Reconocimiento Unidad No.

2 FET (Field Effect Transistor)

El FET es un dispositivo semiconductor que controla un flujo de corriente por un canal semiconductor, aplicando un campo elctrico perpendicular a la trayectoria de la corriente. Los terminales de este tipo de transistor se llaman Drenador (drain), Fuente (source) y el tercer terminal es la compuerta (gate) que ya se conoce. La regin que existe entre el drenador y la fuente y que es el camino obligado de los electrones se llama "canal". La corriente circula de Drenaje (D) a Fuente (S). El transistor bipolar es un dispositivo operado por corriente y requieren que halla cambios en la corriente de base para producir cambios en la corriente de colector. El FET es controlado por tensin y los cambios en tensin de la compuerta (gate) a fuente (Vgs) modifican la regin de rarefaccin y causan que vare el ancho del canal. Son dispositivos con una alta impedancia de entrada (1012 ohmios). Los transistores de efecto de campo o FET (Field Effect Transistor) son particularmente interesantes en circuitos integrados y pueden se de dos tipos: transistor de efecto de campo de unin o JFET y transistor de efecto de campo metal-xido semiconductor (MOSFET). Ambos dispositivos se utilizan en circuitos digitales y analgicos como amplificador o como conmutador. Sus caractersticas elctricas son similares aunque su tecnologa y estructura fsica son totalmente diferentes.

VENTAJAS DEL FET

1) Son dispositivos controlados por tensin con una impedancia de entrada muy elevada (107 a 1012 ohmios). 2) Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT. 3) Los FET son ms estables con la temperatura que los BJT. 4) Los FET son ms fciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten integrar ms dispositivos en un CI.

5) Los FET se comportan como resistencias controlados por tensin para valores pequeos de tensin drenaje-fuente. 6) La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo suficiente para permitir su utilizacin como elementos de almacenamiento. 7) Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes.

DESVENTAJAS QUE LIMITAN LA UTILIZACIN DE LOS FET

1) Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de entrada. 2) Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que los BJT. 3) Los FET se pueden daar debido a la electricidad esttica.

JFET
El JFET de canal n esta constituido por una barra de silicio de material semiconductor de tipo n con dos regiones (islas) de material tipo p situadas a ambos lados. Es un elemento tri-terminal cuyos terminales se denominan drenador (drain), fuente (source) y puerta (gate).

(a) JFET canal N. (b) Smbolo de JFET canal N. (c) Smbolo JFET de canal P La polarizacion de un JFET exige que las uniones p-n estn inversamente polarizadas. En un JFET de canal n, o NJFET, la tensin de drenador debe ser mayor que la de la fuente para que exista un flujo de corriente a travs de canal. Adems, la puerta debe tener una tensin ms negativa que la fuente para que la unin p-n se encuentre polarizado inversamente. Ambas polarizaciones se indican en la siguiente figura:

Las curvas de caractersticas elctricas de un JFET son muy similares a las curvas de los transistores bipolares. Sin embargo, los JFET son dispositivos controlados por tensin a diferencia de los bipolares que son dispositivos controlados por corriente. Por ello, en el JFET intervienen como parmetros: ID (intensidad drain odrenador a source o fuente), VGS(tensin gate o puerta a source o fuente) y VDS (tensin drain o drenador a source o fuente). Se definen cuatro regiones bsicas de operacin: corte, lineal, saturacin y ruptura.A continuacin se realiza una descripcin breve de cada una de estas regiones para el caso de un NJFET.

Regin de corte

En esta regin la intensidad entre drenador y fuente es nula (ID=0). En este caso, la tensin entre puerta y fuente es suficientemente negativa que las zonas de inversin bloquean y estrangulan el canal cortando la corriente entre drenador y fuente. En las hojas tcnicas se denomina a esta tensin como de estrangulamiento o pinch-off y se representa por VGS (off) o Vp. Por ejemplo, el BF245A tiene una VGS (off)=-2V.

Regin lineal

En esta regin, el JFET se comporta como una resistencia no lineal que es utilizada en muchas aplicaciones donde se precise una resistencia variable controlada por tensin.

Regin de saturacin

En esta regin, de similares caractersticas que un BJT en la regin lineal, el JFET tiene unas caractersticas lineales que son utilizadas en amplificacin. Se comporta como una fuente de intensidad controlado por la tensin VGS cuya ID es prcticamente independiente de latensin VDS.

Regin de ruptura

Una tensin alta en los terminales del JFET puede producir ruptura por avalancha a travs de la unin de puerta. Las especificaciones de los fabricantes indican la tensin de ruptura entre drenaje y fuente con la puerta cortocircuitada con la fuente; esta tensin se designa por BVDSS y su valor esta comprendido entra 20 y 50 V. Las tensiones de polarizacion nunca deben superar estos valores para evitar que el dispositivo se deteriore. Por ultimo, comentar las diferencias existentes entre un NJFET y PJFET. Las ecuaciones desarrolladas anteriormente para el JFET son validas para el PJFET considerando el convenio de signos indicados en la tabla

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MOSFET
Existen cuatro tipos principales de transistores MOSFET. Didcticamente conviene analizar primero el ms comn de todos que es el de canal N de empobrecimiento (o de deplexin), prcticamente el mas usado. El FET de semiconductoroxidometal, o MOSFET posee cuatro electrodos llamados fuente compuerta drenaje y sustrato. A diferencia del JFET, FET de juntura o simplemente FET o transistor de efecto de campo, la compuerta est aislada galvnicamente del canal. Por esta causa, la corriente de compuerta es

extremadamente pequea, tanto cuando la tensin de compuerta es positiva como cuando es negativa. La idea bsica se puede observar en la figura 1, en donde se muestra un corte de un MOSFET de empobrecimiento de canal N.

Este se compone de un material N (silicio con impurezas dadoras) con una zona tipo P a la derecha y una compuerta aislada a la izquierda. A similitud de una vlvula electrnica, en donde los electrones libres circulan desde el ctodo a la placa, en un MOSFET circulan desde el terminal de fuente al de drenaje, es decir desde abajo hacia arriba en el dibujo. En la vlvula lo hacen por el vaco y en el MOSFET por el silicio tipo N. La zona P se llama sustrato (algunos autores la llaman cuerpo) y opera como si fuera una pared que presenta una dificultad a la circulacin electrnica. Los electrones deben pasar por un estrecho canal entre la compuerta y el sustrato. La idea es que el silicio tipo N es un buen conductor, pero en la zona del sustrato se agregan impurezas tipo P que cancelan esa conductividad haciendo que esa zona sea aisladora. Sobre el canal se agrega una delgada capa de dixido de silicio (vulgarmente vidrio) que opera como aislante. Sobre esta finsima capa de vidrio se realiza una metalizacin que opera como compuerta. Dado que la compuerta es aislada, se puede colocar en ella un potencial tanto negativo como positivo, tal como se puede observar en la figura 2:

a) Tensin de puerta negativa

b) Tensin de puerta positiva

En la parte (a) se muestra un MOSFET de empobrecimiento con una tensin de compuerta negativa. La alimentacin VDD, obliga a los electrones libres a circular desde la fuente hacia el drenaje. Estos circulan por el canal estrecho a la izquierda del sustrato P. La tensin de compuerta controla el ancho del canal. Cuanto ms negativa sea la tensin de compuerta, menor ser la corriente que circula por el MOSFET debido a que el campo elctrico empuja a los electrones contra el sustrato. Inclusive una tensin suficientemente negativa podr, eventualmente, cortar la circulacin de corriente. Cuando se pone tensin positiva en la compuerta, el canal N tiene toda su capacidad libre y el MOSFET se comporta como una llave cerrada. En las curvas de la figura 3 se puede observar el paralelismo extremo entre una vlvula y un MOSFET. En a se puede observar la familia de curvas para diferentes tensiones de compuerta.

Observe que la corriente de drenaje se mantiene prcticamente constante independientemente de la tensin de drenaje-fuente, salvo en la zona inicial que se llama zona hmica y que no es utilizada cuando el transistor funciona como llave. La familia de curvas se suele dividir en dos secciones. Las que estn por debajo de cero y hasta VGSoff se llama seccin de empobrecimiento y las que estn por encima seccin de enriquecimiento. Esto significa que el canal no slo se puede angostar; en efecto, si se colocan tensiones positivas en la compuerta las lagunas del sustrato son repelidas y el canal se ensancha. En b se puede observar la curva de transferencia de un MOSFET de empobrecimiento en donde Idss es la corriente de drenaje con la puerta en cortocircuito. Como la curva se extiende hacia la derecha, sta no es la mxima corriente de drenaje. En efecto, tensiones positivas de compuerta generan una corriente de drenaje mayor.

El smbolo elctrico de un MOSFET de canal N de empobrecimiento puede observarse en la figura 4 al lado de su dibujo en corte.

La compuerta se representa como una lnea vertical con una salida hacia la izquierda. A su derecha se dibuja el canal como otra lnea vertical fina, con una salida superior que es el drenaje y otra inferior que es la fuente. La flecha, en el sustrato P, apunta hacia adentro en el MOSFET de canal N de estrechamiento como indicando que el canal es estrecho.
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