PREPARATORIO DE LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS, PRACTICA NO.

6, MARZO 2013

Polarizacin de transistores bipolares de juntura (TBJ)

Renato Daz, Estudiante, Facultad de Ingeniera Elctrica y Electrnica
ResumenAnalizar e implementar los principales circuitos de polarizacin para Transistores bipolares de juntura Index TermsAmplicador, juntura, TBJ, NPN, PNP.

I.

I NTRODUCCIN Figura 4. Especicaciones mximas

STE presente preparatorio se enfocar a la implementacin y anlisis de polarizacin para los TBJ, asi como las caractersticas del transitor tipo NPN (2N3904), y tambin las del transistor tipo PNP (2N3906).

Marzo 24, 2013 II. T RABAJO EN EL LABORATORIO

II-A. Implementar los circuitos del literal 3,4 y 6 del trabajo preparatorio II-B. Tomar las medidas de voltajes y corrientes de polarizacin necesarias para realizar el clculo de errores en el informe. III. T RABAJO PREPARATORIO III-A. Consultar las caracteristicas y la asignacion de pines de los transistores 2N3904 y 2N3906, adems de un transistor NPN y un PNP adicional, escogidos por el estudiante. Figura 5. Transistores tipo NPN y tipo PNP

III-B. Consultar un mtodo prctico para determinar el tipo y los terminales de un transistor mediante la utilizacin de un multmetro. TRANSISTOR NPN Existen instrumentos de medicin digitales para medir los transistores, estos, obviamente son extremadamente caros, algunos multmetros digitales tambin traen una base para la prueba de transistores. En la secuencia del 1 al 4 dentro de la lnea verde, se muestra la forma de probar un transistor NPN. gura 6). En primer lugar seleccionamos en el Multimetro la opcin R X 10 R X 100, hecho esto hacemos lo siguiente: Paso 1: Colocamos la punta positiva (roja) en la base del transistor (No olvidar que estamos probando un NPN ), seguidamente colocamos la punta negra en el emisor, al hacer esto la aguja debe de subir (deexionar), ver esquema 1 de la gura 6. Paso 2: El paso siguiente es mantener la punta roja en la base y colocar la negra en el colector, tambin aqu la aguja debe de subir (esquema 2, Fig.6). Paso 3: Ahora invertimos la posicin de las puntas del Multimetro, colocamos la punta negra en la base y la roja en el emisor, la aguja no debe de moverse (esquema 3,Fig.6). Paso 4: Mantenemos la punta negra en la base y colocamos la roja en el colector, la aguja no debe de moverse (esquema 4,Fig.6). TRANSISTOR PNP

Figura 1. Transistor tipo NPN (2N3904)

Figura 2. Especicaciones mximas absolutas

Figura 3. Transistor tipo PNP (2N3906)

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Para probar un transistor PNP: Paso 1: Colocamos la punta negativa en la base del transistor y la punta roja en el emisor, la aguja debe de subir (esquema 5,g.6). Paso 2: Ahora, manteniendo la aguja negra en la base, colocamos la roja en el colector, la aguja debe de subir (esquema 6,g.6). Paso 3: Al igual que con la prueba del transistor NPN (Paso 3), colocamos la punta roja en la base y la punta negra en el emisor, la aguja no debe de subir (esquema 7,g.6). Paso 4: Procedemos a colocar la punta negra en el colector, manteniendo la roja en la base, la aguja no debe de subir.(esquema 8,g.6)

2 pines, si este fuera el caso el transistor es NPN. Si es lo contrario, el transistor es un PNP. Ya sabemos cul es la base, pero ignoramos cual es el colector y el emisor. Para saberlo hacemos lo siguiente: Vamos a localizar el emisor y colocamos la escala ms del multmetro. Si el transistor fuera un NPN, colocamos la punta roja en el supuesto emisor (tomemos en cuenta que ya hemos localizado la base y no debemos de tomarla en cuenta para esta prueba), Tenemos a punto el transistor para conducir en polarizacin ja si se le colocara un resistor entre la base y el colector. La prueba consiste en colocar nuestros dedos como polarizadores. Uno de nuestros dedos debe de tocarla base y otro debe de tocar el pin en el cual est conectada la punta negra, si la aguja deexiona, el emisor ser el que tenga la punta roja.

Figura 6. Determinacin del tipo de un transistor mediante un multmetro El comportamiento de ambos transistores ( NPN y PNP ) son similares, con la diferencia que se invierten las puntas roja y negra en la base para las pruebas. En los transistores de germanio la resistencia inversa de las junturas no es tan alta como en el caso de los de silicio, por esta razn, al momento de llevase a cabo la medicin, la aguja podra sufrir una pequea deexin. Hechas las pruebas anteriores, se debe de vericar que no haya cortocircuito entre el colector y el emisor, esto se debe de hacer colocando la punta roja en el colector y la negra en el emisor, luego invertir las puntas; en ambos casos no debe de haber deexin de la aguja del Multmetro. DETERMINACIN DE LOS PINES DE UN TRANSISTOR: Para determinar cules son los pines de un transistor, base, colector y emisor, utilizando un Multimetro procedemos: Paso 1: Se coloca la punta roja en un terminal cualquiera, y colocamos la punta negra, primero en uno y luego en el otro, en alguno de los pines la aguja subir (esquemas 1 y 2,Fig.7). Paso 2: Colocamos la punta roja en otro pin y volvemos a seguir lo hecho en el paso anterior (esquemas 3 y 4,g.7), la aguja no debera de subir en ninguno de los casos. Paso 3: Volvemos a colocar la punta roja en el pin que sigue, al colocar la punta en el primer pin, la aguja no debera de subir, y en cambio debera de hacerlo en el siguiente pin.(esquemas 5 y 6,g.7) Bien, aclaremos ahora, la base ser aquella en que la aguja haya subido al colocar la otra punta en los otros 2 pines alternativamente; puede ser que la punta roja estuviera en ese momento ja y que con la negra midiramos los otros

Figura 7. Determinacin de los pines de un transistor mediante un multmetro

III-C. Realizar el clculo de voltajes y corrientes de polarizacin de los circuitos de las guras 1,2 y 3.( =100)

Figura 8. Primer circuito propuesto VCC VBE RB + ( + 1) RE 15 0,7 IB = = 71,14[A] 100k + (101) 1k IB = IC = IB = 100 (71,14) = 7,114[mA] IE = IB + IC = 71,14[A] + 7,114[mA] = 7,185[mA] VC = VCC IC RC = 15 (7,114mA 2,2k ) = 0,65[V ] VB = VCC IB RB = 15 (71,14uA 100k ) = 7,88[V ] VE = IE RE = 7,185[mA] 1k = 7,185[V ] VCC 2,2k IC VCE 1k IE = 0 VCE = 15 2,2k (7,114mA) 1k (7,185mA) = 7,835[V ]

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III-D. Realizar el anlisis y cambios que se requieran para polarizar los circuitos del literal 3 utilizando un transistor PNP 2N3906. De igual manera que el literal 3 realizar los respectivos calculos de los voltajes y corrientes de polarizacin.

R1

Figura 9. Segundo circuito propuesto

R2 100k Q1

2.2k

V1 15Vdc Q2N3906

Sabemosque : VBE = 0,7[V ], VCC = 15[V ], VBB = 10[V ] VBB VBE IB = RB + ( + 1) RE 10 0,7 IB = = 42,04[A] 100k + (101) 1,2k IC = IB = 100 (42,04) = 4,204[mA] IE = IB + IC = 42,04[A] + 4,204[mA] = 4,24[mA] VE = IE RE = 4,24[mA] 1,2k = 5,088[V ] VB = VBE + VE = 0,7[V ] + 5,088[V ] = 5,788[V ] VCC 1,5k IC VCE 1,2k IE = 0 VCE = 15 1,5k (4,204mA) 1,2k (4,24mA) = 3,06[V ] VC = VCE + VE = 3,06 + 5,088 = 8,14[V ]

R3 1k

Figura 11. Cuarto circuito propuesto(2N3906)

IB =

VCC VBE RB + ( + 1) RE 15 0,7 IB = = 78,11[A] 100k + (101) 1k IC = IB = 100 (78,11) = 7,811[mA] IE = IB + IC = 78,11[A] 7,811[mA] = 7,89[mA] VC = VCC IC RC = 15 (7,811mA 2,2k ) = 2,1842[V ] VB = VCC IB RB = 15 (78,11uA 100k ) = 7,189[V ] VE = IE RE = 7,89[mA] 1k = 7,89[V ] VCC 2,2k IC VCE 1k IE = 0 VCE = 15 2,2k (7,811mA) 1k (7,89mA) = 10,0742[V ]

Figura 10. Tercer circuito propuesto

R2 1.5k

R3 2,2k VB = VCC = (15) = 2,7[V ] R1 + R3 2,2k + 10k VE = VB VBE = 2,7 0,7 = 2[V ] IE = VE /RE = 2/1k = 2[mA] 100 IC = IE = (2mA) = 1,98[mA] +1 101 IC 1,98mA IB = = = 19,8[A] 100 VCE = 15 3,3k (1,98mA) 1k (2mA) = 6,466[V ]

R1 100k

Q1

V2 15Vdc Q2N3906

V1 10Vdc

R3 1.2k

Figura 12. Quinto circuito propuesto(2N3906)

VC = VCE + VE = 8,466[V ]

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Sabemos que : VBE = 0,7[V ], VCC = 15[V ], VBB = 10[V ] IB = VBB VBE RB + ( + 1) RE 10 0,7 IB = = 48,37[A] 100k + (101) 1,2k IC = IB = 100 (48,37) = 4,83[mA] IE = IB + IC = 48,37[A] 4,83[mA] = 4,88[mA] VE = IE RE = 4,88[mA] 1,2k = 5,85[V ] VB = VBE + VE = 0,7[V ] 5,85[V ] = 5,15[V ] VCC 1,5k IC VCE 1,2k IE = 0 VCE = 15 1,5k (4,83mA) 1,2k (4,88mA) = 1,9[V ] VC = VCE + VE = 1,9 5,85 = 7,75[V ]

III-E. Realizar y presentar las simulaciones de cada uno de los circuitos tanto del literal 3 como del literal 4 LITERAL 3
15.00V 95.77uA R2 100k R1 4.618mA 2.2k 4.840V Q1 4.618mA 15Vdc 5.423V 95.77uA Q2N3904 -4.714mA 4.714V 4.714mA R3 1k 0V 4.714mA V1

Figura 14.Simulacion del primer circuito propuesto

5.041mA 15.00V R2 1.5k

32.03uA R1 32.03uA 100k 10.00V V1 10Vdc 32.03uA 0V 6.797V

7.438V Q1 5.041mA Q2N3904 15Vdc

V2

5.041mA

-5.073mA 6.088V 5.073mA R3 1.2k

R1 10k

R2 3.3k

Figura 15.Simulacion del segundo circuito propuesto

V1 15Vdc
1.987mA 15.00V R2 3.3k

Q1

R3 2.2k

Q2N3906

1.232mA R1 10k 2.682V 12.91uA Q1

8.444V 15Vdc 1.987mA

V1

R4 1k

1.219mA R3 2.2k -2.000mA R4 1k Q2N3904 2.000V 2.000mA

3.219mA

0V

Figura 13. Sexto circuito propuesto(2N3906)

Figura 16.Simulacion del tercer circuito propuesto

R3 2,2k VB = VCC = (15) = 2,7[V ] R1 + R3 2,2k + 10k VE = VB VBE = 2,7 0,7 = 3,4[V ] IE = VE /RE = 3,4/1k = 3,4[mA] 100 IC = IE = (3,4mA) = 3,36[mA] +1 101 IC 3,36mA IB = = = 33,66[A] 100 VCE = 15 (3,3k (3,36mA)) (1k (3,4mA)) = 0,512[V ] VC = VCE + VE = (0,512 3,4)[V ] = 3,912[V ]

LITERAL 4
-15.00V R1 2.2k R2 100k -4.811V Q1 -4.631mA Q2N3906 4.726mA -4.726V R3 1k 4.726mA 0V 4.631mA 4.726mA V1 15Vdc

95.23uA

-5.477V -95.23uA

Figura 17.Simulacion del cuarto circuito propuesto(2N3906)

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-15.00V R2 1.5k -5.172mA R1 100k -10.00V 5.202mA V1 10Vdc 0V -6.243V R3 1.2k 5.202mA -6.993V 30.07uA Q2N3906 Q1 -30.07uA 5.172mA -7.241V V2 15Vdc

Figura 18.Simulacion del quinto circuito propuesto(2N3906)

-15.00V R1 10k 1.231mA -2.690V -8.445uA R3 2.2k Q1 R2 3.3k 1.965mA -8.517V -1.965mA Q2N3906 1.973mA 1.223mA R4 1k 1.973mA 0V V1 15Vdc

-1.973V

Figura 19.Simulacion del sexto circuito propuesto(2N3906)

III-F. Consultar e incluir como anexo la historia y evolucin del transistor, as como sus aplicaciones. ANEXOS Historia e invencin del transistor http://cyt-ar.com.ar/cyt-ar/index.php/Invenci%C3%B3n_del_ transistor Algunas aplicaciones de los transistores http://www.viasatelital.com/proyectos_electronicos/ aplicaciones_transistor.htm IV. CONCLUSIONES

Se concluye que sin importar el tipo de conguracin en el que se utilice un transistor, las relaciones bsicas entre las corrientes son siempre las mismas y el voltaje baseemisor es el valor de umbral si el transistor se encuentra en estado de encendido. Para la mayora de las conguraciones, el anlisis de DC inicia con la determinacin con la corriente de la base. Se determin el tipo y los terminales de un transistor mediante la utilizacin de un multmetro. Se analiz las caracteristicas de los transistores 2N3904 y 2N3906, V. BIBLIOGRAFIA R EFERENCIAS
[1] R. Boylestad and L. Nashelsky, Electrnica:Teoria de circuitos y dispositivos electrrnicos 10ma ed. Prentice Hall, 2009. [2] Thomas L. Floyd, Dispositivos Electrnicos, Octava Edicin, Pearson Educacin; Mxico 2008. [3] http://roble.pntic.mec.es/jlop0164/transistortipos.html