Prctica 9. Fotorresistencias PRCTICA 9. Fotorresistencias.

Contenido Objetivo Fundamentos y Antecedentes Material y equipo requerido Descripcin del procedimiento Riesgos previsibles y precauciones a tomar Gua de discusin o preguntas Anlisis y presentacin de resultados

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Prctica 9. Fotorresistencias Objetivo: Al terminar esta prctica el alumno comprobar experimentalmente el funcionamiento de las fotorresistencias construyendo varios circuitos de aplicacin. Fundamentos y Antecedentes. Cuando se ilumina un material semiconductor con luz de una frecuencia adecuada, la conductividad del material aumentar ligeramente. Esto se debe a la absorcin dentro del material, por cada fotn absorbido, un electrn subir a la banda de conduccin dejando un hueco atrs en la banda de valencia. O sea que cada fotn que se absorbe generar un par electrn-hueco que podrn ser arrastrados por un campo elctrico y por lo tanto aportar un par de nuevos portadores de corriente dentro del material. Es por esto, que la conductividad aumentar. Si lo anterior se hace en una barra de Silicio o Germanio, el efecto slo se presentar en las superficies iluminadas. Para magnificar el efecto, se pueden construir dispositivos hechos a base de un substrato de pelcula semiconductora sobre una lmina plana y a los que generalmente se introducen electrodos tipo peine (Fig. 2). Lo anterior constituye el principio bsico del funcionamiento de una fotorresistencia o fotoconductor de una pieza. Abundemos un poco ms en la teora: Los dispositivos semiconductores en general operan bajo condiciones de desequilibrio trmico. Por ejemplo, una barra de tipo n de Germanio actuando como un dispositivo fotodetector no se encuentra en equilibrio trmico cuando est en presencia de luz. Cuando la barra es iluminada, un exceso en los portadores de carga (arriba de los nmeros de equilibrio) son producidos en el material y la conductividad elctrica de la barra se incrementa. Esto puede ilustrarse por el experimento mostrado en la Fig. 1.

Figura 1. Experimento para observar la fotoconductividad de un semiconductor. El efecto de la luz es el de incrementar la conductividad de la barra semiconductora, incrementando la corriente del circuito, y por lo tanto causando un incremento en el voltaje de salida a travs de la resistencia R conectada al osciloscopio.

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Prctica 9. Fotorresistencias La energa absorbida de la luz por el Germanio produce este exceso de portadores. Por lo que el semiconductor no est ms en equilibrio trmico. Los portadores extra son producidos por la energa de los fotones h que liberan los electrones al romper los enlaces covalentes en la estructura cristalina tetradrica elevndolos de la banda de valencia a la banda de conduccin. Un hueco es dejado atrs en la banda de valencia por cada electrn portador en exceso que es producido. Esto es lo que se conoce como generacin o produccin de pares electrnhueco. Pasando ahora a los semiconductores, el material puro no conduce a menos que se lo exponga a cierta clase de energa. Ello se debe a que existe una brecha entre los estados de energa, que estn completamente ocupados por los electrones de valencia, y aquellos estados superiores a donde tienen necesariamente que llegar si es que han de hallarse en condiciones de ser portadores de corriente elctrica. La brecha de energa, en el germanio es de alrededor de 0,7 eV, por lo que la luz de todos colores, es suficiente para arrancarle electrones. Pero como el germanio, es un cuerpo opaco, nicamente los electrones de la superficie del mismo, se ven afectados, y el paso conductor es tan delgado que aun en el caso de que fuesen liberados muchsimos electrones la resistencia elctrica que el cuerpo opone al paso de la corriente elctrica no se vera mayormente alterada. Por el contrario, todo el material ntegro es afectado por el calor, y por lo tanto, los cambios de temperatura afectan en medida mucho mayor la resistencia elctrica del cuerpo. Por lo tanto, aunque en principio, podra usarse una tira de germanio o de silicio, para detectar o medir la luz, por el cambio que experimentaran en su conductividad (o en su resistencia elctrica) no se prestan mucho en la prctica a dicho fin. En primer lugar habra que enfriarlos hasta un punto prximo al cero absoluto, para impedir que los cambios indicativos del nivel luminoso se viesen tapados por ruidos. Ms an, hasta el material ms puro se halla afectado considerablemente por las impurezas presentes.

Figura 2. Electrodos tipo peine que se emplean comnmente en las celdas fotoconductoras o fotorresistencias.

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Prctica 9. Fotorresistencias La propiedad fotoconductora del selenio, fue descubierta en poca tan anterior, como el ao 1873, y la primera clula de selenio fue patentada por el seor C. E. Fritts en 1884. El selenio sigue siendo utilizado, aunque hay muchos otros materiales hoy en da, que pueden emplearse con el mismo fin. En un dispositivo perfeccionado recientemente se usan lminas muy delgadas de selenio, cadmio y oro, depositadas en una base de metal flexible, para realizar una clula fotoelctrica, que puede combarse hasta alcanzar a constituir un cilindro, o bien se le pueden dar otras formas distintas todas ellas curvadas, para aplicaciones especiales. Una de las ventajas del selenio, reside en que su caracterstica espectral es muy parecida a la del ojo humano Pero su sensibilidad fotoconductora y la velocidad de la respuesta no son muy buenas. Debido a la alta resistencia que presenta, se lo emplea generalmente diseminado en electrodos parecidos a un peine, como se ilustra en la Fig. 2, y aun as, la resistencia elctrica asciende al orden de varios megaohmios, y requiere tensiones de varios centenares de voltios. Uno de los mejores materiales semiconductores, para hacer clulas fotoconductoras para usar con los rayos de la luz visible, es el sulfuro de cadmio. Responde a prcticamente toda la gama visible, y casi a los rayos infrarrojos: permite pasar muy poca intensidad de corriente en la obscuridad (menos de un microamperio) y puede formar parte de clulas fuertes y resistentes al maltrato, que permiten el paso de intensidades de varios miliamperios, cuando las ilumina la luz, cosa suficiente para operar un relevador sin necesidad de amplificacin previa. Por lo tanto se lo emplea mucho para propsitos tales como detectar la extincin de las llamas en los hornos de petrleo, y para control de los semforos luminosos que se usan en las calles. Pero la respuesta que dan es demasiado lenta para variaciones de luz del orden de alta frecuencia. Otro material es el sulfuro de talio, que se usa en clulas ''taliofitas''. Otros tipos de clulas comerciales, usan compuestos de plomo: sulfuro de plomo, seleniuro de plomo y telururo de plomo. Todos estos compuestos abarcan una parte considerable de la banda infra-roja; el sulfuro incluye todo el espectro visible tambin, es muy sensible, y presenta una resistencia elctrica bastante baja (kilo-ohmios en lugar de megaohmios) en la clula; por lo tanto es uno de los materiales fotoconductores ms tiles. Su aplicacin para fines militares (para "ver en la oscuridad" y para control aeronutico) fue perfeccionada por los alemanes en la segunda guerra mundial. Tiene, sin embargo, una demora de tiempo de unos 75 microsegundos, por lo cual cuando se requiere una respuesta de alta velocidad a los rayos infra-rojos, hay que elegir el seleniuro de plomo a pesar de que tiene una sensibilidad mucho ms baja. Su respuesta espectral est circunscrita principalmente a la zona infra-roja, como se ilustra en la Fig. 3. El telururo de plomo va an ms all en la zona infra-roja, llega hasta ondas de una longitud, de 6 micrones mientras la sensibilidad til y la demora de la respuesta se encuentran ms o menos en un trmino medio entre los otros dos compuestos de plomo; presenta sin embargo, la desventaja bastante considerable desde el punto de vista prctico, de requerir se lo enfre hasta una temperatura aproximada a la del oxgeno lquido (-183 C) para lograr una relacin seal-ruido satisfactoria.

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Figura 3. Caracterstica espectral de cuatro semiconductores usados para deteccin y mediciones infra-rojas.

El ltimo en este grupo es otro semiconductor: el compuesto denominado antimoniato de indio, que abarca una gama an ms amplia de frecuencias, y llega hasta longitudes de onda de 8 micrones. Lo que es ms, resulta muy rpido, y de baja resistencia (tpicamente 75 ohmios). El uso principal de estos tres ltimos materiales reside en los espectrmetros para rayos infra-rojos, instrumentos cientficos para analizar las radiaciones infra-rojas segn su longitud de onda. Siendo tan sensibles a la radiacin infra-roja (ms conocida para nosotros con el nombre familiar de calor), la corriente que permiten pasar depende mucho de la temperatura a que se halla el cuerpo. Para eliminar este efecto, las seales de radiacin que estos aparatos detectan son "interrumpidas" por alguna clase de obturador, que las convierte en seales alternadas, de una frecuencia a la que se sintoniza con mucha precisin el amplificador que sigue a la clula (Fig. 4).

Figura 4. Para distinguir la respuesta deseada de otras, cuando se emplean clulas detectoras fotoelctricas, la luz que se desea detectar se interrumpe mediante un obturador mvil, y la corriente alterna resultante se amplifica en un amplificador selectivo.

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Prctica 9. Fotorresistencias A menudo aparecen las siglas LDR: Light Dependent Resistor (Resistencia dependiente de la luz) asociadas con los dispositivos fotorresistivos. Smbolos esquemticos ms comunes de las fotorresistencias:

Figura 5. Smbolos esquemticos de las fotorresistencias.

En esta prctica se emplearn fotorresistencias de sulfuro de Cadmio que tpicamente presentan 20 Megaohmios a oscuridad total y un poco menos de 20 Kilo-ohmios cuando se les expone a la luz solar (se recomienda al alumno verificar estos valores usando un hmetro digital). La figura 6, ilustra este dispositivo primordial para la presente prctica.

Figura 6. Fotografa de la fotorresistencia que se utilizar.

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Prctica 9. Fotorresistencias Material y equipo requerido EXPERIMENTO 1. CIRCUITO DETECTOR CREPUSCULAR: 1 Lmpara incandescente de 60 o 40 Watts. 1 socket para lmpara. Clavija con cable (Interlock para grabadora). Resistencias de los siguientes valores nominales: 270K. Triac BT134 o MAC223 (Cualquiera con capacidad mayor a 8 Amperios). DIAC ECG6408 (Cualquiera de 28 o 32 voltios). 1 Fotorresistencia o LDR (20K-20 M). 1 capacitor de 0.02 microfaradios a 250 voltios. Plantilla para prototipos (Protoboard). 1 indicador elctrico de lnea viva. 2 cables caimn caimn. Multmetro Digital. Alambre telefnico, un poco de cable duplex, pinzas de punta y de corte. EXPERIMENTO 2. CIRCUITO FOTO-RELEVADOR: Resistencias de los siguientes valores nominales: 2 de12K, 1K, 1.5K. Restato de 100K. C.I. LM741. 1 Fotorresistencia o LDR (20K-20 M). 1 diodo 1N4148. 1 transistor PNP BC558. 1 Relevador SUN HOLD RAS-1210. 1 Fuente de C.D. variable. Plantilla para prototipos (Protoboard). Multmetro Digital. Alambre telefnico, pinzas de punta y de corte. EXPERIMENTO 3. CIRCUITO FOTO-RELEVADOR MODIFICADO. 1 Lmpara incandescente de 60 o 40 Watts. 1 socket para lmpara. Clavija con cable (Interlock para grabadora). Triac BT134 o MAC223 (Cualquiera con capacidad mayor a 8 Amperios). Resistencias de los siguientes valores nominales: 2 de12K, 1 de 560 ohmios, 10-12K a 5 WATTS. Restato de 100K. 1 Fotorresistencia o LDR (20K-20 M). 1 MOC 3010. Plantilla para prototipos (Protoboard). 1 indicador elctrico de lnea viva. 2 cables caimn caimn. Alambre telefnico, un poco de cable duplex, pinzas de punta y de corte.
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Prctica 9. Fotorresistencias Descripcin del procedimiento EXPERIMENTO 1. CIRCUITO DETECTOR CREPUSCULAR: Comience identificando la lnea viva y la neutra de la toma de voltaje que va a utilizar por medio del indicador (Fig. 7). Aunque la norma indica que la ranura ms grande corresponde al neutro y la ms chica al vivo, muy a menudo no se respeta. Si la lmpara de nen del indicador enciende al insertarlo y tocar su botn con un dedo, esa ser la lnea viva y donde no enciende ser la neutra. Mrquelas para el resto del experimento. Con el interlock conectado vuelva a identificar las lneas en sus terminales de salida (Fig. 8). Marque tambin las lneas a la entrada y a la salida del interlock, de esta manera podr conectar la lnea viva a la carga como lo muestra el circuito de la Fig. 10 y como lo indican las normas.

Figura 7. Identificando el vivo en la toma de voltaje.

Figura 8. Identificando el vivo en las terminales de salida del cable interlock.

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Prctica 9. Fotorresistencias Coloque un poco de cable duplex a las terminales del socket, la parte que corresponde a la rosca en el socket debe ir siempre al neutro. Con el interlock desenchufado, coloque la lmpara, conecte el cable del vivo del socket al vivo del interlock. Ahora enchufe el interlock y toque por un momento la terminal neutra del socket con el neutro del interlock para probar que el foco encienda. Si la prueba resulta exitosa, desconecte el interlock fijndose en reconectarlo siempre de la misma manera (sin invertir las terminales). Ahora puede alambrar el circuito de la Fig. 10 en su plantilla de prototipos, al conectar el TRIAC siga la Fig. 9. Deje para el final la conexin al socket y al neutro del interlock.

1. 2. 3.

MT1 MT2 GATE

Figura 9. Terminales del TRIAC

Los capacitores de este circuito son cermicos por lo que no tienen polaridad, tampoco el DIAC tiene polaridad, as que se puede conectar de cualquier forma. Una vez que haya terminado el alambrado del circuito, cerciorndose de que el interlock est desconectado, conecte por medio de los caimanes la terminal superior del circuito del protoboard al socket y luego la terminal inferior del circuito del protoboard al neutro del interlock. Revise que todo est correcto y luego enchufe el interlock. Tape completamente la fotorresistencia con el tapn de una pluma atmica. La lmpara deber encender. Cuando la lmpara se apaga por completo al exponer la fotorresistencia a la luz y brilla a plena intensidad al taparla, el circuito funciona correctamente y puede llamar al profesor para entregarlo y sea calificado. Funcionamiento del circuito detector crepuscular (ver Fig. 10): Este interruptor de crepsculo totalmente electrnico, emplea un TRIAC como rgano de mando, es sencillo y de construccin robusta. El capacitor C1 se carga en cada semiciclo y se vuelve a descargar. El circuito divisor de tensin formado por R1 y la fotorresistencia LDR determina as la magnitud de la tensin en el capacitor C1. Cuando la fotorresistencia est iluminada, su valor hmico es reducido y por lo tanto la tensin mxima es baja en el capacitor C1. Como no se alcanza la tensin de accionamiento del DIAC (28 v), queda bloqueado el TRIAC (circuito abierto), no existe por lo tanto corriente en la lmpara, por lo que permanece apagada.

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LAMPARA INCANDESCENTE 120 V 100 W MAX

VIv o R1 270k

MT2
120Vac RMS V1 TRIAC 1 BT134 DIAC

GATE MT1
ECG6408

LDR C1 0.02 uF 250 v

Neutro

Figura 10. Circuito detector crepuscular. Cuando la fotorresistencia no es iluminada (obscuridad), su resistencia hmica es tan elevada que en el capacitor la tensin es prcticamente la de la red. Por tal motivo la tensin de disparo del DIAC es rpidamente alcanzada al comienzo de cada semiciclo, en los que el TRIAC se hace conductor. Por este motivo el ngulo de disparo es muy pequeo y el de conduccin muy elevado, por lo que la lmpara alumbra con mxima intensidad. Lo antedicho es slo aplicable para el caso de que la fotorresistencia, a una iluminacin correspondientemente reducida, sea de valor hmico elevado en comparacin de la resistencia R1. Durante el periodo de transicin, es decir, durante el crepsculo, se alcanza la tensin de trabajo en el condensador, al aumentar progresivamente la tensin en cada semiciclo. Debido a este control de fase del TRIAC, va aumentando la intensidad luminosa de la lmpara, que al principio era reducida, a medida que disminuye la iluminacin exterior. No se trata pues, en este caso de un interruptor de crepsculo, sino ms bien de una sencilla regulacin automtica del alumbrado. Otra manera de entender el funcionamiento es pensar que mientras la fotorresistencia recibe luz de da, su valor hmico es tan pequeo que el capacitor C1 resulta cortocircuitado (impidindose as su carga). A medida que disminuye la iluminacin, aumenta el valor de la fotorresistencia y el condensador puede cargarse. Al alcanzar ste la tensin de disparo del DIAC, se activa el TRIAC.

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Prctica 9. Fotorresistencias EXPERIMENTO 2. CIRCUITO FOTO-RELEVADOR. Arme en su plantilla de prototipos el circuito mostrado en la Fig. 11.
VCC 12 v olts

100k

3 2 P1 1

R2 12k R5 1.5k LM741 OS2 5 R4 6 1 1k Q1 BC558

U1 3 +

V-

V+

OUT OS1

K1 NC C NA 12k L1 L2 RELAY SPDT RAS-1210 LDR R3 4

Figura 11. Circuito foto-relevador. Para conectar correctamente el relevador electromecnico RAS-1210 siga la figura 12.

a) Vista superior

b) Vista inferior

Figura 12. Relevador RAS-1210. Las terminales que se debern conectar son nicamente las de la bobina L1 y L2.

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Prctica 9. Fotorresistencias Funcionamiento del circuito foto-relevador (ver Fig. 11): Un amplificador operacional confiere a este foto-relevador una elevada sensibilidad y una exacta respuesta tan pronto se rebasan los valores de iluminacin prefijados. La entrada inversora se encuentra a la mitad de la tensin de alimentacin, ya que se toma del divisor de tensin formado por R2/R3, que valen ambas 12K. La entrada no inversora est controlada por el divisor de tensin (dependiente de la iluminacin) formado por la fotorresistencia LDR y el restato de 100 K. Mientras la fotorresistencia est iluminada y, en consecuencia, se mantenga reducido su valor hmico, el potencial en la entrada no inversora ser mucho menor a 6 voltios y la salida del amplificador operacional se encontrar al potencial de alimentacin negativo (0 voltios). Cuando disminuye la iluminacin por debajo de un nivel regulado mediante la resistencia ajustable P1, la salida del citado amplificador pasa bruscamente al potencial de alimentacin positivo (casi 12 voltios, siempre hay en este caso una pequea prdida que puede ascender hasta 1.5 o 2 voltios). Como a la salida tenemos un transistor PNP, su base se activa con la salida baja del operacional (0 voltios) y se desactiva con la salida alta (cercana a 12 v). Se tiene en este caso lo que se llama accin positiva, es decir, cuando se ilumina la fotorresistencia se activa el relevador. Se puede obtener accin negativa de tres maneras: 1) Intercambiando las terminales inversora y no inversora del operacional. 2) Intercambiando las posiciones de la fotorresistencia y del restato ajustable P1. 3) Cambiando el transistor PNP BC558 por su par complementario NPN BC559 al tiempo que se omite la resistencia R5 (en este caso se debe tener cuidado de conectar entonces el colector del NPN a VCC +12v mientras que el emisor se conectar a la bobina del relevador).

Figura 13. Foto vista superior del circuito foto-relevador.

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Prctica 9. Fotorresistencias EXPERIMENTO 3. CIRCUITO FOTO-RELEVADOR MODIFICADO. Para realizar este experimento siga todas las indicaciones para determinar y marcar las lneas de AC del EXPERIMENTO 1. Arme en su plantilla de prototipos el circuito mostrado en la Fig. 14. Apyese en la Fig. 9 para conectar el TRIAC.
VCC 12 v olts LAMPARA INCANDESCENTE 120 V 100 W MAX H L vivo 3 100k 2 P1 1

R2 12k

10-12k 5 WATTS

R5

U1 3 +

LM741 OS2 5 R4 6 1 560 1 2

U2 6 MOC3010 120Vac RMS V1

V-

V+

OUT OS1

2 LDR R3 12k 3 1 Q1 MAC223 4 4

neutro

Figura 14. Circuito foto-relevador modificado.

Este circuito combina el comparador del EXPERIMENTO 2 con un optoacoplador MOC 3010 que a su vez dispara un TRIAC, que prende una lmpara por lo que se convierte en un interruptor crepuscular.

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Prctica 9. Fotorresistencias Riesgos previsibles y precauciones a tomar EXPERIMENTO 1. No. 1. Utilice el socket, el cable interlock y los caimanes sugeridos. (No se dar por entregado este experimento si se realiza sin ellos!) No. 2. No haga cambios en el circuito con el cable interlock enchufado, desconecte antes de tocar los elementos en el circuito. No. 3. Identifique las lneas viva y neutra y respete la norma siguiendo al pie de la letra el circuito y las indicaciones del procedimiento. Esto le evitar toques o un cortocircuito. EXPERIMENTO 2. No. 1. Verifique las terminales del relevador, slo se debern conectar las de la bobina. No. 2. Verifique que el transistor sea el correcto (tipo PNP). No. 3. En caso de falla, es conveniente verificar que la salida del 741 vara al tapar y destapar la fotorresistencia. EXPERIMENTO 3. No. 1. Utilice el socket, el cable interlock y los caimanes sugeridos. (No se dar por entregado este experimento si se realiza sin ellos!) No. 2. No haga cambios en el circuito con el cable interlock enchufado, desconecte antes de tocar los elementos en el circuito. No. 3. Identifique las lneas viva y neutra y respete la norma siguiendo al pie de la letra el circuito y las indicaciones del procedimiento. Esto le evitar toques o un cortocircuito. No. 4. En caso de falla, es conveniente verificar que la salida del 741 vara al tapar y destapar la fotorresistencia.

Gua de discusin o preguntas EXPERIMENTO 1. De acuerdo a lo descrito en el funcionamiento, Cul es el voltaje mximo que alcanza el capacitor C1 con la fotorresistencia iluminada? (Suponga un valor de 20k para la fotorresistencia iluminada). Mida despus el valor real usando suficiente luz y calcule de nuevo el voltaje pico mximo en C1. EXPERIMENTO 2. Mida el voltaje de salida en alto, sin carga del amplificador operacional. Observe que jams alcanza el valor de alimentacin: 12 v. Mida tambin el voltaje en bajo, sin carga. Reprtelos en sus respuestas. EXPERIMENTO 3. Cul circuito detector crepuscular cree que sea ms sensible al ajustar el umbral luminoso al que se dispara, el del EXPERIMENTO 1 o el del EXPERIMENTO 3? Por qu?

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Prctica 9. Fotorresistencias Anlisis y presentacin de resultados En estos experimentos solamente se le pide hacer funcionar los circuitos de manera aceptable y respetando la seguridad indispensable. Discuta y conteste las preguntas y entrguelas por equipo una vez que haya entregado los tres experimentos de que consta la prctica.

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