour
s'en convaincre, il sut d'observer le transistor de la gure 3.2 o le transistor peut
tre vu comme un quadriple qui reoit des courants (IB et
non nulles (UBE et

UCE ).

IC )

sous des tensions

La puissance dissipe par le transistor vaut donc

P = UBE IB + UCE IC
Comme le courant de base est beaucoup plus petit que le courant de collecteur et que
la tension

UBE

est faible, on peut ngliger le premier terme par rapport au second.

On admet donc que la puissance dissipe par le transistor vaut

P ' UCE IC

(3.32)

3.4.6 Exemple
On considre ici le circuit de la gure 3.9 avec les valeurs numriques suivantes

R1 = 47 k,

R2 = 4.7 k,

= 200,

RC = 10 k,

Vj = 0.6 V,

RE = 1 k

VCC = 12 V

Pour ce montage, on calculera


1. le gnrateur de Thvenin vu par la base ;
2. les courants

IC, max

3. la puissance

dissipe par le transistor ;

4. les courants

IB

et

et

IC

IC ;
lorsque

RE = 0.1 k.

Solution

3 Circuits transistors bipolaires


VCC

R1

RC

R2

RE

Fig. 3.9: Exemple de circuit transistor

10

3.5 Polarisation

3.5 Polarisation
Pour qu'un transistor puisse tre utilis comme amplicateur, il faut d'abord le polariser en xant son point de fonctionnement

Q0

autour duquel prendront place des

variations qui seront amplies (gures 3.10). Graphiquement, le point de fonctionnement peut tre dtermin par l'intersection entre la droite de charge du gnrateur
qui alimente le transistor et les caractristiques

IC (UCE )

de celui-ci. Les extrmits

de la droite de charge dlimitent le domaine de fonctionnement du transistor.


IB( UBE )

IC( UCE )

50

12
IB = 40A

45
10

IB = 35A

40

35

IB = 30A

8
30

I = 25A
IC [mA]

25

I [A]

1/rbe

6
IB = 20A

Q0

20
Q

1/rce

IB = 15A

15
IB = 10A
10
2
IB = 5A

0.2

0.4
UBE [V]

0.6

0.8

10

15

UCE [V]

Fig. 3.10: Point de fonctionnement et droite de charge du gnrateur

Dans le cas o le courant de collecteur

UCE

IC

est nul, la tension collecteur-metteur

est maximum ; on dit alors que le transistor est bloqu. Lorsque le courant

atteint sa valeur maximum

IC, max ,

la tension

UCE

IC

est pratiquement nulle ; on dit

alors que le transistor est satur. Entre ces deux valeurs extrmes, le transistor est
actif et il peut amplier les variations qu'on lui applique en entre.

3.5.1 Convention d'criture


Les tensions et courants de polarisation (continus) s'crivent en majuscules

UBE , UCE

IB , IC , IE

(3.33)

alors que les variations des tensions et des courants autour du point de fonctionnement sont reprsentes par des minuscules (gure 3.11)

ube , uce

ib , ic , ie

(3.34)

11

3 Circuits transistors bipolaires


Les signaux complets sont dcrits par des variables minuscules et des indices majuscules :

uBE (t), uCE (t)

iB (t), iC (t), iE (t)

(3.35)

uCE(t)

iC(t)
ic

IC

uce

UCE

Fig. 3.11: Point de fonctionnement et variations

Enn, les tensions d'alimentations sont toujours dcrites avec un double indice majuscule prcisant l'lectrode laquelle elle est relie :

VBB , VCC , VEE

(3.36)

Le calcul d'un amplicateur se dcompose toujours en deux parties. On commence


par calculer son point de fonctionnement (ou sa polarisation) en utilisant un modle
dit grands signaux. Puis, considrant les variations des courants et tensions autour
du point de fonctionnement, on calcule leur eet avec un modle dit petits signaux.
Comme ces deux modles sont linaires, le rsultat global est la somme des deux
rsultats prcdents.

3.5.2 Modle grands signaux


Le modle grands signaux sert calculer le point de fonctionnement ou la polarisation du transistor autour duquel prendront place les variations (petits signaux).
Pour le calcul du point de fonctionnement, seules les sources continues sont prises
en compte ; les sources alternatives sont annules. La caractristique exponentielle
du transistor est alors remplace par un modle d'ordre 0 o la tension entre base
et metteur est considre constante si le transistor conduit.

IC = IB

IB

IC
IB
UBE

UCE

UBE

Vj

UCE

Fig. 3.12: Modle grands signaux utilis pour le calcul de la polarisation

L'entre est ainsi vue comme une source de tension indpendante :

UBE = Vj ' 0.6 V

(3.37)

et la sortie est une source de courant idale commande par le courant de base :

IC = IB

12

(3.38)

3.6 Amplication

3.6 Amplication
Une fois que le point de fonctionnement est x, on peut amplier des variations
autour de celui-ci. Pour calculer l'eet de ces variations, on utilise un modle petits
signaux qui tient compte de la pente des caractristiques du transistor.
D'un point de vue mathmatique, cela revient placer l'origine des axes sur le
point de fonctionnement

Q0 .

Pratiquement, cela est quivalent considrer que les

tensions et courants continus sont annuls et que seules grandeurs alternatives sont
prises en compte.

3.6.1 Modle petits signaux


Les variations des signaux prennent place autour du point de fonctionnement. En
traant des tangentes en cet endroit (gure 3.10) et en calculant leur pente, on
obtient naturellement les paramtres d'un amplicateur. Dans le cas du transistor,
le modle utilis est alors celui d'une source de courant commande par le courant
ou la tension d'entre (gure 3.13). Partant des caractristiques du transistor, plus
prcisment de leurs pentes au point de fonctionnement, on obtient les paramtres
petits signaux du transistor dont le calcul est prsent dans la section 3.6.2.

ic

ib = gmube

ib

ic

ib
uce

ube

rbe

ube

rce

uce

Fig. 3.13: Modle petits signaux utilis pour le calcul de l'amplication

Paramtres du transistor

Un transistor peut tre reprsent par un amplica-

teur de courant ou par un amplicateur transconductance dont les paramtres


dpendent du courant de collecteur

IC

choisi comme point de fonctionnement. Le

calcul dtaill de leurs valeurs est fait dans le paragraphe suivant ; on se contente ici
de les expliciter. Les paramtres de l'amplicateur quivalent au transistor sont :
1. la rsistance d'entre

rbe

rbe =

VT
IC

avec

VT = 26 mV @

T=300 K

(3.39)

telle que

ube = rbe ib
2. la source de courant icc commande par

icc = ib = gm ube

ib

(3.40)

ou par

avec

ube

gm =

IC
VT

(3.41)

13

3 Circuits transistors bipolaires


3. la rsistance de sortie

rce

rce

Remarque

1
VA
=
gce
IC

VA ' 100 V

avec

ou

(3.42)

Par la suite, on prendra garde bien distinguer entre le courant

icc

fourni par la source de courant et le courant de collecteur ic qui dpend de icc et de

uce
ic = icc +

1
uce
rce

avec

icc = ib = gm ube

(3.43)

Dans la plupart des situations relles, on pourra ngliger la rsistance de sortie

rce

car sa valeur est souvent trs leve (plusieurs dizaines de k) par rapport la
rsistance de collecteur

RC .

3.6.2 Calcul des paramtres petits signaux


Les valeurs des paramtres du transistor prsents ci-dessus se calculent en considrant les pentes des caractristiques autour du point de fonctionnement x par la
polarisation du transistor. On prsente ci-dessous la dmarche pour les obtenir.

Rsistance d'entre

Les variations de la tension d'entre

riations du courant de base

ib ;

leur rapport dnit la

ube

entranent des va-

rsistance d'entre rbe

transistor. Mathmatiquement, il est plus simple de calculer son inverse

gbe
=

gbe

du

1 ic
1 dIC
ib
=
=
ube
ube
dUBE
UBE
1 d
Is e VT
dUBE

1 1
=
VT

Is e

UBE
VT

1 1
IC
VT

L'inverse de cette admittance est la rsistance d'entre du transistor

rbe
On voit ainsi que la variation

ube

ube
1
VT
=
=
ib
gbe
IC

(3.44)

de la tension d'entre du transistor

ube = rbe ib
est gale la chute de tension sur la rsistance direntielle

14

(3.45)

rbe .

3.6 Amplication

Source de courant

ib

Les variations du courant d'entre

icc ;
gain

tions sur la source de courant

amplicateur de courant

de

entranent des varia-

le transistor peut ainsi tre envisag comme un


:

icc (ib ) = ib

(3.46)

On peut galement considrer que ce sont les variations de la tension d'entre


entranent les variations de la source de courant ; on a alors aaire un

transconductance

icc (ube ) = gm ube


avec

gm

UBE
icc
IC

=
=
Is e VT
ube
UBE
UBE

On constate ainsi que la transconductance


polarisation

gm

(3.47)

1
VT

Is e

UBE
VT

IC
VT

dpend directement du courant de

IC
icc
=
ube
VT
commande par ib
gm

et que la source de courant est

(3.48)
ou

ube

icc = ib = gm ube
Comme ib

= ube /rbe = ube gm / ,

on en dduit que

rbe =

Rsistance de sortie

(3.49)

rbe

et

gm

ube
=
ib
gm

(3.50)

UCE .

Les variations

uce

de cette dernire entranent des

variations du courant de collecteur ic indpendamment de

ic (uce ) = ic |ib =0 = gce uce =

l'admittance gce de sortie

gce
Son inverse,

ic
uce

=
ib =0

ib

rce


uce

ic

ou

ube

1
uce
rce

(3.51)

du transistor

UCE
IC

IC 1 +
=
UCE
UCE
VA

la rsistance de sortie rce,

Paramtres hybrides

sont relis entre eux

On a vu qu'un transistor rel est galement sensible la

tension collecteur-metteur

On a ainsi dni

ube qui

amplicateur



IC
VA

(3.52)

vaut alors simplement

=
ib =0

VA
1
=
gce
IC

(3.53)

Les paramtres petits signauxque nous venons de calculer

sont prsents dans les ches techniques l'aide des paramtres hybrides pour un
point de fonctionnement donn (par exemple

IC = 1 mA, UCE = 5 V).

Suivant les

constructeurs, ces paramtres sont dcrits avec des indices numriques ou alphabtiques. Le schma correspondant ces paramtres est donn la gure 3.14. On voit
alors que les quivalences sont les suivantes

h11 = hie = rbe


h21 = hf e =

h12 = hre ' 0


h22 = hoe = gce

15

3 Circuits transistors bipolaires


h11

ib

ic
h21ib
h22

h12ube

ube

uce

Fig. 3.14: Reprsentation d'un transistor avec les paramtres hybrides

3.7 Amplicateur de tension


Grce aux modles linaires du transistor et au thorme de superposition, le calcul
d'un amplicateur (gures 3.15, 3.25 et 3.32 par exemple) devient trs simple. Le
calcul complet se dcompose en cinq tapes successives :
1. calcul du point de fonctionnement du circuit : celui-ci ne dpend que
des sources continues (les sources alternatives sont mises zro, gure 3.16) ;
2. calcul des paramtres du transistor
repos

gm , rbe , rce

partir du courant de

IC ;

3. dessin du circuit petits signaux dans lequel on annule toutes les sources
continues (gure 3.17a) et on remplace le transistor par son modle petits
signaux (gure 3.17b) ;
4. calcul des paramtres de l'amplicateur quivalent reprsent par les
rsistances

Rin , Rout

et son gain en tension

AU 0

(gure 3.17c) ;

5. calcul des tensions et courants intressants par superposition des valeurs


DC et AC.

VCC

R1

RC

Rg

ug(t)

u1(t)

u2(t)
R2

RE

Fig. 3.15: Schma d'un amplicateur

16

RL

3.7 Amplicateur de tension


VCC

VBB = VCC

R2

RC

R1+R2

RB=R1//R2

VBB

RE

Fig. 3.16: Schma pour le calcul du point de fonctionnement

3.7.1 Point de fonctionnement


Gnralement, on xe le point de fonctionnement (gure 3.10) au centre de la droite
de charge limite par

0 < IC <
La valeur exacte de

IC

VCC
RC + RE

et

VCC < UCE < 0

se calcule en remplaant le diviseur

{R1 ; R2 }

par son gn-

rateur quivalent de Thvenin (gure 3.16) :

RB =

R1 R2
R1 + R2

VBB = VCC

R2
R1 + R2

(3.54)

Puis, comme on l'a vu au paragraphe 3.4, on obtient alors le point de fonctionnement


suivant

IC =

VBB Vj
,
RE + RB /

UC = VCC RC IC ,

UE = RE IE ' RE IC

(3.55)

autour duquel prendront place les variations causes par le signal utile.

3.7.2 Amplication
Le calcul de l'amplication des variations se fait avec le modle petits signaux
qui donne des rsultats plus proches de la ralit que le modle grands signaux.
Le schma d'amplication est alors celui de la gure 3.17a ; dans ce schma, on a
admis que les capacits de couplage sont assez grandes pour que, du point de vue
des variations, on puisse les considrer comme des courts-circuits.

17

3 Circuits transistors bipolaires


Aprs avoir remplac le transistor par son modle petits signaux (gure

3.17b),

on voit immdiatement que les tensions d'entre et de sortie valent respectivement

u1 = (rbe + ( + 1) RE ) ib ' (rbe + RE ) ib

(3.56)

u2 = ib RC

(3.57)

Dans cette dernire quation, an de simplier les calculs, on a admis que la rsistance de sortie du transistor (rce ) est inniment grande.

Gain en tension

Le rapport de ces deux tensions donne le gain en tension

AU 0
Se souvenant que

u2
RC
RC
=
'
u1
rbe + ( + 1) RE
rbe + RE

rbe = /gm,

AU 0 =

il vient alors

RC
RC
=
/gm + RE
RE + 1/gm

avec

1
VT
=
gm
IC

(3.58)

On voit ainsi que le gain de l'amplicateur est entirement dtermin par le choix
du point de fonctionnement.

Rsistance d'entre

Comme le courant circulant dans

RE

est

fois plus grand

que le courant de base, on montre aisment que la rsistance d'entre vaut

Rin

Rsistance de sortie

u1
= RB // (rbe + RE )
i1

Ayant admis

rce

(3.59)

(ce qui est tout fait raisonnable

dans le cas de l'amplicateur de tension), la rsistance vue depuis la charge vaut


simplement

RC .

On a donc :

Rout

Tension de sortie

u2
' RC
i2

La tension de sortie

u2 (t)

(3.60)

se calcule aisment en considrant

la gure 3.17c. On y voit en eet deux diviseurs de tension et un gain permettant


d'obtenir

u1 (t) = ug (t)

Rin
Rin + Rg

u20 (t) = AU 0 u1 (t)


u2 (t) = u20 (t)

18

RL
RL + Rout

(3.61)

(3.62)

(3.63)

3.7 Amplicateur de tension


C

Rg

B
E
u1(t)

ug(t)

R1

R2

Rg

u1(t)

ug(t)

RE

R1

ib = gmube

rbe

u2(t)

RC

R2

RL

u2(t)

RC

RL

RE

Rout

Rg

ug(t)

u1(t)

Auou1(t)

Rin

u2(t)

RL

Fig. 3.17: Schmas pour le calcul de l'amplication des petits signaux

a) avec le transistor
b) avec le modle petits signaux
c) son amplicateur quivalent

Remarque

En plaant une capacit

CE

en parallle avec

RE ,

on augmente forte-

ment le gain de l'amplicateur sans toutefois modier le point de fonctionnement, ni


sa stabilit ; celle-ci est en eet dtermine par la prsence de la rsistance d'metteur
qui ne doit pas tre choisie nulle.

CE , il sut
 1/RE CE

Pour tenir compte de la capacit

de remplacer

ZE (j)

qui devient ngligeable si

ZE (j) =

RE
0
1 + jCE RE

si

RE

par l'impdance

1
RE CE

Alors, la valeur absolue du gain tend vers son maximum et l'on a

AU 0 =

gm RC
gm RC
1 + gm ZE (j)

(3.64)

alors que la rsistance d'entre diminue sensiblement pour atteindre

Rin ' RB //rbe

(3.65)

19

3 Circuits transistors bipolaires


3.7.3 Exemple
On considre ici le calcul complet de l'amplicateur de la gure 3.15 (page 16) avec
les valeurs numriques suivantes

ug (t) = 100 mV sin(t),


R1 = 47 k,
= 200,

Solution

20

R2 = 4.7 k,

Vj = 0.6 V,

Rg = 1 k,

RL = 10 k

RC = 10 k,

VCC = 12 V,

RE = 1 k

C1 = C2 = 1 F

3.7 Amplicateur de tension


.

21

3 Circuits transistors bipolaires


.

22

3.7 Amplicateur de tension


Schma pour les petits signaux (AC)
B

81 mV

ib = gmube

rbe

- 383 mV

E
R1

u1(t)

77 mV

R2

RC

u2(t)

RL

RE

Rin = R1 // R2 // (rbe + RE)

Rout = RC

AU = u2 / u1 = -383 mV/ 81 mV = - 4.7 V/V = 13.4 dB /-180o

Schma complet avec les signaux DC et AC


12 V

R1
47k

ug(t)

1k

1.08V
81 mV

81 mV
u1(t)

1F
7.20V
- 383 mV

1F

Rg
100 mV

RC
10k

- 383 mV
0.48V
77 mV

R2
4.7k

RE
1k

iB(t) = 2.4 A + 0.38 A

RL
u2(t)

10 k

iC(t) = 480 A + 76 A

Fig. 3.18: Rsultats obtenus sur la base des modles linaires

Analyse des rsultats calculs et simuls


Dans les schmas de la gure 3.18, on a report les valeurs de polarisation et celles
des petits signaux calcules sur la base des modles linaires. Dans la gure 3.19a),
on a trac les signaux temporels obtenus par simulation Spice. On peut y lire les
valeurs suivantes

u1 (t) = 80 mV sin(t)
u2 (t) = 380 mV sin(t)

uB (t) = 1.083 Vdc + 80 mV sin(t)


uC (t) = 7.28 Vdc 380 mV sin(t)

On voit ainsi la trs bonne correspondance qu'il y a entre les valeurs calcules
l'aide des modles linaires et les rsultats de simulation qui sont obtenus avec des

23

3 Circuits transistors bipolaires


modles non linaires trs proches de la ralit.

Rponse temporelle dun amplificateur (spice)


u1 (t), ug(t)

0.1
0

0.1
0

0.5

1.5

2.5

3.5

4.5

0.5

1.5

2.5

3.5

4.5

0.5

1.5

2.5

3.5

4.5

0.5

1.5

2.5
temps [ms]

3.5

4.5

uB (t)

1.15
1.1

1.05
1

uC (t)

7.6
7.4
7.2
7
6.8
0.4

u2 (t)

0.2
0

0.2
0.4

Rponse frquentielle dun amplificateur


15

|H| [dB]

10

0
1
10

10

10

10

10

10

10

50

/H [deg]

100
150
200
250
300
1
10

10

10

10
frquence [Hz]

Fig. 3.19: Rsultats obtenus par simulation Spice

a) rponse temporelle
b) rponse frquentielle

24

10

10

10

3.8 Sources de courant


Enn, mme si dans le cadre de ce chapitre on n'a pas considr le comportement
frquentiel du transistor, il est intressant de faire calculer et tracer par Spice la
rponse frquentielle de cet amplicateur (gure 3.19b). On y remarque que sa bande
passante s'tend de 40 Hz 7.6 MHz et que le gain dans la bande passante est de
13.47 dB. Ce gain correspond bien celui calcul sur la base du modle linaire
simple.
On notera que la frquence de coupure infrieure (40 Hz) est due aux capacits
de couplage utilises pour relier l'amplicateur aux signaux extrieurs alors que
la frquence de coupure suprieure (7.6 MHz) est due aux capacits internes du
transistor.

3.8 Sources de courant


Nous avons vu au paragraphe 3.4.1 que, dans la mesure o le transistor ne sature
pas, le courant de collecteur est indpendant de la rsistance de collecteur. Cette
proprit est utilise pour raliser une source de courant telle que celle illustre par
la gure 3.20.

VCC

VCC

R1

RL

R2

VBB = VCC

RL

R1+R2
RB=R1//R2

R2

VBB

RE

RE

Fig. 3.20: Source de courant

3.8.1 Domaine de fonctionnement


En mode actif, le courant

IL

de la charge et la tension

IL IC =

UCE

VBB Vj
RE + RB /

UCE = VCC RL IL RE IL > 0

valent

(3.66)

(3.67)

25

3 Circuits transistors bipolaires


RL

Comme seule la charge

varie, la condition pour que le transistor ne sature pas

est

VCC
RE
IL

RL < RL, sat =


Tant que la charge
collecteur

IC

RL

(3.68)

est comprise entre 0 et cette valeur limite, le courant de

dpendra trs peu de

RL .

On a donc aaire une source de courant

dont il nous faut valuer la rsistance de sortie l'aide du modle des petits signaux.

3.8.2 Rsistance de sortie


L'annulation des tensions continues de la source de courant conduit au schma de
la gure 3.21. On y voit que les rsistances
la suite, on posera donc

R12

R1

R2

et

se placent en parallle ; pour

R1 R2
R1 + R2

An d'allger les expressions, on peut encore regrouper les rsistances

RE , rbe

et

R12

en une rsistance quivalente :

Requ = RE // (rbe + R12 )


C
B
iL
E
R1

R2

uL

RL

RE

rce
B

rbe

C
ib

iL

E
R1

R2

uL

RL

RE

Fig. 3.21: Schma petits signaux d'une source de courant

Le calcul de la rsistance de sortie dnie par

Rout

26

uL
iL

(3.69)

3.8 Sources de courant


s'eectue partir de la tension de sortie du circuit qui vaut :

uL = rce (iL ib ) + Requ iL

(3.70)

Comme le courant de base provient du diviseur de courant

ib = iL

{RE ; rbe + R12 },

on a

RE
RE + rbe + R12

(3.71)

Portant ce rsultat dans l'quation prcdente et regroupant les termes en


vient :

uL = Requ + rce
d'o :

Rout
Comme

Requ

RE
1+
RE + rbe + R12

rce ,

Rout ' rce

RE
1+
RE + rbe + R12

il

iL

uL
RE
=
= Requ + rce 1 +
iL
RE + rbe + R12

est gnralement ngligeable par rapport

Pratiquement,

!!

iL ,

(3.72)

on obtient nalement

(3.73)

Rout est de l'ordre de 10 100 rce et peut atteindre quelques centaines

de k. On notera que, dans le cas o la rsistance d'metteur est nulle, on a

Rout = rce

si

RE = 0

(3.74)

3.8.3 Miroir de courant


Une manire simple de raliser plusieurs sources de courant gales consiste utiliser
un miroir de courant dont le schma est donn la gure 3.22. Celui-ci est constitu
de plusieurs transistors identiques dont toutes les bases sont relies entre elles et
les metteurs entre eux. La tension base-metteur est donc la mme pour tous les
transistors, ce qui entrane des courants de collecteur gaux pour tous les transistors :

IC = IL1 = IL2
Le premier transistor, dit

(3.75)

transistor de commande du miroir,

a sa base relie son

collecteur ; il travaille comme une diode ayant une tension de seuil

Vj

entre base et

metteur. L'quation de la premire branche s'crit donc

VCC = R (IC + 3IB ) + Vj

(3.76)

On en dduit que

VCC Vj
= IC + 3 IB ' IC
R

si

1

(3.77)

Comme il n'y a pas de rsistance d'metteur dans un miroir de courant, la rsistance


de sortie de chaque source de courant vaut

Rout = rce

(3.78)

27

3 Circuits transistors bipolaires


VCC

RL1

RL2

IC+3IB
IL1

IL2

IC

Fig. 3.22: Miroir de courant

3.9 Amplicateur collecteur commun


L'amplicateur collecteur commun (gure 3.23) est gnralement utilis pour sa
faible rsistance de sortie. Ce qui signie que la tension de sortie est peu sensible au
courant soutir par la charge. Le modle d'ordre 0 nous permet en eet de voir que
dans le cas o

RB /  RL ,

on a

IC =

VBB Vj
VBB Vj
'
RL + RB /
RL

avec

VBB = VCC

R2
R1 R2
, RB =
R1 + R2
R1 + R2

(3.79)

(3.80)

d'o

U2 = RL IE ' RL IC ' VBB Vj

(3.81)

3.9.1 Paramtres de l'amplicateur CC


Du point de vue des petits signaux, le schma d'un amplicateur CC devient celui
de la gure 3.24. Les quations du circuit sont alors les suivantes

i1 =

28

u1
u1
+
RB rbe + RL

(3.82)

i2 = ( + 1) ib ' ib

(3.83)

u1 = ib rbe + ib RL

(3.84)

u2 = ib RL = rbe ib Rg i1 + ug

(3.85)

3.9 Amplicateur collecteur commun


VCC

R1
Rg

i1
i2=-iL

ug(t)

u1(t)

R2

u2(t)

RL

Fig. 3.23: Amplicateur collecteur commun

Rg

ib

i1

rbe

i2=-iL

E
ib

ug(t)

u1(t)

RB

u2(t)

RL

C
Fig. 3.24: Schma petits signaux de l'amplicateur collecteur commun

De la premire quation, on dduit la rsistance d'entre

u1
Rin
=
i1

1
1
+
RB rbe + RL

!1

' RB

(3.86)

Le rapport des deux tensions donne

Au
d'o

Au =

u2
ib RL
=
u1
ib rbe + ib RL

RL
RL
RL
=
=
<1
rbe + RL
rbe / + RL
RL + 1/gm

Comme le calcul de la rsistance de sortie se fait en prenant


rsistances

Rg

et

RB

(3.87)

u g = 0,

on voit que les

(3.88)

se mettent en parallle. On a donc

u2 = ib

RB Rg
rbe +
RB + Rg

i2
=+

RB Rg
rbe +
RB + Rg

D'o l'on tire

Rout

u2
1
1 RB Rg
1
1 RB Rg
1

= rbe +
=
+
'

i2 ug =0
RB + Rg
gm RB + Rg
gm

(3.89)

29

3 Circuits transistors bipolaires

3.10 Amplicateur direntiel


L'amplicateur direntiel est ralis avec deux transistors et une source de courant.
Son schma est donn la gure 3.25. Pour les calculs qui suivent, on fait l'hypothse que les deux transistors sont identiques et que les tempratures de chaque
jonction sont les mmes. Ce point est important car les transistors ont des caractristiques qui varient sensiblement avec la temprature. Par ailleurs, on peut relever
que l'on intgre les paires direntielles sur un mme substrat de silicium pour que
les caractristiques des transistors soient aussi proches que possibles.
Le calcul de cet amplicateur peut bien entendu se faire sur la base du modle
petits signaux. Cependant, pour mieux comprendre le fonctionnement global du
circuit, il vaut la peine de prendre en compte le modle exponentiel des transistors
IC = IS eUBE /VT . C'est ce qui sera fait dans la section 3.10.4.

VCC

RC

RC

Q1

Q2
UE

UBE1
U21

UBE2
U22

I0
U11

U12

Fig. 3.25: Amplicateur direntiel

3.10.1 Point de fonctionnement en mode commun


Comme les deux transistors sont identiques et qu'en mode commun les tensions de
bases sont gales, les deux transistors conduisent de la mme manire (gure 3.25).
Les courants d'metteurs sont donc gaux et ils valent

IE1 = IE2 =
Comme

 1,

(3.90)

on admettra comme on l'a fait jusqu'ici

IC ' IE

30

I0
2

(3.91)

3.10 Amplicateur direntiel


La tension des deux metteurs est lgrement infrieure au mode commun

UE = Ucm Vj =

U11 + U12
Vj
2

(3.92)

alors que les tensions de collecteur sont gales et valent

UC1 = UC2 = VCC RC IC = VCC RC

I0
2

(3.93)

3.10.2 Amplicateur quivalent


Cette modlisation se fait sur la base du schma petits signaux de la gure 3.26.
On notera que le calcul peut se faire aussi bien en utilisant le modle gain en
courant

ic = ib

que celui transconductance

E1

ube1

ue

ic = gm ube

E2

que l'on utilisera ici.

ube2

B1

B2
E
C11

C2

u11

u12
RC

u21

rbe1

E1

B1

RC

ue

rbe2

EE21

B2

gm ube2
= ib2

gm ube1
= ib1

u11

C1
u21

u22

u12

C2

RC

RC

u22

Fig. 3.26: Schmas petits signaux de l'amplicateur direntiel

Rsistance d'entre

Celle-ci est la somme des rsistances que l'on voit depuis les

bases des deux transistors, c'est--dire :

Rin = 2 rbe

(3.94)

31

3 Circuits transistors bipolaires

Rsistance de sortie
Admettant

rce ,

C'est la rsistance que l'on voit depuis l'un des collecteurs.

on a :

Rout = RC

(3.95)

Dans le cas o on considre une sortie direntielle prise entre les deux collecteurs,
on a :

Rout, dm = 2 RC

Gain en tension

(3.96)

Pour le calculer, considrons la tension de sortie

u22

u22 = ib2 RC = gm ube2 RC


Comme on est en mode direntiel (u12

= u11 ),

qui vaut
(3.97)

on a

udm = u11 u12 = ube1 ube2

(3.98)

udm
2

(3.99)

avec

ube2 = ube1 =

On en dduit que, pour la deuxime sortie, le gain en tension vaut

AU 2

u22
gm RC ube2
gm RC
RC I0
=
=+
=+
udm
2 ube2
2
4VT

(3.100)

Dans le cas o on considrerait une sortie direntielle prise entre les deux collecteurs, on aurait un gain deux fois plus grand :

AU, dif f = +

RC I0
2VT

On notera que ces gains ne dpendent que de

(3.101)

RC , I0 et VT .

3.10.3 Eet d'une source de courant relle


Dans ce qui prcde, on a admis que la source de courant tait parfaite. En consquence de quoi, le mode commun des tensions d'entre n'avait aucune inuence sur
la sortie. Si l'on souhaite tre plus prs de la ralit, on doit reconsidrer le schma
de l'amplicateur direntiel en y ajoutant une rsistance
source de courant

I0 .

R0

en parallle avec la

Le schma d'amplication devient alors celui de la gure 3.27.

En redessinant ce schma pour le mode commun (u11

= u12 = ucm ),

on obtient le

schma de la gure 3.28 duquel on tire

Comme ib1

= ib2 ,

u22 = ib2 RC

(3.102)

ucm = rbe ib2 + R0 (ib1 + ib2 + ib1 + ib2 )

(3.103)

on en dduit que le gain en mode commun vaut

Acm

32

u22
RC
=
ucm
rbe + 2( + 1)R0
RC
RC
=
'
rbe / + 2R0
2R0 + g1m

3.10 Amplicateur direntiel


rbe1

E1

B1

gm ube1
= ib1

u11

B2

gm ube2
= ib2

R0

C1
u21

rbe2

EE21

ue

u12

C2

RC

u22

RC

Fig. 3.27: Schma petits signaux avec une source de courant relle

B2 ib2

rbe2

E2

B1 ib1

rbe1

E1

gm ube1
= ib1

u11 = u12 = ucm

R0

C1
u21

gm ube2
= ib2

C2

RC

RC

u22

Fig. 3.28: Schma petits signaux pour le mode commun

Gnralement, l'inverse de la transconductance


ngligeable par rapport

R0 .

1/gm

(quelques dizaines d'ohm) est

On a donc

Acm '

RC
2R0

(3.104)

Sachant que le gain en mode direntiel vaut

Adm = AU 2 = +

RC I0
4VT

on peut calculer le taux de rjection du mode commun (TRMC ou CMRR = Common Mode Rejection Ratio) caus par la rsistance interne de la source de courant

= T RMC =



Adm



Acm


RC
+

I0

4VT


2 R0 I0 R0

=
RC
2 VT

(3.105)

33

3 Circuits transistors bipolaires


Il est important de noter que cette expression ne prend pas en compte les dirences
invitables des transistors entre eux et des rsistances entre elles. Le taux de rjection
du mode commun sera donc toujours infrieur l'estimation ci-dessus.

3.10.4 Caractristique complte de l'amplicateur direntiel


An de mieux comprendre le fonctionnement global du circuit, il vaut la peine de
U
/V
prendre en compte le modle exponentiel des transistors IC = IS e BE T . Ce qui,
dans le cas de l'amplicateur direntiel, ne pose pas de dicult.
En mode direntiel (U11

= U12 ), on a les quations de maille et de noeud suivantes


U11 U12 Udm = UBE1 UBE2

(3.106)

IE1 + IE2 = I0

(3.107)

Admettant que le gain en courant des transistors est beaucoup plus grand que 1, on
a galement

IC1 + IC2 ' I0


d'o

IC1

IC2
1+
IC1

(3.108)

= I0

(3.109)

Considrant que les courants de collecteur sont dcrits par

UBE
IC = IS exp
VT


et admettant que le courant de saturation

IS

(3.110)

et la temprature sont les mmes pour

les deux transistors, il vient

IS exp (UBE2 /VT )


1+
IS exp (UBE1 /VT )

IC1

= I0

Ce qui donne aprs simplication

IC1

UBE2 UBE1
1 + exp
VT



= I0

La dirence des tensions base-metteur tant gale la tension direntielle d'entre, on a nalement

IC1 =

I0
1 + exp

De manire similaire, on obtient

IC2 =

34

Udm
VT

I0
1 + exp

+Udm
VT

(3.111)

(3.112)

3.10 Amplicateur direntiel


La tension de sortie de l'amplicateur direntiel peut tre prise entre les deux
collecteurs ou sur l'un des deux collecteurs. Dans le cas o l'on prend la sortie sur
le deuxime collecteur, on a :

U22 = VCC RC IC2 = VCC

RC I0
1 + exp

+Udm
VT

(3.113)

Les graphes des courants et tensions sont prsents dans les gures 3.29 et 3.30. On
notera que les variations autour du point de fonctionnement peuvent tre considres
comme raisonnablement linaires si la tension direntielle d'entre ne dpasse pas
le potentiel thermique

VT .
Courants de collecteurs

1
0.9
0.8
0.7

IC1, IC2 [mA]

0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
IC1

0.1

IC2
IC0

0
250

200

150

100

50

0
UDM [mV]

50

100

150

200

250

Fig. 3.29: Courants de collecteurs

Gain en tension

Le gain en tension se calcule en considrant les variations autour

du point de repos de la tension de sortie prise ici sur le deuxime collecteur. On a


donc :

AU 2
avec

dU22

dUdm Udm =0

(3.114)

dU22
d
RC I0


=
VCC
+Udm
dUdm
dUdm
1 + exp VT
+Udm
= 0+ 

2 exp
+Udm
VT
1 + exp
RC I0

VT

1
VT

35

3 Circuits transistors bipolaires


Tensions de collecteurs
12

10

C1

,U

C2

[V]

2
U

C1

C2

0
250

C0

200

150

100

50

0
[mV]

50

100

150

200

250

DM

Fig. 3.30: Tensions de collecteurs

Ce qui, lorsque

Udm = 0,

devient simplement

RC I0
dU22
1
=+ 2 1


dUdm Udm =0
2
VT

donc

AU 2 = +

RC I0
4 VT

Comme les courants de repos des deux transistors valent

gm

de chaque transistor vaut

I0 /(2VT ).

(3.115)

I0 /2,

la transconductance

Le gain en tension peut alors galement

s'crire sous la forme :

AU 2 = +

gm RC
2

(3.116)

Si la tension avait t prise sur le premier collecteur, on aurait obtenu :

AU 1 =

gm RC
RC I0
=
4 VT
2

(3.117)

Enn, si l'on avait considr la sortie direntielle prise entre les deux collecteurs,
on aurait un gain deux fois plus grand :

AU, dm AU 1 AU 2 =

36

RC I0
= gm RC
2 VT

(3.118)

3.11 Amplicateur push-pull

3.11 Amplicateur push-pull


L'association d'un transistor npn avec son complmentaire pnp permet de raliser
un circuit capable, suivant la polarit du signal d'entre, de fournir ou recevoir
un courant de la charge (gure 3.31). Un tel circuit porte le nom d'amplicateur
push-pull (pousser-tirer). Si la tension d'entre est positive et suprieure
transistor

Q1

Q2 (pnp) est bloqu ; alors, le courant circule


Q2 conduise, la tension d'entre doit tre infrieure
alors bloqu et courant circule de la charge RL travers

(npn) conduit et

vers la charge

RL .

Vj , le
de Q1

Pour que

Vj ; le transistor Q1 est
Q2 , en sens inverse du prcdent.

On notera que les deux transistors sont dans une

conguration collecteur commun.

+VCC

Q1

IL> 0 si Ug > Vj

Rg

IL
RL

U1

Ug

U2

Q2
IL< 0 si Ug < - Vj
-VCC
Fig. 3.31: Amplicateur push-pull lmentaire

Lorsque la tension d'entre est comprise entre

Vj

et

+Vj ,

aucun transistor ne

conduit et la tension de sortie est alors nulle. Cela conduit une dformation sensible
et inadmissible du signal de sortie par rapport la tension d'entre (gure 3.33a).
On peut corriger ce problme en compensant la tension de seuil

Vj

des transistors

l'aide de diodes de polarisation places entre la base de chaque transistor et le


gnrateur d'entre (gure 3.32). Pour rendre conductrices ces diodes, on y fait
circuler un courant provenant des tensions d'alimentation via les rsistances

RD . La

tension de sortie est alors pratiquement gale la tension d'entre (gure 3.33b).
Dans la ralit, la tension aux bornes des deux diodes n'est pas exactement gale
celle des deux jonctions base-metteur ; le courant d'metteur n'est donc pas matris
et on risque un emballement thermique d au fait que la tension de seuil

Vj

diminue

avec la temprature.
Pour pallier ce dfaut, on incorpore deux rsistances
ohms) entre les metteurs et la charge

RE

de faibles valeurs (quelques

RL ; ces rsistances compenseront la dirence

de tension entre les diodes et les jonctions des transistors.

37

3 Circuits transistors bipolaires


+VCC
RD
Q1
D1
RE

Rg

U1

Ug

RE

D2

IL
RL

U2

Q2
RD
-VCC
Fig. 3.32: Amplicateur push-pull avec polarisation
10V

0V

SEL>>
-10V
V(in)

V(OUT1)

V(in)

V(OUT2)

10V

0V

-10V
0s

0.5ms

1.0ms

1.5ms

2.0ms

Time

Fig. 3.33: Tensions de sortie d'un amplicateur push-pull

a) sans polarisation (Vout1)


b) avec polarisation (Vout2)

3.11.1 Gain en tension, rsistances d'entre et de sortie


Comme les transistors travaillent alternativement entre blocage et forte conduction,
il est dicile de considrer que le signal utile consiste en une variation autour d'un
point de fonctionnement. Il faut donc bien tre conscient du fait que l'utilisation
des modles petits signaux pour valuer les rsistances d'entre et de sortie du

38

3.12 Calcul d'un amplicateur plusieurs tages


montage push-pull n'est qu'une approximation grossire d'un comportement fortement non-linaire. Les valeurs estimes pour

gm

et

rbe

doivent donc tre utilises

avec prcaution.
Appliquant malgr tout le modle petits signaux un transistor conducteur (l'autre
tant bloqu), on montre aisment les rsultats suivants :

Rin ' RD kRD k (rbe + (RE + RL ))


1
Rout ' RE + (rbe + RD kRD k Rg )

AU 0 = 1

(3.119)
(3.120)
(3.121)

On notera que l'amplicateur push-pull n'est pas un amplicateur unilatral. En


eet, comme le montrent ces rsultats, la rsistance d'entre dpend de la charge

RL

et la rsistance de sortie dpend de la rsistance interne

nissant

Rg

du gnrateur four-

U1 .

3.12 Calcul d'un amplicateur plusieurs tages


Pour conclure et faire la synthse de ce qui a t vu jusqu'ici, on se propose de
calculer, analyser et simuler un amplicateur plusieurs tages (gure 3.34). Cet
amplicateur est constitu de :
1. un tage d'entre ralis avec une paire direntielle et sa source de courant ;
2. un tage adaptateur de niveau permettant de ramener vers zro la tension de
sortie de l'amplicateur direntiel ;
3. un tage de sortie ralis avec une structure push-pull ;
4. des tensions d'alimentation

VCC = VEE = +12 V ;

5. des rsistances suivantes

RC = R4 = 7 k,

R3 = RD = 12 k,

RE = 10 ,

RL = 200

Considrant que cet amplicateur reoit un signal d'entre sinusodal d'amplitude


10 mV et admettant
 des tensions de seuil de 0.6 [V] pour les transistors et les diodes,
 un gain en courant de 250 pour tous les transistors,
 une tension de Early innie pour tous les transistors,
on calculera :
1. les courants de repos de chaque composant et la valeur de

R5

pour que la

tension de sortie de l'adaptateur de niveau soit nulle ;


2. les paramtres direntiels des transistors et des diodes ;
3. les rsistances d'entre et de sortie, ainsi que le gain en tension vide de
chaque tage ;
4. les rsistances d'entre et de sortie, ainsi que les gains en tension vide et en
charge de l'amplicateur complet.
Une simulation avec des transistors PN100 (npn), PN200 (pnp) et des diodes 1N4148
permettra d'valuer la qualit des modles utiliss.

39

Q7

D2

RE

RD
R5
-VCC
Q4

Q2
Q1

Q3

R3

Uin

in

RC

RC

+VCC

diff

R4

Q5

adap

RD

D1

Q6

RE

out

RL

3 Circuits transistors bipolaires

Fig. 3.34: Amplicateur multi-tages

40

3.12 Calcul d'un amplicateur plusieurs tages


3.12.1 Points de fonctionnement

3.12.2 Paramtres direntiels

41

3 Circuits transistors bipolaires


3.12.3 Modles d'amplication de chaque tage

42

3.12 Calcul d'un amplicateur plusieurs tages


3.12.4 Amplicateur complet

43

3 Circuits transistors bipolaires


3.12.5 Simulation Spice
Tensions

Uin [V]

0.01
0

U = 0.02 [V]
in

0.01
0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

1.6

1.8

0.6

0.8

1.2

1.4

1.6

1.8

0.6

0.8

1.2

1.4

1.6

1.8

0.6

0.8

1
1.2
temps [msec]

1.4

1.6

1.8

[V]

6
diff

Udiff = 2.54 [V]

4
0

0.2

0.4

[V]

1
adap

= 1.4 [V]

adap

U
0

0.2

0.4

psh

[V]

Upsh = 1.2 [V]

0.2

0.4

Fig. 3.35: Tensions dans l'amplicateur

Courants
5.5

in

[A]

5
4.5
4

Iin = 1.57 [A]

3.5
3

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

1.6

1.8

0.6

0.8

1.2

1.4

1.6

1.8

0.6

0.8

1
1.2
temps [msec]

1.4

1.6

1.8

2.5

Idiff = 1.56 [A]

diff

[A]

3
3.5

4.5
5

0.2

0.4

Iadap [A]

100
I

adap

= 256 [A]

100
0

0.2

0.4

Fig. 3.36: Courants dans l'amplicateur

La dformation que l'on peut observer sur l'alternance ngative de la tension de


sortie provient d'une polarisation insusante du transistor pnp (Q7 ). Le problme
se corrige simplement en plaant une diode supplmentaire en srie avec

44

D2 .

3.12 Calcul d'un amplicateur plusieurs tages


3.12.6 Comparaison des rsultats obtenus
Parties

Grandeurs

Polarisation

IC4
IC1 , IC2
IC5
ID1
ID2
IC6
IC7
Udif f
Uadap
Uout
rbe
Rin
Rout
AU 0
AU
rbe
Rin
Rout
AU 0
AU
rd
rbe
Rin
Rout
AU 0
AU
Rin
Rout
AU 0
AU

Ampli. di.

Adaptateur

Push-pull

Ampli. complet

Units

Thorie

Simulation

mA

1.95

2.0

mA

0.98

1.0

mA

0.89

0.88

mA

0.95

0.955

mA

0.95

0.944

mA

0.112

mA

0.006

5.17

mV

-42

-67

mV

-42

+21

Remarques

5.04

6.7

13.3

7.0

V/V

131

V/V

131

127

6.2

chier *.out

12.7

Uin /Iin

Udif f /Uin

7.3

7.1

chier *.out

1.76

1.6

Udif f /Idif f

13.5

V/V

-1.92

V/V

-0.55

-0.55

Uadap /Udif f

k
k

49

50

chier *.out

2.5

55

chier *.out

5.4

5.5

Uadap /Idif f

37

33

voir qu. 3.122

V/V

V/V

0.84

0.86

12.8

12.7

37

33

V/V

-71.4

V/V

-60.6

-60

Uout /Uadap
Rin, dif f
Rout, psh
Uout /Uin

Mesure de la rsistance de sortie


Partant du diviseur constitu par la rsistance de sortie et la rsistance de charge,
on a

UL = Uco

RL
RL + Rout

Comme la tension en circuit ouvert d'un amplicateur vaut

Uco = AU 0 Uin ,

on a

dans le cas de la partie push-pull

Uout = (AU 0, psh Uadap )

RL
RL + Rout

45

3 Circuits transistors bipolaires


On en dduit alors que la rsistance de sortie vaut :

Rout = RL

46

Uadap
1
AU 0, psh
Uout

avec

AU 0, psh = 1

(3.122)

3.13 Exercices

3.13 Exercices
Pour les exercices qui suivent et sauf indication contraire, les transistors seront
caractriss par

= 200,

TBP1

Vj = 0.6 V,

VA ,

IE ' IC

Sachant que les transistors des trois circuits de la gure 3.37 sont actifs et

tels que

IB = 5 A,

IC = 1 mA,

UCE = 5 V

1. marquez les points B, C et E sur chaque circuit ;


2. dessinez les ches des courants et placez les indices manquants ;
3. calculez les tensions de chaque circuit ;

Rp : a) VBB = 0.65 V, VCC = 10 V; b) VBB = 5.65 V, VCC = 10.0 V;


c) VEE = 1.6 V, VCC = 9.4 V
4. calculez la puissance dissipe par chaque transistor. (Rp :

P = 5 mW)

5k
10k
R....
R....

U....

U....

V....

V....

10k
R....

U....
V....

V....

5k

U....

1k
R....

U....

U....

R....

5k
R....

V....

V....

Fig. 3.37: TBP1

47

3 Circuits transistors bipolaires

TBP2

Considrant le circuit gnral (gure 3.38) avec

VBB = 1.6 V,

VCC = 12 V,

RB = 10 k,

RC = 1 k,

RE = 100

dessinez son schma avec les valeurs proposes puis

IC,max , IB , IC et la tension UCE ;


IB = 33.3 A, IC = 6.67 mA, UCE = 4.67 V

1. calculez les courants

Rp :

VBB et RC ; pour quelles


IC = 10 mA.
Rp : VBB = 2.1 V, RC = 0.7 k

2. on change

valeurs de celles-ci obtient-on

UCE = 4 V

et

3. calculez les courants IC,max , IB , IC et la tension

UCE

lorsque

VBB = 1.6 V, RE =

0.
Rp : IB

= 0.1 mA, IC = IC, max = 12 mA, UCE = 0 V


RC
IC
RB

IB

VCC
IE

UC

VBB
UE

RE

Fig. 3.38: TBP 2-3-4-9-12

TBP3

Considrant le circuit gnral (gure 3.38) avec

VCC = 12 V,
calculez

TBP4

IC,max , IB , IC , IE

RB = 3 k,
et

UCE

RC = 10 k,

lorsque 1)

VBB = 2 V,

VCC = 12 V,

RB = 47 k,

VBB = 3 V.

RC = 2.2 k,

1. calculez la puissance dissipe par le transistor ;


2. que se passe-t-il si

RC

3. calculez la valeur de

48

2)

Considrant le circuit gnral (gure 3.38) avec

VBB = 2 V,

Rp :

RE = 2 k

augmente ?

RC

qui sature le transistor.

P = 14.2 mW, RC, sat = 4.5 k

RE = 0.33 k

3.13 Exercices

TBP5

Considrant le circuit (a) de la gure 3.39,

1. calculez le gnrateur quivalent de Thvenin

Rp :

VBB

lorsque

U1 = 6 V ;

VBB = 3 V, RB = 15 k
IC,max , IC et UCE ;
IC = 2.23 mA, UCE = 15.5 V

2. calculez

Rp :

3. calculez la valeur de la tension

U1

telle que

a) le transistor bloqu commence conduire ; Rp :


b) le transistor actif commence saturer ; Rp :
4. dessinez la caractristique de transfert

TBP6

U1, sat = 22.7 V

UC (U1 ).

Considrant le circuit (b) de la gure 3.39 avec

VCC = 12 V,
calculez

U1, bl = 1.2 V

R1 = 820 k,

IC,max , IC , UC , UE , UB

Rp : IC

et

R2 = 82 k,

RC = 10 k,

RE = 1 k

P.

= 0.36 mA, UC = 8.42 V, UB = 0.96 V, UE = 0.36 V, P = 2.9 mW


VCC

10k

R1

RC

R2

RE

1k

10k

20V

U1

10k

1k
(a)

(b)

Fig. 3.39: TBP5-6

RE

(a)

(b)

RC
RB

VEE

RB

RC
VCC
RE

VBB
VEE

Fig. 3.40: TBP7-8

49

3 Circuits transistors bipolaires

TBP7

Considrant le circuit (a) de la gure 3.40 avec

VEE = 6 V,
RB = 330 k,
calculez

Rp :

IC,max , IC , UC , UE , UB

et

VBB = +2 V,
RC = 3.3 k,

VCC = +12 V
RE = 1 k

P.

IC,max = 4.18 mA, IC = 2.79 mA

UC = 2.78 V, UB = 2.61 V, UE = 3.21 V, P = 16.7 mW

TBP8

Considrant le circuit (b) de la gure 3.40 avec

VEE = 12 V,
calculez

Rp :IC

TBP9

RB = 820 k,

IC,max , IC , UC , UE , UB

et

RC = 2 k,

RE = 1 k

P.

= 2.23 mA, UC = 4.47 V, UB = 9.16 V, UE = 9.76 V, P = 11.8 mW

Considrant le circuit gnral (gure 3.38) avec

VCC = 15 V,

RB = 10 k,

RC = 1 k,

calculez et tracez la caractristique de transfert

RE = 0.1 k

UC (VBB )

lorsque la tension

VBB

varie de 5 V +5 V.

TBP10

Le circuit de la gure 3.41 permet de produire un champ magntique

variable l'aide du diviseur potentiomtrique constitu de

R1

et de la rsistance

R2

variant logarithmiquement. Considrant les valeurs numriques suivantes

VCC = 48 V, R1 = 330 , R2 = 1 10 k, RE = 1 k, RL = 100


1. remplacez le diviseur par son gnrateur quivalent de Thvenin ;
2. calculez littralement le courant
3. calculez

R2, bloc

4. que vaut

IL

et

IL (R2 ) ;

quelle sera sa valeur maximum ?

R2, sat ;

lorsque

R2 = 10 , 30 , 100 , 300 , 1k , 3k, 10k ?

5. esquissez dans un diagramme semi-logarithmique

IL (R2 )

pour

1 sR2

10 k ;
6. que se passe-t-il lorsque l'on ouvre l'interrupteur K ? proposez une solution
pour viter une destruction du transistor.

Rp : IC,max

50

= 43.6 mA, R2,bloc = 4.2 , R2,sat = 3.8 k

3.13 Exercices
VCC

RL

R1

RE

R2

Fig. 3.41: TBP 10

VCC

RC

R1
Rg

ug(t)

u1(t)

u2(t)
RE

R2

RL

CE

Fig. 3.42: TBP 11

TBP11

Considrant l'amplicateur de la gure 3.42 dans lequel

mise en parallle avec RE


VCC = 12 V,

une capacit est

et les valeurs suivantes

R1 = 600 k,

R2 = 50 k,

ug (t) = 10 mV sin(t) Rg = 10 k,
1. calculez les valeurs de polarisation

RC = 22 k,

RL = 33 k,

IC , UB , UC

et

RE = 1 k

1/C 0

UE ;

2. quelles sont la puissance dissipe par le transistor et celle fournie par l'alimentation ?

51

3 Circuits transistors bipolaires


3. calculez les paramtres direntiels du transistor ;
4. dessinez le schma d'amplication en prcisant o se situent les connexions B,
C, E ;
5. dessinez le schma de l'amplicateur de tension quivalent puis calculez ses pa-

Rin , Rout , AU 0 ; observant les valeurs de Rin


CE ?
calculez les tensions d'entre u1 (t) et de sortie u2 (t) ;
dessinez les tensions uB (t) et uC (t) ;
calculez les gains AU , AI , AP de l'amplicateur.

ramtres

et

AU 0 , quel est

l'intrt

de la capacit

6.
7.
8.

TBP12

Considrant le circuit de base (gure 3.38) avec

VBB = 1.2 V,

VCC = 24 V,

RB = 10 k,

RC = 2 k,

RE = 50

dans lequel on place en srie avec la tension d'alimentation de la base


gnrateur sinusodal
schma en incluant le

VBB

un

u1 (t) = 10 mV sin(t) de frquence 1 kHz. Redessinez son


gnrateur d'entre u1 (t) et la connexion de sortie u2 (t) prise

sur le collecteur puis


1. calculez le point de fonctionnement du circuit

IC , UB , UC

et

UE ;

2. calculez les paramtres direntiels du transistor ;


3. dessinez le schma d'amplication en prcisant o se situent les connexions B,
C, E ;
4. dessinez le schma de l'amplicateur de tension quivalent puis calculez ses
paramtres

Rin , Rout , AU 0 ;

5. calculez les variations de courants

ib , ic

et de tensions

ub , ue , uc

autour du

point de fonctionnement ;
6. esquissez les tensions

TBP13

uB (t), uC (t), uE (t).

Considrant l'amplicateur de la gure 3.43 et les valeurs suivantes

VCC = 12 V,

R1 = 15 k,

ug (t) = 10 mVac ,

R2 = 8.2 k,

Rg = 50 ,

1. calculez les valeurs de polarisation

RC = 4 k,

RE2 = 470 ,

RE = 4 k

1/C 0

IC1 , IC2 , UB1 ,UC1 , UE2 ;

2. calculez les paramtres direntiels des transistors ;


3. dessinez le schma d'amplication en prcisant o se situent les connexions B,
C, E ; tracez une ligne de sparation entre les deux tages d'amplication ;
4. calculez les paramtres

Rin , Rout , AU 0

de chaque tage d'amplication ;

5. dessinez le schma quivalent avec les deux amplicateurs ;


6. quelle est la fonction de chaque amplicateur ?

u1 (t) et de sortie u20 (t) ;


RL = 100 ; que vaut u2 (t) ?

7. calculez les tensions d'entre


8. on charge le circuit avec

52

3.13 Exercices
VCC

RC

R1

Q2

Rg
Q1
ug(t)

u1(t)

RE

R2

RE2

u2(t)

Fig. 3.43: TBP13

VCC

R1

RL

rz
DZ

UZ0

RE

Fig. 3.44: TBP 14

TBP14

On s'intresse ici la source de courant de la gure 3.44. Dans ce nouveau

schma, la rsistance

R2

du diviseur de tension a t remplace par une diode Zener

caractrise par sa tension de seuil

UZ0

et sa rsistance direntielle

rz .

Redessinez

son schma avec le modle d'ordre 1 de la diode Zener puis, considrant les valeurs
suivantes

VCC = 24 V,
1. calculez

VBB , RB

R1 = 6 k,

UZ0 = 6 V,

et le courant de collecteur

2. calculez la valeur de

RL

rz = 6 ,

RE = 0.47 k

IC ;

conduisant la saturation du transistor ;

3. calculez les paramtres direntiels du transistor en admettant que le potentiel


de Early vaut

VA = 100 V ;

53

3 Circuits transistors bipolaires


4. dessinez le schma petits signaux en prcisant o se situent les connexions
B, C, E ;
5. calculez la rsistance de sortie de cette source de courant et donnez son gnrateur de Thvenin quivalent ;
6. calculez la variation de courant

TBP15

IC

lorsque la charge varie de 0

Considrant l'amplicateur direntiel de la gure 3.45 avec les valeurs

suivantes

VCC = +12 V = VEE ,


R1 = 82 k,

R2 = 39 k,

RC = 12 k
RE = 3.3 k

VCC

RC

Q1

RC

Q2

UE

U11

U12

IC3

R1

Q3

RE

R2

VEE
Fig. 3.45: TBP15-16-17

on demande d'analyser
1. la polarisation avec

U11 = U12 = 0

a) calculez les courants

IC3 , IC1 , IC2 ;

b) calculez les tensions

UE1 , UC1 , UC2 , UE3

2. le mode commun avec


a) soit

54

RL, sat .

Ucm = 3 V

et

UB3 ;

U11 = U12 = Ucm 6= 0

; calculez

UC1 , UC2 , UE , UE3 ;

U2

3.13 Exercices
b) jusqu' quel point peut-on abaisser

Ucm

Ucm

c) jusqu' quel point peut-on augmenter


3. le mode direntiel avec
a) que valent

Udm

et

Q3 ?

sans saturer

sans saturer

Q1,2 ?

U11 = U12 = 10 mV

Ucm ?

b) calculez les paramtres direntiels des 3 transistors ;


c) dessinez le schma d'amplication en considrant que la source de courant

I0

est parfaite ;

d) calculez les paramtres de l'amplicateur direntiel

Rin , Rout , Adm ;

e) calculez la tension de sortie de l'amplicateur.

TBP16

Dans l'exercice prcdent, on a admis que la source de courant

parfaite. Or, dans le cas o la rsistance

R0

I0

tait

de la source n'est pas innie, toute

IC3 ,

variation du mode commun va entraner des variations de

donc des variations

de la tension de sortie. Pour le voir, on demande


1. Calculez la rsistance de sortie

R0

de la source de courant (VA

' 100 [V]).

2. Dessinez le schma petits signaux pour le mode commun (u11


3. Calculez la variation de la tension de sortie
le tension en mode commun

u22

= u12 = ucm ).

par rapport la variation de

ucm.

4. Calculez le gain du mode commun

Acm u22 /ucm

et le taux de rjection du

mode commun.
5. Considrant les tensions d'entre

U11 = 4.20 [V ], U12 = 4.22 [V ],

a) calculez les eets des tensions

Ucm

et

Udm

sur la tension de sortie

u22 ;

b) quelle est l'erreur cause par le mode commun ?


c) calculez la tension totale

TBP 17 :

UC2

du collecteur.

Dans l'amplicateur direntiel la gure 3.45, on remplace la source

de courant par une simple rsistance


le TRMC lorsque

R0 = 12 k.

R0 .

Calculez les gains

Adm

et

Acm

ainsi que

Comparez et commentez ces rsultats par rapport

ceux obtenus en TBP 15 et TBP_16.

TBP 18 :

Considrant l'amplicateur push-pull de la gure 3.46 :

1. Dessinez le schma d'amplication lorsque


est bloqu) ; on admettra que

u1 (t) > 0

(alors,

Q1

est actif et

Q2

rd  RD .

2. Montrez que les paramtres de l'amplicateur de tension quivalent valent

Rin = RD kRD k (rbe + (RE + RL ))


Rout = RE +

1
(rbe + RD kRD k Rg )

AU 0 = 1

55

3 Circuits transistors bipolaires


3. Admettant

Ug = 2 V, Rg = 5 k, RL = 1 k
UD = 0.65 V, RD = 12 k, RE = 10 , VCC = 12 V
calculez le point de fonctionnement du circuit, les rsistances direntielles
(avec

n = 1.5)

et

rbe ,

rd

les rsistances d'entre et de sortie de l'amplicateur

ainsi que les tensions d'entre

u1

et de sortie

u2 .

4. Cet amplicateur est-il unilatral ou bilatral ? Qu'est-ce qui est alors important de prciser quand vous donnez ses paramtres ?

+VCC
RD
Q1
D1
RE

Rg

Ug

U1

RE

D2

Q2
RD
-VCC
Fig. 3.46: TBP 18

56

IL
RL

U2