INGENIERIA DE SISTEMAS E INFORMATICA.

TRANSPORTE DE PORTADORES EN UN SEMICONDUCTOR.

TRANSPORTE DE PORTADORES EN UN SEMICONDUCTOR.

El movimiento de electrones y huecos (partculas cargadas) da lugar a una corriente. Esta corriente es la manera de operar de los dispositivos electrnicos que a su vez controlan la corriente en la malla en la que estn situados. Veamos los diferentes fenmenos a los que estn expuestos los portadores: ARRASTRE.- Cuando se aplica E: los portadores sufren una fuerza igual a : F= - e E para electrones

(acelerados en sentido opuesto al campo) F= e E para huecos (acelerados en el sentido del campo) DIFUNSION.- La difusin ocurre como consecuencia de la no-homogeneidad de concentracin los portadores se difunden desde donde la concentracin es mas alta hacia donde es ms baja. RECOMBINACION.- En equilibrio trmico: Para una T dada, los portadores poseen una energa trmica: Algunos electrones de la BV pueden alcanzar la BC, dejando un hueco en la BV. Se genera un par e-h: fenmeno de generacin. Este fenmeno se caracteriza por un nmero: G th (nmero de pares generados por unidad de volumen y de tiempo) ELECTRONES.Para obtener la distribucin energtica de huecos / electrones en BC / BV han de obtenerse los productos (6.8) y (6.9). Debe notarse quedado que se supuso que la adicin de impurezas no modifica la estructura de las bandas energticas del cristal, las densidades de estados HUECOS.- Las movilidades de los electrones y huecos respectivamente. Es interesante notar que las movilidades dependen inversamente de la masa efectiva. Por ejemplo para electrones en BC ananalogia con la expresin (4.12) para electrones libres en metales.

ECUACIN DE SHOCKLEY

ECUACIN DE SHOCKLEY

Donde: Vp es la tensin de puerta que produce el corte en el transistor FET. IDSS es la corriente mxima de drenador que circula por el transistor, al aumentar VDS, cuando la polarizacin de la puerta es VSG= 0 vol

PARAMETROS DEL FET. La corriente de sumidero Id es funcin tanto de la tensin de sumidero Vds como de la puerta Vgs. Como la unin est polarizada inversamente, suponemos que la corriente de puerta es nula con lo que podemos escribir: Ig = 0 e Id = (Vds, Vgs)

En la zona de estriccin (saturacin) en que las caractersticas son casi rectas (en el grfico, son horizontales, pero en realidad tienen una pendiente positiva) podemos escribir la respuesta del transistor para pequeos incrementos de Vds y Vgs en esta forma.

El parmetro rd se llama resistencia diferencial del sumidero del FET, y es la inversa de la pendiente de la curva. Que como en el grfico, dicha pendiente es cero (en la realidad, como he dicho antes existe algo de pendiente), entonces la rd es infinita (muy grande). El parmetro gm se le denomina conductancia mutua o transconductancia, y es igual a la separacin vertical entre las caractersticas que corresponden a diferencias de valor de Vgs de 1 voltio.

El diodo semiconductor est constituido fundamentalmente por una unin P-N, aadindole un terminal de conexin a cada uno de los contactos metlicos de sus extremos y una cpsula que aloja todo el conjunto, dejando al exterior los terminales que corresponden al nodo (zona P) y al ctodo (Zona N) El diodo deja circular corriente a travs suyo cuando se conecta el polo positivo de la batera al nodo, y el negativo al ctodo, y se opone al paso de la misma si se realiza la conexin opuesta. Esta interesante propiedad puede utilizarse para realizar la conversin de corriente alterna en continua, a este procedimiento se le denomina rectificacin. En efecto. si se aplica a este diodo una tensin alterna, nicamente se producir circulacin de corriente en las ocasiones en que el nodo sea ms positivo que el ctodo, es decir, en las alternancias positivas, quedando bloqueado en las ascendencias negativas, lo que impide el paso de la corriente por ser en estas ocasiones el nodo ms negativo que el ctodo. La corriente resultante ser pulsante, ya que slo circular en determinados momentos, pero mediante los dispositivos y circuitos adecuados situados a continuacin puede ser convertida en una corriente continua constante, que es el que se emplea actualmente casi en exclusiva; presenta sobre el de vaco algunas ventajas fundamentales: - Es de tamao mucho ms reducido, lo que contribuye a la miniaturizacin de los circuitos. - La cantidad de calor generado durante el funcionamiento es menor, ya que no necesita ningn calentamiento de filamento. - Funciona con tensiones mucho ms bajas, lo que posibilita su empleo en circuitos alimentados a pilas o bateras.