Transistor bipolar de unin

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4- Polarizacin del Transistor Bipolar.

4.1- Eleccin del punto de operacin Q

El trmino polarizacin se refiere a la aplicacin de tensiones continuas que permiten establecer un
nivel determinado de tensin y corriente sobre el dispositivo. Se determina as un punto de operacin
fijo sobre las caractersticas corriente- tensin del dispositivo denominado punto de reposo esttico Q
(Quiescent point). El punto de reposo esttico define una regin que podr utilizarse para la
amplificacin de una seal, por lo cual su ubicacin sobre las caractersticas no podr ser cualquiera.
El funcionamiento del dispositivo deber encontrarse dentro de la regin activa y no deber superar
los regmenes mximos: ICmx (mxima corriente de colector), VCEmx (mxima tensin colector-
emisor) y PCmx (mxima potencia), como se muestra en la Figura 22.













4.1.1- Eleccin del punto de operacin Q sobre la regin activa

Cuando el punto de trabajo queda determinado sobre la regin activa la eleccin de la ubicacin del
punto Q sobre la caracterstica corriente-tensin no puede ser cualquiera. En la Figura 23 se vuelve a
dibujar la caracterstica de salida en EC donde se han marcado varios posibles puntos de trabajo.













Q1: La polarizacin en este punto dara por resultado corriente y tensin continua nula.

Q2: En este punto, al aplicar una seal alterna para ser amplificada, el valor de pico de la seal de
salida estar limitado por la proximidad de la zona de saturacin donde las caractersticas del
dispositivo se vuelven muy alineales afectando la fiel reproduccin de la seal a amplificar.

Q3: Este punto se encuentra muy prximo a los lmites mximos del dispositivo y no permite una
excursin adecuada de la seal.
Figura 22
IC
ICEo
activa
IB = 0
saturacin
corte
VCE
IB

> 0
ICmx
VCEmx
PCmx
IC
activa
VCE
ICmx
VCEmx
PCmx
Figura 23
Q1
Q4
Q2 Q3
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Q4: La polarizacin en este punto, permitira una suficiente excursin de la seal de salida limitada
por las zonas de corte y saturacin. En general, para el caso de un amplificador, conviene operar en
una regin donde la ganancia del dispositivo sea constante o lineal para asegurar una excursin
completa sin distorsin de la seal. Por lo tanto, un punto como Q4 parecera el ms adecuado para
cumplir con los requerimientos de ganancia lineal y mxima excursin de tensin y corriente, que es
una condicin deseada para amplificadores de pequea seal.

4.1.2- Puntos de operacin de corte y de saturacin

La zona de corte corresponde a la polarizacin inversa de las dos junturas (JEB y JCB) del dispositivo.
En la configuracin de emisor comn, el corte puede asegurarse polarizando la juntura base-emisor de
modo que IE = 0, resultando IC = ICBo. Debido a que la corriente inversa ICBo es fuertemente
dependiente de la temperatura (aproximadamente, se duplica cada 10 C de aumento de la
temperatura) deben elegirse adecuadamente los parmetros del circuito para asegurar el corte en un
amplio rango. Por ejemplo, en el circuito de la Figura 24, la corriente ICBo circula en un sentido tal
que la tensin sobre RB tiende a sacar del corte al transistor. Por ello, debe calcularse el valor de RB de
modo que a la mayor temperatura de trabajo el dispositivo an permanezca cortado. Suponiendo que
para silicio el corte se asegura con VBE s 0 V, resulta:














En la zona de saturacin las junturas emisor-base y colector-base se polarizan ambas en directa. Para
el punto de operacin de saturacin la tensin colector-emisor es muy pequea, del orden de dcimas
de voltios, y la corriente de colector es elevada y su valor queda determinado, aproximadamente, por
el circuito externo y no depende de la corriente de base.
En la configuracin de emisor comn, el punto de saturacin puede reconocerse por las siguientes
condiciones:
VCE s VCEsat

IB > IC/|

Para saber si un transistor est polarizado en la zona de saturacin se supone que lo est (VCE = VCEsat
~ 0.2 V para silicio) y se calculan en forma independiente las corrientes de colector y de base. Si se
cumple que IB > IC/|, el transistor estar saturado.

4.1.3- Cmo reconocer el punto de operacin

No existe un mtodo nico para saber en qu zona: corte, activa o saturacin, est polarizado un
transistor en un circuito. Un mtodo usado es la reduccin al absurdo. Este mtodo consiste en suponer
que el dispositivo funciona es una determinada zona, por ejemplo activa, y calcular los valores de
tensiones o corrientes. Si la suposicin no es la correcta se llega a un resultado contradictorio.
RL
0
VBB
VCC
RB

+
-
VBE
ICBo
+ -
CBo
BB
B
B CBo BB BE
I
V
R
0 R I V - V
s
s + =

Figura 24
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Por ejemplo, se quiere saber en qu zona est funcionando el circuito de la Figura 25 y cul ser el
valor de la tensin VCE:














Para el transistor en zona activa se considera VBE = 0.7 V.

Este valor de tensin no es vlido porque superara el valor de la fuente de alimentacin y adems para
un transistor NPN la tensin colector-emisor no puede ser negativa. Por lo tanto, la suposicin inicial
no fue correcta y el transistor no est funcionando en zona activa. Como tampoco est funcionando en
corte porque la juntura base-emisor est polarizada en directa, el transistor estar saturado. Para
comprobarlo supongamos VCEsat ~ 0 y calculemos las corrientes de base y de colector en forma
independiente. Si se cumple IB > IC/|, el transistor estar saturado y VCE = VCEsat.

Por lo tanto, se verifica que el transistor est saturado.







VBB
10 V
0
RL
10k
VCC
20 V
RB
100k

| = 50
Figura 25
Suposicin:
zona activa
Calcular
Respuesta absurda
Suposicin falsa
absurda
30V - 10K 5mA - 20V R I - V V
mA 5 mA) (0.1 50 I I
mA 0.1
100K
10V

100K
0.7V - 10V

R
V - V
I
L C CC CE
B C
B
BE BB
B
= = =
= = =
= ~ = =
|
mA 04 . 0
50
mA 2
mA 0.1

I
I
mA 0.1
100K
10V
I
mA 2
K 10
V 20

R
V

R
V - V
I
Csat
B
B
L
CC
L
CEsat CC
Csat

= >
>
= ~
= = ~ =
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4.2- Circuitos de polarizacin

4.2.1- El circuito de polarizacin fija

Es el circuito de polarizacin ms simple, denominado de polarizacin fija se muestra en la Figura 26.














El punto de operacin Q queda definido a partir de la corriente de base IB, que a su vez queda
determinada por el valor de RB. A partir de la malla de entrada:

La tensin VBE para un transistor de silicio est en el orden de 0.6 V-0.7 V, por lo cual si VCC >> VBE
(como criterio VCC > 10 VBE), resulta:

Por lo tanto, la corriente IB es constante dando la denominacin al circuito como polarizacin fija. La
corriente de colector IC queda determinada por la relacin del transistor:

Aplicando ley de Kirchhoff a la malla de salida se obtiene el valor de VCE:

VCE = VCC - IC RC

4.2.1.2- Anlisis de la recta de carga esttica. Variaciones del punto de polarizacin Q.

Los parmetros del circuito definen un rango de posibles puntos de reposo Q. Estos puntos pueden
analizarse desde un punto de vista grfico. Por un lado, se tienen las caractersticas de salida corriente-
tensin para el dispositivo y por el otro, una ecuacin que relaciona las dos variables IC y VCE:

La solucin de este sistema se produce donde se satisfacen ambos en forma simultnea. La ecuacin
anterior define sobre la caracterstica IC-VCE una recta, denominada recta de carga esttica, Figura 27.


RC
VCE
+
VBE
+
+VCC
-
RB
0
-

IB
IC
Figura 26
B
BE CC
B
BE B B CC
R
V - V
I
V R I V
=
+ =
B
CC
B
R
V
I ~
B C I I =
C C CC CE R I - V V =
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Para trazar la recta de carga esttica se necesitan dos puntos particulares. Para IC = 0 resulta:

VCE = VCC
Para VCE = 0 resulta:

La pendiente de la recta de carga queda definida por el valor de RC.
Al elegir una corriente de base IB adecuada queda determinado el punto de reposo Q, tal como indica
la Figura 28. Si cambia el valor de IB (por ejemplo cambiando el valor de RB) el punto Q se desplaza
sobre la recta de carga hacia arriba o hacia abajo dependiendo del valor de IB (puntos QA y QB en la
Figura 29). Si IB y VCC se mantienen fijos y se cambia el valor de la carga RC, el punto Q se mueve
sobre la caracterstica de IB constante (puntos QC1 y QC2 en la Figura 28).



















4.2.1.3- Anlisis de la configuracin de polarizacin fija

Como ventaja la polarizacin por corriente de base fija es simple, sin embargo presenta como
desventaja una fuerte influencia de la temperatura con la correspondiente variacin de la ganancia de
corriente | o hFE del transistor bipolar, que puede cambiar la zona de funcionamiento del dispositivo.
Para realizar este anlisis supongamos la siguiente etapa:
Recta de carga esttica
C
CC
C
R
V
I =
IC
VCE
C
CC
R
V
C
CC
R
V

CC V
Q
Figura 27
IC
VCE
C2
CC
R
V

CC V
Q
Figura 28
IB
IBA
IBB
QB
QA
QC1
QC2
C1
CC
R
V

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A partir de los datos del transistor, resolviendo el circuito para las temperaturas T = 25 C y T= 125 C
resulta la siguiente tabla. Del anlisis de los resultados puede observarse que el efecto de las
variaciones de hFE resulta en una fuerte modificacin del punto de operacin, acercndose a la zona de
saturacin.

hFE IB IC VCE
T = 25 C 240 4.185 A 1 mA 6 V
T = 125C 370 4.185 A 1.548 mA 2.97 V


4.2.2- El circuito de polarizacin de emisor

El circuito de polarizacin de emisor se muestra en la Figura 29. La diferencia con el circuito de
polarizacin fija radica en la colocacin de un resistor RE en serie con el emisor del transistor, de
modo que quedan vinculadas las mallas de entrada y de salida. Este circuito presenta como ventaja una
mayor estabilidad del punto de reposo Q frente a variaciones de parmetros, como la temperatura o la
ganancia | del dispositivo.


















RC
+VCC
VBE
+
-
VCE
RB
-
+
0
RE

IB
IC
IE
Figura 29

VCC= +12 V
RC
6k
0
Q2N3904
RB
2.7MEG

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Aplicando ley de Kirchhoff a la malla de entrada se tiene:

Como adems: IE = (| + 1) IB

Resulta como expresin de IB:

Una vez calculada IB queda determinada IC = | IB. Resolviendo la malla de salida:
De este modo, queda determinado el punto de polarizacin Q. La recta de carga queda determinada
por el circuito de salida.


4.2.3- Polarizacin por divisor de tensin en base

El circuito de polarizacin por divisor de tensin en base se muestra en la Figura 30. Es el circuito
ms usado porque presenta mayor estabilidad frente a las variaciones de la ganancia | del transistor y
de la temperatura.
















Para realizar el anlisis del circuito conviene encontrar el circuito equivalente de Thevenin para la red
formada por VCC, R1 y R2, Figura 31 a). La Figura 31 b) muestra el circuito equivalente (VTH, RTH)













E E BE B B CC R I V R I V + + =
E B
BE CC
B
R 1) ( R
V - V
I
+ +
=
|
) R (R I - V V E C C CC CE + =
RE
VBE
R1
RC
0
VCE
R2
+
-
-
VCC
+

Figura 30
Figura 31 a)
2
2 1
CC
TH
2 1 TH
R
R R
V
V
//R R R
+
=
=
RE
VTH
R2
0
VCC
+
R1
-

0
-
RE
VTH
+
VBE
RTH

IB
IE
Figura 31 b)
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La corriente de base estar dada por:

De la malla de salida se obtiene la tensin colector-emisor:

El circuito anterior puede resolverse por un mtodo aproximado, sin calcular el equivalente de
Thevenin, muy til para realizar clculos rpidos del punto de reposo. Para el anlisis aproximado nos
valemos del circuito del divisor en base que por comodidad repetimos en la Figura 32.
















Si suponemos que la corriente de base IB es mucho menor que la corriente I2, resultar I1 ~ I2. En ese
caso la tensin de la base respecto de tierra puede calcularse a partir del divisor de tensin:
2
2 1
CC
B R
R R
V
V
+
=

La tensin de emisor respecto de tierra ser:

E E BE B E R I V - V V = =
de donde:

E
E
E
R
V
I =

Si la ganancia de corriente | es muy grande se puede hacer la siguiente aproximacin:

Por ltimo, debe comprobarse que la suposicin inicial es vlida: IB << I2. En general, suele adoptarse
como criterio que




E TH
BE TH
B
R 1) ( R
V - V
I
+ +
=
|
) R (R I - V V E C C CC CE + =
E C I I ~
2 1
CC 2
B
R R
V
1 0.
10
I

I
I
C
+
= s =
R1
R2
VCC
0

I1
I2
IB
Figura 32
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Ejemplo














a) Por el mtodo exacto, calculamos el equivalente de
Thevenin en la base:




b) Por el mtodo aproximado:



Se verifica la validez del mtodo aproximado:


3.13V
8.2K 39K
8.2K 18V
V , 6.8K
8.2K 39K
8.2K . K 39
R TH TH =
+
= ~
+
=
A 18.8
1K (121) 6.8K
0.7V - 3.13V

R ) (1 R
V - V
I
E TH
BE TH
B
|
=
+
=
+ +
=
mA 2.27 A ) (18.8 121 I ) (1 I
mA 2.25 A ) (18.8 120 I I
B E
B C
= = + =
= = =
|
|
8.28V 1K mA 2.27 - 3.3K mA 2.25 - 18V R I - R I - V V E E C C CC CE = = =
2.27V 1K mA 2.27 R I V
3V 6.8K mA 10 18.8 - 3.13V R I - V V
E E
-3
x TH B TH B
= = =
~ = =
3.13V
8.2K 39K
8.2K 18V

R R
R V
V
2 1
2 CC
B =
+
=
+
=
A 20.25
I
I , mA 2.43 I I , mA 2.43
1K
2.43V

R
V
I
C
B E C
E
E
E
|
= = = ~ = = =
7.55V 1K) (3.3K mA 2.43 - 18V ) R (R I - V V E C C CC CE = + = + =
A 381.3
R R
V
I
2 1
CC
B =
+
<<
Para el circuito de la Figura 33 con | = 120
y VBE = 0.7 V, calcular:
IC,
VCE,
IB,
VE y
VB,
Utilizar:
a) el mtodo exacto y
b) el mtodo aproximado
c) comparar los resultados


2.43V 0.7V - 3.13V V - V V BE B E = = =
VE
VB
RE
1k
VCC= +18 V
RC
3.3k
R1
39k
0
R2
8.2k

Figura 33
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La siguiente tabla compara los resultados obtenidos:

IC [mA] IB [A] VCE [V] VE [V] VB [V]
Anlisis exacto 2.25 18.8 8.28 2.27 3
Anlisis aproximado 2.43 20.25 7.55 2.43 3.13

Se verifica que el error cometido utilizando el mtodo aproximado se encuentra dentro del 10%, por lo
que puede considerarse aceptable.