Aula02 582

ELE0582 Fundamentos de Eletrnica
Introduo
ELE0582
MicroElectronics & Embedded Systems Laboratory Professor: Fernando Rangel Horrio: 24M56 Atendimento(EEs Ncleo Tecnolgico): Segundas das 17h00 s 18h00 Sextas das 7h30 s 9h00 Comunicao: Email: frangel@dee.ufrn.br Cadastrar-se no grupo do google ele0582, enviando um email para ele0582-subscribe@googlegroups.com Site web:
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http://www.dee.ufrn.br/~frangel/ensino/20071/ele582/ele582.html
ELE0582-Fundamentos de Eletrnica
Eletrnica
Definio do Houaiss: estudo das propriedades e aplicaes de dispositivos que dependem do movimento de eltrons em semicondutores, gases ou no vcuo Uma definio alternativa: rea da engenharia que estuda sistemas ou dispositivos cujo princpio de funcionamento se baseia no controle do fluxo de eltrons.
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MicroElectronics & Embedded Systems Laboratory
A descoberta do eltron
O eltron foi descoberto h pouco mais de 100 anos, em 1897, por J.J. Thomson no Laboratrio Cavendish, na Universidade de Cambridge
O eltron e o ether
Tubo de raios catdicos
Experimentos de Thomson
Thomson pode inferir que os elementos consituintes dos raios catdicos eram da ordem de 1000 vezes mais leves que o tomo de ELE0582-Fundamentos de Eletrnica
Afirmaes de Thomson
Cathode rays are charged particles (which he called "corpuscles"). These corpuscles are constituents of the atom. These corpuscles are the only constituents of the atom.
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Corpsculos e eltrons
O termo eltron j existia desde 1891, mas foi primeiramente usado para denotar uma certa unidade de carga encontrada nos experimentos por onde fluia corrente eltrica em qumicos. Era considerado como sendo a estrutura que compunha o ter. Muitos cientistas passaram a chamar o corpsculo de Thomson de eltron, embora ele prprio tenha demorado a ELE0582-Fundamentos de Eletrnica incorporar a nomenclatura.
Depois do eltron
A comunidade cientfica da poca teve dificuldades para aceitar as proposies de Thonsom. A partir de 1897,portanto, diversos trabalhos comearam no sentido de desvendar a constituio do tomo, at ento indivisve. Surgiram vrios modelos, a comear por um do prprio Thomson, seguido pelo modelo de Rutheford, etc.
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Linha do tempo da eletrnica

1904: Vlvula termoinica ou diodo. Inventada por Sir John Ambrose Fleming Funciona como um retificador, permitindo o fluxo de cargas em apenas um 10 sentido. ELE0582-Fundamentos
de Eletrnica

1907: Patente do Audion ou triodo Autor: Lee de Forest
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1920's: Cientistas j sabiam como conectar uma ponta de metal aguda em um cristal semicondutor. Essa juno metal-semicondutor permitia retificar sinais, demodular sinais AM, etc.
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1940: Russel Ohl descobre que impurezas em cristais semicondutores criam propriedades fotoeltricas.
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1947: John Bardeen and Walter Brattain inventam o transistor. Juntamente com William Shockley, eles ganham o Prmio Nobel de Fsica em 1956.
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1952: Primeiro dispostivo comercial baseado no transistor de Shockley. Um dispostivo de udio com duas vlvulas e um transistor que custava 229 dlares. Porm, o custo de troca das baterias era de 10 dlares, contrapondo-se aos 100 dlares do dispostivo valvulado.
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1954: Primeiro rdio transistorizado, desenvolvido pela Texas Instruments. No mesmo ano, Gordon Teal da Bell Labs demonstrou que transistores podiam ser feitos puramente de silcio. Desde ento o silcio passou a ser o principal material usado na fabricao de transistor, que se tornaram um dispositivo de massa. ELE0582-Fundamentos de Eletrnica 16

1955: Carl Frosch e Link Derick da Bell Labs descobrem que o dixido de silcio pode funcionar como mscara de difuso, permitindo a dopagem seletivo do silcio.
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1958-1958: Inveno do circuito integrado por Jack Kilby da Texas Instruments e Robert Noyce da Fairchild Semiconductor independentemente. Kilby desenvolveu um circuto integrado conectando mltiplos dispositivos com fio de ouro. Noyce desenvolveu seu CI usando um processo tecnolgico planar, onde as conexes eram feitar por deposio 18 ELE0582-Fundamentos de Eletrnica de metal.

1962: Inveno do MOSFET (Transistor de efeito de campo) por Steven Hofstein e Frederic Heiman do laboratrio de pesquisa da RCA em Princeton, New Jersey.
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1967: Inveno da primeira calculadora pela Texas Instruments. 1971: Robert Noyce e Gordon Moore fundam a Intel e anunciam o computador em chip, 4004, executado 60.000 operaes por segundo.
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2004: Pentium 4 com 125 milhes de transistores
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1998: Desenvolvimento de transistor de plstico por Howard Katz, V. Reddy Raju, Ananth Dodabalapur, Andrew Lovinger, John Rogers da Bell Labs.
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SET single electron transistor

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Transistor de nanotubo de carbono

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Nveis de Energia
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Elementos qumicos
118 elementos qumicos j descobertos (encontrados na natureza ou sintetizados) Cada elemento caracterizado por um nmero de prtons (Z), um nmero igual de eltrons e um nmero de neutrons (N) Hidrognio: Z=1 Hlio: Z=2 Ltio: Z=3 Ordens de grandeza:
Raio ~ 1 fm a 10 fm Distncia entre ncleo e eltrons: 0,1 nm
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tomos
Quase toda a massa concentrada no ncleo As propriedades qumicas e fsicas de um elemento so determinadas pelo nmero e pelo arranjo dos eltrons no tomo Um prton possui carga positiva +e O ncleo tem carga total +Ze Um eltron possui carga -e. e = 1,602 X 10-19 C
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Espectros atmicos
Espectro da Luz solar
Espectro do Hlio Espectro do hidrognio

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Modelo atmico de Bohr

I. rbitas estveis: O eltron do tomo de hidrognio pode se mover apenas em certas rbitas circulares, chamadas de estados estacionrios, nas quais no perde enrgia por radiao II.Freqncia de ftons a partir da conservao da energia:
E i E f 1 kZe 2 1 1 f= h 2 h r2 r1
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ELE0582-Fundamentos
III.Quantizao do momento angular nh mvr = = n h , n=1,2 ,3 , 2 de Eletrnica
Nveis de Energia
1 kZe 1 kZe 1 mk Z e E n = = = 2 r 2 2 a0 2 n2h2 n Z
2 2 2 2 4
c hc = = f E i E f
Comprimento de onda da radiao emitida quando um eltron se move de um nvel de energia para outro (emisso ou absoro de um fton)
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SET single electron transistor

Transistor de nanotubo de carbono

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Espectro da Luz solar

Espectro do Hlio Espectro do hidrognio

Modelo atmico de Bohr

III.Quantizao do momento angular nh mvr = = n h , n=1,2 ,3 , 2 de Eletrnica

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