Vous êtes sur la page 1sur 57

Escuelas Tcnicas de Ingenieros Universidad de Vigo Departamento de Tecnologa Electrnica

Electrnica Digital: Unidades de memoria digitales

SISTEMAS ELECTRNICOS DIGITALES


BLOQUE 1 UNIDADES DE MEMORIA DIGITALES (PARTE 1)

Enrique Mandado Prez Mara Jos Moure Rodrguez

Escuelas Tcnicas de Ingenieros Universidad de Vigo Departamento de Tecnologa Electrnica

Electrnica Digital: Unidades de memoria digitales

DEFINICIN DE UNIDAD DE MEMORIA

Conjunto de elementos capaces de memorizar el nivel de una variable binaria (Bit), que estn agrupados en posiciones de tal manera que solamente es posible introducir informacin o leer la que contienen simultneamente un nmero reducido de ellas.

Escuelas Tcnicas de Ingenieros Universidad de Vigo Departamento de Tecnologa Electrnica

Electrnica Digital: Unidades de memoria digitales

PARMETROS CARACTERSTICOS DE UNA MEMORIA


La Capacidad que es la cantidad de informacin que se puede almacenar en ella. La Forma en la que se accede a la informacin. Depende de la forma en la que presenta la informacin a su entrada el sistema que almacena informacin en ella, as como de la forma en que debe recibir la informacin el sistema que tiene que leer su contenido. Las Caractersticas tecnolgicas de los elementos electrnicos utilizados para memorizar las variables digitales. La Estructura interna que establece la relacin entre los elementos que constituyen la memoria.

Escuelas Tcnicas de Ingenieros Universidad de Vigo Departamento de Tecnologa Electrnica

Electrnica Digital: Unidades de memoria digitales

CAPACIDAD DE UNA MEMORIA


Cantidad de informacin que puede almacenar. Se mide en la unidad de medida de informacin en el sistema binario, que es el bit. En general, la informacin se almacena en grupos de bits denominados posiciones o palabras formadas por un cierto nmero n1, de bits accesibles simultneamente. El nmero de palabras o posiciones de una memoria es el cociente N/n1= m, en la que m debe ser una potencia de dos. DIRECCIONAMIENTO (ADDRESSING) DE UNA POSICIN Seleccin de una determinada posicin de memoria para introducir informacin en ella o leer la que contiene. El nmero de variables binarias necesarias para poder seleccionar m posiciones es n, tal que 2n= m.

Escuelas Tcnicas de Ingenieros Universidad de Vigo Departamento de Tecnologa Electrnica

Electrnica Digital: Unidades de memoria digitales

CAPACIDAD DE UNA MEMORIA


MEDIDA DE LA CAPACIDAD DE UNA MEMORIA
Dado que la base 10 (elegida por los rabes) no es una potencia de 2 no es posible utilizar el sistema mtrico decimal de forma directa. Por ello la capacidad de una memoria se mide asignando el concepto 1000 (K) a la potencia de 2 ms prxima a 1000, que es 1024. Para seleccionar 1024 posiciones se necesitan 10 bits, dado que 210 = 1024. De todo lo expresado se deduce que la capacidad en K de una memoria seleccionada mediante n2 variables es 2n2 -10. Por ejemplo si n2 = 14 la memoria tiene una capacidad de 16 k. El nmero total de posiciones de una memoria de nK es n 1024. Por ejemplo una memoria de 32K posee 321024 = 32.798 posiciones. De forma similar se define el mega (M) como la potencia de dos ms prxima a un milln, que es 10241024 = 1.048.576 y el giga como la potencia de dos mas prxima a mil millones.

Escuelas Tcnicas de Ingenieros Universidad de Vigo Departamento de Tecnologa Electrnica

Electrnica Digital: Unidades de memoria digitales

CAPACIDAD DE UNA MEMORIA


CAPACIDAD TOTAL DE UNA MEMORIA Se debe indicar mediante el nmero de posiciones y el nmero de bits de cada posicin. EJEMPLO Una memoria de 32K16 posee 32.768 posiciones de 16 bits cada una y su capacidad total es N = 32.768 16 = 524.288 bits. Es tambin usual que la capacidad de una memoria se mida en octetos (bytes) que son grupos de 8 bits. Cuando se hace as, una memoria de 512 K por ejemplo posee 51210248 = 4.194.304 bits.

Escuelas Tcnicas de Ingenieros Universidad de Vigo Departamento de Tecnologa Electrnica

Electrnica Digital: Unidades de memoria digitales

UNIDADES DE MEMORIA
MEMORIAS DE SEMICONDUCTORES

Segn la forma de acceder a la informacin

Segn la tecnologa de los elementos de memoria

Segn la estructura fsica

Acceso directo

Acceso secuencial

Elementos voltiles Segn la permanencia

Elementos no voltiles

Estructura aleatoria De acuerdo con la forma de realizar las operaciones de escritura y lectura Escritura y lectura no simultneas

Estructura serie

Acceso por el contenido

Programables por mscara Programables

Ferroelctricos

Bit a Bit

Posicin a posicin

Elementos estticos

Elementos dinmicos

Reprogramables MOS de puerta flotante

Fusibles

Antifusibles Borrables mediante rayos ultravioleta

Acceso mltiple

Borrables elctricamente de espesor del aislante reducido

Escritura y lectura simultneas

Borrables elctricamente por efecto tnel

Escuelas Tcnicas de Ingenieros Universidad de Vigo Departamento de Tecnologa Electrnica

Electrnica Digital: Unidades de memoria digitales

FORMA DE ACCESO A LA INFORMACIN


La accin de introducir informacin (escribir) en una posicin de la memoria o leer la que contiene se denomina acceder a la misma. Formas de acceder a una posicin:
- Memorias de acceso directo (Direct Access Memories)

- Memorias de acceso secuencial (Sequential Access Memories)

- Memorias asociativas (Content Addressable Memories) (CAM)

Escuelas Tcnicas de Ingenieros Universidad de Vigo Departamento de Tecnologa Electrnica

Electrnica Digital: Unidades de memoria digitales

MEMORIAS DE ACCESO DIRECTO (DIRECT ACCESS MEMORIES)


Memorias en las que es posible especificar una posicin o un conjunto de posiciones para leer su informacin o escribir en ellas.
Variables de direccin Entrada de informacin Seales de control n2 n1 m MEMORIA DE ACCESO DIRECTO n1 Salida de informacin

Escuelas Tcnicas de Ingenieros Universidad de Vigo Departamento de Tecnologa Electrnica

Electrnica Digital: Unidades de memoria digitales

MEMORIAS DE ACCESO SECUENCIAL


Memorias en las que no se especifica la direccin de la informacin sino que, en cada instante, se introduce la informacin situada en los terminales de entrada, en la posicin de la memoria conectada a la misma o se lee la situada en la posicin conectada a los terminales de salida.
Entrada de informacin n1 MEMORIA DE ACCESO Seales de control m SECUENCIAL n1 Salida de informacin

Escuelas Tcnicas de Ingenieros Universidad de Vigo Departamento de Tecnologa Electrnica

Electrnica Digital: Unidades de memoria digitales

MEMORIAS ASOCIATIVAS (CONTENT ADDRESSABLE MEMORIES) (CAM)


La bsqueda de informacin en la operacin de lectura no se realiza indicando una direccin y leyendo su contenido, sino que se suministra la informacin a la memoria para observar si sta la contiene en alguna de sus posiciones. Es adecuada para el almacenamiento de determinados tipos de organizaciones de los datos. Por ejemplo, una tabla de clientes con su direccin como dato asociado se debe organizar en forma asociativa para que al presentar a la memoria el nombre de un cliente, sta d a la salida su direccin. Se pueden escribir aleatoriamente.
Variables de direccin Entrada de informacin Seales de control n2 n1 m MEMORIA ASOCIATIVA n1 Salida de informacin

Escuelas Tcnicas de Ingenieros Universidad de Vigo Departamento de Tecnologa Electrnica

Electrnica Digital: Unidades de memoria digitales

MEMORIAS DE SEMICONDUCTORES

Segn la forma de acceder a la informacin

Segn la tecnologa de los elementos de memoria

Segn la estructura fsica

Acceso directo

Acceso secuencial

Elementos voltiles Segn la permanencia

Elementos no voltiles

Estructura aleatoria De acuerdo con la forma de realizar las operaciones de escritura y lectura Escritura y lectura no simultneas

Estructura serie

Acceso por el contenido

Programables por mscara Programables

Ferroelctricos

Bit a Bit

Posicin a posicin

Elementos estticos

Elementos dinmicos

Reprogramables MOS de puerta flotante

Fusibles

Antifusibles Borrables mediante rayos ultravioleta

Acceso mltiple

Borrables elctricamente de espesor del aislante reducido

Escritura y lectura simultneas

Borrables elctricamente por efecto tnel

Escuelas Tcnicas de Ingenieros Universidad de Vigo Departamento de Tecnologa Electrnica

Electrnica Digital: Unidades de memoria digitales

ELEMENTO DE MEMORIA (MEMORY CELL)


Un elemento o celda de memoria est formado por uno o varios dispositivos electrnicos capaces de memorizar una variable binaria. Se han desarrollado diversos principios fsicos que dan lugar a celdas de memoria que se diferencian por: - La permanencia de la informacin - La duracin de la informacin

Escuelas Tcnicas de Ingenieros Universidad de Vigo Departamento de Tecnologa Electrnica

Electrnica Digital: Unidades de memoria digitales

ELEMENTO DE MEMORIA (MEMORY CELL)


PERMANENCIA DE LA INFORMACIN Recibe tambin la denominacin de volatilidad (Volatility). Es la propiedad que tiene un elemento de memoria de mantener o no la informacin almacenada en l al dejar de aplicarle la tensin de alimentacin. Se dice que no es voltil el elemento de memoria que la mantiene y que es voltil el que, por el contrario, la pierde.

Escuelas Tcnicas de Ingenieros Universidad de Vigo Departamento de Tecnologa Electrnica

Electrnica Digital: Unidades de memoria digitales

ELEMENTO DE MEMORIA (MEMORY CELL)


DURACIN DE LA MEMORIZACIN Tiempo mximo que transcurre desde que se introduce la informacin en el elemento de memoria hasta que ste la pierde aunque la tensin de alimentacin se mantenga de forma indefinida. Esta caracterstica se aplica solo a los elementos de memoria voltiles, que, de acuerdo con ella, pueden ser: - Elementos estticos (Static memory cells) - Elementos dinmicos (Dynamic memory cells)

Escuelas Tcnicas de Ingenieros Universidad de Vigo Departamento de Tecnologa Electrnica

Electrnica Digital: Unidades de memoria digitales

ELEMENTOS DE MEMORIA VOLTILES ESTTICOS


BIESTABLES R-S ACTIVADOS POR NIVELES (R-S LATCH)
Debido a su gran simplicidad constituyen el elemento de memoria voltil esttico ms utilizado tanto en tecnologas bipolares como MOS. Mantienen indefinidamente la informacin mientras se les aplica la tensin de +VDD alimentacin. +V
CC

T3

T4

R1

R2

T1

T2 Q Q Entrada/salida de informacin

T1

T2 Q Q Entrada/salida de informacin

Escuelas Tcnicas de Ingenieros Universidad de Vigo Departamento de Tecnologa Electrnica

Electrnica Digital: Unidades de memoria digitales

ELEMENTOS DE MEMORIA VOLTILES DINMICOS


Los transistores MOS se caracterizan por tener una impedancia prcticamente capacitiva entre la puerta y el surtidor o el drenador. Se puede utilizar dicha capacidad como elemento de memoria, que retiene la informacin durante algunos ms. Con estos elementos se implementan memorias de acceso directo, de acceso secuencial y de acceso directo/secuencial (Memorias circulares).
Lnea de entrada/salida de informacin

Lnea de seleccin T C

Escuelas Tcnicas de Ingenieros Universidad de Vigo Departamento de Tecnologa Electrnica

Electrnica Digital: Unidades de memoria digitales

ELEMENTOS DE MEMORIA NO VOLTILES


Los elementos de memoria no voltiles pueden ser: - REPROGRAMABLES - Transistores MOS que poseen una puerta metlica flotante (Floating gate) situada en el interior del aislante entre el sustrato y la puerta de control. - Elementos ferroelctricos - NO REPROGRAMABLES - Por mscara (Mask programmable) - Fusibles (Fuse) - Antifusibles (Antifuse) - OTP (One Time Programmable)

Escuelas Tcnicas de Ingenieros Universidad de Vigo Departamento de Tecnologa Electrnica

Electrnica Digital: Unidades de memoria digitales

ELEMENTOS DE MEMORIA NO VOLTILES


ELEMENTOS REPROGRAMABLES BASADOS EN TRANSISTORES MOS DE PUERTA FLOTANTE BORRABLES CON RAYOS ULTRAVIOLETA
G Puerta de control Puerta flotante Aislante (Si O 2)

Transistor MOS de puerta flotante al que se le aplican tensiones mayores que las normales, tanto entre drenador y surtidor como entre puerta y surtidor, durante el proceso de programacin. Se utilizan para implementar memorias pasivas programables elctricamente denominadas EPROM

n+

Canal

n+

(Erasable Programmable Read Only Memories)

Escuelas Tcnicas de Ingenieros Universidad de Vigo Departamento de Tecnologa Electrnica

Electrnica Digital: Unidades de memoria digitales

ELEMENTOS DE MEMORIA NO VOLTILES


ELEMENTOS REPROGRAMABLES BASADOS EN TRANSISTORES MOS DE PUERTA FLOTANTE BORRABLES CON IMPULSOS ELCTRICOS G
Transistor MOS de puerta flotante que posee una pequea regin tnel que permite que los electrones se muevan en ambas direcciones. La zona en la que se produce el efecto tnel es crtica y por ello la lectura del estado del transistor FLOTOX no se puede realizar aplicando a dicha zona la tensin de trabajo, sino que hay que seleccionarlo mediante un transistor MOS de puerta no aislada (EEPROM).
S Puerta de control Puerta flotante Aislante (Si O 2) Regin tnel Canal D

n+

n+

Escuelas Tcnicas de Ingenieros Universidad de Vigo Departamento de Tecnologa Electrnica

Electrnica Digital: Unidades de memoria digitales

ELEMENTOS DE MEMORIA NO VOLTILES


ELEMENTOS REPROGRAMABLES BASADOS EN TRANSISTORES MOS BORRABLES DE PUERTA FLOTANTE Y ESPESOR DEL AISLANTE REDUCIDO
Esto hace que se puedan extraer los electrones mediante la aplicacin de una tensin de polaridad opuesta a la de programacin (FLASH).
G

VG = Vpp
D
S

Puerta de control Puerta flotante

VD Vpp

VS = Vpp

Puerta de control Puerta flotante

(Si O 2) Canal

Aislante (Si O 2) Canal

Surtidor n+ Tipo p Sustrato

Drenador n+

Surtidor n+ Tipo p

Drenador n+

Sustrato

Escuelas Tcnicas de Ingenieros Universidad de Vigo Departamento de Tecnologa Electrnica

Electrnica Digital: Unidades de memoria digitales

ELEMENTOS DE MEMORIA NO VOLTILES


ELEMENTOS REPROGRAMABLES BASADOS EN MATERIALES FERROELCTRICOS

P Ps E -Pc

Pr

Condensador ferroelctrico

Escuelas Tcnicas de Ingenieros Universidad de Vigo Departamento de Tecnologa Electrnica

Electrnica Digital: Unidades de memoria digitales

ELEMENTOS DE MEMORIA NO VOLTILES


ELEMENTOS NO REPROGRAMABLES ELEMENTO PROGRAMABLE POR MSCARA (Mask programmable)
Los transistores MOS no conducen, aunque se les aplique la tensin nominal a su puerta, cuando tienen un espesor del aislante situado entre la puerta y el canal superior a un determinado valor. Los transistores MOS almacenan un cero o un uno segn el espesor que se le de a dicho aislante al fabricar el circuito integrado.
Lnea de lectura

Lnea de seleccin T

Espesor elevado o normal

Escuelas Tcnicas de Ingenieros Universidad de Vigo Departamento de Tecnologa Electrnica

Electrnica Digital: Unidades de memoria digitales

ELEMENTOS DE MEMORIA NO VOLTILES ELEMENTOS NO REPROGRAMABLES


FUSIBLE Elemento de memoria formado por un transistor NPN y un diodo conectado en serie con su unin base-emisor. Si se eleva la tensin VCC cuando se aplica la corriente a la unin base-emisor del transistor, la corriente que pasa a travs del diodo es excesiva y su unin P-N se pone en circuito abierto. Por ello se le llama fusible (Fuse). Ya no se utiliza.
+VCC

Lnea de seleccin

T Diodo

Salida de informacin

Escuelas Tcnicas de Ingenieros Universidad de Vigo Departamento de Tecnologa Electrnica

Electrnica Digital: Unidades de memoria digitales

FUSIBLE

Escuelas Tcnicas de Ingenieros Universidad de Vigo Departamento de Tecnologa Electrnica

Electrnica Digital: Unidades de memoria digitales

ELEMENTOS DE MEMORIA NO VOLTILES


ELEMENTOS NO REPROGRAMABLES ANTIFUSIBLE Elemento de memoria constituido por dos zonas conductoras separadas por un aislante de impedancia muy alta. Al aplicar una tensin elevada entre las dos zonas conductoras el aislante se convierte en conductor y pasa a tener una impedancia baja. Esta situacin es irreversible y por ello el elemento no es reprogramable. Adems su comportamiento es inverso al de un fusible y por ello se le denomina antifusible (Antifuse).
Punto de ruptura Metal
Punto de ruptura

Metalmetal

Si O 2 Metal Si O 2

Polisicilio

De dielctrico

Nitruro N+

xido

Escuelas Tcnicas de Ingenieros Universidad de Vigo Departamento de Tecnologa Electrnica

Electrnica Digital: Unidades de memoria digitales

ELEMENTOS DE MEMORIA NO VOLTILES


PROGRAMABLE UNA SOLA VEZ (ONE TIME PROGRAMMABLE) [OTP] Se utiliza principalmente (en principio exclusivamente) para hacer referencia a los dispositivos de memoria implementados con transistores MOS borrables con rayos ultravioleta que se colocan en una cpsula que carece de ventana lo que hace que solo se puedan programar una vez porque no se les pueden aplicar los citados rayos.

Escuelas Tcnicas de Ingenieros Universidad de Vigo Departamento de Tecnologa Electrnica

Electrnica Digital: Unidades de memoria digitales

MEMORIAS DE SEMICONDUCTORES

Segn la forma de acceder a la informacin

Segn la tecnologa de los elementos de memoria

Segn la estructura fsica

Acceso directo

Acceso secuencial

Elementos voltiles Segn la permanencia

Elementos no voltiles

Estructura aleatoria De acuerdo con la forma de realizar las operaciones de escritura y lectura Escritura y lectura no simultneas

Estructura serie

Acceso por el contenido

Programables por mscara Programables

Ferroelctricos

Bit a Bit

Posicin a posicin

Elementos estticos

Elementos dinmicos

Reprogramables MOS de puerta flotante

Fusibles

Antifusibles Borrables mediante rayos ultravioleta

Acceso mltiple

Borrables elctricamente de espesor del aislante reducido

Escritura y lectura simultneas

Borrables elctricamente por efecto tnel

Escuelas Tcnicas de Ingenieros Universidad de Vigo Departamento de Tecnologa Electrnica

Electrnica Digital: Unidades de memoria digitales

ESTRUCTURA INTERNA DE UNA MEMORIA


Forma en la que se conectan entre s las diferentes posiciones. Es el concepto ms importante de las memorias implementadas con semiconductores. De acuerdo con su estructura, las memorias se pueden clasificar en: - Memorias de estructura interna aleatoria. - Memorias de estructura interna serie.

Escuelas Tcnicas de Ingenieros Universidad de Vigo Departamento de Tecnologa Electrnica

Electrnica Digital: Unidades de memoria digitales

ESTRUCTURA INTERNA DE UNA MEMORIA


MEMORIAS DE ESTRUCTURA INTERNA ALEATORIA Son las nicas que se deberan denominar RAM (Random Access Memories). Poseen un conjunto de variables de direccin (Address) que permiten seleccionar cualquier posicin de la misma. El tiempo que se tarda en leer el contenido de una posicin o en escribir en ella, a partir del instante en el que se presenta la direccin en los terminales correspondientes, es el mismo para todas las posiciones de la memoria. Por lo tanto, una memoria de estructura interna aleatoria es por s misma una memoria de acceso directo en la que el tiempo de acceso a cualquier posicin es el mismo independientemente de su situacin. Por ello a este tipo de memorias se las suele denominar simplemente MEMORIAS DE ACCESO ALEATORIO.

Escuelas Tcnicas de Ingenieros Universidad de Vigo Departamento de Tecnologa Electrnica

Electrnica Digital: Unidades de memoria digitales

ESTRUCTURA INTERNA DE UNA MEMORIA


MEMORIAS DE ACCESO ALEATORIO
Activas Voltiles No voltiles Pasivas Segn la forma de realizar las operaciones de escritura y lectura Escritura y lectura no simultneas
MULTIPUERTO

Clasificacin de las memorias de acceso aleatorio

Segn la volatilidad

Escritura y lectura simultneas Acceso mltiple

Escuelas Tcnicas de Ingenieros Universidad de Vigo Departamento de Tecnologa Electrnica

Electrnica Digital: Unidades de memoria digitales

ESTRUCTURA INTERNA DE UNA MEMORIA


MEMORIAS DE ACCESO ALEATORIO MEMORIA DE ACCESO ALEATORIO DE ESCRITURA Y LECTURA NO SIMULTNEAS
Variables de direccin (Address variables) Seales de control (Control signals) n2 n RAM A
0 2 2 -1
n

Terminales de entrada n1 de informacin (Input pins)

n1

Terminales de salida de informacin (Output pins)

Escuelas Tcnicas de Ingenieros Universidad de Vigo Departamento de Tecnologa Electrnica

Electrnica Digital: Unidades de memoria digitales

ESTRUCTURA INTERNA DE UNA MEMORIA


MEMORIAS DE ACCESO ALEATORIO
TIEMPO DE ACCESO
Direccin estable Variables de direccin (Address variables)

Seales de control (Control signals) en estado de lectura Informacin = 1 Informacin = 0 t acceso Terminales de salida de informacin (Output pins)

Escuelas Tcnicas de Ingenieros Universidad de Vigo Departamento de Tecnologa Electrnica

Electrnica Digital: Unidades de memoria digitales

ESTRUCTURA INTERNA DE UNA MEMORIA


MEMORIAS DE ACCESO ALEATORIO
TIEMPO DE CICLO

Direccin estable Variables de direccin (Address variables) t ciclo

Escuelas Tcnicas de Ingenieros Universidad de Vigo Departamento de Tecnologa Electrnica

Electrnica Digital: Unidades de memoria digitales

ESTRUCTURA INTERNA DE UNA MEMORIA


MEMORIAS DE ACCESO ALEATORIO
t escritura Informacin de entrada (Data input)

CICLO DE ESCRITURA

Variables de direccin (Address variables)

Seales de control (niveles de escritura)

Seal de control Impulso de escritura (Writing pulse) t establecimiento (t setup) t mantenimiento (t hold)

Escuelas Tcnicas de Ingenieros Universidad de Vigo Departamento de Tecnologa Electrnica

Electrnica Digital: Unidades de memoria digitales

ESTRUCTURA INTERNA DE UNA MEMORIA


MEMORIAS DE ACCESO ALEATORIO
Variables de direccin (Address variables) Seales de control (Control signals) n2 n3 RAM A
0 2 -1
n2

EN Terminales de entrada/salida (Input/Output pins) EN n1 n1 1 n1

MEMORIA DE ACCESO ALEATORIO CON TERMINALES COMUNES A LA ENTRADA Y A LA SALIDA

1 Seleccin de entrada/salida (Input/Output select)

EN

Escuelas Tcnicas de Ingenieros Universidad de Vigo Departamento de Tecnologa Electrnica

Electrnica Digital: Unidades de memoria digitales

ESTRUCTURA INTERNA DE UNA MEMORIA


MEMORIAS DE ACCESO ALEATORIO
Variables de direccin n2 (Address variables) n3-1 n3 Seales de control 1 Control signals) A
0
n

RAM

2 2 -1

Seleccin de entrada/salida (Input/Output select) A n1

Terminales de entrada/salida (Input/Output pins)

SMBOLO LGICO DE UNA MEMORIA DE ACCESO ALEATORIO CON TERMINALES COMUNES A LA ENTRADA Y A LA SALIDA

Escuelas Tcnicas de Ingenieros Universidad de Vigo Departamento de Tecnologa Electrnica

Electrnica Digital: Unidades de memoria digitales

ESTRUCTURA INTERNA DE UNA MEMORIA


MEMORIAS DE ACCESO ALEATORIO
Variables de direccin (Address variables) Seales de control (Control signals) n2 n3 RAM A
0 2 2 -1
n

EN Terminales de entrada/salida (Input/Output pins) EN n1 n1 1 n1

MEMORIA DE ACCESO ALEATORIO CON TERMINALES COMUNES A LA ENTRADA Y A LA SALIDA Y SALIDA TRIESTADO

1 Seleccin de entrada/salida (Input/Output select) Desinhibicin de salida [Output enable (OE)] &

EN

Escuelas Tcnicas de Ingenieros Universidad de Vigo Departamento de Tecnologa Electrnica

Electrnica Digital: Unidades de memoria digitales

ESTRUCTURA INTERNA DE UNA MEMORIA


MEMORIAS DE MEMORIAS DE ACCESO ALEATORIO
Variables de direccin (Address variables) Seales de control
Control signals)

n2 n3-2 1 1

0 2
n2

RAM
-1

n3

Seleccin de entrada/salida (Input/Output select) Desinhibicin de salida [Output enable (OE)]

EN

SMBOLO LGICO DE UNA MEMORIA DE ACCESO ALEATORIO CON TERMINALES COMUNES A LA ENTRADA Y A LA SALIDA Y SALIDA TRIESTADO

n1

Terminales de entrada/salida (Input/Output pins

Escuelas Tcnicas de Ingenieros Universidad de Vigo Departamento de Tecnologa Electrnica

Electrnica Digital: Unidades de memoria digitales

ESTRUCTURA INTERNA DE UNA MEMORIA


MEMORIAS DE MEMORIAS DE ACCESO ALEATORIO

ESQUEMA DE BLOQUES BSICO DE UNA MEMORIA DE ACCESO ALEATORIO


X/Y Variables de direccin (Address variables) n2 n1 n1

2n 2

CONJUNTO DE CELDAS DE MEMORIA

Salida (Output) Entrada (Input)

Escuelas Tcnicas de Ingenieros Universidad de Vigo Departamento de Tecnologa Electrnica

Electrnica Digital: Unidades de memoria digitales

ESTRUCTURA INTERNA DE UNA MEMORIA


MEMORIAS DE ACCESO ALEATORIO
0 1 CONJUNTO DE CELDAS DE MEMORIA (MEMORY CELLS) POSICIN 0 Bit 1 Bit 2 n1 Bit n1

POSICIN 1 Bit 1 Bit 2 n1 Bit n1

X/Y Variables de direccin (Address variables) n2

2n 2 - 1

POSICIN 2 n 2 - 1
Bit 1 Bit 2 n1 n1 Terminales de entrada/ salida de informacin Seales de control (Control signals) Bit n1

ORGANIZACIN 2D DE UNA MEMORIA DE ACCESO ALEATORIO (RAM)

Escuelas Tcnicas de Ingenieros Universidad de Vigo Departamento de Tecnologa Electrnica

Electrnica Digital: Unidades de memoria digitales

ESTRUCTURA INTERNA DE UNA MEMORIA


CONJUNTO DE CELDAS DE MEMORIA (MEMORY CELLS)

MEMORIAS DE ACCESO ALEATORIO


Variables de direccin (Address variables)

POSICIN 0 X/Y n2/2 0 1 Bit 1 Bit 2 n1


2n 2 / 2 -1

Bit n1

POSICIN 1 Bit Bit 2 n1 A otras posiciones Bit n1

X/Y n2/2

0 1

2n 2 / 2 -1

POSICIN 2 n 2 - 1

Bit 1

Bit 2 n1

Bit n1

ORGANIZACIN 3D DE UNA MEMORIA DE ACCESO ALEATORIO (RAM)

n1 Terminales de entrada/ salida de informacin Seales de control (Control signals)

Escuelas Tcnicas de Ingenieros Universidad de Vigo Departamento de Tecnologa Electrnica

Electrnica Digital: Unidades de memoria digitales

ESTRUCTURA INTERNA DE UNA MEMORIA


MEMORIAS DE ACCESO ALEATORIO
Variables de direccin (Address variables)

CONJUNTO DE CELDAS DE MEMORIA (MEMORY CELLS) POSICIN 0 X/Y n2/2 0 1 Bit 1 Bit 2 n1 Bit n1

2 n 2 /2 - 1
Bit 1

POSICIN 1 Bit 2 n1 Bit n1

POSICIN 2 n 2 /2 - 1
Bit 1 Bit 2 Bit n1

MUX

0 2 n 2 / 2 -1

EN 0 1

n2/2
Variables de entrada Impulso de escritura (WE) Seal de escritura/lectura (R/W) n1

DMUX
0 2
n2 / 2

n1 n1

n1

-1

&

POSICIN 2 n 2 /2
EN n1
Bit 1 Bit 2 Bit n1

Variables de salida

2 n 2 /2 - 1

A otras posiciones

n1

ORGANIZACIN 21/2D DE UNA MEMORIA DE ACCESO ALEATORIO (RAM)

POSICIN 2 n 2 - 1
Bit 1 Bit 2 Bit n1

n1

Escuelas Tcnicas de Ingenieros Universidad de Vigo Departamento de Tecnologa Electrnica

Electrnica Digital: Unidades de memoria digitales

ESTRUCTURA INTERNA DE UNA MEMORIA


FORMA DE REALIZAR LAS OPERACIONES DE ESCRITURA Y LECTURA DE UNA MEMORIA DE ACCESO ALEATORIO (RAM) De acuerdo con esta caracterstica las memorias de acceso aleatorio pueden ser: Memorias de escritura y lectura no simultneas (RAM) Memorias de escritura y lectura simultneas (Read while write memories) Memorias de acceso mltiple (Multi-port memories) Los dos ltimos tipos de memorias se suelen denominar multipuerto

Escuelas Tcnicas de Ingenieros Universidad de Vigo Departamento de Tecnologa Electrnica

Electrnica Digital: Unidades de memoria digitales

ESTRUCTURA INTERNA DE UNA MEMORIA


MEMORIAS DE ACCESO ALEATORIO (RAM) DE ESCRITURA Y LECTURA NO SIMULTNEAS Se caracterizan porque solo permiten leer el contenido de una posicin o escribir en ella en un determinado instante, pero no permiten la ejecucin simultnea de ambas acciones.
Variables de direccin n2 MEMORIA DE ACCESO ALEATORIO DE ESCRITURA Y LECTURA NO SIMULTNEAS

n1

Seales de control

Entrada/Salida de informacin

Escuelas Tcnicas de Ingenieros Universidad de Vigo Departamento de Tecnologa Electrnica

Electrnica Digital: Unidades de memoria digitales

ESTRUCTURA INTERNA DE UNA MEMORIA


MEMORIAS DE ACCESO ALEATORIO (RAM) DE ESCRITURA Y LECTURA SIMULTNEAS Permiten leer el contenido de una posicin mientras se escribe en otra (Read while write memories). Pueden ser de escritura y lectura simultneas en la misma posicin o en posiciones diferentes En la figura se representa el bloque funcionales de una memoria de escritura y lectura en la misma posicin.
Variables de direccin Entrada de informacin Seales de control n2 n1 m MEMORIA DE ACCESO ALEATORIO DE ESCRITURA Y LECTURA SIMULTNEAS EN LA MISMA POSICIN n1 Salida de informacin

Escuelas Tcnicas de Ingenieros Universidad de Vigo Departamento de Tecnologa Electrnica

Electrnica Digital: Unidades de memoria digitales

ESTRUCTURA INTERNA DE UNA MEMORIA MEMORIAS DE ACCESO ALEATORIO DE ESCRITURA Y LECTURA SIMULTNEAS
Permiten leer el contenido de una posicin mientras se escribe en otra (Read while write memories). Pueden ser de escritura y lectura simultneas en la misma posicin o en posiciones diferentes. En la figura se representa el bloque funcionales de una memoria de escritura y lectura en posiciones diferentes.
Direccin de lectura Direccin de escritura Entrada de informacin Seales de control n2 n2 n1 m MEMORIA DE ACCESO ALEATORIO DE ESCRITURA Y LECTURA SIMULTNEAS EN POSICIONES DIFERENTES n1 Salida de informacin

Escuelas Tcnicas de Ingenieros Universidad de Vigo Departamento de Tecnologa Electrnica

Electrnica Digital: Unidades de memoria digitales

ESTRUCTURA INTERNA DE UNA MEMORIA


CONJUNTO DE CELDAS DE MEMORIA (MEMORY CELLS) POSICIN 0 DEC 1
Direccin de escritura Impulso de escritura

n2

X/Y

0 1

Bit 1

Bit 2 n1

Bit n1
n1 1

n1

2n 2 -1

POSICIN 1 Bit Bit 2


n1

EN

Bit n1

DEC 2

Direccin de lectura Control de salida

n2

X/Y

0 1

n1

n1 n1 Terminales de salida

EN G
2n 2 -1

ESQUEMA DE BLOQUES DE UNA MEMORIA DE ACCESO ALEATORIO (RAM) DE ORGANIZACIN 2D DE LECTURA Y ESCRITURA SIMULTNEAS EN POSICIONES DIFERENTES

POSICIN 2 n 2 - 1
Bit 1 Bit 2
n1

Bit n1

n1 1

n1

n1

EN

Terminales de entrada

Escuelas Tcnicas de Ingenieros Universidad de Vigo Departamento de Tecnologa Electrnica

Electrnica Digital: Unidades de memoria digitales

ESTRUCTURA INTERNA DE UNA MEMORIA


MEMORIAS DE ACCESO ALEATORIO MLTIPLE En ellas se puede leer simultneamente el contenido de ms de una posicin (acceso mltiple en lectura), escribir simultneamente en ms de una posicin (acceso mltiple en escritura) o ambas acciones al mismo tiempo.
n2 Direcciones de lectura n2 n2 Direcciones de escritura Variables de entrada Seales de control n2 n1 n1 m MEMORIA DE ACCESO ALEATORIO MLTIPLE n1 n1 Variables de salida

Escuelas Tcnicas de Ingenieros Universidad de Vigo Departamento de Tecnologa Electrnica

Electrnica Digital: Unidades de memoria digitales

ESTRUCTURA INTERNA DE UNA MEMORIA


MEMORIAS DE ESTRUCTURA INTERNA SERIE Son memorias en las que los elementos estn conectados de tal manera que la salida de uno constituye la entrada de otro y as sucesivamente.

Entrada de D0 informacin

ELEMENTO DE MEMORIA

Q0 D1

ELEMENTO DE MEMORIA

Q1

Dn-2

ELEMENTO DE MEMORIA

Qn-2 Dn-1

ELEMENTO DE MEMORIA

Qn-1

Salida de informacin

Seales de control

Escuelas Tcnicas de Ingenieros Universidad de Vigo Departamento de Tecnologa Electrnica

Electrnica Digital: Unidades de memoria digitales

ESTRUCTURA INTERNA DE UNA MEMORIA


MEMORIAS DE ESTRUCTURA INTERNA SERIE
Se diferencian de las de estructura interna aleatoria en que el tiempo de acceso al contenido de una posicin depende de la situacin de la misma en el interior de la memoria. Para introducir informacin en una posicin hay que hacerla pasar por todas las que la preceden a partir de los terminales de entrada. Para leer el contenido de una posicin hay que hacer pasar su informacin por todas las que la siguen hasta alcanzar los terminales de salida. Se denominan MEMORIAS SERIE

Entrada de informacin Seales de control

MEMORIA SERIE

Salida de informacin

Escuelas Tcnicas de Ingenieros Universidad de Vigo Departamento de Tecnologa Electrnica

Electrnica Digital: Unidades de memoria digitales

ESTRUCTURA INTERNA DE UNA MEMORIA


MEMORIAS SERIE BLOQUE FUNCIONAL DE UNA MEMORIA SERIE DE UNA ORGANIZACIN EN SERIE BIT A BIT
Entrada de informacin Seales de control 1 MEMORIA SERIE 1 Salida de informacin

POSICIN 0 Entrada Bit 1 Bit 2 Bit n1 Bit 1

POSICIN 1 Bit 2 Bit n1 Bit 1

POSICIN 2 n 2 - 1
Bit 2 Bit n1 Salida

Escuelas Tcnicas de Ingenieros Universidad de Vigo Departamento de Tecnologa Electrnica

Electrnica Digital: Unidades de memoria digitales

ESTRUCTURA INTERNA DE UNA MEMORIA


MEMORIAS SERIE
1 MEMORIA SERIE 1

Entrada de informacin

1 MEMORIA SERIE 1 Salida de informacin

ESQUEMA DE BLOQUES Y BLOQUE FUNCIONAL DE UNA MEMORIA DE ORGANIZACIN SERIE POSICIN A POSICIN

1 MEMORIA Seales de control SERIE 1

Entrada de informacin Seales de control

n1 MEMORIA SERIE POSICIN A POSICIN n1 Salida de informacin

Escuelas Tcnicas de Ingenieros Universidad de Vigo Departamento de Tecnologa Electrnica

Electrnica Digital: Unidades de memoria digitales

ESTRUCTURA INTERNA DE UNA MEMORIA


MEMORIAS SERIE
POSICIN 0 Bit 1 Bit 2 Entrada de informacin POSICIN 1 Bit 1 Bit 2

ORGANIZACIN DE LA INFORMACIN EN SERIE POSICIN A POSICIN

Bit 1 Bit 2 Salida de informacin

Bit n1

Bit n1

Bit n1

Escuelas Tcnicas de Ingenieros Universidad de Vigo Departamento de Tecnologa Electrnica

Electrnica Digital: Unidades de memoria digitales

ESTRUCTURA INTERNA DE UNA MEMORIA


1 I1 Entrada de informacin 1 T1 C1 T2 C2 2 I2 1 Salida de informacin

CELDA BSICA DE UN REGISTRO DE DESPLAZAMIENTO DINMICO Y SEALES DE CONTROL

Informacin de entrada

Informacin de salida

Escuelas Tcnicas de Ingenieros Universidad de Vigo Departamento de Tecnologa Electrnica

Electrnica Digital: Unidades de memoria digitales

ESTRUCTURA INTERNA DE UNA MEMORIA


MEMORIA SERIE DINMICA

GENERACIN DE LAS SEALES DE CONTROL DE UN REGISTRO DE DESPLAZAMIENTO DINMICO

1 1J C1 1K & Q & 1 2

Escuelas Tcnicas de Ingenieros Universidad de Vigo Departamento de Tecnologa Electrnica

Electrnica Digital: Unidades de memoria digitales

ESTRUCTURA INTERNA DE UNA MEMORIA


MEMORIA SERIE DINMICA
SRG DINMICO G
1

1J C1 1K

& &

1 2

C1

1D

BLOQUE FUNCIONAL REGISTRO DE DESPLAZAMIENTO DINMICO