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A POSTILA DE C IÊNCIA E T ECNOLOGIA DOS M ATERIAIS FEVEREIRO 2012
A POSTILA DE C IÊNCIA E T ECNOLOGIA DOS M ATERIAIS FEVEREIRO 2012

APOSTILA DE CIÊNCIA E TECNOLOGIA DOS MATERIAIS

A POSTILA DE C IÊNCIA E T ECNOLOGIA DOS M ATERIAIS FEVEREIRO 2012

FEVEREIRO 2012

SUMÁRIO

CAP I- INTRODUÇÃO

01

1.1.

CLASSIFICAÇÃO DOS MATERIAIS

01

Classificação dos Materiais

01

1.1.1. MATERIAIS METÁLICOS

01

1.1.2. MATERIAIS POLIMÉRICOS (PLÁSTICOS)

02

1.1.3. MATERIAIS CERÂMICOS

02

1.2.

Propriedades dos materiais- Conceitos de básicos

02

1.2.1. Principais Propriedades Mecânicas

02

1.2.2. Propriedades Térmicas

03

1.2.3. Propriedades Elétricas

03

CAP II- LIGAÇÕES ATÔMICAS

04

2. INTRODUÇÃO

04

2.1. LIGAÇÃO IÔNICA

05

2.2. LIGAÇÃO COVALENTE

06

2.3. LIGAÇÃO METÁLICA

07

2.4. LIGAÇÕES SECUNDÁRIAS

07

CAP III- ESTRUTURA CRISTALINA

09

3. INTRODUÇÃO

09

3.1.

ESTRUTURA CRISTALINA

09

3.1.1.

Materiais Metálicos

10

3.1.1.1.

Estrutura Cúbica de Corpo Centrado-CCC

10

3.1.1.2.

Estrutura Cúbica de Face Centrado-CFC

11

3.1.1.2.

Estrutura Cúbica de Face Centrado-CFC

12

3.1.2. Estrutura Cristalina dos Materiais Cerâmicos

13

3.1.3. Estrutura Cristalina dos Silicatos

15

3.1.3.1.

Unidade estrutural básica do Silicato

15

3.1.3.1.

Principais estruturas dos silicatos

16

3.1.4.

Estruturas dos argilominerais

18

3.2.

CRISTALOGRAFIA E DETERMINAÇÃO DE ESTRUTURAS CRISTALINAS

19

3.2.1. POSIÇÕES, DIREÇÕES E PLANOS EM CRISTAIS

19

3.2.2. Análise de Estruturas Cristalinas

21

3.2.2.1. Obtenção de Raios-X

22

3.2.2.2. Difração de Raios-X

22

3.2.2.3. Análise De Estruturas Cúbicas

23

3.2.2.4. Identificação de minerais

25

CAP IV - IMPERFEIÇÕES DA ESTRUTURA CRISTALINA

27

4.1. INTRODUÇÃO

27

4.2. Imperfeições Estruturais

27

4.2.1.

Defeitos Pontuais

27

4.3.1.

Discordância Em Cunha

30

4.3.2. Discordância em Hélice

31

4.3.3. Discordância Mista (Cunha + Hélice)

31

4.4.

Defeitos de Superfícies

31

4.4.1. Superfícies Livres

32

4.4.2. Contornos de Grão

32

4.4.3. Maclas

34

4.5.

Relação entre defeitos e propriedades mecânicas

34

CAP V- DIFUSÃO ATÔMICA

36

5.1. INTRODUÇÃO

36

5.2. Mecanismos do Movimento Atômico

36

5.2.1. Mecanismo Substitucional ou de Vazios

36

5.2.2. Mecanismo Intersticial

36

5.2.3. Mecanismo De Anel

37

5.3. Distribuição De Energia Térmica

37

5.4. Coeficiente De Difusão

38

5.5. Primeira Lei de Fick

38

5.6. Segunda Lei de Fick

40

5.7. Cementação de Aços

42

CAP VI- PROPRIEDADES DOS MATERIAIS

43

6.1.

INTRODUÇÃO

43

6.3.

Tipos de Esforços que Podem Deformar ou Romper um Material

44

6.4.

Principais Propriedades Mecânicas

44

6.5.

Ensaios Mecânicos

45

6.5.1.

Normalização dos Ensaios

45

6.6.

Tipos De Ensaios Mecânicos

45

6.6.1.

Ensaio de Tração

45

Apostila de Tecnologia dos Materiais

01

- Produtos Siderurgicos

02

- Obtenção do Ferro Fuundido e Aços

03

- Aços e Aços Liga

04

- Elementos de Liga

05

- Estudo dos Diagramas Fe C

06

- Diagrama de Fases

08

- Fases com relevântes

09

- Aços Hipoeutetoides e hipereutétoide

10

- Temperaturas e formação das Estruturas

11

- Metais não Ferrosos- Leves e Pesados

13

CAP I- INTRODUÇÃO

A produção e transformação de materiais em

bens acabados, constituem uma das mais importantes atividades de uma economia moderna. Um produto, para ser manufaturado, requer uma etapa de planejamento de seu processo de produção. Nesta etapa são selecionados diversos materiais, de acordo com custos e, principalmente, com as necessidades técnicas exigidas. A elaboração dessa

etapa exige que o responsável pela mesma tenha noção das estruturas internas dos materiais, pois o conhecimento das mesmas, aos níveis submicroscópicos, permite prever o comportamento do material em serviço, bem como possibilita programar e controlar suas propriedades e características.

A produção e transformação de materiais em

bens acabados, constituem uma das mais importantes atividades de uma economia moderna. Um produto, para ser manufaturado, requer uma etapa de planejamento de seu processo de produção. Nesta etapa são selecionados diversos materiais, de acordo com custos e, principalmente, com as necessidades técnicas exigidas. A elaboração dessa etapa exige que o responsável pela mesma tenha noção das estruturas internas dos materiais, pois o conhecimento das mesmas, aos níveis submicroscópicos, permite prever o comportamento do material em serviço, bem como possibilita programar e controlar suas propriedades e

características.

A ciência dos materiais está associada à geração de conhecimento básico sobre a estrutura interna, propriedades e processamento de materiais. Ela tem ainda como objetivo, compreender a natureza dos materiais, estabelecendo conceitos e teorias que permitam relacionar a estrutura dos materiais com suas propriedades e comportamento. A ciência dos materiais está associada à geração de conhecimento básico sobre a estrutura interna, propriedades e processamento de materiais. Ela tem ainda como objetivo, compreender a natureza dos materiais, estabelecendo conceitos e teorias que permitam relacionar a estrutura dos materiais com suas propriedades e comportamento

1.1. CLASSIFICAÇÃO DOS MATERIAIS

Por conveniência, a maioria dos materiais de engenharia é classificada em três classes principais, quais sejam: materiais metálicos, materiais poliméricos (plásticos) e materiais cerâmicos. Esta classificação é baseada principalmente no tipo de estrutura atômica.

Em adição a estes três tipos, um estudo mais abrangente deve incluir um outro tipo, que exibe, atualmente, grande importância tecnológica: os materiais compósitos, semicondutores e biomateriais.

Classificação dos Materiais

§ Metais § Cerâmicas § Polímeros § Compósitos
§ Metais
§ Cerâmicas
§ Polímeros
§ Compósitos

Classificação Clássica

§ Semicondutores

§ Biomateriais (Mat. Biocompatíveis)

1.1.1. MATERIAIS METÁLICOS

Os materiais metálicos são substâncias inorgânicas compostas por um ou mais elementos metálicos e podem, também, conter elementos não- metálicos. Exemplos de materiais metálicos: aço, cobre, alumínio, níquel e titânio. Elementos não- metálicos como carbono, nitrogênio e oxigênio podem estar contidos em materiais metálicos.

Os metais têm uma estrutura cristalina, na qual os átomos estão arranjados de maneira ordenada. Eles, em geral, são bons condutores térmicos e elétricos. Quase todos os metais são mecanicamente resistentes, dúcteis e muitos mantém esta resistência mesmo em altas temperaturas.

1.1.2.

MATERIAIS POLIMÉRICOS (PLÁSTICOS)

1.2. Propriedades dos materiais- Conceitos de básicos.

A maioria dos materiais poliméricos consiste de cadeias moleculares orgânicas (carbono) de longa extensão. Estruturalmente, a maioria destes materiais não é cristalina, porém alguns exibem uma mistura de regiões cristalinas e não-cristalinas. A resistência mecânica e ductilidade dos materiais poliméricos variam enormemente. Devido à natureza da estrutura interna, a maioria dos plásticos conduz eletricidade e calor de maneira extremamente precária. Isto permite que os mesmos sejam freqüentemente utilizados como isolantes, tendo grande importância na confecção de dispositivos e equipamentos eletrônicos. Em geral, os materiais poliméricos têm baixo peso específico e apresentam temperatura de decomposição relativamente baixa.

1.1.3. MATERIAIS CERÂMICOS

Os cerâmicos são materiais inorgânicos constituídos por elementos metálicos e não-metálicos unidos por meio de ligações químicas. Estes materiais podem ser cristalinos, não-cristalinos ou uma mistura de ambos. A maioria dos cerâmicos apresenta alta dureza e elevada resistência mecânica, mesmo em altas temperaturas. Entretanto, tais materiais são, normalmente, bastante frágeis. Uma gama bastante ampla de novos materiais cerâmicos está sendo desenvolvida, tendo como objetivo diversas aplicações, como é o caso de peças para motores de combustão interna. Neste caso, este material tem a vantagem do baixo peso, resistência e dureza elevadas, alto resistência ao calor e propriedades isolantes.

O fato de ser um bom isolante térmico, bem como ser resistente ao calor, permite que os materiais cerâmicos tenham importante papel na construção de fornos usados na indústria metalúrgica. Uma aplicação recente, que retrata com fidelidade o potencial dos materiais cerâmicos, é o uso dos mesmos na construção do ônibus espacial americano. A estrutura deste veículo é de alumínio revestida por milhares de pastilhas cerâmicas. Estas pastilhas dão proteção térmica ao ônibus durante a subida e por ocasião da reentrada do mesmo na atmosfera.

1.2.1. Principais Propriedades Mecânicas:

- Dutibilidade: capacidade do material em

deformar plasticamente sem ruptura , quando submetido a esforço de tração. É expressa em porcentagem.

- Maleabilidade: á a capacidade do material em

deformar plasticamente sem ruptura , quando submetido a esforço de compressão.

- Tenacidade: é a medida da energia necessária

para fraturar um corpo de prova padrão.

- Modulo de Elasticidade (YOUNG) : É a relação entre a tensão(s) aplicada e a deformação elástica(e) que ela produz.

Está relacionado diretamente com as forças das ligações interatômicas (entre átomos).

Indica a rigidez do material.

- Limite de resistência à tração ou tensão de

deformação (s e ): representa a tensão a partir da

qual o material sofre deformação plástica. É uma das mais importantes propriedades de engenharia, pois são utilizados em cálculos de estruturais.

Limite de resistência à ruptura (s r ): representa a tensão a partir da qual o material sofre ruptura.

- Resiliência: Corresponde à capacidade do material de absorver energia quando este é deformado elasticamente. Materiais resilientes são aqueles que têm alto limite de elasticidade e baixo módulo de elasticidade (como os materiais utilizados para molas)

- Dureza:

- Materiais Frágeis: capacidade do material resistir

à abrasão superficial.

- Material não frágeis: é a medida da resistência

de um material à deformação plástica (permanente).

- Resistência à flexão:

máxima que um corpo de prova suporta antes

de romper quando sujeito a um esforço de flexão. Utilizado para avaliar a resistência mecânica de materiais cerâmicos, principalmente para revestimentos e telhas.

é definida com a tensão

- Resistência à compressão: É definida com a

tensão máxima antes da ruptura, que um corpo de prova pode resistir quando submetido a esforços de compressão. Este ensaio é utilizado principalmente para avaliar a resistências de tijolos, blocos e concreto.

- Fluência: limite de resistência à deformação em temperaturas elevadas.

- Fadiga: limite de resistência à fratura de materiais submetidos a carregamentos cíclicos.

1.2.2. Propriedades Térmicas:

- Capacidade térmica: ela representa a quantidade

a

temperatura.

de

energia

necessária

para

aumentar

C

=

dQ

dQ- variação de calor (energia)

 

dT

dT- variação de temperatura

As unidades de energia são calorias ou joule

- Dilatação ou expansão Térmica: representa a

variação dimensional de um material, quando este é submetido a um resfriamento ou aquecimento.

a =

DL Li . DT

a - coeficiente de dilatação- ° C -1

Li - Comprimento inicial – m, cm, mm

Lf - Comprimento final – m, cm, mm

DT - (Tf – Ti)- Variação de temperatura

(Lf-Li)- Variação de comprimento

DL -

m, cm, mm

° C

- Condutividade Térmica: É o fenômeno pelo qual calor é transportado das regiões de maior

temperatura para as regiões de menor temperatura.

A propriedade que caracteriza a habilidade de um

material transferir calor é a condutividade térmica (k).

q = - k. dT dx
q = - k. dT
dx

q

– fluxo de calor (J/m2 ou W/M2)

k

– condutividade térmica (W/m)

dt/dx- gradiente de temperatura no

meio condutor

Difusividade térmica (h)

h=

K

Cp. r

K- condutividade térmica Cp- capacidade térmica r- densidade

h- Difusividade térmica

Choque térmico

IRCT =

h . S a.E

h- Difusividade térmica S- limite de resistência a- dilatação térmica E- Modulo de elasticidade IRCT- Índice de resistência ao choque térmico

Propriedades Elétricas:

Condutividade elétrica (s): indica a facilidade com

que um material

inverso

condutividade é (Wm ) -1 .

s

da

conduz corrente elétrica, é o

da

resistividade

(r).

A

unidade

=

1

r

Rigidez dielétrica: indica em que grau o material é isolante, ela é uma medida da tensão máxima que um material pode suportar antes de perder suas características de isolante.

Termoeletricidade: é a propriedade que apresenta um material em gerar uma corrente elétrica quando submetido a gradientes de temperaturas. A tensão produzida depende do tipo de material e da diferença de temperatura.

um

material produzir uma polarização (energia elétrica) quando aplicamos uma força.

Piezeletricidade:

indica

a

capacidade

de

CAP II- LIGAÇÕES ATÔMICAS

2. INTRODUÇÃO

Os materiais sólidos são formados por átomos que

são unidos por forças elétricas, formando o que chamamos de ligações químicas. Estas interações elétricas podem ser obtidas de diversas formas, formando diferentes tipos de ligações.

O comportamento de um material pode ser

eficientemente previsto a partir da análise do mesmo

aos níveis subatômico, atômico e microscópico. Assim, torna-se necessário examinar o mesmo, no tocante aos átomos que constituem o material, bem como o comportamento eletrônico dos mesmos. A estrutura de qualquer material é diretamente dependente dos tipos de átomo envolvidos e das ligações atômicas que eles formam.

A base de qualquer unidade estrutural em ciência e engenharia de materiais é o átomo. O átomo consiste basicamente de três partículas

subatômicas: prótons, elétrons e nêutrons. No centro do átomo localiza-se o núcleo, que tem diâmetro próximo a 10 -14 m. Este núcleo é envolvido

por

uma nuvem de elétrons de densidade variável,

que

resulta em um diâmetro atômico final de 10 -10 m.

No

núcleo, onde residem prótons e nêutrons, está a

quase totalidade da massa atômica. A massa de um próton é igual a 1,673x10 -24 g e sua carga elétrica é de +1,602x10 -19 Coulomb (C). O nêutron é pouco mais pesado que o próton e tem massa igual a 1,675x10 - 24 g, porém é eletricamente neutro. O elétron tem massa de 9,109x10 -28 g e carga igual a -1,602x10 -19 Coulomb. Portanto, a quase totalidade do volume atômico concentra-se na nuvem de elétrons, porém, esta colabora com apenas uma pequena parte da massa final do átomo. Os elétrons, particularmente

os mais externos, determinam a maioria das

características elétricas, mecânicas, químicas e

térmicas dos átomos e assim, o conhecimento básico do mesmo é necessário no estudo dos materiais.

A estrutura interna dos materiais é resultado da

agregação de átomos obtida através de forças de

ligação interatômicas. Esta agregação, em função

das características de tais ligações, pode resultar

nos estados sólidos, líquido e gasoso.

Elétrons de valência
Elétrons de
valência

Energia de Ligação

Porque os átomos se unem:

Por que ao se unir os átomos diminuem a energia interna.

Por que ao se unir os átomos diminuem a energia interna. Distancia inter atômica Figura 2.2.

Distancia inter atômica

átomos diminuem a energia interna. Distancia inter atômica Figura 2.2. Diagrama de energia em função da

Figura 2.2. Diagrama de energia em função da distancia inter atômicas.

Relação

propriedades:

entre

energia

de

ligação

e

algumas

Resistência mecânica: aumenta com a força máxima e com a profundidade do poço da curva de energia de ligação.

Pontos de fusão e de ebulição: aumentam com a profundidade do poço da curva de energia de ligação.

Coeficiente de expansão térmica: diminui com a profundidade do poço da curva de energia de ligação.

a profundidade do poço da curva de energia de ligação. Figura 2.3. Diagrama de energia de

Figura 2.3. Diagrama de energia de ligação de dois materiais.

Ligações Químicas

Basicamente, os átomos podem atingir uma configuração denominada de estável (menor energia)

a partir de três maneiras, quais sejam: ganho de

elétrons, perda de elétrons ou compartilhamento de elétrons. A facilidade em ganhar elétrons caracteriza

o átomo como elemento eletronegativo; a facilidade

em perder elétrons o caracteriza como sendo um elemento eletropositivo. Existem também os átomos que não apresentam facilidade em perder ou ganhar elétrons. Estas características atômicas resultam na existência de três tipos de ligações atômicas,

denominadas como primárias ou fortes, que são :

ELEMENTO ELETROPOSITIVO +

 

ELEMENTO

LIGAÇÃO IÔNICA

ELETRONEGATIVO

ELEMENTO

 

ELETROPOSITIVO

+

LIGAÇÃO

ELEMENTO

METÁLICA

ELETROPOSITIVO

ELEMENTO ELETRONEGATIVO +

LIGAÇÃO

ELEMENTO

COVALENTE

ELETRONEGATIVO

Uma outra classe de ligações, denominadas de ligações fracas, pode ser encontrada em algumas substâncias. Estas ligações contribuem para a atração entre moléculas e são classificadas como forças de Van Der Walls (ligação secundaria). Estas moléculas são atraídas, pois nelas podemos ter polarização induzida ou permanente. Quanto maior esta polarização mais forte é á força de ligação entre as moléculas.

2.1. LIGAÇÃO IÔNICA: envolve a transferência de elétrons de um átomo para outro

a transferência de elétrons de um átomo para outro Figura 2.4- Formação da ligação iônica. Para

Figura 2.4- Formação da ligação iônica.

Para o cloreto de sódio, tanto o cátion Na + quanto

o ânion Cl - ficam com seus orbitais externos completos.

LIGAÇÃO IÔNICA - características:

§ Metal (esquerdo TP) + não-metal (direito TP)

§ Envolve a transferência de elétrons de um átomo para outro

§ Resulta da interação eletrostática entre um íon positivo e um íon negativo

§ A ligação é não-direcional

§ É a ligação predominante nos materiais cerâmicos

§ Os materiais são duros e quebradiços

§ Bons isolantes térmicos e elétricos nos sólidos, mas em soluções aquosas e no estado de fusão são bons condutores elétricos.

Figura 2.5- Estrutura iônica - Cloreto de sódio 2.2. LIGAÇÃO COVALENTE Na ligação covalente compartilhamento

Figura 2.5- Estrutura iônica - Cloreto de sódio

2.2. LIGAÇÃO COVALENTE

Na ligação covalente

compartilhamento de par(es) de elétron(s) entre os

átomos ligantes.

o

está

envolvido

· Covalente (normal): cada um dos átomos participa da ligação com um elétron para a formação do par eletrônico compartilhado;

· Covalente dativa: apenas um átomo estabelece a ligação com o outro átomo compartilhando seus elétrons de valência para a formação do par eletrônico.

Na formação das ligações químicas (covalente e covalente dativa) entre os átomos de oxigênio com

o enxofre (átomo central) todos os átomos adquirem

a estabilidade eletrônica, ou seja, ambos ficam com

a última camada eletrônica totalmente preenchida, semelhante à distribuição eletrônica de um gás nobre.

semelhante à distribuição eletrônica de um gás nobre. Figura 2.6. Estrutura de uma ligação covalente, gás

Figura 2.6. Estrutura de uma ligação covalente, gás metano.

PROPRIEDADES

COVALENTES

GERAIS

DOS

COMPOSTOS

Compostos Covalentes que formam moléculas (Ex: Cl 2 , HCl)

· Na molécula, existem forças covalentes que mantêm os átomos unidos;

· No estado sólido, as moléculas são mantidas por forças de Van der Waals fracas (mais fraca do que a atração eletrostática dos íons);

· Em virtude disto, para fundir ou evaporar compostos covalentes precisa-se de energia (DH) suficiente apenas para romper as forças de Van der Waals.

Em virtude da fraca atração intermolecular, os compostos covalentes se apresentam como:

· Líquidos, com baixo ponto de ebulição, ou gases à temperatura ambiente;

· Compostos sólidos que possuem baixa dureza e baixo ponto de fusão.

· Isolantes: não conduzem corrente elétrica.

Compostos Covalentes formam estrutura (Ex:

SiC, C -Diamante)

§ Os átomos são mantidos unidos por ligações covalentes(fortes), formando estruturas cristalinas.

§ Em virtude da alta energia da ligação covalente, os compostos covalentes apresentam como:

§ Compostos sólidos que possuem alta dureza e alto ponto de fusão.

§ Isolantes: não conduzem corrente elétrica.

2.3.

LIGAÇÃO METÁLICA

2.4. LIGAÇÕES SECUNDÁRIAS

Esse tipo de ligação é normalmente encontrado em metais e envolve a interação de elementos eletropositivos. A ligação metálica é resultado da ação entre elétrons livres (nuvem eletrônica) e íons positivos. Estes elétrons livres são originários da última camada de valência, fracamente presos ao átomo, e que estão livres dentro da estrutura metálica. A figura abaixo mostra as ligações metálicas observadas em metais.

abaixo mostra as ligações metálicas observadas em metais. Figura 2.7. Representação esquemática da ligação

Figura 2.7. Representação esquemática da ligação metálica.

Características e propriedades dos compostos formados por ligações metálicos:

Os átomos de um metal estão unidos através da nuvem eletrônica, formando estrutura cristalina compactas.

Em virtude de possuir elétrons livres as ligações metálicas possuem as seguintes propriedades:

§

Sólidos

cristalinos, de alto ponto de fusão e

ebulição;

§

São bons condutores de calor e energia;

§

Possuem elevada plasticidade e dutibilidade;

§

Formam estruturas opacas.

§

Até agora, temos considerado apenas a ligação primaria entre átomos, e vimos como ela depende da interação entre os elétrons de valência. A força motora para a ligação atômica primaria é a diminuição de energia que sofre os elétrons ligantes.

Contratando com as ligações primarias, as ligações secundarias são relativamente fracas, com energias de apenas cerca 4 a 40Kj/mol. A força motora para as ligações secundárias é a atração entre dipolos elétricos que existem nos átomos e moléculas.

Em geral, há dois tipos principais de ligações secundárias entre átomos ou moléculas, envolvendo dipolos elétricos: dipolos flutuantes (ou induzidos) e dipolos permanentes. É costume designar coletivamente estas ligações secundárias dipolares por ligações de Van der Waals.

Dipolos Induzidos

São forças de ligação muito fracas entre elementos de gás nobre, os quais possuem camadas completas de elétrons de valência. Estas ligações surgem por causa da forma assimétrica da distribuição de cargas eletrônicas destes átomos, a qual origina dipolos elétricos. Em qualquer instante, há uma elevada possibilidade de existir maior carga elétrica de um lado do átomo do que do outro. Por isso, num dado átomo, a nuvem de carga elétrica sofrendo alterações no tempo, criando um dipolo flutuante. Os dipolos formados nos átomos podem originar atração entre si, de que resultam fracas ligações interatômicas não direcionais.

Dipolos permanentes

São forças de ligação mais fortes que as ligações por dipolos induzidos que se desenvolvem entre moléculas formadas por ligações covalentes, quando estas moléculas formam dipolos permanentes.

 
     
     
     
     
     
 
     
     
 
 
       
       
 
       
       
       
 
       
       
 
               
 

H

H

  H H    
  H H    
  H H    
  H H    
  H H    
 
  H H    
  H H    
 
C

C

 
C

C

 
C   C    
C   C    
C   C    
C   C    
C   C    
C   C    
 
C   C    
               
 

H

H

H

Cl

 
             
 
             
 
             
 
             
 
             
 
             
             
 
 
   
   
   
   
 
   
   
   

CH 4

H

CH 3 Cl

H

Átomo de hidrogênio (eletronegatividade-2.1) Átomos de cloro (eletronegatividade-3.0)

Átomo de hidrogênio (eletronegatividade-2.1) Átomos de cloro (eletronegatividade-3.0)CH 4 H CH 3 Cl H  

 
Átomos de cloro (eletronegatividade-3.0)   átomos de carbono (eletronegatividade-2.5) Figura 2.10.
Átomos de cloro (eletronegatividade-3.0)   átomos de carbono (eletronegatividade-2.5) Figura 2.10.

átomos de carbonoÁtomos de cloro (eletronegatividade-3.0)   (eletronegatividade-2.5) Figura 2.10. Representação

(eletronegatividade-2.5)

Figura 2.10. Representação esquemática da estrutura do PVC

 

-

+

 
  - +      
  - +      
  - +      
  - +      
  - +      
  - +      
 
  - +      
 
         
         
 
         
         
 
         
 
         
 
         
 
         

Momento dipolar nulo

Momento dipolar

Momento dipolar nulo Momento dipolar  
Momento dipolar nulo Momento dipolar  
Momento dipolar nulo Momento dipolar  
Momento dipolar nulo Momento dipolar  
Momento dipolar nulo Momento dipolar  
Momento dipolar nulo Momento dipolar  
 
Momento dipolar nulo Momento dipolar  
 
 
 
 
 
 
 

Figura

2.8.

Estrutura

molecular

do

metano

e

             

clorometano.

 
clorometano.      
clorometano.      
clorometano.      
 
clorometano.      
 
clorometano.      
clorometano.      
clorometano.      
               
 
     
     
     
 
     
     
     
 
     
+. +
+.
+

Atração              +. + entre pólos positivos e negativos Figura 2.9.

entre pólos

positivos e         +. + Atração entre pólos negativos Figura 2.9. Representação esquemática da

negativos

Figura 2.9.

Representação esquemática da ligação

secundária.

Figura 2.8. Representação esquemática da estrutura do PVC

Observando as duas estruturas, notamos que no PVC existem átomos de hidrogênio e cloro na cadeia de carbono, isto provoca uma polarização da molécula, pois o cloro é mais eletronegativo que hidrogênio. Esta polarização provoca uma grande força de atração entre as cadeias de carbono, o produz um plástico duro.

Enquanto o polietileno apresenta apenas átomos de hidrogênio na cadeia, não formando polarização, por isto a força de atração entre as moléculas é menor, produzindo um plástico mais mole.

CAP III- ESTRUTURA CRISTALINA

3. INTRODUÇÃO

Dependendo da composição química ou do processo de fabricação os átomos na solidificação ou em tratamentos térmicos podem se arranjar de maneira ordenada (estrutura cristalina) ou desordenada (estrutura vítrea).

Estrutura cristalina Estrutura vítrea
Estrutura cristalina
Estrutura vítrea

Figura 3.1. Estrutura cristalina e estrutura vítrea

átomos,

moléculas ou íons arranjados de uma forma periódica em 3 dimensões.

As posições que são ocupadas seguem uma ordenação que se repete ao longo de grandes distâncias

Distância entre planos de átomos iguais.

Estrutura

cristalina:

compostos

por

Materiais Vítreos (amorfos): compostos por átomos, moléculas ou íons que não apresentam uma ordenação de longo alcance.

Distância entre planos atômicos diferentes

3.1. ESTRUTURA CRISTALINA

A estrutura física dos materiais sólidos depende fundamentalmente do arranjo estrutural de seus átomos, íons ou moléculas. A grande maioria dos materiais comumente utilizados em engenharia, particularmente os metálicos, exibe um arranjo geométrico de seus átomos bem definido, constituindo uma estrutura cristalina. Os materiais cristalinos, independentes do tipo de ligação encontrada no mesmo, caracterizam-se por apresentar um agrupamento ordenado de seus

átomos, íons ou moléculas, que se repete nas três dimensões. Os arranjos atômicos em um sólido cristalino podem ser descritos usando, como referência, os pontos de intersecção de uma rede de linhas nas três dimensões. Em um cristal ideal, o arranjo destes pontos em torno de um ponto particular deve ser igual ao arranjo em torno de qualquer outro ponto da rede cristalina. Dessa maneira, é possível descrever um conjunto de pontos ou posições atômicas repetitivo, denominado de célula unitária. Uma célula unitária é também definida como a menor porção do cristal que ainda conserva as propriedades originais do mesmo. Através da adoção de valores específicos, como parâmetros axiais e ângulos interaxiais, pode-se obter células unitárias de diversas naturezas. O estudo da estrutura interna dos materiais necessita da utilização de 7 arranjos atômicos básicos, que podem representar as estruturas de todas as substâncias cristalinas conhecidas.

Tabela 3.1. Geometria dos sistemas cristalinos.

SISTEMAS

EIXOS

ÂNGULOS

AXIAIS

CÚBICO

a=b=c

Todos os ângulos = 90 0

TETRAGONAL

a=b¹c

Todos os ângulos = 90 0

ORTORRÔMBICO

a¹b¹c

Todos os ângulos = 90 0

MONOCLÍNICO

a¹b¹c

2

ângulos = 90 0

e 1 âng. ¹ 90 0

TRICLÍNICO

a¹b¹c

Todos ângulos e nenhum igual a 90 0

HEXAGONAL

a

1 =a 2 =

a

3 ¹c

3 ângulos = 90 0

1 ângulo = 120 0

ROMBOÉDRICO

a=b=c

Todos os ângulos iguais, mas ¹ de 90

0

Estes 7 arranjos atômicos básicos definem 7 sistemas cristalinos. Partindo desses sistemas, A. J. Bravais derivou 14 células unitárias, que permitem descrever qualquer estrutura cristalina possível.

Figura 3.2. Arranjos atômicos-células unitárias. ESTRUTURA CRISTALINA DOS MATERIAIS DOS MATERIAIS Fatores que definem o

Figura 3.2. Arranjos atômicos-células unitárias.

ESTRUTURA CRISTALINA DOS MATERIAIS DOS MATERIAIS

Fatores que definem o arranjo mais estável dos átomos de um cristal:

§ Preservar a neutralidade elétrica;

§ Satisfazer o caráter direcional das ligações covalentes;

§ Minimizar a repulsão íon-íon;

§ Ajustar os átomos do modo mais compacto possível;

§ Relação entre tamanho de átomos;

3.1.1. Materiais Metálicos

As Ligações metálicas por não apresentarem caráter direcional, não impõe restrições a átomos vizinhos e também por se formados por átomos iguais ou semelhantes, cristalizam-se em estruturas simples e compactas. Os metais se cristalizam nas seguintes estruturas: Hexagonal Compacta, Cúbica de Face Centrada e Cúbica de Corpo Centrado.

3.1.1.1. Estrutura Cúbica de Corpo Centrado-

CCC

Neste arranjo estrutural existe um átomo em cada vértice de um cubo e um outro átomo no centro do mesmo, como mostra a figura 3.4. Esta estrutura pode ser encontrada no tungstênio, tântalo, bário, nióbio, lítio, potássio, vanádio, cromo, etc.

bário, nióbio, lítio, potássio, vanádio, cromo, etc. Figura 3.3. Estrutura CCC Figura 3.4. Modelo demonstrando a

Figura 3.3. Estrutura CCC

potássio, vanádio, cromo, etc. Figura 3.3. Estrutura CCC Figura 3.4. Modelo demonstrando a posição dos átomos

Figura 3.4. Modelo demonstrando a posição dos átomos da Estrutura CCC

Figura 3.5. Célula Unitária – Estrutura CCC Características da estrutura CCC · Relação entre raio

Figura 3.5. Célula Unitária – Estrutura CCC

Características da estrutura CCC

· Relação entre raio e aresta da célula unitária:

=

(4R )

2 ® a

=

4R

3
3
2 2 + ( ) a a 2 R- raio atômico
2
2 + (
)
a
a
2
R- raio atômico

a- aresta da célula unitária

· Numero de Átomos por célula unitária: 2 átomos

· Fator de empacotamento atômico (F.E.)= 0,68

N V A F. E. = V C
N
V
A
F. E.
=
V
C

onde: N = Número de átomos que efetivamente

ocupam a célula;

V A = Volume do átomo (4/3.p.R 3 );

V C = Volume da célula unitária(a 3 ).

3.1.1.2. Estrutura Cúbica de Face Centrado- CFC

Este arranjo caracteriza-se por exibir os mesmos átomos nos vértices encontrados nos outros dois arranjos cúbicos e mais 1 átomo em cada face do cubo. A estrutura cúbica de face centrada é a estrutura do alumínio, cálcio, níquel, cobre, prata,

ouro, platina, chumbo, etc. Neste caso existe um total de quatro átomos no interior da célula unitária.

um total de quatro átomos no interior da célula unitária. Figura 3.6. Estrutura CFC Figura 3.7.

Figura 3.6. Estrutura CFC

no interior da célula unitária. Figura 3.6. Estrutura CFC Figura 3.7. Modelo demonstrando a posição dos

Figura 3.7. Modelo demonstrando a posição dos átomos da Estrutura CFC

Modelo demonstrando a posição dos átomos da Estrutura CFC Figura 3.8. Célula unitária – Estrutura CFC

Figura

3.8. Célula unitária – Estrutura CFC

Características da estrutura CFC

· Relação entre raio e aresta da célula unitária:

2 2 a + a = (4R ) 2 ® a = 2 2R
2
2
a
+
a
= (4R )
2 ® a
=
2
2R

R-

raio atômico

a-

aresta da célula unitária

·

Numero de Átomos por célula unitária: 4 átomos

·

Fator de empacotamento atômico (F.E.)= 0,74 ou 74%

3.1.3. Estrutura Hexagonal Compacta

A estrutura hexagonal compacta é formada por

dois hexágonos sobrepostos e um plano intermediário de 3 átomos. Nos hexágonos, novamente, existem 6 átomos nos vértices e um outro no centro. A estrutura cristalina hexagonal compacta pode ser observada na figura 3.10. Neste caso, o parâmetro "a" é diferente do parâmetro "c". Os ângulos basais são novamente iguais a 120 0 e os verticais de 90 0 . A estrutura HC pode ser observada no berílio, berquélio, lítio, magnésio, cádmio, cobalto, etc. O número de átomos que efetivamente encontram-se dentro de uma célula unitária HC é igual a 6.

dentro de uma célula unitária HC é igual a 6. Figura 3.9. Estrutura HC Figura 3.10.

Figura 3.9. Estrutura HC

célula unitária HC é igual a 6. Figura 3.9. Estrutura HC Figura 3.10. Modelo demonstrando a

Figura 3.10. Modelo demonstrando a posição dos átomos da Estrutura HC

Características da estrutura CFC

· Numero de Átomos por célula unitária: 6 átomos

· Fator de empacotamento atômico (F.E.)= 0,74 ou 74%

Comparações entre estruturas CCC, CFC e HC

Tabela 3.2. Comparação entre estruturas metálicas.

Estrutura

CFC

CCC

HC

Dutibilidade

Boa

Ruim

Ruim

FEA

0,74

0,68

0,74

Dureza

Baixa

Alta

Alta

Coef. Dilatação

maior

menor

maior

FEA Fator de empacotamento atômico

 

ALOTROPIA

Diversos elementos, bem como compostos químicos apresentam mais de uma forma cristalina, dependendo de condições como pressão e temperatura envolvidas. Este fenômeno é denominado de alotropia ou polimorfismo. Metais de grande importância industrial como o ferro, o

titânio e o cobalto apresentam transformações alotrópicas em temperaturas elevadas. A tabela 3.3 mostra alguns metais que exibem variações alotrópicas e suas temperaturas de transformação. A variação alotrópica encontrada em cristais de ferro pode ser considerada como um clássico exemplo de polimorfismo. Esta variação alotrópica é muito importante em processos metalúrgicos, pois permite a mudança de certas propriedades do aço (Fe + C), através de tratamentos térmicos.

Tabela .3.3. Formas alotrópicas de alguns metais.

Metal

Estrutura

Em outras

na temp.

temperaturas

ambiente

Ca

CFC

CCC

(>447 0 C)

Co

HC

CFC

(>427 0 C)

Hf

HC

CFC (>1742 0 C)

Fe

CCC

CFC (912-1394 0 C) CCC (>1394 0 C)

Li

CCC

HC (<-193 0 C)

Na

CCC

HC (<-233 0 C)

Tl

HC

CCC

(>234 0 C)

Ti

HC

CCC

(>883 0 C)

Y

HC

CCC

(>1481 0 C)

Zr

HC

CCC

(>872 0 C)

O ferro apresenta os arranjos CCC e CFC na faixa de temperaturas que vai da temperatura ambiente até a temperatura de fusão do mesmo (1539 0 C). O ferro a existe de -273 a 912 0 C e tem estrutura cristalina CCC. Entre 768 e 912 0 C, o ferro a deixa de ser magnético e, algumas vezes, é chamado de ferro b. O ferro g existe de 912 a 1394 0 C e tem estrutura CFC. O ferro d existe de 1394 a 1539 0 C, apresentando, novamente, estrutura CCC. A diferença entre as estruturas CCC do ferro a e do ferro d reside no valor do parâmetro de rede dos dois casos. Na faixa de temperaturas mais baixa, o parâmetro de rede é menor. Um outro exemplo clássico de polimorfismo é a variação alotrópica do carbono. Este elemento é

encontrado como diamante, que é o material mais duro na natureza e na grafite, um material de baixíssima dureza, que pode ser usado como lubrificante. O diamante é duro porque todas as suas ligações são covalentes. Por outro lado, a grafite tem ligações covalentes apenas em alguns planos. Estes planos são agregados a outros

planos através de forças secundárias e assim, é fácil provocar o deslizamento dos mesmos. A figura III.10 apresenta as estruturas do diamante e

da grafite.

a b
a
b

Figura 3.11- Estrutura: a-diamante b- grafite

3.1.2.

Cerâmicos

Estrutura

Cristalina

dos

Materiais

A estrutura dos materiais cerâmicos pode ser

extremamente complexa à medida que um número elevado de átomos, com diferentes funções, pode formar a mesma. Tal estrutura, como de outros materiais (metálicos e poliméricos) é determinada

pela natureza das ligações atômicas presentes, bem como das características dos elementos envolvidos em tais ligações. Na maioria dos materiais cerâmicos, a estrutura é resultado da

e

covalentes presentes. As parcelas iônica e covalente dependem basicamente da eletronegatividade dos átomos envolvidos.

O caráter iônico ou covalente define, em parte, o

tipo de estrutura que o composto cerâmico exibe. Como na maioria dos compostos cerâmicos o caráter iônico é predominante, a estrutura dos mesmos é determinada por dois fatores fundamentais. No caso de compostos iônicos simples, do tipo AB, o arranjo dos íons é definido pelos seguintes fatores:

a. A relação entre os raios do cátion e do

ânion;

quantidade

relativa

de

ligações

iônicas

b. A necessidade de existir um balanço de cargas no sólido iônico.

Como os sólidos iônicos exibem tendência a formar estruturas altamente compactas, o limite de tal compactação é dado pela relação entre raios iônicos e pelo balanço eletrostático dos íons envolvidos. Além disso, para que a ligação iônica ocorra é necessário que os cátions e ânions estejam em contato. Assim, para o caso de uma estrutura onde os íons são iguais, é fácil perceber que o número de coordenação será igual a 12 (estruturas CFC ou HC). Se os íons são diferentes, o N.C. dependerá da relação entre seus raios r/R, onde r é o raio do cátion e R do ânion. Existe uma relação (r/R) ideal , onde o ajuste geométrico é perfeito, como mostra a tabela 3.4. Quando as dimensões dos íons são comparadas, observa-se que os ânions são, geralmente, maiores que os cátions. Este fato está relacionado à força que o núcleo exerce em relação a eletrosfera. Com a perda de elétrons (gerando cátions), os elétrons restantes são atraídos em direção ao núcleo de maneira mais forte, o que reduz o raio iônico. O fenômeno oposto, ou seja, o aumento do raio iônico ocorre com o ganho de elétrons e a formação de ânions. A tabela 3.5 exibe valores do raio iônico de alguns cátions e ânions formadores de estruturas cerâmicas simples.

Tabela 3.4.Número de coordenação para as relações entre raios metálicos ou iônicos.

Número de

Relação (r/R) ideal

Coordenação

3

0,155

4

0,225-0,414

6

0,414-0,732

8

0,732-1,00

12

1,00

Tabela 3.5. Raios iônicos de alguns cátions e ânions.

Cátion

Raio Iônico

Ânion

Raio Iônico

(nm)

(nm)

Cs +

0,170

Br

-

0,196

K

+

0,138

Cl

-

0,181

Na +

0,098

F

-

0,133

Ni 2+

0,069

I

-

0,220

Mg 2+

0,072

S

2-

0,184

Mn 2+

0,067

O

2-

0,140

Exemplos de Estrutura Cristalina dos Materiais Cerâmicos

§ Materiais com ligações iônicas

Estrutura do NaCL

§ Materiais com ligações iônicas Estrutura do NaCL Figura 3.12. Diagrama da ligação iônica - Cloreto

Figura 3.12. Diagrama da ligação iônica - Cloreto de Sódio

r/R= 0,564

N.C = 6

Neste tipo de estrutura existe um número equivalente de cátions e ânions. O número de coordenação, que é obtido da relação r/R e resulta no valor de 0,564 conforme dados obtidos na tabela V.5, é igual a 6. Como o número de cátions é igual ao de ânions, o número de

coordenação 6 é igual para ambos os íons. A estrutura desse composto é gerada a partir de um arranjo CFC dos ânions, tendo em seus interstícios, os cátions, como mostra a figura 3.11. Além do NaCl, o MgO, o MnS e o LiF também apresentam este tipo de arranjo estrutural.

Materiais com ligações covalentes

de arranjo estrutural. Materiais com ligações covalentes Figura 3.13a. Estrutura do diamante Figura 3.13b. Estrutura

Figura 3.13a. Estrutura do diamante

ligações covalentes Figura 3.13a. Estrutura do diamante Figura 3.13b. Estrutura cristalina do SiO 2 Os materiais

Figura 3.13b. Estrutura cristalina do SiO 2

Os materiais cerâmicos formados estritamente por ligações covalentes apresentam altos pontos de fusão e elevada dureza. Estas propriedades são oriundas da alta força de ligação e da simetria da estrutura.

3.1.3. Estrutura Cristalina dos Silicatos Os silicatos

constituem a classe de maior importância, representando cerca de 25% dos minerais conhecidos e quase 40% dos minerais comuns. Os silicatos constituem cerca de 95% do volume da crosta terrestre, dos quais cerca de 59,5% são representados por feldspatos, 16,8% por anfibólios e piroxênios, 12% por quartzo e 3,8% pelas micas, os outros minerais (silicatos e não silicatos) perfazendo o volume de aproximadamente 7,9%. Dessa maneira, a grande maioria das rochas é formada por silicatos, sendo raras as rochas magmáticas, metamórficas e sedimentares que não possuem como minerais essenciais silicatos. Assim sendo, é impossível classificar rochas sem possuir uma boa base de mineralogia dos silicatos.Muitos materiais cerâmicos têm estruturas do tipo silicato. Muitos minerais que aparecem na natureza tais como argila, feldspato, talco, micas são silicatos.

3.1.3.1. Unidade estrutural básica do Silicato

As estruturas de silicatos restringem-se ao silício tetracoordenado, tetraédrico, exceto em fases estáveis sob altas pressões, bastante raras. A unidade [SiO 4 ] é formada por um átomo de silício no centro e os átomos de oxigênio nos vértices. Cada átomo de oxigênio compartilhado contribui com um elétron em cada ligação ao silício, portanto cada oxigênio terminal, isto é, não compartilhado, provoca o aparecimento de uma carga negativa na unidade. Assim, o

ortossilicato é descrito como [SiO 4 ] 4 - [1].

ortossilicato é descrito como [SiO 4 ] 4 - [1]. 4 - Figura 3.14. Estrutura do

4 -

Figura 3.14. Estrutura do ortossilicato [SiO 4 ]

3.1.3.1. Principais estruturas dos silicatos

Estrutura Tridimensional SiO 2 : Cada Silício está cercado por quatro oxigênios e cada oxigênio está ligado por dois tetraedros.

Exemplo: Quartzo e Tridimita

• Silício ™ Oxigênio (a) Cristobalita (b) Tridimita
Silício
™ Oxigênio
(a) Cristobalita
(b) Tridimita

Figura 3.15. Estrutura cristalina da Cristobalita e tridimita.

Ortossilicato (SiO 4 ) -4 : um átomo de silício se liga a 4 átomos de oxigênio

Exemplo: Mg 2 SiO 4 (fosterita)

de oxigênio Exemplo: Mg 2 SiO 4 (fosterita) Figura 3.16. Estrutura do ortossilicato Metassilicato ( Si

Figura 3.16. Estrutura do ortossilicato

Metassilicato ( Si 2 O 7 ) -6 : Quando dois radicais ortossilicato se ligam entre si, usando um oxigênio como ponte.

Exemplo: Ca 2 Mg Si 2 O 7

oxigênio como ponte. Exemplo: Ca 2 Mg Si 2 O 7 Figura 3.18. Estrutura do metassilicato

Figura 3.18. Estrutura do metassilicato

Piroxênios (SiO 3 ) -2 : Unidades de (SiO 4 ) -4 unidas em cadeias

Exemplo:Mg SiO 3 (enstetita)

- 4 unidas em cadeias Exemplo:Mg SiO 3 (enstetita) Estrutura em Cadeias simples (piroxênios) Estrutura em

Estrutura em Cadeias simples (piroxênios)

3 (enstetita) Estrutura em Cadeias simples (piroxênios) Estrutura em cadeias duplas (anfibólios) Figura 3.19.

Estrutura em cadeias duplas (anfibólios)

Figura 3.19. Estrutura dos silicatos em cadeia simples e duplas.

Estrutura em Camada: Quando os três átomos do tetraedro (SiO 4 ) -4 estão ligados a três tetraedros, formando uma

estrutura lamelar.

Exemplo: Argilominerais, talco

uma estrutura lamelar . Exemplo: Argilominerais, talco Figura 3.20. Estrutura lamelar 3.3. Estruturas dos

Figura 3.20. Estrutura lamelar

3.3. Estruturas dos argilominerais

Argilominerais –definição: aluminossilicatos hidratados que podem ser dispersos em partículas finas e desenvolvem plasticidade quando misturados com água.

Exemplos: caulinita, halloysita, pirofilita, montmorillonita, mica, ilita, etc

As estruturas cristalinas dos argilominerais são constituídas por camadas tetraédricas de silício (tetracoordenado) e octaédricas de alumínio (hexacoordenado). Os vértices dos grupos tetraédricos e octaédricos são compostos por átomos ou íons oxigênio e por íons hidroxila, que estão ao redor de pequenos cátions, principalmente Si 4+ e Al 3+ , ocasionalmente Fe 3+ e Fe 2+ , nos grupos tetraédricos Al 3+ , Mg 2+ , Fe 2+ , Fe 3+ , Ti 4+ , ocasionalmente Cr3+, Mn 2+ , Zn 2+ , Li + , nos grupos octaédricos, geralmente com um certo grau de substituição isomórfica. Essas substituições isomórficas são responsáveis pelo excesso de cargas elétricas negativas na superfície das plaquetas.

de cargas elétricas negativas na superfície das plaquetas. a- Grupo tetraédrico silício b- Lâmina tetraédrica c-

a- Grupo tetraédrico silício

b- Lâmina tetraédrica

a- Grupo tetraédrico silício b- Lâmina tetraédrica c- Grupo octaédricos alumínio d- Lâmina octaédricas

c- Grupo octaédricos alumínio

d- Lâmina octaédricas

Figura 3.21. Modelo esquemático da camada estrutural básica de uma argila

esquemático da camada estrutural básica de uma argila Modelo estrutural de um argilomineral tipo 1:1. CEMAT

Modelo estrutural de um argilomineral tipo 1:1.

Figura 3.22. Modelo estrutural de um argilomineral tipo 1:2. 3.1.4. Estrutura dos principais argilominerais Caulinita

Figura 3.22. Modelo estrutural de um argilomineral tipo 1:2.

3.1.4. Estrutura dos principais argilominerais

Caulinita

Tipo: Silicato de alumínio hidratado de estrutura lamelar, argilomineral. Estrutura 1:1

Composição: Al 2 (Si 2 O 5 )(OH) 4

Reações:

>500°C se decompõe em metacaulinita, Al 2 O 3 ·2SiO 2

>900°C forma mulita, 3Al 2 O 3 ·2SiO 2 , e alumina

>1150°C forma cristobalita

Propriedades e aplicação:

Plasticidade na etapa de conformação

7,1Å
7,1Å

Figura 2.24. Estrutura da caulinita

Tipo: Silicatos de alumínio anidros

Composição:

K 2 O·Al 2 O 3 ·6SiO 2 (ortoclásio) K 2 O·Al 2 O 3 ·6SiO 2 (albita), CaO·Al 2 O 3 ·2SiO 2 (anortita)

Reações:

800-1000°C apresenta uma composição próxima do eutético (ortoclásio, feldspato potássico)

Propriedades e aplicação:

Fundentes, insolúveis em água, formadores de fase vítrea em corpos cerâmicos e esmaltes

Tabela 3.7. Formulas químicas dos feldspatos

Mineral

Mineral

Fórmula química

Fórmula química

(estrutural ou em óxidos)

(estrutural ou em óxidos)

Ortoclásio

Ortoclásio

K(AlSi 3 )O

K(AlSi 3 )O 8 ou 1/2K 2 O·1/2Al 2 O 3 ·3SiO 2

8

ou 1/2K O·1/2Al O ·3SiO

2

2

3

2

Albita

Albita

Na(AlSi 3 )O

Na(AlSi 3 )O 8 ou 1/2Na 2 O·1/2Al 2 O 3 ·3SiO 2

8

ou 1/2Na O·1/2Al O 3 ·3SiO

2

2

2

Anortita

Anortita

Ca(Al Si 2 )O

Ca(Al 2 Si 2 )O 8 ou CaO·Al 2 O 3 ·2SiO 2

2

8

ou CaO·Al O ·2SiO

2

3

2

3.2. CRISTALOGRAFIA E DETERMINAÇÃO DE ESTRUTURAS CRISTALINAS

3.2.1. Posições, Direções e Planos em Cristais

Freqüentemente, é necessário identificar posições, direções e planos em um cristal. Isto é particularmente importante no caso de metais e suas ligas, que apresentam propriedades que variam com a orientação cristalográfica. Por exemplo, a existência de determinados conjuntos de planos e direções definidos como compactos, desempenham importante papel durante a deformação plástica de metais. A existência de propriedades dependentes da orientação cristalográfica resulta na necessidade de se determinar posições, direções e planos em um cristal.

Posições em Cristais Cúbicos

A localização de posições atômicas em uma célula

unitária de um cristal cúbico é obtida pelo uso de um sistema de eixos cartesiano. Em cristalografia,

o eixo x é a direção perpendicular ao plano do

papel, o eixo y é a direção à direita do papel e o eixo z é a direção para cima, como mostra a figura 3.29. As direções negativas destes eixos são opostas às direções mencionadas. As posições atômicas em uma célula unitária são definidas pelo uso de unidades de distâncias ao longo dos eixos x, y e z. Por exemplo, as coordenadas das posições atômicas em uma célula CCC são mostradas na figura 3.29. As posições dos átomos nos oito vértices do cubo têm as coordenadas:

(0,0,0), (1,0,0), (0,1,0), (0,0,1), (1,1,1), (1,1,0), (1,0,1) e (0,1,1).

(0,1,0), (0,0,1), (1,1,1), (1,1,0), (1,0,1) e (0,1,1). figura 3.29- Posições atômicas de uma CCC célula

figura 3.29- Posições atômicas de uma

CCC

célula

Direções em Cristais Cúbicos

No sistema cúbico, as direções cristalográficas são

obtidas a partir das componentes da direção em questão, tomadas nos três eixos cartesianos. Para indicar esquematicamente uma direção em uma

célula unitária, desenha-se um vetor que parte da origem e atinge a posição definida pelas coordenadas consideradas. Assim, para se obter uma direção em um cristal, deve-se observar que:

a. Os eixos cristalinos são utilizados como

direções básicas;

b. As coordenadas de um ponto são medidas em relação ao parâmetro de cada eixo e assim, não representam valores reais de distância;

c. A direção [222] é idêntica à direção [111]

e dessa forma, a combinação dos menores números inteiros deve ser utilizada;

d. As direções negativas são indicadas com um traço sobre o índice;

e. Uma direção é representada por índices

entre colchetes.

Por exemplo, considerando a figura 3.30, as coordenadas do vetor OR, que passa pela origem são (1,0,0). Assim, a direção do mesmo passa a ser [100]. As coordenadas do vetor OT são (1,1,1) e sua direção é dada por [111].

Figura 3.30 Direções em células unitárias cúbicas Planos em Cristais Cúbicos Em determinadas situações é

Figura 3.30 Direções em células unitárias cúbicas

Planos em Cristais Cúbicos

Em determinadas situações é necessário definir planos atômicos dentro de uma estrutura cristalina. Para identificar planos cristalinos em cristais cúbicos, o sistema de notação dos índices de Miller deve ser utilizado. Os índices de Miller de um plano cristalino são definidos como sendo os inversos das coordenadas de interceptação do plano com os eixos x, y e z. O procedimento básico para determinar os índices de Miller para um cristal cúbico são:

a. Escolha de um plano que não passe pela

origem (0,0,0); b. Determinação dos pontos de interceptação do plano com os eixos x, y e z; c. Obtenção dos inversos das interceptações;

d. Obtenção dos menores números inteiros

para representar o plano;

e. Apresentação dos índices obtidos entre

parênteses. Genericamente, as letras h, k e l são usadas para indicar os índices de Miller de um plano, o que resulta em (hkl). A figura 3.31 mostra três dos mais importantes planos das estruturas cúbicas. Considerando o plano indicado na figura

3.31 a,

em ¥ e z também em ¥. Tomando os inversos pode-se obter os índices de Miller, que resulta em (100). Como estes índices não envolvem frações, os mesmos são usados para representar o referido plano. Considerando o plano da figura 3.31.b., observa-se que o mesmo intercepta os eixos em 1, 1 e ¥. Os inversos fornecem 1, 1 e 0, que resultam em (110). Finalmente, o plano apresentado pela figura 3.31.c intercepta os eixos em 1, 1 e 1, que resulta nos índices de Miller (111). Quando é necessário representar um conjunto de planos equivalentes dentro de um cristal, são utilizadas as famílias de planos. Uma

nota-se que o mesmo intercepta x em 1, y

família de planos, como a dos que passam pelas faces do cubo ou (100), (010), (001), etc, é representada pela notação {100}. Da mesma forma, a família de planos que dividem o cubo em duas partes iguais é dada por {110}.

Planos em Cristais Cúbicos

Em determinadas situações é necessário definir planos atômicos dentro de uma estrutura cristalina. Para identificar planos cristalinos em cristais cúbicos, o sistema de notação dos índices de Miller deve ser utilizado. Os índices de Miller de um plano cristalino são definidos como sendo os inversos das coordenadas de interceptação do plano com os eixos x, y e z. O procedimento básico para determinar os índices de Miller para um cristal cúbico são:

a. Escolha de um plano que não passe pela origem (0,0,0); b. Determinação dos pontos de interceptação do plano com os eixos x, y e z; c. Obtenção dos inversos das interceptações; d. Obtenção dos menores números inteiros para representar o plano; e. Apresentação dos índices obtidos entre parênteses. Genericamente, as letras h, k e l são usadas para indicar os índices de Miller de um plano, o que resulta em (hkl). A figura 3.31 mostra três dos mais importantes planos das estruturas cúbicas.

¥,  1, ¥ 0, 1, 0 (010) 1  1, ¥ 1, 1, 0

¥,1, ¥ 0, 1, 0

(010)

¥,  1, ¥ 0, 1, 0 (010) 1  1, ¥ 1, 1, 0 (110)

11, ¥ 1, 1, 0

(110)

¥,  1, ¥ 0, 1, 0 (010) 1  1, ¥ 1, 1, 0 (110)

1 ,1, 1 1, 1, 1

(111)

a

b

c

Figura 3.31.- Principais planos das estruturas cúbicas: (010), (110) e (111)

Densidade Atômica em Cristais

Dentre os planos e direções de um cristal, alguns revelam ser mais compactos, ou seja, possuem mais átomos por unidade de comprimento ou de área. Assim no sistema CS, as direções mais compactas são as da família <100> e os planos mais compactos são os da família {100}. A definição de uma direção compacta envolve a definição de densidade linear de átomos. Esta densidade é obtida determinando o número de átomos que efetivamente estão contidos em um determinado comprimento. Assim, a densidade linear da família de direções <100>, no sistema CS (figura 3.33) é igual a:

D linear

 

1 2 +

1

 

n

o de atomos

2 1

=

=

=

comprimento

(III.9)

a a

Da mesma forma, um plano compacto é determinado calculando-se o número de átomos que efetivamente ocupam uma certa área. Assim, a densidade planar de átomos da família de planos {100}, no sistema CS (figura 3.33 é igual a:)

D planar

=

n

o

de atomos

area

=

1

4

+

1

4

+

1

4

+

4 1

2

a

=

1

2

a

= n o de atomos area = 1 4 + 1 4 + 1 4 +
= n o de atomos area = 1 4 + 1 4 + 1 4 +

Fi

gura 3.32. Plano e direção 100 da estrutura cúbica

simples

.

Os planos e direções compactos são importantes

porque desempenham papel significativo no estudo da deformação plástica de metais. Os átomos de um cristal solicitado mecanicamente escorregam ao longo de planos compactos, seguindo direções compactas.

3.2.2. Análise de Estruturas Cristalinas

Grande parte do conhecimento adquirido sobre

estruturas cristalinas é resultado da utilização de técnicas de difração de raios-X. Estas técnicas permitem obter informações detalhadas sobre dimensões, presença de defeitos e orientação da rede cristalina. O uso do raios-X no estudo de cristais deve-se ao fato de que esta radiação tem comprimento de onda próximo aos valores de distâncias entre planos cristalinos.

A utilização de raios-X iniciou-se logo em

seguida a sua descoberta em 1895, por Roentgen. Apesar de, naquela época, a natureza desta radiação não ser conhecida em detalhes (razão do nome "raios-X"), o raios-X foi então, aplicado em estudos da estrutura interna de materiais opacos (radiografia) devido ao seu alto poder de penetração. Desde aquela época, esta radiação era conhecida por propagar-se em linha reta, sensibilizar filmes fotográficos e apresentar velocidade de propagação definida. Os raios-X empregados em técnicas de difração são ondas eletromagnéticas com comprimento de onda na faixa de 0,05 a 0,25nm (0,5 a 2,5 Å). Como

comparação, o comprimento de onda da luz visível é da ordem de 600nm (6.000 Å).

3.2.2.1. Obtenção de Raios-X

A obtenção de raios-X para difração envolve a aplicação de tensões da ordem de 35kV entre um catodo e um anodo, dentro de um sistema apresentando alto vácuo. A figura 3.33 mostra um diagrama esquemático de um equipamento de raios-X.

um diagrama esquemático de um equipamento de raios-X. Figura 3.33. Diagrama esquemático de um sistema de

Figura 3.33. Diagrama esquemático de um sistema de geração de raios-X.

O funcionamento do mesmo é bastante simples: Ao ser aquecido, o filamento de tungstênio (catodo) libera elétrons por emissão termo-iônico. Devido à elevada diferença de potencial (35kV), os elétrons liberados são acelerados, ganham energia cinética e movimentam-se em direção ao anodo (molibdênio). Ao colidirem com o anodo, tais elétrons provocam a emissão de raios-X. Entretanto, em torno de 98% da energia cinética dos elétrons é transformada em calor, o que torna necessário o emprego de um sistema de refrigeração do anodo.

3.2.2.2. Difração de Raios-X

Em 1912, a partir da teoria eletromagnética da luz, foi possível prever que o raios-X podia ser difratado por estruturas cristalinas. Este fato foi inicialmente implementado experimentalmente na investigação da estrutura cristalina do NaCl, KCl e KBr. Até aquela época, a estrutura cristalina de metais era desconhecida.

Se um feixe de raios-X monocromático (freqüência única) incide sobre um átomo isolado, elétrons do mesmo são excitados e vibram com a mesma freqüência do feixe incidente. Tais elétrons em vibração emitirão raios-X em todas direções com a mesma freqüência do feixe incidente. Assim, o átomo isolado espalha o feixe incidente em todas as direções. Entretanto, quando o mesmo feixe incide sobre um conjunto de átomos ordenados, como é o caso da estrutura cristalina e se este feixe monocromático tiver comprimento de onda com valor semelhante aos espaçamentos entre tais átomos, então ocorrerá interferência construtiva em algumas direções e destrutiva em outras. A figura 3.34 ilustra casos de interferência destrutiva (figura 3.34.a) e construtiva (figura

3.34.b).

Observando esta mesma ilustração (figura III.19.c), nota-se que a interferência

construtiva de dois raios monocromáticos (raio 1

e 2) ocorrerá quando os mesmos permanecerem em fase. Isto acontecerá quando o raio 2 percorrer uma distância extra MP+PN, equivalente a um número inteiro de comprimentos de ondas (l). Então:

nl

=

MP + PN

(IIII.11)

onde n=1,2,3,

e é chamado ordem de difração.

Como MP e PN são iguais a d hlk senq, onde d hlkl é

a distância entre dois planos com índices (hkl), a condição necessária para ocorrer interferência construtiva deverá ser:

n l

(III.12)

=

2 d

hkl

sen

q

Esta equação é conhecida como lei de Bragg e relaciona comprimento de onda (l) e ângulo do feixe (q) de raios-X incidente e distância interplanar d hkl . Como na maioria dos casos a ordem de difração é 1, a lei de Bragg torna-se igual a:

l

=

2

d hkl

sen

q

(III.13)

A tabela 3.8 apresenta a relação entre espaçamento interplanar (d hkl ), parâmetros da célula unitária (a, b, c), ângulos a (entre os eixos

y e z), b (entre os eixos x e z) e g (entre os eixos x e y) e planos cristalinos (h k l).

Tabela 3.8 Relação entre parâmetros de difração de raios-X e os de planos cristalinos.

SISTEMA

RELAÇÃO

 

CRISTALINO

CÚBICO

1

 

=

h

2

+

k

2

+

l

2

Um cruzeiro

d

2

a

2

 

TETRAGONAL

1

 

=

h

2

+

k

2

+

l

2

d

2

 

2

2 Dois cruzeiros

 

a

c

 

HEXAGONAL

1

 

=

æ

4 ç

h

2

+

hk

+

k

2

ö

÷ +

l

2

d

2

3 è

a

2

Três
ø

c

2

 

cruzeiros

3 è a 2 Três ø c 2   cruzeiros a- raios refletidos não em fase,

a- raios refletidos não em fase, por isto não haverá reflexão, interferência destrutiva.

por isto não haverá reflexão, interferência destrutiva. b- raios refletidos em fase, por isto haverá reflexão,

b- raios refletidos em fase, por isto haverá reflexão, interferência construtiva.

por isto haverá reflexão, interferência construtiva. Figura 3.34. Reflexão de raios-X de natureza monocromática

Figura 3.34. Reflexão de raios-X de natureza monocromática por planos de um cristal.

3.2.2.4. Análise De Estruturas Cúbicas

Um ensaio de raios-X é executado com o emprego de um dispositivo denominado de goniômetro, conforme mostra a figura III.20.

Nesse equipamento, a amostra é colocada no

ponto O e é girada para que o ângulo de incidência do feixe de raios-X (T) seja variado.

O feixe de raios-X difratados é medido através do

detector C. Em função das características de um goniômetro, em geral, o ângulo de difração é

medido como 2q. A figura 3.36 apresenta um

difratograma resultante de um ensaio de raios-X do tungstênio. A intensidade de difração é maior para os planos de alta densidade de átomos. Como, geralmente, a distância entre planos compactos é grande, a análise da equação III.13, permite concluir que os planos de maior intensidade de difração correspondem a baixos ângulos. Na análise de estruturas cúbicas, apenas alguns planos podem provocar difração. No caso das estruturas CCC, a difração é possível quando a soma dos índices de Miller resulta em um número par. Para as estruturas CFC, a difração ocorre quando todos os índices são pares ou todos são impares. A tabela III.4 mostra os planos de difração nas estruturas cúbicas.

Tabela 3.9. Família de planos em estruturas cúbicas que provocam difração.

Planos

   

I. Miller

(h

2 +k 2 +l 2 )

Planos de Difração

{hkl}

 

CCC

CFC

{100}

 

1

   

{110}

 

2

 

{111}

 

3

 

{200}

 

4

{210}

 

5

   

{211}

 

6

 

{220}

 

8

{221}

 

9

   

{310}

 

10

 
Amostra Amostra Detector Detector
Amostra
Amostra
Detector
Detector

Fonte

Fonte

Figura. 3.35. Goniômetro empregado em ensaios

de difração de raios-X

A técnica de difração de raios-X pode ser

facilmente empregada para diferenciar estruturas

CCC e CFC. Analisando a tabela 3.9, observa-se que para as estruturas cúbicas vale a relação:

1

d

2

=

h

2

+

k

2

+

l

2

a

2

(III.14)

vale a relação: 1 d 2 = h 2 + k 2 + l 2 a

Figura

tungstênio

3.36.

Difratograma

de

raios-X

do

Combinando as equações III.13 e III.14 e elevando ambos os lados ao quadrado, pode-se obter:

sen

2

q

=

l

2

4a 2

4a 2

(

h

2

(III.15)

+

k

2

+

l

2

)

Como l e a são constantes, então:

sen

2

q 1 h

2

=

 

1

2

+ 2

k

1

+ 2

l

1

h

2

k

+ 2

2

+ 2

l

2

sen

q

2 2

(III.16)

Onde q 1 e q 2 estão associados aos principais planos de difração. A aplicação da equação III.16 associada à tabela III.4 permite prever que os dois primeiros planos de uma estrutura CCC resulta no valor sen 2 q 1 /sen 2 q 2 =0,5. No caso das estruturas CFC, a relação sen 2 q 1 /sen 2 q 2 =0,75.

Exemplo de Exercícios:

Um espectro de difração de raios-x de um elemento com estrutura cristalina apresentam os seguintes picos de difração para os seguintes valores de ângulo:

Pico

Ângulo de

difração (2q)

1

o

40,00

2 o

58,00

3 o

73,00

4 o

86,8

Obs : Comprimento de onda l = 0,154056 nm 12000 10000 8000 6000 4000 2000
Obs : Comprimento de onda l = 0,154056 nm
12000
10000
8000
6000
4000
2000
0
0
20
40
60
80
100
120
Angulo de Difração 2O
Intensidade do feixe

Com base nos dados acima determine:

1 - a estrutura cristalina

2 - a distancia interplanar entre do 1 o Pico

3 - o parâmetro de rede(aresta)

4- o raio do metal

5- o metal

1 – Para determinar a estrutura devemos calcular a relação entre o quadrado do seno do ângulo do 1º pico com o quadrado do 2º.

Pico

2 q

q

1

 

40,00

20

2

 

58,00

29

3

 

73,00

36

(sen 20) 2 (sen29) 2

=

0,117

= 0,498 = 0,5

0,235

A estrutura é CCC pois o quociente é 0,50.

2-Utilizando esta equação l = 2

podemos determinar a distância interplanar

d hkl

d hkl =

d110=

.

l

.

2.senq

0,154056 nm = 0,225 nm

2.sen 20

sen q

,

3- Para calcular o parâmetro de rede(aresta) devemos utilizar a formula:

1

d

2

=

h

2

+

k

2

+

l

2

a

2

a = d hkl . (h 2 + k 2 +l 2 ) 0,5

O valor de h , k e l, é determinado na tabela 3.9 na

pagina 23.

a = 0,225.(1 2 +1 2 +0 2 ) 0,5 =

a= 0,225.(2) 0,5 = 0,3185nm

a= 4R/ 3 0,5

R= a.

3 0,5

4

= 0,318. 1,732 = 0,1377nm

4

Comparando o raio calculado com uma tabela de raio atômico, observamos que o metal é o tungstênio.

3.2.2.4. Identificação de minerais

Para identificar um mineral ou argilomineral

devemos comparar os picos do difratograma com

padrões conhecidos. O difratograma é uma

digital do material.

Os três picos mais intensos são utilizados para

iniciar o procedimento de identificação, na sua

ordem de intensidade, comparando-os com

dados dos arquivos PDF (powder difraction file

do ICDD, International Centre for Diffraction

Data, www.icdd.com). Se elas coincidirem com

uma substância, as posições e intensidades dos

demais picos são comparadas com as do

arquivo.

dos demais picos são comparadas com as do arquivo. Figura 3.8. Difratograma de raios-x do BaSO4

Figura 3.8. Difratograma de raios-x do BaSO4

Tabela 3.10- Distancia Interplanar dos picos de identificação de alguns minerais e argilominerais.   distancias

Tabela 3.10- Distancia Interplanar dos picos de identificação de alguns minerais e argilominerais.

 

distancias interplanares difratadas

Mineral

d

int

d

int

d

int

Caulim

7,13

x

3,56

x

4,41

6

Ilita 2m

2,56

x

4,49

7

3,35

7

Moscovita

10,1

x

3,36

x

4,49

9

Ilita 1m

4,43

x

2,56

6

3,66

8

Vermicosita

14,2

x

1,53

7

4,57

6

Albita

3,18

x

3,75

3

3,21

3

Ortoclase

3,31

x

3,77

8

4,22

7

Leocita

3,27

x

3,44

9

5,38

8

Nefekina

3

x

3,83

8

3,26

8

Corderita

4,13

x

8,54

8

8,45

8

Calcita

3,04

x

2,29

2

2,1

2

Mulita

3,39

x

3,43

x

2,21

6

Dolomita

2,89

x

2,19

5

1,79

4

Magnetita

2,74

x

2,1

5

1,7

4

Talco

9,35

x

1,53

6

4,59

5

Montimorilonita

13,6

x

4,47

2

3,34

1

Wolastonita

2,98

x

3,32

3

3,52

2

Arnotita

2,85

x

1,75

4

3,07

3

Quartzo

3,34

x

4,26

4

1,82

2

Cristobalita

4,05

x

2,49

2

2,84

1

Tridimita

4,27

x

4,08

9

3,8

9

Fosterita

2,46

x

3,88

7

2,51

7

Esteatita

2,87

x

3,17

8

3,15

5

CAP IV - IMPERFEIÇÕES DA ESTRUTURA CRISTALINA

4.1. INTRODUÇÃO

Durante a solidificação, os Materiais sofrem o rearranjo de seus átomos que determina a estrutura cristalina dos mesmos. Dependendo do modo com que o líquido transforma-se em sólido, podem ocorrer defeitos no empilhamento e organização dos átomos, resultando em imperfeições estruturais. O tipo e a quantidade destas imperfeições afetam decisivamente algumas propriedades e o comportamento dos materiais cristalinos. Com exceção de alguns poucos produtos conformados por sinterização (metalurgia do pó), todos os produtos metálicos passam necessariamente pelo processo de solidificação, em algum estágio de sua fabricação. Em geral, o processo de solidificação pode ser dividido em duas etapas:

a. Formação de embriões de cristais estáveis dentro do líquido ou etapa de nucleação, como mostra figura 4.1; b. Transformação dos núcleos em cristais, ou etapa de crescimento.

dos núcleos em cristais, ou etapa de crescimento. 4.1 estruturas cristalinas. Figura Nucleação e crescimento

4.1

estruturas cristalinas.

Figura

Nucleação

e

crescimento

das

A transformação líquido/sólido e a conseqüente formação da estrutura cristalina é observada na prática em duas situações diferentes, quais sejam:

solidificação com nucleação e crescimento controlados e solidificação com nucleação e

crescimento não-controlados. O primeiro caso envolve situações onde existe a necessidade de se produzir um sólido, onde a característica principal do mesmo é a qualidade do arranjo cristalino. Esta situação é geralmente encontrada na obtenção de insumos básicos para microeletrônica, onde a necessidade de monocristais perfeitos de silício, acineto de gálio, etc, é fundamental.

4.2. Imperfeições Estruturais

As estruturas cristalinas analisadas até aqui

apresentam como característica básica, arranjos cristalinos muito bem definidos. Entretanto, os cristais observados na prática nunca são totalmente perfeitos, exibindo defeitos de diversas naturezas. Tais imperfeições afetam diretamente várias características dos materiais, como os parâmetros envolvidos na deformação plástica, na condutividade elétrica de semicondutores, na corrosão em metais e em processos de difusão atômica. As imperfeições presentes em estruturas cristalinas podem ser de três tipos básicos, quais

sejam:

¨ defeitos pontuais;

¨ defeitos em linha;

¨ defeitos de superfície.

4.2.1. Defeitos Pontuais

Os cristais podem apresentar defeitos em pontos isolados de sua estrutura, dando lugar às imperfeições de ponto. Dentre as imperfeições pontuais, as mais importantes são:

¨

vacâncias ou vazios;

¨

átomos intersticiais;

¨

átomos substitucionais

O

tipo de defeito mais simples é a vacância. As

vacâncias são vazios pontuais causados pela ausência de átomos em algumas posições da rede cristalina, como mostra a figura 4.2. Este tipo de defeito pode ser produzido durante o processo de solidificação, como resultado de

perturbações locais no crescimento do cristal. Uma outra causa destas imperfeições é o rearranjo atômico de um cristal já existente,

devido à mobilidade de seus átomos. Nos metais,

a concentração de vacâncias raramente passa

de 1 para cada 10 4 átomos. As vacâncias podem

ainda ser resultantes da deformação plástica, do resfriamento rápido e do bombardeamento da rede cristalina por partículas atômicas, como

nêutro

da rede cristalina por partículas atômicas, como nêutro Figura 2.1. Defeito pontual - Vacância Em cristais

Figura 2.1. Defeito pontual - Vacância

Em cristais iônicos, os defeitos pontuais exibem caráter mais complexo devido à necessidade de manter a neutralidade elétrica do sistema. Mesmo assim, pode-se observar defeitos estruturais, como o caso em que dois íons de cargas opostas perdidos dentro da estrutura entram em contato, criando uma vacância dupla. Este tipo de defeito é conhecido como imperfeiç