CURVA CARACTERSTICA DIODO

Diodo TUNNEL
Los diodos tnel estn fuertemente dopados, de modo que la zona de vaciamiento tienes slo unos pocos nanmetros, por lo cual se manifiestan fuertemente el efecto tnel, que es un fenmeno solamente explicable a partir de la mecnica cuntica. Este diodo fue inventado en 1958 por el japons Leo Esaki, por lo cual recibi un premio Nobel en1973.

Los diodos Tnel son generalmente fabricados en Germanio, pero tambin en silicio y arseniuro de galio. Son diodos muy rpidos que presentan una respuesta una zona con resistencia negativa, que permite su utilizacin como elemento activo en y amplificadores. En la
prctica los diodos tnel operan con unos pocos miliamperios y potencias muy bajas.

Curva caracterstica de un diodo tnel

l Este comportamiento de la corriente en funcin de la tensin en el diodo tnel se puede ver en el grafico: Vp: Tensin pico Vv: Tensin de valle Ip: Corriente pico Iv: Corriente de valle

La regin en el grfico en que la corriente disminuye cuando la tensin aumenta (entre Vp yVv) se llama "zona de resistencia negativa". El diodo tunnel se llama tambin diodo Esaki en honor a su inventor japons Leo Esaki. Los diodos tunnel tiene la cualidad de pasar entre los niveles de corriente Ip e Iv muy rpidamente, cambiando de estado de conduccin al de no conduccin incluso ms rpido que los diodos Shockley. Desgraciadamente, este tipo de diodo no se puede utilizar como rectificador debido a que tiene una corriente de fuga muy grande cuando

estn polarizados en reversa. As estos diodos solo encuentran aplicaciones reducidas como en circuitos osciladores de alta frecuencia

Diodo ZENER

Se emplean para producir entre sus extremos una tensin constante e independiente dela corriente que las atraviesa segn sus especificaciones. Para conseguir esto se aprovecha la propiedad que tiene la unin PN cuando se polariza inversamente al llegar a la tensin de ruptura (tensin de zener), pues, la intensidad inversa del diodo sufre un aumento brusco. Para evitar la destruccin del diodo por la avalancha producida por el aumento dela intensidad se le pone en serie una resistencia que limita dicha corriente. Se producen desde 3,3v y con una potencia mnima de 250mW. Los encapsulados pueden ser de plstico o metlico segn la potencia que tenga que disipar. Curva caracterstica de un diodo zener

El zener se usa principalmente en la estabilidad de tensin trabajando en la zona de ruptura. Podemos distinguir:

Vz nom, Vz: Tensin nominal del zener (tensin en cuyo entorno trabaja adecuadamente el zener).

Izmin: Mnima corriente inversa que tiene que atravesar al

diodo

partir

de

la

cual

se

garantiza

el

adecuado

funcionamiento en lazona de ruptura (Vz min).

Izmax: Mxima corriente inversa que puede atravesar el diodo a partir de la cual el dispositivo se destruye (Vz max).

Pz: Potencia nominal que no debe sobrepasar el componente. Aproximadamente se corresponde con el producto de Vz nom y Iz max.

Cuando usamos un diodo zener en un circuito se deben tener en cuenta las siguientes consideraciones (a partir de las hojas de caractersticas suministradas por el fabricante):Para un correcto funcionamiento, por el zener debe circular una corriente inversa mayor o igual a Iz min. La corriente mxima en sentido inverso ha de ser siempre menor que Iz max. La potencia nominal Pz que puede disipar el zener ha de ser mayor (del orden del doble) que la mxima que este va a soportar en el circuito.