DIODOS EMISORES DE LUZ (LED)

El hecho de que las uniones pn puedan absorber luz y producir una corriente elctrica, se estudi anteriormente. Lo contrario tambin es posible; es decir, un diodo de unin puede emitir luz o tener electroluminiscencia(EMISIN DE LUZ POR UN SLIDO EXITADO POR UN CAMPO ELECTROSTATICO). Esta emisin de luz debida a la inyeccin de electrones en un semiconductor, es uno de los hechos ms notables en la tecnologa moderna de semiconductores. La luz emitida en este caso procede de la recombinacin electrn-hueco. Esto se ve claramente al considerar que cuando un electrn se recombina, cae desde un nivel sin ligadura, o de alta energa, a su estado neutro y se obtiene luz de una longitud de onda correspondiente a la diferencia de niveles de energa asociada con esta transicin. En los diodos emisores de luz de estado slido (LED), el suministro de electrones de mayor energa proviene de la polarizacin directa, inyectando as electrones en la regin n (y huecos en la regin p), como muestra la figura 68. Los huecos y electrones inyectados se recombinan con los portadores mayoritarios prximos a la unin. La radiacin por recombinacin es emitida en todas direcciones, observndose la mayor luz en la superficie superior porque el promedio de material entre la unin y esta superficie es mnimo. [La electroluminiscencia tambin ocurre en materiales de una pieza, o sin dopar, en condiciones de fuertes campos elctricos, sin embargo, una unin dopada tiene un rendimiento grande, lo que significa una generacin en exceso de electrones y huecos a niveles de energa apropiados].

(a)

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(b) Figura 72. Seccin de un diodo emisor de luz (LED). (a) Explicacin de funcionamiento. (b) construccin tpica. La Figura 73(a) es un diagrama de niveles de energa, que se emplea para describir la radiacin que tiene lugar en un LED. La multitud de cristales que se han empleado para construir LED se muestra en la Fig. 73(b). Se observar que varias de las sales de plomo empleadas en fotodetectores de infrarrojos tambin se emplean como emisores de luz electroluminiscentes. Realmente, en cualquier semiconductor con polarizacin directa, se producen transiciones radiativas o no, pero en muchos predomina esta ltima, o los fotones perdidos son tantos que no se observa ninguna radiacin exterior.

Materiales mas comunes para construir LEDs

Material --------- Banda de energa(eV) --Long. de onda(nm) ---Tipo de Transicin Germanio (Ge) Silicio (Si) GaAs GaP GaAs60P40 AlSb InSb 0.66 1.09 1.43 2.24 1.91 1.60 0.18 1880 1140 870 560 650 775 6900 Indirecto Indirecto Directo Indirecto Directo Indirecto Directo

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Figura 73. (a) Diagrama de niveles de energa para varios LED y las transiciones asociadas. (b) varios materiales cristalinos y la porcin del espectro en la cual emiten radiaciones. El GaAs es uno de los materiales ms antiguos y mejores para LED. Una de las ventajas principales del GaAs es que tiene una gran probabilidad de transicin directa radiactiva. Es decir, toda transicin directa es siempre de la banda de conduccin a la de valencia, A en la Fig. 73(a). As pues, la energa de radiacin en el GaAs es casi igual a la de la banda prohibida, es decir 1,4 eV (Tabla 6), lo cual corresponde a la longitud de onda de 885 nm. El GaP y el GaAsP se emplean para fabricar LED visibles y sus transiciones ms probables son B y C respectivamente, en la Fig. 73(a). El GaP es un semiconductor indirecto de poco rendimiento. Ocurre una transici6n indirecta cuando difieren los momentos del electrn y el hueco (momento = masa x velocidad). En este caso ocurre una transicin intermedia y la energa se pierde en forma de calor. Una mezcla de GaAs y GaP con 45 % de GaP es un material de banda directa con intervalo de energa de 1,97 eV, o longitud de onda de emisin de 630 nm. Cuando se aumenta la proporcin de GaP en un LED de GaAsP la longitud de onda disminuye. LEDs de GaAsP con GaP pueden fabricarse para emitir en cualquier Onda entre 550 nm y 910 nm (siendo 555 nm el pico de la respuesta del ojo).

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El material de construccin para LEDs es el GaAsP, a este material le podemos cambiar la relacin de impurezas(AsP) lo que permite diversas longitudes de onda(colores) sobre la base de la siguiente ecuacin Ga As1-X PX (x es una fraccin de mol), para x=1(verde), x=0.85(amarillo), x=0.40(rojo) y x=0(infrarrojo). El rendimiento cuntico del LED convencional de infrarrojos (fotones de salida por electrn de entrada) ha aumentado considerablemente, pero an es bajo. Puede aumentarse considerablemente trabajando en la regin del lser. La relacin entre la energa de luz visible a la energa elctrica de entrada para un LED, es menor de 1 %. (El rendimiento del GaAsP es mximo a 650 nm y cae a mayor o menor longitud de onda). Para tener una inyeccin luminiscente eficaz o un alto rendimiento de conversin de energa elctrica en energa de recombinacin, es necesario: (1) una buena alimentacin o inyeccin de portadores minoritarios, (2) un alto rendimiento de recombinacin radiativa, y (3) una elevada probabilidad de los fotones de escapar del LED. Para tener el mximo rendimiento de un LED, los fabricantes: 1. Utilizan los materiales menos absorbentes y de alto rendimiento directo con cristales lo menos defectuosos posible, de forma que los portadores o fotones no se pierdan en el sistema, atrapados en los defectos del cristal. 2. Colocan lentes con ndices de refraccin lo ms prximos posible al del material del LED, de forma que se refleje la menor luz posible hacia el interior cuando atraviesan la separacin LED-aire. 3. Trabajan en funcionamiento intermitente para eliminar problemas de Saturacin y temperatura. 4. Enfran los dispositivos para disminuir el nmero de transiciones no radiantes originadas por la dispersin de estados de energa cuando se aade energa trmica. La mayora de los LEDs tienen un encapsulado comercial de plstico con una lente directamente sobre la unin p-n. No todos los fotones generados por la unin salen de la superficie del LED, tres elementos separados disminuyen la cantidad de fotones emitidos. 1. Perdidas debidas a los materiales de construccin(GaAsP/GaAs =0.15, GaAsP/GaP =0.76). 2. Perdidas FRESNEL(en dos elementos con diferente ndice de refraccin una parte de la radiacin se refleja).

F =

( 2 )2 + 2

+ 1

3. Perdidas por ngulo critico. 2 C = 1

2

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La unin de todas las perdidas nos da:

optica = ABS . F C
Las ecuaciones anteriores se aplican cuantas veces sea necesario, es decir cuando el LED esta construido por varias capas hay perdidas entre cada cambio de ndice de refraccin y las perdidas se multiplican para encontrar el total. Con la figura 74 nos damos cuenta de la desviacin de los haces de luz y el ngulo critico segn el tipo de encapsulado.

Figura 74.

La figura 75 muestra la forma y caractersticas de un LED tpico de tipo T 1-3/4.

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Figura 75. LED tpico.

La intensidad de la iluminacin de un LED depende de la caracterstica de aumento de la lente del encapsulado como lo muestra la figura 76.

CURVA A x=0, FLUJO LUMINOSO = IV1 CURVA B x=r, FLUJO LUMINOSO = n2 IV1 CURVA C x > D/2, FLUJO LUMINOSO < n2 IV1

Figura 76.
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El patrn de luminosidad en un LED es importante y generalmente las caractersticas nos dicen la luminosidad a media intensidad. Esto es el ngulo al cual la intensidad luminosa es la mitad de la del eje del LED, como se muestra en la figura 77.

Figura 77.

El patrn de iluminacin depende del tipo de encapsulado como lo muestra la figura 78.

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La Figura 79 muestra la hoja de datos de un LED de infrarrojos tpico. Se observarn las velocidades de nanosegundos, los valores de mxima corriente y tensin, la mxima potencia de salida radiante, el rendimiento [Psalida /IF (VF)], unos nanometros de anchura de emisin, la disminucin de la potencia de salida radiante al aumentar la temperatura, las caractersticas corriente-tensin, y la potencia radiada en funcin de la corriente directa. Los LED de GaAs han sido fabricados con rendimientos y potencias de salida superiores a las indicadas en la Figura 79(a) (6% y 200 mW). Puede ser interesante analizar dos de las caractersticas. Primero, si se traza una recta sobre la curva Psalida en funcin de Ientrada, en la Figura 79(d), se observa que la caracterstica es lineal, slo por encima de 30 mA. La Figura 79(e) muestra que la potencia radiante de un LED de GaAs se duplica, aproximadamente, por cada 40oC que disminuye la temperatura. Esta Psalida / T es bastante constante en todas las unidades, pero vara el nivel de comienzo. Con relacin ala Figura 79(d) se ve que existe una relacin sencilla y directa entre Ientrada y Psalida; por tanto, un medio de compensar por temperatura es duplicar la corriente directa por cada 40oC de aumento en la temperatura. Hay dos configuraciones para realizar esta compensacin, ms el excitador correspondiente, como se ve en la Figura 80. En la Figura 80(a), el coeficiente negativo de temperatura del LED (Fig. 79(e) se anula por el coeficiente positivo de la corriente de colector del transistor (Ic). El valor de RE, en tal aplicacin, es de unos cuantos ohms, y el valor ptimo se encuentra mejor por experimentacin.

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Figura 79. Datos tpicos de un LED de GaAs. (a) Especificaciones; (b) caractersticas; (c) espectro de emisin; (d) potencia de salida radiante en funcin de 1a corriente directa; (e) potencia de salida radiante en funcin de 1a temperatura; (f) dependencia de 1a temperatura del espectro de salido
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La Fig. 80(b) emplea un circuito con resistor-termistor y un amplificador operacional para obtener la compensacin por temperatura. Suponiendo el amplificador ideal (corriente de entrada despreciable, o diferencia de tensin entre terminales de entrada igual a cero) se observar que V1 V2 VC ; por tanto, la misma tensin aparece en Rl y R2, o Ientrada = V1/R1 y por tanto, Isalida = V1/R2. La ganancia de corriente del amplificador es: I salida V1 / R2 R1 = I entrada V1 / R1 R2 Como los termistores tienen un coeficiente de temperatura negativo, o su resistencia disminuye al aumentar la temperatura, Ientrada aumentar con la temperatura y le seguir Isalida. El circuito resistor-termistor de la Figura 80(b) puede disearse con una R/T que equilibre la demanda de corriente directa del LED para una Psalida constante, dentro de un determinado margen de temperatura. La situacin del pico espectral de salida de un LED es tambin funcin de la temperatura (Figura 79(f)). La longitud de onda de emisin aumenta con la temperatura, porque el intervalo de energa disminuye al aumentar la temperatura. La respuesta de algunos fotodetectores de Si es relativamente constante en esta regin de longitud de onda. Esta desventaja puede convertirse en una propiedad til, variando la temperatura del LED para analizar la salida espectral en este margen. Esta aplicacin elimina la necesidad de filtros pticos que se emplean generalmente para obtener resolucin espectral.

Figura 80 Compensacin de temperatura para excitacin de LED; (a) Transistor; (b) amplificador operacional-termistor.
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Resumiendo las ventajas de los LED: 1. Velocidades extremadamente altas (pocos nanosegundos). 2. Ancho de banda espectral estrecho, centrado prximo al pico de respuesta de muchos detectores de Si. 3. Bajo costo. 4. Larga vida comparada con las lmparas. 5. Linealidad en un amplio margen en Psalida en funcin de Ientrada. 6. Adaptable a funcionar con lser coherente. 7. Funcionamiento a baja tensin, lo cual los hace compatibles con circuitos integrados. 8. Variedad de colores. Las desventajas del LED son: 1. La potencia de salida radiante y la situacin del centro de longitud de onda dependen de la temperatura. 2. Fcil destruccin por sobretensin o sobrecorriente. 3. Tericamente no se consigue buen rendimiento excepto con enfriamiento especial o trabajo intermitente. 4. Ancho de banda ptico grande, comparado al lser. Uno de los usos ms comunes del LED es como fuente de luz de alta velocidad y longitud de onda conocida para comprobar la linealidad, velocidad, etctera, de circuitos de deteccin optoelectrnicos. La Figura 81(a) muestra un dispositivo tpico econmico donde se dispone de una rampa lineal o una onda cuadrada de luz dentro del margen de mega hertz. En este circuito debe tenerse cuidado de no exceder la tensin o corriente del LED, sin embargo, la tensin inversa es ms alta que la directa, con lo cual es necesario insertar una batera para obtener unas tensiones directas e inversa mximas simtricas. La Figura 81(b) demuestra la tcnica de proteccin de un LED, utilizando un resistor serie, limitador de corriente. Suponiendo una entrada de + 6 V y el LED 4107 de la Figura 79(a), la corriente directa mxima del LED es 100 miliamperios, y la tensin mxima 1.3 V. Por tanto, Rlimitadora 6V 1.3V 47 100mA

La proteccin de tensiones de entrada negativas puede conseguirse aadiendo un diodo serie de baja prdida para limitar la corriente inversa del LED.

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Figura 81. (a) Circuito de instrumento de calibracin empleando un LED; (b) proteccin del LED. Unidades individuales y conjuntas de fuentes de luz de estado slido acopladas a fotodiodos tienen aplicacin en codificadores, multiplexores, aislamiento y comunicaciones. Uno de los mayores mercados para estos conjuntos es para reemplazar los dispositivos de lectura con tubos de vaco, tales como los tubos Nixie, las lmparas incandescentes o de descarga gaseosa, e incluso los TRC. Las figuras 82 y 83 muestran aplicaciones de LEDs en la figura 82 vemos el uso del LED visible a la salida de circuitos TTL para monitorear estas. La figura 83 muestra tres moduladores ara LED dos digitales y uno analgico.

Figura 82.

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MODULADOR DIGITAL CON TTL

Figura 83.

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