LOS PRIMEROS ESTUDIOS Y DESCUBRIMIENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

l primer dispositivo electrnico propiamente dicho, el diodo de vaco, lo invent John Ambrose Fleming en 1904. Pero previamente se tuvieron que establecer los fundamentos cientficos de esta ciencia. Como ya se ha comentado, el primer efecto de la electricidad fue observado por Tales en el siglo VI antes de Cristo. Esta propiedad fue durante mucho tiempo una curiosidad cientfica, sin una explicacin clara. Tuvieron que pasar ms de dos mil aos antes de que los cientficos empezaran a comprender el significado real del fenmeno. En el siglo XVII, Robert Boyle descubri una de las bases de la electricidad, la existencia de cargas de dos tipos; las substancias con cargas de distinto tipo se atraan y las que posean cargas de igual tipo se repelan. En el siglo XVIII Benjamn Franklin denomin positivas a unas y negativas a otras.

Benjamn Franklin En 1729 Stephen Gray redact una lista de materiales conductores y aislantes. Para su realizacin cargaba de electricidad esttica una botella de cristal, que al ser aislante, conservaba la carga, y la conectaba a tierra con una tira de otro material. Si la botella se descargaba, el material era conductor, si no, era aislante. El efecto de conservacin de carga fue estudiado por los holandeses P. van Muschenbroek y Cunaeus en 1745. Durante los experimentos, que consistan en cargar de electricidad esttica una botella de cristal, Cunaeus recibi una fuerte descarga elctrica, y afirm que ni por la corona de Holanda volvera a sufrir una descarga de ese tipo. La botella haba actuado de condensador. Posteriormente, Franklin la perfeccion recubriendo ambas partes del vidrio con metal. Ya en el siglo XIX, concretamente en 1831, Michael Faraday estudi los efectos de la induccin magntica en un cable, observando que un campo magntico en movimiento generaba electricidad. Este fenmeno fue empleado por los fsicos Weber y Gaus en 1833 para establecer un rstico sistema de comunicacin: entre las casas de ambos tendieron un cable. Para enviar una seal, movan un imn en las proximidades del cable y el otro detectaba la seal observando las fluctuaciones de una brjula al circular la corriente por el cable.

Ese mismo ao Faraday descubri un raro fenmeno estudiando las propiedades de los conductores. La mayora de los materiales poseen una conductividad propia que les facilita en mayor o menor grado la conduccin de electricidad. Esta conductividad aumenta en los metales al aumentar la temperatura. Sin embargo Faraday descubri que en el sulfuro de plata, la conductividad disminuye al aumentar la temperatura. El cientfico acababa de descubrir un material semiconductor, aunque no se tuvo conciencia de ello hasta mediados del siglo XX.

Michael Faraday Uno de los avances tericos de la electrnica ms importantes lo produjo J. C. Maxwell, al enunciar las ecuaciones que llevan su nombre. Estas ecuaciones predecan la existencia de las ondas electromagnticas, y produjeron una gran polmica en 1865 cuando el cientfico las hizo pblicas. Pocos aos despus en Bonn, el fsico Heinrich Hertz demostraba la existencia de este tipo de ondas, poniendo fin a la polmica. Algunos aos antes, en 1874, Ferdinand Braun haba fabricado el primer dispositivo semiconductor. Era el rectificador de efecto de punta. Consista en un pequeo trozo de galena sobre el que haca contacto un hilo fino. El dispositivo, conocido popularmente como bigote de gato por su forma, rectificaba la corriente, dejndola pasar en un sentido pero no en el otro. No obstante se desconoca la razn por la que funcionaba as, siendo los tcnicos incapaces de perfeccionarlo y lograr un funcionamiento fiable. Los pocos que se fabricaban se realizaban prcticamente por intuicin y slo algunos de ellos cumplan los requisitos exigidos. l transistor

a necesidad de un dispositivo amplificador, mejor que la vlvula de vaco, aument durante la segunda guerra mundial. Por este motivo todas las universidades estadounidenses se pusieron a trabajar sobre el problema, dirigidas por el MIT (Instituto de Tecnologa de Massachusetts). Durante los aos que transcurrieron hasta el descubrimiento del transistor, todos los cientficos vivieron un ambiente frentico intentando ser los primeros en descubrir el nuevo dispositivo. Una de las universidades que ms cerca estuvo fue la de Purdue. En ella Karl LarkHorovitz haba hecho grandes progresos en la purificacin del germanio, material semiconducor, y l y su grupo haban explorado su estructura y su respuesta a los estmulos elctricos. En realidad, este equipo de cientficos, del que formaban parte

Seymour Benzer y Ralph Bray, lleg a descubrir todos los fundamentos fsicos del transistor, pero no se les ocurri relacionarlos entre s.

Con la aparicin de los transistores, el mundo de la electrnica vio aumentado su campo de aplicacin, tanto en lo que se refiere a la velocidad de trnsito de los impulsos elctricos, como a la seguridad y reducido espacio que ocupan en cualquier equipo o instrumento electrnico. Pero el descubrimiento del transistor no se produjo en ninguna universidad sino en los laboratorios de investigacin de la compaa Bell. La Bell, o ma Bell como se la conoce familiarmente en Estados Unidos, es la compaa telefnica norteamericana y sus laboratorios posean, y siguen poseyendo, un merecido prestigio. Es la empresa del mundo que ms premios nobel tiene en nmina y genera al ao una media de 700 patentes de inventos cientficos. En la actualidad y debido a las leyes antimonopolio norteamericanas, la compaa se ha fraccionado en varias empresas ms pequeas, la principal de las cuales, la American Telephone and Telegraph (AT&T) sigue llevando la direccin de los laboratorios. Dentro de la empresa se organizaron diversos grupos para investigar las caractersticas de los semiconductores. El material elegido para trabajar fue el germanio, que era relativamente fcil de encontrar, como dixido de germanio, en las minas de obtencin de zinc. Un grupo lo diriga William Shockley, y de l formaban parte John Barden y Walter Brattain. Barden era un terico puro, que haca fsica mediante clculos y papel, mientras que Brattain era un experimentador que se encargaba de todas las pruebas de laboratorio. Este grupo se dedic, como muchos otros, al intento de construir un transistor de efecto de campo (FET). El funcionamiento que se quera obtener era similar al de la vlvula. Una pequea rejilla metlica situada en un lateral del transistor debera controlar el flujo de electrones entre los dos extremos. Pero, aunque ellos todava no lo saban, el transistor FET, tal como se pretenda, era imposible, debido a la inmovilizacin de los electrones inducidos en la superficie del semiconductor. Al comprobar que sus pruebas para obtener un FET fallaban, el grupo empez a estudiar la superficie del material semiconductor. En un momento dado acercaron entre s dos puntas de prueba midiendo la superficie y observaron un efecto sorprendente. Una carga positiva en una de las puntas, aumentaba considerablemente la capacidad de conducir

del semiconductor. En base a este efecto, construyeron el primer transistor el 23 de diciembre de 1947. El dispositivo era un transistor de germanio de efecto de punta. Este transistor, considerablemente rstico e inestable, representaba el principio de una nueva era en la Electrnica. Sin embargo, no recibi todo el inters que se mereca. La industria electrnica solo lo consideraba un sustituto mejorado de la vlvula, cuando en realidad ofreca muchas ms posibilidades, como se comprob posteriormente.

El primer transistor de germanio de efecto de punta era, en principio, un dispositivo rudimentario e inestable. Ms tarde se comprobaron las grandes posibilidades del nuevo invento Para el pblico en general, la noticia tuvo an menos inters. En los peridicos ocup slo unas lneas en pginas interiores. Un ejemplo de la falta de atencin que provoc, fue que sus autores recibieron el premio Nbel de Fsica en 1956, cuando ya se haba demostrado suficientemente la vala de la invencin. El transistor (continuacin)

dems de las ventajas que ofreca el nuevo invento del transistor, presentaba tambin considerables problemas. Sus fundamentos fsicos no eran fciles de comprender. Muchos de los ingenieros electrnicos de la poca, acostumbrados al manejo de vlvulas, los rechazaban debido a su dificultad de manejo. Los transistores de efectos de punta tenan unas caractersticas difciles de controlar. Durante mucho tiempo, los fabricantes hacan los transistores y luego comprobaban sus caractersticas para ver en qu tipo se encuadraban. William Shockley sigui investigando sobre el funcionamiento de los transistores, y en 1948 dise sobre el papel un nuevo tipo de transistor, el de unin. Este tipo de transistor est formado por una delgada capa de semiconductor n entre dos capas de tipo p.

Ilustracin de las capas de materiales semiconductores tipo N y P en un transistor de unin. Terminales: E=Emisor, B=Base, C=Colector El fsico escribi un artculo y lo envi a una revista tcnica. Pero sta rechaz su publicacin debido a que las bases no eran suficientemente rigurosas. Shockley debi esperar hasta 1951 para poder construir el transistor de unin. Hoy en da este tipo de transistor es, junto con el FET, el ms usado por la industria. La fabricacin industrial de los transistores empez en 1951, ao en el que hicieron su aparicin en el mercado los primeros dispositivos de efecto de punta. El transistor de unin debi esperar varios aos ms hasta que se crearon tcnicas que permitan su fabricacin en gran escala y a costes moderados. Hasta 1954 todos los transistores se fabricaron con germanio. De la gama de semiconductores era el ms fcil de purificar y tratar. Sin embargo sus caractersticas elctricas eran bastante deficientes en algunos aspectos, por lo que los tcnicos le buscaban un sustituto. El silicio posea caractersticas mucho mejores, pero era ms difcil de purificar y tratar. Los trabajos sobre este material dieron resultado por fin en 1954, ao en el que Texas Instruments produjo el primer transistor de silicio, del modelo de unin. Los primeros aparatos comerciales con empleo de transistores fueron los amplificadores para sordos que hicieron su aparicin al poco tiempo de la invencin del transistor. El primer aparato de consumo autnticamente general lo fabric Texas Instruments, y fue la radio a transistores en 1954. El empleo de transistores haca que el modelo fuera mucho ms pequeo que los que empleaban vlvulas y adems tena un consumo muy reducido que facilitaba su empleo con bateras.

La primera radio a transistores fabricada por Texas Instruments Al ao siguiente, 1955, haca su aparicin el primer ordenador a transistores. Lo fabric la compaa IBM y empleaba 2 200 transistores que sustituan a 1 250 vlvulas, consiguiendo un ahorro de energa del 95 %. El siguiente avance en los semiconductores provino de la empresa Fairchild Semiconductors. Estaba formada por ocho cientficos que antes haban trabajado con Shockley. Sus esfuerzos de investigacin se centraron en la obtencin de nuevos sistemas de fabricacin, ya que los que existan hasta el momento necesitaban mucha intervencin manual, que ralentizaba y encareca el proceso. El 1958 desarrollaron el sistema de construccin planar. El proceso consista en fabricar el transistor por medio de tcnicas fotogrficas y sometiendo el material a determinados gases. Pese a sus ventajas, los transistores tardaron bastantes aos en sustituir a las vlvulas en muchas aplicaciones, especialmente en aquellos casos en los que la fiabilidad era muy importante. Un ejemplo son los amplificadores de los cables telefnicos submarinos. Una vez instalados en su sitio, estos cables no pueden repararse. La compaa Bell, encargada de su tendido, no empez a emplear transistores para sustituir a las vlvulas hasta 1966. Pero ya en 1970 la vlvula haba desaparecido prcticamente del mercado, quedando su uso reservado nicamente a aplicaciones especficas en las que no es posible el uso del transistor por una u otra razn, radar, emisoras de gran potencia, etc El circuito integrado

l circuito integrado fue el siguiente paso lgico de la evolucin de la electrnica. Determinados montajes, en muchos casos la unin de 2 o 3 transistores en

un esquema especfico, se haban estandarizado en gran medida. Adems aumentaban constantemente las peticiones de circuitos an ms pequeos, sobre todo por parte del ejrcito, el principal comprador de transistores. En funcin de estas necesidades, los laboratorios empezaron a estudiar diversas soluciones. Una de ellas, los circuitos hbridos, eran la versin reducida de los circuitos impresos convencionales en los que los transistores y otros componentes se montaban sin cpsulas para que ocuparan menos espacio. Sin embargo el montaje segua siendo laborioso. La solucin ideal era construir todo el circuito de forma fotogrfica sobre una lmina de semiconductor, como se hacan los transistores. Un ingeniero de la compaa Texas Instruments, Jack Kilby trabaj sobre esta base y registr una patente sobre la teora de este circuito en febrero de 1958.Pero el primer circuito integrado no lo logr construir hasta octubre de 1958.

Como es habitual, desde la demostracin de laboratorio hasta las aplicaciones comerciales, hubo de pasar bastante tiempo para que se pudieran desarrollar sistemas prcticos de produccin, en este caso la tcnica de construccin planar, desarrollada por la Fairchild. La primera aplicacin prctica de los circuitos integrados fue, de nuevo, en aparatos para sordos, fabricndose los primeros circuitos integrados en diciembre de 1963. Existe una gran diferencia entre la invencin de la vlvula y el transistor por un lado y el circuito integrado por otro. Mientras los primeros fueron resultado de la investigacin cientfica pura, el circuito integrado fue el resultado de adelantos tecnolgicos. No se descubri ninguna nueva ley de la ciencia, ni ningn nuevo material, simplemente se mejoraron las tecnologas existentes para poder fabricar varios componentes en la misma pastilla de semiconductor.

Imagen de una placa moderna que aloja varios circuitos integrados y sus componentes asociados (resistencias, condensadores, etc.) La era moderna de la electrnica La invencin del circuito integrado anunci la era moderna de la Electrnica, pero fue necesaria una serie de avances ms para llegar al estado en que se encuentra hoy en da. Por una parte, la mejora en el manejo del silicio lograda por un equipo de Texas Instruments dirigido por Gordon Teal, permiti la utilizacin de este material, que aunque ms difcil de tratar, era ms abundante, barato, y sobre todo con mejores caractersticas electrnicas que el germanio. El segundo avance se centr en el tipo de transistor a emplear. Los transistores usados en los primeros circuitos integrados, eran de los denominados de unin o bipolares. Este tipo de transistor posee unas caractersticas muy buenas de velocidad y potencia, pero tiene el grave inconveniente de disipar mucha potencia, lo que limita la cantidad mxima de transistores que se pueden empaquetar en un circuito integrado. Por ello la industria electrnica volvi la cabeza a una tecnologa que haba arrinconado hace mucho tiempo: los transistores de efecto de campo. Dos pequeas compaas, la General Instruments y la General Microelectronics, volvieron a trabajar sobre la idea primitiva que persegua Shockley cuando su equipo cre el transistor de efecto de punta. Con los conocimientos tcnicos disponibles a finales de la dcada de 1960, estas empresas fueron capaces de desarrollar una tecnologa fiable, la MOS (Metal-Oxido-Semiconductor) y empezar a producir circuitos a principios de 1970. Este cambio sigui en aumento con la aparicin de ordenadores cada vez ms pequeos y potentes, que produjeron la aparicin del ordenador personal, elemento comn en nuestros das. Los circuitos integrados no slo sustituyeron a las vlvulas en los ordenadores, tambin a las memorias de toros magnticos. Las memorias fabricadas con circuitos integrados son mucho ms baratas y tienen mucha mayor capacidad que los toros. El nico inconveniente es que los toros

conservan el campo magntico cuando desaparece la alimentacin elctrica y las memorias de circuito integrado no. Para lograr estos avances, durante la ltima dcada del pasado siglo XX los ingenieros han pasado en 25 aos, de construir circuitos integrados con dos transistores, como tena el primero, a modelos de memoria de ordenador, que contenan ms de cuatro millones de transistores. Esta progresin de integracin y las tecnologas para conseguirlas han crecido de tal forma a partir de entonces, que cualquier informacin en ese sentido deber ser revisada al poco tiempo.