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Procedimiento I. Obtencin de los parmetros de funcionamiento de los transistores a. Obtenga las especificaciones del fabricante del NMOS y del JFET canal N indicados a travs de sus hojas de datos. b. Estime la magnitud de Vt y Kn y VA del MOSFET. c. Estime la magnitud de IDSS y Vp del JFET. Obtencin de la curva caracterstica del NMOS a. Calibre el generador de seales ajustando su offset a 5.0 V DC y seleccionando una onda sinusoidal con amplitud de 10Vp-p. b. Conecte el generador de seales al circuito mostrado en la figura 1.
II.
Circuitos Electrnicos II
Universidad Tecnolgica de Panam Facultad de Ingeniera Elctrica Carrera:__________________________ Circuitos Electrnicos II Instructor:________________________
c. d. e. f. g. III.
Calibre el osciloscopio y conctelo como se muestra en la figura e invierta la seal del canal X. Conecte el canal Y entre D y tierra real. Conecte el canal X entre la salida del Amp-Op y tierra real Incremente la resistencia del potencimetro y registre el valor de VG con el voltmetro. Grafique la caracterstica de salida resultante para cada valor de VGS. Estime el valor de Vt, Kn y VA .
Caracterstica de transferencia del NMOS a. Arme el circuito mostrado en la figura 2, con VDD = 0 y VGS = 0.
b. c. d.
Ajuste el valor de VDD a 12V y anote la lectura del voltmetro DC Ajuste VGS lentamente y observe la lectura en V. Estime el valor de Vt Incremente el valor de VGS desde el valor estimado de Vt en escalones de 0.5V y registre para cada valor de VGS la magnitud de V leda en el voltmetro. Llene la siguiente tabla.
VGS V ID=V/R
D
e. IV.
Grafique ID vs VGS
Caractersticas del JFET. a. Arme el circuito mostrado en la figura 3. Incremente VDD desde cero hasta el punto en que V permanezca aproximadamente constante.
b.
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0.25
0.5
0.75
1.5
2.5
V.
Comparaciones a. Compare los valores de los parmetros obtenidos de los transistores con los de la data del fabricante.
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