BOBINAS ELÉCTRICAS.

Un inductor o bobina eléctrica es un dispositivo de

dos terminales que consiste en un alambre
conductor embobinado. Una corriente que fluya a
través del dispositivo produce un flujo magnético Ø
el cual forma trayectorias cerradas encerrando las
bobinas construidas en el inductor:
En los inductores con núcleo magnético se observa
también que, por la saturación del núcleo, la
inductancia decrece al aumentar la corriente, y que
el coeficiente de temperatura es positivo o negativo,
dependiendo del coeficiente de permeabilidad del
núcleo. La eficiencia volumétrica es mayor que en
las bobinas con núcleo de aire, pero, por contra, la
susceptibilidad a campos magnéticos externos es
mayor por cuanto el núcleo concentra los campos
magnéticos externos, en mayor grado si se trata de
un núcleo abierto que si se trata de un núcleo
cerrado. La histéresis da lugar también a efectos no
lineales.
Almacenamiento de energía en inductores
Una corriente al fluir a través de un inductor, origina
que se produzca un flujo concatenado total que
pasa a través de las vueltas de la bobina,
constituyendo así el dispositivo. Justo como se
realiza el trabajo de mover cargas entre las placas
de un capacitor, es necesario un trabajo semejante
para establecer el flujo ø en el inductor. Se dice que
el trabajo o energía que se requiere en este caso se
almacena en el campo magnético.
El inductor ideal, como el capacitor ideal no disipa
potencia alguna. Por tanto la energía almacenada en
el inductor se puede recuperar. Supóngase que el
inductor, por medio de un circuito externo, se
conecta en paralelo con un resistor. En este caso la
corriente a través de la combinación inductor-
resistor hasta que la energía previamente
almacenada en el inductor es absorbida por el
resistor y la corriente es cero.

Inductancia
Flujo que atraviesa un circuito puede relacionarse
con la corriente en el mismo y con las corrientes que
circulan por los circuitos próximos.

De acuerdo con la Ley de Faraday, un cambio del

flujo, origina una fuerza electromotriz auto inducida.
Esta fuerza electromotriz, de acuerdo con la Ley de
Lenz, se opondrá a la causa que lo origina, esto es,
la variación de la corriente eléctrica, por ello suele
recibir el nombre de fuerza contralectromotriz. Su
valor:

Donde el signo menos indica que se opone a la

causa que lo origina.
En un inductor ideal, la fuerza contra-electromotriz
auto inducida es igual a la tensión aplicada al
inductor.

Cuando el inductor no es ideal porque tiene una

resistencia interna en serie, la tensión aplicada es
igual a la suma de la caída de tensión sobre la
resistencia interna más la fuerza contra-
electromotriz auto inducida.
 Tabla de conductividad
Resistividad
Conductor
relativa
Plata pura ,925
Cobre recocido 1,000
Cobre endurecido 1,022
Aluminio (97.5%) 1,672
puro 3,608
Zinc puro 4,515
Latón 5,319
Bronce con fósforo 6,173
Alambre de hierro 7,726
Níquel 8,621
Alambre de acero 13,326
Plata alemana 71,400
Hierro colado

Comportamientos ideal y real

Figura 2: Circuito con inductancia.

*Su formula es:

Comportamiento en corriente continúa

(Diagrama cartesiano de las tensiones y corriente

en una bobina).

SEMICONDUCTORES

Un semiconductor es una sustancia que se

comporta como conductor o como aislante
dependiendo de la temperatura del ambiente en el
que se encuentre.

Electrones
Grup en
Elemento
o la última
capa
 Cd II B 2 e-

Al, Ga, B,
III A 3 e-
In

Si, Ge IV A 4 e-

P, As, Sb VA 5 e-

Se, Te, (S) VI A 6 e-

El elemento semiconductor más usado es el silicio,
aunque también se presentan las combinaciones de
elementos de los grupos II y III con los de los grupos
VI y V respectivamente (AsGa, PIn, AsGaAl, TeCd,
SeCd y SCd). También se ha comenzado a emplear
también el azufre. La característica común a todos
ellos es que son tetravalentes.

Conducción Eléctrica
Para que la conducción de la electricidad sea posible
es necesario que haya electrones que no estén
ligados a un enlace determinado (banda de
valencia), sino que sean capaces de desplazarse por
el cristal.
Tipos de semiconductores
Semiconductores intrínsecos
Cuando el cristal se encuentra a temperatura
ambiente, algunos electrones pueden, absorbiendo
la energía necesaria, saltar a la banda de
conducción, dejando el correspondiente hueco en la
banda de valencia (1). Las energías requeridas, a
temperatura ambiente son de 1,12 y 0,67 eV para el
silicio y el germanio respectivamente.
Semiconductores extrínsecos
Si a un semiconductor intrínseco, como el anterior,
se le añade un pequeño porcentaje de impurezas, es
decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el
semiconductor se denomina extrínseco, y se dice
que está dopado.
Semiconductor tipo N
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo
un proceso de dopado añadiendo un cierto tipo de
átomos al semiconductor para poder aumentar el
número de portadores de carga libres (en este caso
negativas o electrones).
Con cinco electrones de valencia tienen un electrón
extra que "dar", son llamados átomos donadores.
Nótese que cada electrón libre en el semiconductor
nunca está lejos de un ion dopante positivo inmóvil,
y el material dopado tipo N generalmente tiene una
carga eléctrica neta final de cero.
Semiconductor tipo P
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo
un proceso de dopado, añadiendo un cierto tipo de
átomos al semiconductor para poder aumentar el
número de portadores de carga libres (en este caso
positivos o huecos).