1. MASAS EFECTIVAS 1.

1 Generalidades En la fsica del estado slido, la masa efectiva de una partcula es la masa que parece tener en un cristal segn el modelo semiclsico de transporte. Bajo ciertas condiciones, los electrones y los huecos de un cristal se comportan a campos magnticos y elctricos como si estuvieran libres en el vacio pero con una masa diferente. Generalmente no es igual que la masa del electrn libre. Esta masa se suele expresar como una constante por la masa del electrn. Cuando un electrn se mueve en un potencial peridico no es ms una constante y por tanto la masa del electrn tampoco lo es. En los dispositivos electrnicos la masa efectiva es una masa virtual que se calcula como una fraccin de la masa del electrn en el vaco y depende del tipo de materia a considerar Carbono, Silicio, Germanio, etc. La masa efectiva permite considerar electrones y lagunas del modelo como si fueran partculas de la fsica clsica movindose en el vaco cuando en realidad se derivan de partculas cunticas (electrones reales) que se mueven en el cristal o slidos cristalinos puro, perfecto y a 0K. 1.2 Razonamiento Matemtico La masa efectiva del electrn, m*, se determina por la estructura de bandas y vara segn el tipo de material, aparece debido a la interaccin del paquete de onda del electrn con la red peridica, por lo tanto depende de la curvatura de la superficie E (k). Cuando se aplica un campo elctrico a un slido cristalino las fuerzas que actan sobre el electrn son de dos tipos: (a) fuerzas externas procedentes del campo elctrico, Fe, (b) fuerzas internas debidas a la red de iones positivos y que procede de un potencial peridico de la red, Fred. Si aplicamos la segunda ley de Newton al movimiento del electrn resulta: Fred + Fe = ma Donde m es la masa del electrn y a, es la aceleracin que adquiere. Debido a que el conocimiento de las fuerzas de la red sobre el electrn es muy difcil, se opta por eliminarla de la ecuacin y para compensar este efecto sustituir la masa del electrn libre m por una masa efectiva m* de manera que se siga obteniendo la misma aceleracin a en la ecuacin. Por ello la masa efectiva sera: m* = Fe/a Ecuacin 2 Ecuacin 1

Para poder estudiar la dinmica de un electrn en el cristal, es necesario disponer de expresiones para su velocidad y aceleracin. Podemos hablar de velocidad slo en el caso, en que el electrn est, aunque sea aproximadamente, localizado en el espacio.

Hagamos k diferente de cero. Entonces el electrn estar localizado en los lmites de la regin x1 k. Segn el principio de superposicin la funcin del electrn puede ser expresada en forma de suma de ondas planas del tipo e^kx cuyos nmeros ondulatorios estarn contenidos en los lmites de k. Si k es pequeo, la superposicin de ondas planas forma un tren ondulatorio. El mximo de la amplitud de la onda resultante se traslada con una velocidad de grupo: vg = dw/dk Ecuacin 3

La posicin ms probable del electrn coincide con el centro del grupo de ondas. Por consiguiente, vg representa la velocidad del electrn en el cristal. Utilizando la relacin E = w, donde h es la constante de planck reducida cuyo valor es: 6.58211exp-16 eV*s, sustituyamos en la ecuacin 3 la frecuencia por la energa. Como resultado obtendremos:
( )

Ecuacin 4

Como la dependencia E(k) est dada por la curva de dispersin y esta para el electrn y para el hueco son diferentes y sus comportamientos bajo la influencia de los campos externos. Como ya se menciono, los portadores de carga bajo el efecto de un campo elctrico externo E que acta sobre el cristal, estn sujetos a fuerzas externas, cuyo mdulo es igual a Fe = eE. Durante el tiempo di esta fuerza realizar sobre el electrn un trabajo dA = = Fvgdt. La sustitucin de la ecuacin 4 para vg da:
( )

Ecuacin 5

Por otro lado, este trabajo va al incremento de la energa del electrn en el cristal: dA = dE. Sustituyendo en la ecuacin 5 dA por dE y teniendo en cuenta que dE = (dE/dk)dk, llegaremos a la relacin:
( ) ( )

Ecuacin 6

Donde se infiere que: Ecuacin 7 Diferenciando la expresin ecuacin 4 por t, hallaremos la aceleracin del electrn en el cristal: [
( )

( )

Ecuacin 8

Teniendo en cuenta la ecuacin 7 obtendremos: [ ] Ecuacin 9

Comparando la ecuacin 9 con la ecuacin de la segunda ley de Newton: mdV/dt = F llegamos a la conclusin de: Ecuacin 10 Se demuestra que esta masa depende esencialmente del tipo de estructura del slido y tambin, dentro de cada slido, de la direccin de aplicacin de la Fe. Por ello, la masa efectiva es una magnitud compleja que va a depender de las direcciones espaciales elegidas.

1 1 d 2E * m 2 dk dk ,

con , x, y, z

Ecuacin 11

1.3 Posibles valores de la Masa Efectiva La masa efectiva puede tomar los siguientes valores: (a) mayores que la masa del electrn libre, incluso aproximarse a un valor infinito y (b) menores que la masa del electrn libre e incluso valores negativos. Para entender de manera intuitiva porqu toman estos valores debemos tener en cuenta la superposicin de las dos fuerzas sealadas anteriormente. As si la fuerza externa que acta sobre el electrn tiene la misma intensidad que la fuerza de la red pero esta acta en sentido opuesto la resultante de ambas es nula y por ello la aceleracin tambin lo es. En este caso la masa efectiva del electrn es infinita, porque as la fuerza externa no podra acelerarlo. De otro lado si la fuerza de la red es mayor que la fuerza externa del campo elctrico entonces el electrn se movera en el mismo sentido del campo. Esto equivaldra a tener una masa negativa. Si las fuerzas del campo elctrico y las de la red son opuestas pero la externa es mayor que la de la red, entonces la masa efectiva sera positiva pero inferior a la del electrn libre. Por ltimo si la fuerza elctrica externa y la de la red son del mismo sentido entonces la masa efectiva es mayor que la del electrn libre. Las masas efectivas se determinan experimentalmente por varios mtodos. Uno de ellos se conoce como resonancia ciclo trnica.

Valores de masa efectiva para electrones y huecos usados habitualmente en materiales semiconductores a 300 K con relacin a la masa del electrn libre, m0, son:

Tabla 1. Valores de Masa Efectiva 2. SUPERFICIES DE FERMI A muy bajas temperaturas, los electrones llenan las bandas de energa de los slidos hasta una energa llamada Energa de Fermi , y las bandas se encuentran vacas para energas que exceden la . La superficie de Fermi es LA SUPERFICIE DE ENERGA CONSTANTE EN EL ESPACIO RECPROCO K, donde K es el vector de onda de los electrones La superficie de Fermi se define como AQUELLA QUE SEPARA LOS ORBITALES VACOS DE LOS ORBITALES LLENOS A UNA TEMPERATURA DEL CERO ABSOLUTO. En un espacio tridimensional k, el conjunto de valores kx, ky y kz, que satisface la ecuacin:
2 2 h2 kx ky kz2 / 2m EF

Ecuacin 12

Forman una superficie de Fermi. h: cte. De Planck reducida m: masa efectiva del electrn La superficie de Fermi encierra a todos los electrones en la banda de conduccin, la cual conduce la corriente elctrica. La superficie de fermi es un lmite abstracto til para predecir las propiedades pticas, magnticas, elctricas y trmicas de los metales, semimetales y semiconductores. La respuesta de un metal a un gradiente elctrico, magntico o trmico est determinada por la forma de la superficie de fermi, porque la corriente se debe a los cambios en la ocupacin de los niveles alrededor de la energa de fermi. Un material cuya superficie de Fermi est sobre la brecha de energa entre las bandas de Valencia y Conductora ser AISLANTE O SEMICONDUCTOR, dependiendo del tamao de la brecha de energa. Cuando el nivel de la energa de Fermi se encuentra dentro del rango de la Brecha Energtica de las bandas (bandgap), entonces NO HAY SUPERFICIE DE FERMI, por lo tanto es un aislante.

La siguiente figura muestra las superficies de energa constantes, elipsoidales en la banda de conduccin del Ge y Si. Las superficies de energa constante del Ge se alinean sobre la direccin simtrica y yacen mitad dentro (lneas solidas) y mitad fuera (lneas discontinuas) de la zona de Brillouin. Las superficies del Si yacen sobre las seis direcciones simtricas (Kx, Ky, Kz), y estn centradas y alejadas un 85% del punto central al punto de simetra x, estas seis direcciones se encuentran totalmente dentro de la zona de Brillouin.

Figura 1. Superficies de Energa del Si y Ge. BIBLIOGRAFA [1] Propiedades Cunticas de los Semiconductores; consultado el 27 de abril de 2013; disponible en: http://ilia.miscomunidades.com/Solid%20State%20Physics/Materiales%20Didacticos/seccion_4a. pdf [2] Introduccin a la fsica de estado slido; consultado el 27 de abril de 2013; disponible http://ocwus.us.es/fisica-aplicada/copy_of_complementos-de-fisica/temas/TEMA2.pdf [3] Estructura Electrnica de los slidos; consultado el 27 de abril de 2013; disponible http://es.scribd.com/doc/43706148/Superf-de-Fermi en:

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