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Ingeniera

Universidad de los Andes Merida Venezuela


Escuela de ingeniera Qumica
Departamento de Qumica Industrial y Aplicada

Materiales de Ingeniera Qumica

Defectos e Imperfecciones en los cristales


Prof. Glenda Noboa Semestre B-2012

Mrida, 14 de Noviembre de 2011

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Escuela de ingeniera Qumica
Departamento de Qumica Industrial y Aplicada

Defectos o Imperfecciones
Tridimensionales De superficie

Imperfecciones Qumicas Puntuales Soluciones Slidas Asociados a los puntos reticulares

Estructurales Lineales

Slidos no cristalinos Dislocaciones


Lmites de grano

Debidas al mov. trmico

Asociados a deformacin mecnica

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Imperfecciones Qumicas

Sustitucionales Soluciones slidas Intersticiales

Aleatorias Ordenadas

Regla de Hume-Rothery: 1. 2. 3. 4. Diferencia entre radios atmicos < 15% Misma estructura cristalina Electronegatividades similares Misma valencia

Atomo intersticial de C en Fe BCC

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Defectos Estructurales

Defectos Estructurales

Defectos Puntuales

Vacancias Atomo intersticial Defecto de Frenkel Defecto de Schottky

Defectos Lineales

Dislocaciones de Borde (arista) Dislocaciones de Tornillo o helicoidales

Defectos Superficiales

Lmites de grano Lmites de macla

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Defectos Estructurales

Defectos Puntuales: Vacancia tomo intersticial

tomo sustitucional pequeo

tomo sustitucional grande

Defecto de Frenkel

Defecto de Schottky

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Defectos Estructurales

Defectos Puntuales: Las vacancias tienen una dependencia con la Temperatura, siguiendo un comportamiento tipo Arrhenius: : cantidad de vacancias por 3 : cantidad de tomos por 3 : energa necesaria para producir un mol de vacancias en cal/mol o J/mol : ctte de los gases: 1,987 cal/mol K o 8,31 J/mol K : Temperatura en K

= exp

Ejemplo 4.1 Askeland: Calcule la concentracin de vacancias en el Cu a 25C. A qu T ser necesario calentar el cobre para que la concentracin de vacancias sea 1000 veces mayor a la de 25C? Suponga que se requieren 20000 cal para producir un mol de vacancias y ao del Cu FCC=0,36151 nm.

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Defectos Estructurales

Defectos Puntuales:

Energas de formacin de vacancias u nmero de vacancias en funcin de la Temperatura

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Defectos Estructurales

Defectos Puntuales: Vacancias generadas durante la formacin de compuestos


El requisito de neutralidad de carga en el compuesto, slo permite que se siten dos Al3+ por cada 3 vacantes de iones Mg2+, quedando una vacante de Mg2+

El mismo caso, en el que existe una vacante de Fe2+ por cada 3 iones Fe3+ presentes

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Defectos Estructurales

Defectos Puntuales: Los tomos intersticiales, pueden verse como impurezas o beneficios para el material

A diferencia de las vacancias, una vez introducidos, los tomos intersticiales permanecen constantes al cambio de temperatura.
El defecto de Schottky es exclusivo para materiales inicos, donde debe faltar el nmero estequiomtrico de cationes e iones para mantener la neutralidad elctrica

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Defectos Estructurales

Defectos Lineales: Dislocaciones: desplazamiento de un conjunto de tomos Se forman usualmente: Durante la solidificacin de slidos cristalinos Por deformacin plstica del cristal Por condensacin de vacantes Por emparejamientos atmicos incorrectos en soluciones slidas Dislocacin de borde

b: vector de Burges a la lnea de dislocacin (Distancia interplanar)

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Defectos Estructurales

Defectos Lineales: Dislocacin de Tornillo No se puede visualizar como un plano adicional de tomos

Dislocacin de borde

b: vector de Burges // a la lnea de dislocacin

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Defectos Estructurales

Defectos Lineales:

Dislocacin Mixta

Dislocacin de Borde

Dislocacin de Tornillo

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Defectos Estructurales

Defectos Lineales: Al aplicar un esfuerzo..


La direccin del deslizamiento es la del vector de Burges, para Dislocaciones de Borde

Plano de deslizamiento

Similar al movimiento de una oruga

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Defectos Estructurales

Defectos Lineales: Factores que permiten determinar los sistemas ms probables de deslizamientos: 1. El esfuerzo necesario para hacer que la dislocacin se mueva aumenta en forma exponencial con la longitud del vector de Burges. 2. El esfuerzo necesario para hacer que la dislocacin se mueva disminuye en forma exponencial al aumentar la distancia interplanar de los planos de deslizamiento. 3. Los deslizamientos se presentan mayormente en los direcciones y planos compactos. 4. Las dislocaciones no se mueven con facilidad en materiales con enlaces covalentes (Si y polmeros). 5. En los materiales con enlace inico, como cermicos, se deben vencer las fuerzas de atraccin y repulsin.

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Defectos Estructurales

Defectos Lineales: Ejemplo 4.7 El oxido de Mg tiene la estructura cristalina del cloruro de sodio y ao=0,396nm. Determine la longitud del vector de Burges.

Ejemplo 4.9 La densidad planar del plano (112) en el hierro BCC es 9,94 x1014 at/cm2 . Calcule la densidad planar del plano (110) y la distancia interplanar para los planos (112) y (110). En cual plano se presentara normalmente el deslizamiento? ao= 0,2866 nm

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Defectos Estructurales

Ley de Schmid

0 =

= Esfuerzo cortante crtico resuelto : es el mnimo esfuerzo necesario para romper suficiente cantidad de enlaces metlicos para que suceda el deslizamiento
Ejemplo: Un monocristal de Zn est siendo puesto en tensin, y la normal a su plano basal
est a 60 respecto al eje de tensin y la direccin del desplazamiento est a 40 respecto al mismo eje. Calcular: a) Esfuerzo cortante , que acta en la direccin de desplazamiento cuando se aplica un esfuerzo de tensin , de 0,69 Mpa. b) el necesario para alcanzar el de 0,94 MPa

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Defectos Estructurales

Defectos Planares:

(Metalografa)

En los lmites, hay tomos en compresin y otros en tensin

Control del tamao de grano control de propiedades: Si disminuye el tamao, aumenta el nmero de granos y los lmites, lo cual representa un bloqueo para la dislocacin, aumentando la resistencia. ASTM nmero y tamao de grano : lente con aumento 100x, se cuenta N cantidad de granos/in2 y se determina n: = 21

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Defectos Estructurales

Defectos Planares:

Fallas de Apilamiento:
Error en la secuencia de apilamiento de los planos de empaquetamiento compacto. Interfieren con el proceso de deslizamiento

Lmites de macla:
Una macla es un plano que separa dos regiones cristalinas que son, estructuralmente , imagen especular una de otra

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Defectos Estructurales

Aplicacin de los Defectos Estructurales

Sirven de base a los mecanismos comunes de endurecimiento: 1. Por deformacin trabajo en fro. Se aumenta la resistencia, aumentando el nmero de dislocaciones en un material. 2. Por Solucin slida: se introducen tomos sustitucionales o intersticiales 3. Por tamao de grano

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Difusin en slidos

Difusin en Slidos
Movimiento de tomos, partculas, molculas, vacancias impulsado por un gradiente de concentracin. Algunas aplicaciones: Carburacin o cementacin del acero Difusin de dopantes en semiconductores Limitacin de la difusin de CO2 en PET Oxidacin del Al Acero galvanizado (recubrimiento de Zn) para evitar la oxidacin

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Difusin en slidos

Mecanismos de Difusin

Por vacancias

Intersticial

Sustitucin

Energa de activacin

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Difusin en slidos

Autodifusin sustancias puras

Volumtrica Entre partculas de cristales vecinos (defectos)


Tipos de Difusin Lmite de Grano Entre superficies: fases diferentes

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Difusin en slidos

Difusin en estado estacionario: Primera Ley de Fick : Flujo [kg/m2 s] =


:

gradiente de concentracin, cambio en composicin con la distancia [t/ m3 .m] : Coeficiente de Difusividad [m2 /s]

El coeficiente de Difusividad depende de la T en una ecuacin tipo Arrhenius


0

0 : Ctte de proporcionalidad [m2 /s] : Energia dde activacin de las especies en difusin [J/mol o Cal/mol] : Ctte de los gases 8,314 J/mol K : Temperatura [K]

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Difusin en slidos

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Difusin en slidos

Coeficiente de difusin D en funcin del reciproco de la temperatura para varios metales y materiales cermicos. En esta grafica de Arrhenius, D representa la rapidez del proceso de difusin. Una pendiente pronunciada significa una energa de activacin elevada

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Difusin en slidos

Difusin en estado no estacionario: Segunda Ley de Fick

Para D indepediente de x y C: = 2 2
Depende de las condiciones de Frontera

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Difusin en slidos

Difusin en estado no estacionario: Segunda Ley de Fick Una solucin particular es: = 2
: concentracin constante de los tomos que se difunden en la superficie del material : concentracin inicial uniforme de los tomo que se difunden en el material : concentracin de tomos a una distancia x, despus de un tiempo t.

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Difusin en slidos

Difusin y procesamiento de materiales: Sinterizado


Proceso de difusin durante el sinterizado y la metalurgia de polvos, los tomos se difunden hacia los puntos de contacto, creando puentes y reduciendo el tamao de los poros. Der. Desarrollo de la microestructura de una cermica a travs de sinterizado. (a) Particulas solidas sueltas (b) Etapa inicial (c) Etapa intermedia (d) Etapa final

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Difusin en slidos

Difusin y procesamiento de materiales: Crecimiento de grano

Difusin de tomos en los lmites de grano: El crecimiento de grano ocurrir cuando los tomos difundan de un borde de grano de un grano a otro

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Difusin en slidos

Difusin y procesamiento de materiales: Soldadura por Difusin

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Difusin en slidos

Ejercicios: 1) La superficie del acero puede endurecerse mediante carburacin (difusin de carbono). Durante uno de los tratamientos a 1000C hay una cada en la concentracin de carbono de 5% peso a 4%, a una distancia entre 1 y 2 mm desde la superficie del acero. Estimar el flujo de los tomos de carbono hacia el acero en esta regin cercana a la superficie. 2) Considrese el proceso de carburacin estudiado. La fuente de carbono (un gas de hidrocarburo) se utiliza para que el contenido de carbono en la superficie (Cs) sea de 1%peso. Cunto tiempo seria necesario para que a 1000C se alcance un contenido de carbono dde 0,6% peso? A una distancia de 1mm de la superficie?

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Seleccin de materiales