Transistor uniunin

Smbolo del UJT. El transistor uniunin (en ingls UJT: UniJuntion Transistor) es un tipo de tiristor que contiene dos zonas semiconductoras. Tiene tres terminales denominados emisor ( ), base uno ( ) y base dos ( ). Est formado por una barra semiconductora tipo N, entre los terminales , en la que se difunde una regin tipo P+, el emisor, en algn punto a lo largo de la barra, lo que determina el valor del parmetro , standoff ratio, conocido como razn de resistencias o factor intrnseco. [editar]Construccin

Estructura

Circuito equivalente

Consiste en una placa de material ligeramente dopado de silicio tipo-n. Los dos contactos de base se unen a los extremos de esta superficie tipo n. Estos se indican como y respectivamente. Un material de tipo p se utiliza para formar una juntura p-n en el lmite de la varilla de aluminio y la placa de silicio tipo n. El tercer terminal llamado emisor ( ) se hace a partir de este material tipo-p. El tipo n est ligeramente contaminado, mientras que el de tipo p est fuertemente contaminado. Como el tipo n est ligeramente dopado, ofrece una alta resistencia mientras que el material tipo p, ofrece baja resistividad puesto que est fuertemente contaminado. [editar]Caractersticas

Fijndose en la curva caracterstica del UJT se puede notar que cuando el voltaje sobrepasa un valor de ruptura, el UJT presenta un fenmeno de modulacin de resistencia que, al aumentar la corriente que pasa por el dispositivo, la resistencia de esta baja y por ello, tambin baja el voltaje en el dispositivo, esta regin se llama regin de resistencia negativa, este es un proceso realimentado positivamente, por lo que esta regin no es estable, lo que lo hace excelente para conmutar, para circuitos de disparo de tiristores y en osciladores de relajacin.

[editar]Operacin El UJT se polariza normalmente segn se v en su curva de polarizacin. La base se lleva a una tensin positiva (5VVBB30V). Por la resistencia circula entonces una corriente :

El ctodo del diodo emisor se encuentra a una tensin:

El diodo puede presentar una polarizacin inversa si es inferior a por lo que se presentar una corriente de fuga muy pequea. Por otro lado si es superior , el diodo queda polarizado directamente y por ende circula una corriente formada por portadores minoritarios que son depositados en . Esta se anula disminuyendo su valor; por esto la tensin disminuye tambin, ahora si bien si es constante, debe aumentar, lo que disminuye an ms a .

El Transistor UJT (UniJunction Transistor) Muy importante: No es un FET El transistor UJT (transistor de unijuntura - Unijunction transistor) es un dispositivo con un funcionamiento diferente al de otros transistores. Es un dispositivo de disparo. Es un dispositivo que consiste de una sola unin PN Fsicamente el UJT consiste de unabarra de material tipo N con conexiones elctricas a sus dos extremos (B1 y B2) y de una conexin hecha con un conductor de aluminio (E) en alguna parte a lo largo de la barra de material N. En el lugar de unin el aluminio crea una regin tipo P en la barra, formando as una unin PN. Ver el siguiente grfico Como se dijo antes este es un dispositivo de disparo. El disparo ocurre entre el Emisor y la Base1 y el voltaje al que ocurre este disparo est dado por la frmula: Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + n x VB2B1 Donde: n = intrinsic standoff radio - VB2B1 = Voltaje entre las dos bases (dato del fabricante)

La frmula es aproximada porque el valor establecido en 0.7 puedevariar de 0.4 a 0.7 dependiendo del dispositivo y la temperatura. Dos ejemplos sencillos 1.- Un UJT 2N4870 tiene un n = 0.63 y 24 voltios entre B2 y B1. Cul es el voltaje de disparo aproximado? Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + (0.63 x 24) = 15.8 Voltios 2.- Un UJT 2N4870 tiene un n = 0.68 y 12 voltios entre B2 y B1. Cul es el voltaje de disparo aproximado? Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + (0.68 x 12) = 8.86 Voltios. Notas: - Un dato adicional que nos da el fabricante es la corriente necesaria que debe haber entre E y B1 para que el UJT se dispare = Ip. - Es importante hacer notar que tambin se ha construido el UJT donde la barra es de material tipo P (muy poco). Se le conoce como el CUJT o UJT complementario. Este se comporta de igual forma que el UJT pero con las polaridades de las tensiones al revs

TRANSISTOR POTENCIA UJT

El transistor UJT (transistor de unijuntura - Unijunction transistor) es un dispositivo con un funcionamiento diferente al de otros transistores. Es un dispositivo de disparo. Es un dispositivo que consiste de una sola unin PN Fsicamente el UJT consiste de una barra de material tipo N con conexiones elctricas a sus dos extremos (B1 y B2) y de una conexin hecha con un conductor de aluminio (E) en alguna parte a lo largo de la barra de material N. En el lugar de unin el aluminio crea una regin tipo P en la barra, formando as una unin PN. Como se dijo antes este es un dispositivo de disparo. El disparo ocurre entre el Emisor y la Base1 y el voltaje al que ocurre este disparo est dado por la frmula: Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + n x VB2B1 Donde: - n = intrinsic standoff radio (dato del fabricante) - VB2B1 = Voltaje entre las dos bases La frmula es aproximada porque el valor establecido en 0.7 puede variar de 0.4 a 0.7 dependiendo del dispositivo y la temperatura. Dos ejemplos sencillos 1.- Un UJT 2N4870 tiene un n = 0.63 y 24 voltios entre B2 y B1. Cul es el voltaje de disparo aproximado? Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + (0.63 x 24) = 15.8 Voltios 2.- Un UJT 2N4870 tiene un n = 0.68 y 12 voltios entre B2 y B1. Cul es el voltaje de disparo aproximado? Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + (0.68 x 12) = 8.86 Voltios. Nota: - Un dato adicional que nos da el fabricante es la corriente necesaria que debe haber entre E y B1 para que el UJT se dispare = Ip. - Es importante hacer notar que tambin se ha construido el UJT donde la barra es de material tipo P (muy poco). Se le conoce como el CUJT o UJT complementario. Este se comporta de igual forma que el UJT

pero con las polaridades de las tensiones al revs TRANSISTOR MONOUNION UJT El transistor monounin (UJT) se utiliza generalmente para generar seales de disparo en los SCR. En la fig.5 se muestra un circuito bsico de disparo UJT. Un UJT tiene tres terminales, conocidas como emisor E, base1 B1 y base2 B2. Entre B1 y B2 la monounin tiene las caractersticas de una resistencia ordinaria (la resistencia entre bases RBB teniendo valores en el rango de 4.7 y 9.1 K). Cuando se aplica el voltaje de alimentacin Vs en cd, se carga el capacitor C a travs de la resistencia R, dado que el circuito emisor del UJT est en estado abierto. La constante de tiempo del circuito de carga es T1=RC. Cuando el voltaje del emisor VE, el mismo que el voltaje del capacitor llega a un valor pico Vp, se activa el UJT y el capacitor se descarga a travs de RB1 a una velocidad determinada por la constante de tiempo T2=RB1C. T2 es mucho menor que T1. Cuando el voltaje del emisor VE se reduce al punto del valle Vv, el emisor deja de conducir, se desactiva el UJT y se repite el ciclo de carga. El voltaje de disparo VB1 debe disearse lo suficientemente grande como para activar el SCR. El periodo de oscilacin, T, es totalmente independiente del voltaje de alimentacin Vs y est dado por: T = 1/f = RC ln 1/1-n

El transistor de Unijuntura (UJT)

Este dispositivo se utiliza, fundamentalmente, como generador de pulsos de disparo para SCR y TRIACs. El UJT es un componente que posee tres terminales: dos bases y un emisor, tal como se muestra en la siguiente figura:

En la figura se puede apreciar la constitucin de un UJT, que en realidad est compuesto solamente por dos cristales. Al cristal P se le contamina con una gran cantidad de impurezas, presentando en su estructura un nmero elevado de huecos. Sin embargo, al cristal N se le dopa con muy pocas impurezas, por lo que existen muy pocos electrones libres en su estructura. Esto hace que la resistencia entre las dos bases RBB sea muy alta cuando el diodo del emisor no conduce. Para entender mejor cmo funciona este dispositivo, vamos a valernos del circuito equivalente de la figura siguiente:

R1 y R2 equivalen a la resistencia de los tramos de cristal N comprendidos entre los terminales de las bases. El diodo D equivale a la unin formada por los cristales P-N entre el terminal del emisor y el cristal N. Mientras el diodo del emisor no entre en conduccin, la resistencia entre bases es igual a:

Si en estas condiciones aplicamos una tensin de alimentacin VBB entre las dos bases, la tensin que aparece entre el emisor y la base ser la que corresponda en el circuito equivalente a R1; es decir, en el divisor de tensin se cumplir que:

Si llamamos =R1/RBB, la ecuacin queda: V1 = VBB. El trmino representa la relacin intrnseca existente entre las tensiones V1 y VBB. As, por ejemplo, si un UJT posee una relacin intrnseca caracterstica igual a 0,85 y queremos determinar la tensin que aparecer entre el terminal de emisor y la base 1 al aplicar 12V entre bases, bastar con operar de la siguiente forma:

Al valor de V1 se le conoce como tensin intrnseca, y es aqulla que hay que aplicar para que el diodo comience a conducir. En nuestro ejemplo, si aplicamos una tensin de 8V al emisor, ste no conducir, ya que en el ctodo del diodo D existe un potencial positivo de 10,2V correspondiente a la tensin intrnseca, por lo que dicho diodo permanecer polarizado inversamente. Sin embargo, si aplicamos una tensin superior a 10,9V (los 10,2V de V1 ms 0,7V de la tensin de barrera del diodo D), el diodo comenzar a conducir, producindose el disparo o encendido del UJT. En resumen, para conseguir que el UJT entre en estado de conduccin es necesario aplicar al emisor una tensin superior a la intrnseca. Una vez que conseguimos que el diodo conduzca, por efecto de una tensin de polarizacin directa del emisor respecto a la base 1, los portadores mayoritarios del cristal P (huecos) inundan el tramo de cristal de tipo N comprendido entre el emisor y dicha base (recordar que el cristal P est fuertemente contaminado con impurezas y el N dbilmente). Este efecto produce una disminucin repentina de la resistencia R1 y, con ella, una reduccin de la cada de tensin en la base 1 respecto del emisor, lo que hace que la corriente de emisor aumente considerablemente.

Mientras la corriente de emisor sea superior a la de mantenimiento (Iv), el diodo permanecer en conduccin como si de un biestable se tratase. Esta corriente se especifica normalmente en las hojas de caractersticas y suele ser del orden de 5mA. En la figura de la derecha, se muestra el aspecto de una de las curvas caractersticas de un UJT. Vp(punto Q1) nos indica la tensin pico que hay que aplicar al emisor para provocar el estado de encendido del UJT (recordar que Vp = V1 + 0,7). Una vez superada esta tensin, la corriente del emisor aumenta (se hace mayor que Ip), provocndose el descebado del UJT cuando la corriente de mantenimiento es inferior a la de mantenimiento Iv (punto Q2). Aplicaciones del UJT Una de las aplicaciones del UJT ms comn es como generador de pulsos en diente de sierra. Estos pulsos resultan muy tiles para controlar el disparo de la puerta de TRIACS y SCR. En la siguiente figura, se muestra el esquema de uno de estos circuitos.

Su funcionamiento es como sigue: Al aplicar una tensin VCC al circuito serie R-C, formado por la resistencia variable RS y el condensador CS, dicho condensador comienza a cargarse. Como este condensador est conectado al emisor, cuando se supere la tensin intrnseca, el UJT entrar en conduccin. Debido a que el valor hmico de la resistencia R1 es muy pequeo, el condensador se descargar rpidamente, y en el terminal de B1aparecer un impulso de tensin. Al disminuir la corriente de descarga del condensador, sobre el emisor del UJT, por debajo de la de mantenimiento, ste se desceba y comienza otro nuevo ciclo de carga y descarga del condensador. As, se consigue que en el terminal de la base 1 aparezca una seal pulsante en forma de diente de sierra, que puede utilizarse para controlar los tiempos de disparo de un SCR o de un TRIAC. Para regular el tiempo de disparo es suficiente con modificar el valor hmico de la resistencia variable RS, ya que de sta depende la constante de tiempo de carga del condensador.

En la siguiente figura, se muestra una tpica aplicacin del generador de pulsos de diente de sierra con UJT para controlar el disparo de un SCR. Mediante este circuito controlamos la velocidad de un motor serie (o de cualquier otro tipo de carga: estufas, lmparas, etc) gracias a la regulacin de la corriente que realiza sobre medio ciclo del SCR. Para controlar la velocidad del motor, basta con modificar la frecuencia de los pulsos en dientes de sierra, lo cual se consigue variando el valor del potencimetro RS. El transistor UJT o de uni-unin El transistor de uni-unin (unijunction transistor) o UJT esta constituido por dos regiones contaminadas con tres terminales externos: dos bases y un emisor. En la figura 12.21.a aparece la estructura fsica de este dispositivo. El emisor esta fuertemente dopado con impurezas p y la regin n dbilmente dopado con n. Por ello, la resistencia entre las dos bases, RBB o resistencia interbase, es elevada (de 5 a 10Kestando el emisor abierto).

El modelo equivalente representado en la figura 12.21.b esta constituido por un diodo que excita la unin de dos resistencias internas, R1 y R2, que verifican RBB=R1+R2. Cuando el diodo no conduce, la cada de tensin en R1 (V1) se puede expresar como

(12.10) en donde VB2B1 es la diferencia de tensin entre las bases del UJT y es el factor de divisin de tensin conocido como relacin intrnseca. El modelo de este dispositivo utilizando transistores se muestra en la figura 12.21.c, cuya estructura es muy similar a un diodo de cuatro capas. Cuando entra en conduccin los transistores la cada de tensin en R1 es muy baja. El smbolo del UJT se muestra en la figura 12.21.d.

Figura 12.21. Transistor UJT. a) Estructura fsica, b) modelo equivalente, c) circuito equivalente y d) smbolo. Funcionamiento de un UJT El funcionamiento de un UJT es muy similar al de un SCR. En la grafica de la figura 12.22 se describe las caractersticas elctricas de este dispositivo a travs de la relacin de la tensin de emisor (VE) con la corriente de emisor (IE). Se definen dos puntos crticos: punto de pico o peak-point (VP, IP) y punto de valle o valley-point (VV, IV), ambos verifican la condicin de dVE/dIE=0. Estos puntos a su vez definen tres regiones de operacin: regin de corte, regin de resistencia negativa y regin de saturacin, que se detallan a continuacin:

Figura 12.22. Caractersticas elctricas de un UJT. Regin de corte. En esta regin, la tensin de emisor es baja de forma que la tensin intrnseca mantiene polarizado inversamente el diodo emisor. La corriente de emisor es muy baja y se verifica que VE<VP e IE < IP. Esta tensin de pico en el UJT viene definida por la siguiente ecuacin

(12.11) donde la VF varia entre 0.35 V a 0.7 V con un valor tpico de 0.5 V. Por ejemplo, para el 2N2646 es de 0.49V a 25C. El UJT en esta regin se comporta como un elemento resistivo lineal entre las dos bases de valor RBB. Regin de resistencia negativa. Si la tensin de emisor es suficiente para polarizar el diodo de emisor, es decir, VE=VP entonces el diodo entra en conduccin e inyecta huecos a B1 disminuyendo bruscamente la resistencia R1 debido a procesos de recombinacin. Desde el emisor, se observa como el UJT disminuye su resistencia interna con un comportamiento similar a la de una resistencia negativa (dVE/dIE < 0). En esta regin, la corriente de emisor esta comprendida entre la corriente de pico y de valle (IP< IE< IV). Regin de saturacin. Esta zona es similar a la zona activa de un tiristor con unas corrientes y tensiones de mantenimiento (punto de valle) y una relacin lineal de muy baja resistencia entre la tensin y la corriente de emisor. En esta regin, la corriente de emisor es mayor que la corriente de valle (IE > IV). Si no se verifica las condiciones del punto de valle, el UJT entrara de forma natural a la regin de corte. En la figura 12.22 tambin se observa una curva de tipo exponencial que relaciona la VE y la IE cuando la base B2 se encuentra al aire (IB2=0). Esta curva tiene una forma similar a la caracterstica elctrica de un diodo y representa el comportamiento del diodo de emisor. El Transistor de Unijuntura UJT Las caractersticas que se presentan en el UJT lo hacen til en circuitos de aplicacin industrial, como son circuitos de tiempo (timers), osciladores, generadores de onda, y circuitos de disparo para SCRs y TRIACs. El UJT es un dispositivo de una sola unin PN, dispone de dos regiones contaminadas y tres terminales externas. Tiene un slo emisor y dos bases. La representacin fsica del UJT se muestra en la figura 1.

Figura 1.- Representacin fsica y smbolo del UJT El emisor se dopa fuertemente, mientras que en la regin de las bases se deposita una ligera contaminacin, bajo estas condiciones, se hace presente una regin de resistencia negativa, y aparecen dos estados de funcionamiento bien definidos, correspondientes al estado de bloqueo y al estado de

conduccin. Para comprender el funcionamiento del dispositivo UJT, se recurre a su circuito equivalente, que se muestra en la figura 2.

Figura 2.- Circuito equivalente del UJT Las resistencias Rb1 y Rb2 constituyen la resistencia de la barra de silicio, siendo Rbb la suma de las dos resistencias, es decir, la resistencia total: Rbb = Rb1 + Rb2, siempre se cumple que Rb1 Rb2 A Rbb se le denomina resistencia interbase, y es la resistencia hmica que se presenta en las terminales B1 y B2 cuando no circula ninguna corriente por el emisor. En trminos generales el parmetro Rbb es variable entre los valores de 5 k a 10 k. El diodo D es el equivalente a una unin emisor-base, presenta un voltaje umbral desde 0.4 volts hasta 0.7 volts. Si la tensin que se aplica en el emisor del dispositivo UJT, con un valor igual a Vbb, sobre la resistencia Rb1, el punto A, aparece un voltaje que lo determina la ecuacin; Va = Vbb Rb1/Rbb = n Vbb n = Rb1/(Rb1 + Rb2) En donde n se conoce como factor intrnseco, produce una variacin que comprende desde 0.5 hasta 0.8, lo cual significa que Rb1 es igual o hasta cuatro veces el valor de Rb2. La tensin Va se conoce como voltaje intrnseco y es la que polariza inversamente al diodo emisor, al no existir una seal en la entrada. Al aplicarse la tensin Ve en el emisor, el transistor permanece bloqueado hasta tanto no se alcance el voltaje pico Vp, el cual est dado por la siguiente expresin: Vp = Vd + Va = Vd + n Vbb Cuando el diodo de emisor entra en conduccin, porque la regin P est fuertemente contaminada y la regin N no, se inyecta huecos a la parte inferior del UJT. La ligera contaminacin de esta regin proporciona un tiempo de vida largo para los huecos, se produce una trayectoria de conduccin entre emisor y la base B1. Al fluir corriente por B1, la resistencia Rb1 disminuye, efectundose modulacin de conductividad. Al disminuir esta resistencia, la tensin Va disminuye y se obtiene una mayor inyeccin de corriente de emisor. La disminucin de tensin y aumento de corriente representa una regin de

resistencia negativa, se alcanzan valores hasta 100 k para bajos niveles de corriente. En la figura 3 se

muestra la curva caracterstica del UJT. Figura 3.- Curva caracterstica del UJT Si los niveles de voltaje que se aplican al emisor son menores que Vp, el diodo D se encuentra inversamente polarizado, y circula una corriente menor inversa de juntura. Al hacerse la tensin Ve igual a Vp, el diodo conduce, inicindose la trayectoria en la curva de la regin de resistencia negativa y con una corriente Ip. Por el fenmeno de modulacin de conductividad, la corriente empieza a crecer mientras el voltaje disminuye hasta que finalmente se llega a saturacin, la resistencia Rb1 se hace constante con valor Rs (aproximadamente 5 - 30 ), a valores bajos de tensin y niveles altos de corriente, se termina la regin de resistencia negativa y empieza la regin de saturacin. Sobre la caracterstica tensin-corriente se destacan tres zonas de trabajo y funcionamiento: o Regin de bloqueo: el diodo se encuentra inversamente polarizado, la corriente Ie es menor que Ip. o Regin de resistencia negativa: los valores de corriente estn entre Ip e Iv. o Regin de saturacin: en esta regin la resistencia es positiva, tenindose niveles de corriente por encima de Iv. Estabilizacin del UJT Las caractersticas ms importantes del UJT se resumen en la ecuacin: Vp = Vd + n Vbb En aplicaciones que utilizan osciladores y circuitos temporizadores no es conveniente tener variaciones en el valor Vp, la exactitud de esos circuitos depende de la invariabilidad de Vp, adems, Vd y n son parmetros dependientes de la temperatura, entonces es necesario estudiar su incidencia sobre Vp. Vd disminuye al aumentar la temperatura, esta variacin es del orden de -2mV/C. El valor de n tambin disminuye, en grado inapreciable con el aumento de temperatura: n = Rb1/(Rb1 + Rb2) = Rb1/Rbb El valor de Rbb es dependiente de la temperatura, ya que es la resistencia de un material semiconductor. Su efecto en la tensin Va es despreciable, este valor depende de n y la variacin de n es despreciable.

Para compensar variaciones en el diodo, se conecta una resistencia R2 externa en serie con Rb2, a la terminal B2 . Bajo estas condiciones se tiene: Va = Vbb Rb1/(Rb1 + Rb2 + R2) Va = Vbb Rb1/(Rbb + R2); dividiendo entre Rbb, Va = n Vbb/(1 + (R2/Rbb)) Si la temperatura baja, Rbb baja, el factor R2/Rbb sube y por consiguiente Va baja. Si la temperatura sube, Rbb sube, el factor R2/Rbb baja y por consiguiente Va sube. Se observa que las variaciones de Vd se compensan con las variaciones de Va, porque ocurren en sentido opuesto, de esta forma se mantiene el valor de Vp. Con un rango de trabajo para la fuente de polarizacin Vbb comprende entre 10 y 35 volts, se obtiene que R2 vara entre 50 y 1 k. Se determinan por experimentacin, los siguientes valores para compensacin: R2 = 100 para trabajo entre -55C y 25C R2 = 400 para trabajo entre 25C y 100C En trminos generales se obtiene una buena compensacin con R2 = 100. Impedancia de Carga del UJT Las tres terminales del UJT se usan para obtener una seal de salida, la conexin que ms se utiliza es la terminal de la base B1, entonces se necesita adicionar una resistencia R1 externa como se muestra en la figura 4. El valor de R1 es de valores tpicos de 100, la seal que se obtiene se aplica en generadores de pulsos de disparo.

Aplicaciones del UJT El oscilador de relajacin; Se utiliza en timers y circuitos osciladores. La figura 5 muestra un circuito tpico de un UJT, una red Re Ce, las resistencias de carga y compensacin R1 y R2, as como las formas de onda que se observa en cada terminal. El circuito trabaja de la siguiente forma: Al encender la alimentacin, el condensador Ce se carga a travs de Re hasta alcanzar el nivel Vp. En este punto, el UJT entra en conduccin la resistencia Rb1 tiende a disminuir hasta un valor cercano a cero, se genera un pulso de corriente que corresponde a la descarga del condensador, esa corriente fluye por R1 y se

Figura 4.- Resistencias externas al UJT

desarrolla un pulso de voltaje en la terminal B1. Simultneamente que aparece un pico positivo en B1, aparece otro negativo en B2. Esto sucede porque la cada de tensin en Rb1 provoca una reduccin en la resistencia total entre Vbb y tierra, y consecuentemente un incremento en la corriente por R2, se provoca una mayor cada a travs de R2 crendose un pico de voltaje negativo en el terminal B2.

Figura 5.- Oscilador de Relajacin con UJT En el terminal de emisor, se desarrolla una seal diente de sierra, la cual no es totalmente lineal debido a la carga exponencial del condensador puesto que este no se carga a una rata constante. Por otro lado, la parte baja de la seal no es exactamente cero voltios. Hay dos razones para que esto ocurra: o - El voltaje emisor-base B1 jams alcanza el valor cero, sino el voltaje de valle Vv. o - Hay siempre alguna cada de voltaje a travs de R1, debido a la corriente que fluye a travs del UJT. Asumiendo que el condensador est inicialmente descargado, al aplicarse la tensin de polarizacin, este trata de cargarse hasta el valor de fuente con una constante de tiempo dada por ReCe. Cuando el voltaje sobre el condensador se hace igual al valor Vp del UJT, ste se dispara, entrando en conduccin, aumentando la corriente de emisor y disminuyendo la tensin, o sea que el condensador empieza a descargarse a travs de la baja impedancia que ve entre emisor y tierra. La constante de descarga ser aproximadamente R'Ce, donde R' es la suma de R1 y la resistencia del diodo. Es claro que la constante de carga es mucho mayor que la de descarga. Cuando el condensador se descarga, entra de nuevo el UJT en la regin de bloqueo puesto que la tensin en el terminal de emisor se hace menor que el voltaje Vp. Al iniciarse nuevamente el proceso, se repite el ciclo. Puesto que el circuito anterior es un oscilador a resistencia negativa, es necesario cumplir con la condicin general impuesta para este tipo de circuitos, y es que la lnea de carga corte la caracterstica en su regin de resistencia negativa. La ecuacin de la lnea de carga est dada por: Vbb = Re Ie + Ve Dependiendo del valor de Re, se pueden obtener varias curvas: -Sea Re = Re1 = valor grande de resistencia Si Ve = 0 entonces Ie = Vbb/Rmx Si Ie = 0 entonces Ve = Vbb Con estas dos ecuaciones lmites se puede trazar la recta de carga. Es claro que si Re1 es elevado el valor de Ie tiende a cero. Bajo estas condiciones dicha lnea de carga cortara la curva caracterstica en la

regin de bloqueo. -Sea Re = Re2 = valor bajo de resistencia Si Ve = 0 entonces Ie = Vbb/Rmn Si Ie = 0 entonces Ve = Vbb Con estas dos ecuaciones lmites se puede trazar la recta de carga. Es claro que si Re2 es bajo el valor de Ie tiende a ser elevado. Bajo estas condiciones dicha lnea de carga cortara la curva caracterstica en la regin de saturacin. -Sea Re = Re3 = un valor medio de resistencia Si Ve = 0 entonces Ie = Vbb/Re3 Si Ie = 0 entonces Ve = Vbb

Figura 6.- Rectas de carga del UJT Con estas dos ecuaciones lmites se puede trazar la recta de carga. Bajo estas condiciones dicha lnea de carga cortara la curva caracterstica en la regin de resistencia negativa. En la figura 6 pueden apreciarse esta serie de situaciones. En trminos generales se tendra: Remn Re Remx El valor de Remx debe ser tal que permita obtener el nivel mnimo de corriente, o sea Ip. Por lo tanto la ecuacin se transformara en: Vbb = Remx Ip + Vp Remx = (Vbb - Vp)/Ip Por otro lado, el valor de Remn debe ser tal que permita obtener el nivel mximo de corriente, o sea Iv. Por lo tanto la ecuacin se transformara en: Vbb = Remn Iv + Vv Remn = (Vbb - Vv)/Iv

En trminos generales el valor de Re est comprendido entre 3 k y 3 M, y el condensador vara entre .01 F y .5 F. El perodo de oscilacin est dado por la expresin: T = Re Ce ln (1/(1-n)) Esta ecuacin proviene de la expresin de carga del condensador: Vc(t) = Vf + (Vi - Vf) e(-t/ReCe) Vc(t) = Vbb (1 - e(-t/ReCe)) en t = T Vc(t) = Vp, reemplazando estos valores: T = Re Ce ln (Vbb/(Vbb - Vp)) Vp = Vd + n Vbb = n Vbb T = Re Ce ln (1/(1-n)) Ejemplo Dado un oscilador de relajacin con UJT que trabaja con una relacin intrnseca n = .7 y con Re = 100 k y Ce = .5 F, calcular el perodo y la frecuencia de trabajo, as como el voltaje Vp de disparo suponiendo una fuente de polarizacin de 20 voltios. T = 100 k .5 F ln (1/(1-.7)) T = 60 ms f = 1/T = 1/60 =16.6 Hz Vp = Vd + nVbb = .6 + .7 20 = 14.6 v