UNIVERSIDAD POLITCNICA SALESIANA FACULTAD DE INGENIERAS CARRERA DE INGENIERA ELECTRNICA

Practica: 1 Tema: el transistor FET. Alumno: Jorge Duchitanga Profesor: Ing. Ren vila
Objetivos:

1. Disear, comprobar, simular y calcular el funcionamiento de los siguientes circuitos de polarizacin con el transistor FET. a. Polarizacin con dos fuentes. b. Polarizacin con resistencia source y auto polarizacin. c. Polarizacin con divisor de tensin. d. Polarizacin con fuente doble positiva y negativa.

MARCO TEORICO TRANSISTOR FET: El JFET es un dispositivo unipolar, ya que en su funcionamiento slo intervienen los portadores mayoritarios. Existen 2 tipos de JFET: de "canal N" y "de canal P".

Smbolos de los transistores JFET, canal N y canal P. Al comparar el JFET con el TBJ se aprecia que el drenaje (D) es anlogo al colector, en tanto que el surtidor (S) es anlogo al emisor. Un tercer contacto, la compuerta (G), es anlogo a la base.

Principio de operacin del JFET (de canal N). Zona Lineal. Si en la estructura de la Figura 1 se aplica una tensin VDS mayor que cero, aparecer una corriente circulando en el sentido del drenaje al surtidor, corriente que llamaremos ID. El valor de dicha corriente estar limitado por la resistencia del canal N de conduccin. En este caso pueden distinguirse dos situaciones, segn sea VDS grande o pequea en comparacin con VDS. Valores pequeos de voltaje VDS. La figura 3 muestra la situacin cuando se polariza la unin GS una tensin negativa, mientras que se aplica una tensin menor entre D y S.

Por la terminal de puerta (G) no circula ms que la corriente de fuga del diodo GS, que en una primera aproximacin podemos considerar despreciable. La corriente ID presenta una doble dependencia: La corriente ID es directamente proporcional al valor de VDS. La anchura del canal es proporcional a la diferencia entre VGS y VP. Como ID est limitada por la resistencia del canal, cuanto mayor sea VGS - VP, mayor ser la anchura del canal y mayor la corriente obtenida. Los dos puntos anteriores se recogen en la siguiente expresin: ID = ( VGS - VP )VDS Por lo tanto en la regin lineal obtenemos una corriente directamente proporcional a VGS y VDS. Valores altos de VDS. Para Valores altos de VDS comparables y superiores a VGS, la situacin cambia con respecto al caso anterior. La resistencia del canal se convierte en no lineal, y el JFet pierde su comportamiento hmico. Cuando se aplica un voltaje VDS al canal de 5 volts por ejemplo, ste se distribuye a lo largo del canal, es decir, en las proximidades del terminal D, la tensin ser de 5 volts, pero a medio camino circulante la corriente habr reducido su potencial a la mitad (2,5 V), y en el terminal S el voltaje ser nulo. Por otra parte, si VGS es negativo (-2 V, por ejemplo), la tensin se distribuir uniformemente a lo largo de la zona al no existir ninguna corriente.

En las proximidades del terminal S la tensin inversa aplicada es de 2 V, que corresponde con la VGS = -2 V. Sin embargo, conforme nos acercamos a D esta tensin aumenta: en la mitad del canal es de 4.5 V y en D alcanza 7 V. La polarizacin inversa aplicada al canal no es constante por lo que la anchura de la zona de deplecin tampoco lo ser (Figura 6). Cuando VDS es pequea, esta diferencia de anchuras no afecta a la conduccin en el canal, pero cuando aumenta, la variacin en la seccin de conduccin hace que la corriente de drenaje sea una funcin no lineal de VDS y que disminuya con respecto a la obtenida sin tener en cuenta este efecto. Ecuaciones del FET. El desempeo del Transistor de Efecto de Campo (FET) fue propuesto por W. Shockley, en 1952. De ah el nombre que rige la ecuacin de este tipo de transistores; la llamada "ECUACIN DE SHOCKLEY". ID = IDSS = VGS = VP = Corriente de Drenaje Corriente de Drenaje de Saturacin Voltaje Puerta-Fuente Voltaje de ruptura o Pinch Voltage.

Curvas caractersticas del Transistor de Efecto de Campo.

Presupuesto: Material Cantidad Precio Transistor Mpf102 3 0.60$ Resistencias --------0.50$ Cable Mutipar 1m 0.60$ Total 2.90$

CALCULOS

1. Disear, comprobar, simular y calcular el funcionamiento de los siguientes circuitos de polarizacin con el transistor FET. a. Polarizacin con dos fuentes.

b. Polarizacin con resistencia source y auto polarizacin.

c. auto polarizacin sin RS

d. Polarizacin con divisor de tensin.

e. Polarizacin con fuente doble positiva y negativa.

( ( )

MEDICIONES a. Polarizacin con dos fuentes.

VDS

ID

VGS

Calculado 6v 3mA -2V Medidos 6.05v 3.04mA -2.05v b. Polarizacin con resistencia source y auto polarizacin.

VDS

ID

VGS

Calculado 6v 0.62mA -3V Medidos 6.11v 0.61mA -2.9V c. Polarizacin sin RS

VDS

ID

VGS
0V 0V

Calculado 6v 10mA Medidos 6.11v 11.4mA

d. Polarizacin con divisor de tensin.

VDS

ID

VGS

Calculado 10v 4mA -1.29V Medidos 9.46v 4.47mA -1.56V e. Polarizacin con fuente doble positiva y negativa.

VDS
Calculado Medidos 6v 6.2v

ID

VGS

0.75mA -3V 0.75mA -2.88v

Simulaciones: a) Polarizacin con dos fuentes.

b) Polarizacin con resistencia source y auto polarizacin.

c) Polarizacin sin RS

d) Polarizacin con divisor de tensin.

e) Polarizacin con fuente doble positiva y negativa.

Anlisis: al tratar de resolver los circuitos con el transistor FET tuvimos que valernos de resoluciones de ecuaciones para tratar de resolverlos, as como tambin la imposicin de algunos datos para facilitar los clculos. Los parmetros fueron tomados de la gua de uso que viene con el FET y tuvimos que tomar esos datos de los rangos indicados. Tambin cabe decir que si el punto de trabajo debe estar a la mitad el valor de VDS debe ser VDD/2. CONCLUSIONES Puedo decir que para que las mediciones de esta prctica sean aceptables y tengan el menor nmero de errores en las mismas con respecto a los clculos tuvimos que ajustar las resistencias lo ms posible a las calculadas ya que los valores de las mismas si se alejaban mucho cambian los valores a medir de corriente y voltaje a rangos que no son aceptables; es decir que para el Transistor FET funcione correctamente las resistencias deben ser lo ms exactas posibles.

Conclusions: I can say that so that the mensurations of this practice are acceptable and have the smallest number of errors in the same ones with regard to the calculations we had to adjust the resistances the most possible thing to those calculated the values of the same ones since if they went away a lot they change the values to measure from current and voltage to ranges that are not acceptable; that is to say that for the Transistor FET works the resistances correctly they should be the most exact possible.
BIBLIOGRAFIA

Unicrom, www.unicrom.com Electrnica 2000, www.electronica2000.net/curso_elec/leccion61.htm Boylestad, Robert. Anlisis introductorio de circuitos, 1999 Enciclopedia electrnica