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ESCUELA POLITCNICA DEL EJRCITO INTEGRADOR II

Estudio del Efecto Hall Cuntico en Heteroestructuras Semiconductoras utilizadas como Referencias de Resistencia Elctrica en Metrologa
Integrantes: Juan Carlos Chiza Edison Gallardo Andrs Tapia Herrera

OBJETIVOS
Objetivo General Investigar la aplicacin del Efecto Hall cuntico que permita la creacin de un patrn de resistencia elctrica en el campo de la metrologa. Objetivos Especficos Determinar los equipos y materiales con los cuales sea posible reproducir la unidad de resistencia elctrica. Analizar las caractersticas de las heteroestructuras semiconductoras que permiten observar el efecto Hall cuntico. Determinar los diferentes modelos para la obtencin de una resistencia elctrica.

DISPOSITIVOS DE EFECTO HALL CUANTICO


Existen dos tipos principales de muestras donde se ha observado el efecto Hall cuntico con calidad suficiente para su aplicacin en Metrologa.

MOSFET de Silicio
Que fue donde se observ por primera vez el efecto. Se trata de un dispositivo electrnico semiconductor FET y que se saba a que determinados valores de la tensin de puerta se produca una inversin de capas, donde los electrones quedaban confinados en capas planas. Heteroestructuras AlGaAs Donde el confinamiento en dos dimensiones se obtiene por los elevados saltos de energa entre las distintas capas de material. Aqu tambin se produce la inversin de bandas de energa.

En lo referente a su aplicacin en Metrologa, el uso de las heteroestructuras AlGaAs a sustituido totalmente a los MOSFET debido a una serie de ventajas.

Ventajas
Su corriente de trabajo es ms alta: 50 A frente a 10 A.

Las heteroestructuras son ms sencillas de operar porque no necesitan la aplicacin de una tensin de puerta.

Operan con menores intensidades de campo magntico.

Las estructuras de Efecto Hall Cuantico son fabricadas con tcnicas de crecimiento sofisticadas como Epitaxia.

Epitaxia
Es el crecimiento ordenado de una capa monocristalina que mantiene una relacin definida con respecto al substrato cristalino inferior.

Crecimiento epitaxial: regin p (base del transistor bipolar y regin central del MOSFET)

TCNICAS DE CRECIMIENTO EPITAXIAL

LPE (liquid phase epitaxy): Epitaxia desde la fase lquida Tcnica VPE: Epitaxia en fase de vapor MBE (molecular beam epitaxy): Epitaxia de haces moleculares
Epitaxia desde la fase lquida
Se utiliza mucho en la realizacin de dispositivos optoelectrnicos: lseres de heteroestructuras de capas mltiples de GaAs y AlGaAs. El control del crecimiento de la capa desde la fase lquida puede realizar mediante un enfriamiento controlado de la disolucin o mezcla. Se puede realizar un dopaje mediante un aadido de impurezas a la disolucin. Es un mtodo utilizado principalmente para el crecimiento de materiales SC compuestos III-V en los cules el Ga o In son el elemento tipo III, dado que estos metales forman soluciones a temperaturas bajas.

Ventajas Es un proceso simple que requiere un equipo modesto. Se puede realizar en condiciones normales de laboratorio. Menos costosa y mayor velocidad de crecimiento que la MBE. Baja concentracin de defectos. Excelente control de la estequiometria.

Desventajas

Las condiciones de solubilidad ,restringen en gran manera al nmero de materiales a los cuales es aplicable esta tcnica. El control de la morfologa (orientacin cristalina) es muy difcil. La calidad superficial es pobre.

Epitaxia en fase de vapor

Epitaxia de haces moleculares

Soportes para heteroestructuras

Soportes para heteroestructuras proporcionada por el PTB(143)

Soportes para heteroestructuras proporcionada por el BIPM(M6)

El Physikalisch-Technische Bundesanstalt o PTB es el instituto nacional de Metrologa de la Repblica Federal de Alemania. Tiene como objetivos el desarrollo de la Metrologa para las ciencias, la tcnica y la sociedad. Fue fundado en 1887. El PTB tiene dos sedes principales, cada una de ellas situadas en las ciudades de Berln y Braunschweig.