Investigacin y Desarrollo

Generadores de Microondas con Diodos Gunn

en la Banda X (8-12) ghz


Nstor E. Arias

En este trabajo se presenta el desarrollo y construccin de tres generadores de microondas en estado
slido con diodos Gunn, para operar en la banda X (8-12) GHz. con cavidades resonantes rectangulares y
en dos tipos de potencia, 10 y 250 milivatios.


Microwaves generators with Gunn diodes in the X (8-12) GHz band
In this work, the development and construction of three generators of microwaves in solid state with Gunn
diodes are presented. These are intended to operate in the band X (8-12) GHz. with rectangular resonant
cavities and with two levels of power, 10 and 250 milliwatts.

Introduccin

Se han trazado varios objetivos en los diseos de los tres osciladores, los principales son:
- Investigacin
- Docencia
- Transferencia Tecnolgica en Sistemas de Telecomunicaciones

Siguiendo estos objetivos se han diseado y construido:

1. Un oscilador de 250 mW que tiene suficiente potencia para ensayos y desarrollos de antenas de
microondas y, otras tareas de investigacin.
2. Un oscilador de 10 mW con sintona fija en 10,5 GHz. para reemplazar el oscilador Klystron (vlvula)
que posee el banco de microondas del Laboratorio de Telecomunicaciones del DEEC de la UNT.
3. Un oscilador de 10 mW que tiene dos salidas alternativas a 90 una de otra que permite trabajar con
varios tipos de iris de acoplamiento. Su objetivo fundamental es trabajar con mezcladores.

Los dispositivos y sus partes fueron desarrollados en forma artesanal en el Laboratorio de
Telecomunicaciones.

Diodo Gunn

El diodo Gunn es un dispositivo semiconductor de Arseniuro
de Galio (Ga As) que tiene caractersticas de resistencia
negativa en la zona de trabajo (Fig 1), unida sta a la
presencia de: ruido aleatorio y un medio externo, como ser una
cavidad resonante, permite la generacin de potencia en
frecuencias de microondas desde 4 GHz. a ms de 100 GHz.
en potencias que van desde milivatios a vatios.
Son dispositivos de muy bajo rendimiento 1% al 2%, y pueden
funcionar con bajas tensiones, entre 3 y 15 voltios, segn
diseo.
Normalmente son usados para generar frecuencias de
microondas en modos Transversal Elctrico, TE.
El circuito equivalente de un diodo Gunn es el de un capacitor en paralelo con una resistencia negativa (Fig.
2).
La suceptancia capacitiva del diodo puede hacerse resonar con una suceptancia inductiva, que se obtiene
en una gua de onda con un extremo en corto circuito, las dimensiones elegidas del sector de gua de onda
usada como resonador fijan la frecuencia de resonancia.
Corriente
A
Tensin
V
Regin de
funcionamiento
Ih
Vh
Resistencia
Negativa
Resistencia
Positiva
Relacin Tensin Corriente de un diodo Gunn
Fig.1
Investigacin y Desarrollo


El acoplamiento a una carga externa puede ser controlado por un Iris (abertura) de apropiadas dimensiones.
La distancia entre el diodo y el Iris o, entre el diodo y una pared en corto circuito es de
g
/2. Siendo
g
la
longitud de onda en el interior de la gua usada como resonador.
Por su bajo rendimiento el diodo Gunn debe ser montado en un
disipador trmico adecuado. Como ejemplo, un diodo
especificado para 250 milivatios, consume de fuente 10 vatios
que deben ser disipados para evitar daos en la juntura del
diodo.

La resistencia negativa del diodo, desde continua hasta
frecuencias muy elevadas, hace que cualquier inductancia
externa y capacidades parsitas, lleven al diodo a oscilaciones
de relajacin con amplitudes y potencias tales, que pueden
ocasionar la destruccin del mismo. Por tal motivo, para evitar
este comportamiento, es necesario agregar un capacitor de gran
valor (10-25 F), colocado muy cerca del diodo, (Fig. 3)
(recomendado por MDT, [1]).



Cavidades Resonantes

Una cavidad resonante es un sistema pasivo, su modelo es
similar al de una lnea de transmisin de de (/2) en corto
circuito. Normalmente son construidas con sectores de guas
de onda normalizadas.

Las cavidades resonantes adoptadas para el diseo de los
tres generadores, son del tipo rectangular con sectores de
guas de onda WG-16 y WR- 75 para trabajar en el modo
TE
1,0,1
. La frecuencia de resonancia puede ser calculada
segn las dimensiones internas del sector de gua de onda,
(Fig. 4) y segn la expresin (1).
L a . 2
L a . c
f
2 2
+
= (1)
En donde:
(

=
s
m
10 . 3 c
8
velocidad de la luz en el vaco
a = Longitud mayor de la boca de la gua de onda
expresada en metro
L = Profundidad de la gua de onda en metro

Para el caso del diseo del generador de 10,5 GHz. de 10 milivatios. El sector de gua de onda WR-75 tiene
las siguientes dimensiones:
a =19,1 10
-3
metro
L =20,35 10
-3
metro
As, aplicando la expresin (1) es f =10,77 GHz.
Para ajustar la frecuencia a un valor deseado (10,5 GHz.) y
cercano al valor calculado, se recurre a una sintona fina
mediante un Stub construido con un tornillo de cobre,
bronce o aluminio como se indica en la figura 4.
En las figuras 5,6 y 7, se muestran los dibujos
esquemticos de los tres diseos.
a
L
Stub
Fig.4
Elementos que corresponden
al encapsulado
Le=Inductancia del encapsulado
Ce=Capacidad del encapsulado
Elementos que corresponden
al diodo
Rn =Resistencia negativa
Cd=Capacidad del diodo
Rs=Resistencia serie
Rn Cd
Le
Ce
Circuito equivalente de un diodo Gunn
Rs
Fig.2
V
3
Ohms
Diodo
Gunn
10-25
uf
.47uf
Circuito de alimentacin para un diodo Gunn
Recomendado por MicrowaveDeviceTechnology Corporation
Fig.3
Investigacin y Desarrollo


La figura 5 corresponde al generador de 250 milivatios que puede ser sintonizado desde 8 a 12 GHz. La
frecuencia deseada se obtiene modificando la longitud L con el corto circuito variable y, ajustando los Stubs
de la cavidad, como as tambin, los ubicados en la gua de onda despus del Iris. En algunas frecuencias
es necesario desplazar el Iris uno o dos milmetros hacia la cavidad o, hacia el flange, esto a fin de obtener
mxima transferencia a
la carga.
La variacin de la
frecuencia en funcin
de la longitud L se
muestra en el grfico
de la figura 8.
La posibilidad de
obtener cualquier
frecuencia en la banda
X y entregar una
potencia considerable
(250 mW), hace del
generador una
herramienta til para el
desarrollo y medicin
de antenas,
materiales dielctricos y
otros dispositivos de
microondas, en tareas
de investigacin y
docencia.

En la figura 6 se
muestra el oscilador
diseado para trabajar
en una frecuencia fija
de 10,5 GHz. El motivo
de la eleccin de la
frecuencia fija es
maximizar el
rendimiento y la
potencia entregada a la
carga. El objetivo es
reemplazar el oscilador Klystron del banco de microondas del Laboratorio de Telecomunicaciones del
DEEC.
Se ha utilizado un diodo Gunn Marconi [2] CDC 1201B de 10 milivatios.



8 V
0,1A
Diodo
Gunn
Marconi
Cavidad
Resonante
Disipador
Filtro Pasa
Bajo
Stub
Gua de
Onda WR-17
p=29,35 mm
Iris
Diodo Gunn Marconi
CDC 1201 B 10mW
Esc: X 5
Fig. 6
Iris
Iris
Stubs
C
a
v
i
d
a
d
R
e
s
o
n
a
n
t
e
Flange
39/U
F
l
a
n
g
e
3
9
/
U
Gua de
Onda
WG-16
Gua de
Onda
WG-16
Salida 1
Salida 2
Fig. 7
Diodo Gunn Marconi
CDC 1201 B 10mW
Resorte
Stubs Stubs
Iris
Disipador
Diodo
Gunn
Filtro
Pasa
Bajo
Mica
Corto
Circuito
Variable
Cavidad
Resonante
Flange
39/U
Flange
39/U
Gua de
Onda
WG-16
1 "
Diodo Gunn MDT
MG1007-17 250 mW
Escala: X 5
10 V
1A
Fig.5
L
GENERADOR CON DIODO GUNN EN LA BANDA X 8-12 GHz.
250 milivatios
Investigacin y Desarrollo


En la figura 7 se muestra un oscilador con dos salidas alternativas a 90 una de otra. Tiene por finalidad el
ensayo de diferentes Iris, como as tambin, el monitoreo de la potencia generada y aplicaciones en
mezcladores.
El diodo Gunn usado es un diodo Marconi CDC 1201 B de 10 milivatios.




Conclusiones
La construccin artesanal de los generadores ha aportado importante experiencia en el manejo de tcnicas
de microondas en el Laboratorio de Telecomunicaciones del Departamento de Electricidad, Electrnica y
Computacin de la FACET UNT y ha sentado las bases para la construccin de otros dispositivos y
sistemas que son de utilidad en la investigacin, transferencia y docencia.

Agradecimiento
El autor agradece a las compaas Marconi de Gran Bretaa y a Microwave Device Technology
Corporation de EEUU, por haber hecho posible la construccin de los generadores con el aporte de diodos
Gunn y datos tcnicos. Como as tambin, al Profesor Dr. Angel Mediavilla de la Universidad de Cantabria
(Espaa) que ha colaborado con materiales e informacin de mucho valor, para ste y otros proyectos en
marcha.

Bibliografa

-Microwave Device Technology Corporation Catalog- Gunn Oscilator- Aplication Notes 2000
-Marconi Applied Technology Limited Gunn Diode Aplication Notes J une 2000
-Fields and Waves in Modern Radio Simon Ramo J ohn R. Whinnery J ohn Wiley & Sons, Inc 1953
-Microwave Technology Dennis Roddy ISBN 0-8359-4390-9 Prentice-Hall 1986

Nstor E. Arias
Ing. Electricista Orientacin Electrnica.
Egresado de la Universidad Nacional de Tucumn en el ao 1968.
Profesor Titular de Antenas (plan 1963), de Electromagnetismo I y Electromagnetismo II (Antenas) (plan
1991) en el Departamento de Electricidad, Electrnica y Computacin de la Facultad de Ciencias Exactas y
Tecnologa, Universidad Nacional de Tucumn.
32
f

G
H
z
12
11,6
11,2
10
10,8
10,4
9,6
9,2
8,8
8,4
8
14 15,8 17,6 19,4 21,2 23 24,8 26,6 28,4 30,2
L en mm
Fig.8 Frecuencia en funcin de la longitud L de la cavidad