INFORME FINAL N 1 2013 I

Henry De La O Sanchez 11200178

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UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

E.A.P : Ingeniera de Sistemas e Informtica

CICLO

: 2013-l

CURSO

: Circuitos Digitales

TEMA

: Informe Final Laboratorio 1

APELLIDOS Y NOMBRES: DE LA O SANCHEZ, Henry Clinton . COD: 11200178

PROFESOR : Ing. Oscar Casimiro Pariasca

FECHA DE ENTREGA: Jueves 14 de Abril del 2013

Circuitos Digitales
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Laboratorio No 1: Encendido de un Led mediante un voltaje de + 5 Vcc

I. OBJETIVO
Verificar el funcionamiento de los diodos led

II. MATERIALES y EQUIPO

Diodos LED x 4, Resistencias x 4 _ R=120 ohm, watt; Protoboard. Alambre UTP AWG No. 22 diferentes colores ; pelador de alambre; alicate de punta Fuente de Voltaje C.C. regulada de 5 Voltios; Multmetro.

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III. FUNDAMENTO TERICO
Los diodos LED (Light-Emitting Diode) son dispositivos sencillos y muy econmicos, son diodos semiconductores que emiten luz cada vez que se les aplica un voltaje de polarizacin directa entre sus terminales. Su fabricacin se lleva a cabo mediante la unin de dos semiconductores, uno de tipo P y otro de tipo N. El terminal que sale del semiconductor tipo P se denomina nodo (A) y el terminal que sale del semiconductor tipo N, ctodo (K).

El voltaje de polarizacin directa va desde 1,8 hasta 3,8 voltios aproximadamente (lo que est relacionado con el material de fabricacin y el color de la luz que emite). Valores tpicos de corriente directa de polarizacin de un led corriente estn comprendidos entre los 10 y los 40 mA. Se emplean como indicadores visuales capaces de reflejar el nivel lgico presente en las seales de entrada y salida del circuito digital bajo prueba. Todo diodo LED tiene que llevar asociado en serie una resistencia para limitar la corriente que pase por el. Sin esta resistencia, el diodo LED podra quemarse. Veamos ahora como se conecta mediante la siguiente imagen:

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Otro problema que se nos presenta, es calcular la resistencia adecuada para nuestro LED. Esto es algo muy sencillo, usaremos la Ley de Ohm:

Donde: R es la resistencia limitadora. Vcc es la tensin de alimentacin. Vf es la tensin tpica de alimentacin del diodo LED. If es la corriente tpica del diodo LED. Por ejemplo, tenemos una fuente de voltaje de +5 Vcc y queremos poner un diodo LED rojo con Vf = 2V y If = 30mA. La resistencia limitadora R ser:

R = (5 V 2 V) / (30 x 10-3 A) = 100 ohm

R = 100 usando un valor estndar de resistencia. Otra dato importante a calcular es la potencia que se disipar en la resistencia. Este dato tenemos que tenerlo en cuenta a la hora de elegir la resistencia, que ser de una potencia algo superior a la calculada para evitar que se queme. La formula es la siguiente:

En nuestro ejemplo: PR = ( 5 V 2 V ) x 30 x 10-3 A = 90 mW Usando una potencia estndar de resistencia y superior a la calculada, elegimos: 1/4W. Esta potencia nos permite mucho margen de trabajo. A la hora de pedir la resistencia de nuestro ejemplo en alguna tienda lo haremos con los datos de 100 y 1/4W. Tenemos que tener en cuenta, que no todos los diodos LED's tiene las mismas caractersticas, por lo que no tendrn la misma resistencia limitadora.

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IV. CUESTIONARIO 1. Qu son semiconductores? Explique el proceso de dopado. Qu tipo de semiconductores
existen? Un semiconductor es un elemento material cuya conductividad elctrica puede considerarse situada entre las de un aislante y la de un conductor, considerados en orden creciente Los semiconductores ms conocidos son el silceo (Si) y el germanio (Ge). Debido a que, como veremos ms adelante, el comportamiento del silceo es ms estable que el germanio frente a todas las perturbaciones exteriores que pueden variar su respuesta normal, ser el primero (Si) el elemento semiconductor ms utilizado en la fabricacin de los componentes electrnicos de estado slido. A l nos referiremos normalmente, teniendo en cuenta que el proceso del germanio es absolutamente similar. Como todos los dems, el tomo de silicio tiene tantas cargas positivas en el ncleo, como electrones en las rbitas que le rodean. (En el caso del silicio este nmero es de 14). El inters del semiconductor se centra en su capacidad de dar lugar a la aparicin de una corriente, es decir, que haya un movimiento de electrones. Como es de todos conocidos, un electrn se siente ms ligado al ncleo cuanto mayor sea su cercana entre ambos. Por tanto los electrones que tienen menor fuerza de atraccin por parte del ncleo y pueden ser liberados de la misma, son los electrones que se encuentran en las rbitas exteriores. Estos electrones pueden, segn lo dicho anteriormente, quedar libres al inyectarles una pequea energa. En estos recaer nuestra atencin y es as que en vez de utilizar el modelo completo del tomo de silicio (figura 1), utilizaremos la representacin simplificada (figura 2) donde se resalta la zona de nuestro inters.

La zona sombreada de la figura 2 representa de una manera simplificada a la zona sombreada de la figura 1.Como se puede apreciar en la figura, los electrones factibles de ser liberados de la fuerza de atraccin del ncleo son cuatro

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TABLA DE ELEMENTOS SEMICONDUCTORES Nmero Atmico 48 5 13 31 49 14 32 15 33 51 16 34 52 Nombre del Elemento Cd (Cadmio) B (Boro) Al (Aluminio) Ga (Galio) In (Indio) Si (Silicio) Ge (Germanio) P (Fsforo) As (Arsnico) Sb (Antimonio) S (Azufre) Se (Selenio) Te (Telurio) VIa No metal Metaloide Va IVa Metaloide No metal Metaloide 6e
-

Grupo en la Tabla Peridica IIa

Categora Metal Metaloide

Electrones en la ltima rbita 2e 3e

-

Nmeros de valencia +2 +3

IIIa

Metal
-

4e

+4

5e

+3, -3, +5

+2, -2 +4, +6

SEMICONDUCTOR DOPADO Si aplicamos una tensin al cristal de silicio, el positivo de la pila intentar atraer los electrones y el negativo los huecos favoreciendo as la aparicin de una corriente a travs del circuito

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Sentido del movimiento de un electrn y un hueco en el silicio Ahora bien, esta corriente que aparece es de muy pequeo valor, pues son pocos los electrones que podemos arrancar de los enlaces entre los tomos de silicio. Para aumentar el valor de dicha corriente tenemos dos posibilidades: Aplicar una tensin de valor superior Introducir previamente en el semiconductor electrones o huecos desde el exterior

La primera solucin no es factible pues, an aumentando mucho el valor de la tensin aplicada, la corriente que aparece no es de suficiente valor. La solucin elegida es la segunda. En este segundo caso se dice que el semiconductor est "dopado". El dopaje consiste en sustituir algunos tomos de silicio por tomos de otros elementos. A estos ltimos se les conoce con el nombre de impurezas. Dependiendo del tipo de impureza con el que se dope al semiconductor puro o intrnseco aparecen dos clases de semiconductores. Semiconductor tipo P Semiconductor tipo N

SEMICONDUCTOR DE SILICIO "TIPO-N" Como ya conocemos, ni los tomos de silicio, ni los de germanio en su forma cristalina ceden ni aceptan electrones en su ltima rbita; por tanto, no permiten la circulacin de la corriente elctrica, por tanto, se comportan como materiales aislantes. Pero si la estructura cristalina de uno de esos elementos semiconductores la dopamos aadindole una pequea cantidad de impurezas provenientes de tomos de un metaloide como, por ejemplo, antimonio (Sb) (elemento perteneciente los elementos semiconductores del Grupo Va de la Tabla Peridica, con cinco electrones en su ltima rbita o banda de valencia), estos tomos se integrarn a la estructura del silicio y compartirn cuatro de sus cinco electrones con otros cuatro pertenecientes a los tomos de silicio o de germanio, mientras que el quinto electrn restante del antimonio, al quedar liberado, se podr mover libremente dentro de toda la estructura cristalina. De esa forma se crea un semiconductor extrnseco tipo-N, o negativo, debido al exceso de electrones libres existentes dentro de la estructura cristalina del material semiconductor.

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2.- Para cada uno de los LEDs indicados en la tabla, calcule el valor de la resistencia que debe colocarse enserie con el diodo para que este emita una luz visible. Suponga que se utiliza una fuente de voltaje de + 5Vcc, y en otro caso, una fuente de voltaje de +12 Vcc.

Vled (V) 3.7 1.2 1.2 1.6

Resitencia 12 Vcc 5 Vcc 415 65 540 190 2160 760 2080 680

Intencidad (mA) 20 20 5 5

3.- Presente comentarios de los circuitos verificados en la parte experimental.

En el desarrollo de este laboratorio se vio el funcionamiento de los led en los Protoboard.

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V. BIBLIOGRAFA
Textoscientificos.com URL:http://www.textoscientificos.com/quimica/inorganica/enlacemetales/semiconductores Etitudela.com URL:http://www.etitudela.com/Electrotecnia/downloads/introduccion.pdf Encyclopedia.us.es URL:http://enciclopedia.us.es/index.php/Semiconductor

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