Vous êtes sur la page 1sur 16

Chapitre 4 Polarisation du transistor bipolaire ` a jonction

4.1
4.1.1

Le probl` eme de la polarisation


Introduction

Dans le chapitre 3, nous avons analys e un premier exemple de circuit damplication de tension. Ce circuit, repris ` a la g. 4.1, utilise un transistor bipolaire mont e en emetteur commun (voir section 3.3.4). Le signal dentr ee correspond aux variations dans le temps de la tension vin et le signal de sortie correspond aux variations de la tension vCE . Tension dalimentation : VCC iC RB vin VB 0V Fig. 4.1 Circuit damplication pris en exemple dans le chapitre 3. Pour le bon fonctionnement du circuit, il est important de maintenir le transistor ` a tout instant dans le mode actif normal (MAN), car ce mode 57 vout = vCE iB RC

58

Polarisation du transistor bipolaire ` a jonction

correspond ` a un r egime lin eaire. En eet, nous avons montr e quen MAN, le signal de sortie est directement proportionnel au signal dentr ee et constitue donc une r eplique d` ele de celui-ci (dans lexemple de la g. 4.1, le signal de sortie est une image ampli ee et invers ee du signal dentr ee). Le transistor quitte le mode actif normal dans deux situations. Nous avons vu qu` a mesure que la tension dentr ee vin varie dans le temps, le point de fonctionnement du transistor se d eplace le long de la droite de charge iC = ICC vCE /RC , o` u ICC = VCC /RC . Les situations ` a eviter sont les suivantes : 1. le transistor entre en r egime de blocage (ou coupure) si son point de fonctionnement sapproche du point iC = 0 et vCE = VCC ; 2. il entre en saturation si le point de fonctionnement sapproche de iC = ICC et vCE = 0. Nous allons voir ci-dessous que le signal est d eform e si le transistor entre dans un de ces deux modes. Polariser un transistor correctement consiste donc ` a choisir les el ements du circuit dencadrement (les r esistances et les source de tension ou de courant) de telle fa con que le transistor fonctionne ` a tout instant dans le mode actif normal.

4.1.2

Exemples de polarisation

La gure 4.2 montre lexemple dune polarisation choisie judicieusement. En labsence dun signal dentr ee, cest-` a-dire lorsque vin = 0, le point de fonctionnement est repr esent e par symbole Q (Q vient de langlais quiescent point, egalement appel e bias point). Le courant de base s ecrit iB = (VB VBE )/RB + vin (t)/RB . En supposant que vin prend la forme dun signal sinuso dal, on d eduit que iB varie comme un sinus dans le temps, autour de la valeur moyenne IB = (VB VBE )/RB .1 Etant donn e que le courant iC est proportionnel ` a iB , ses variations sont egalement sinuso dales. Par cons equent, le point de fonctionnement (iC , vCE ) se d eplace au cours du temps le long de la droite de charge entre les points A et B , situ es sym etriquement de part et dautre de Q. Dans cet exemple, le transistor ne quitte jamais le mode actif normal et le signal de sortie est un image non-d eform ee de la tension vin .
Nous n egligeons en premi` ere approximation les variations de la tension vBE et posons vBE = VBE o` u VBE est une constante dans le temps. Nous verrons au chapitre 5 que si les variations de vBE sont prises en compte, les variations du courant iB sont sinuso dales pour autant que lamplitude du signal reste faible.
1

4.1 Le probl` eme de la polarisation

59

Fig. 4.2 Exemple dune polarisation judicieuse du circuit 4.1 (gure tir ee de Floyd).

Fig. 4.3 Exemple dune distorsion due ` a la saturation. Le point Q est positionn e trop pr` es des faibles tensions vCE (gure tir ee de Floyd).

60

Polarisation du transistor bipolaire ` a jonction

Fig. 4.4 Exemple dune distorsion due au blocage. Le point Q est positionn e trop pr` es des faibles courants iC (gure tir ee de Floyd). Si le transistor quitte le mode actif normal, la tension de sortie subit une distorsion. La gure 4.3 montre que lorsque le transistor entre en r egime de saturation, la tension vCE est ecr et ee ` a la faible valeur positive vCE sat (la gure, simpli ee, montre un ecr etement ` a vCE = 0). Parall` element, lorsque le transistor entre en blocage, la tension vCE est ecr et ee ` a une valeur proche de VCC , comme lillustre la g. 4.4. Dans ces deux cas, les variations de la tension de sortie ne sont plus sym etriques et ne reproduisent pas d` element la tension dentr ee vin .

4.1.3

Notations

Dans ce cours, nous distinguons les valeurs de polarisation, qui sont ind ependantes du temps et sont repr esent ees par des symboles en majuscules munis dindices en majuscules,

4.1 Le probl` eme de la polarisation

61

des valeurs de signal, qui varient dans le temps et sont repr esent ees par des symboles et des indices en minuscules, les valeurs totales des grandeurs electriques, qui sont la somme des valeurs de polarisation et de signal et sont repr esent ees par des symboles en minuscules munis dindices en majuscules. Ainsi par exemple, le courant iB du circuit de la g. 4.1 s ecrit iB (t) = IB + ib (t), VB VBE o` u IB = RB (4.1) (4.2)

est constant, tandis que ib (t) varie (sinuso dalement) dans le temps et contient linformation du signal ` a amplier.

4.1.4

Stabilit e du point de polarisation

La stabilit e du point de repos dun transistor vis-` a-vis des variations de param` etres externes est un param` etre important. En eet, nous avons vu au chap. 3 que la temp erature inuence la tension vBE et le gain . Ce dernier est egalement inuenc e par la valeur de iC et peut varier substantiellement entre des transistors satisfaisant la m eme che technique. Ce nest donc pas une bonne id ee de concevoir un circuit dont le fonctionnement repose sur des valeurs pr ecises des vBE ou des constantes des transistors, car son fonctionnement serait tr` es sensible aux conditions de temp erature. Le circuit pourrait egalement changer radicalement de comportement si, ` a la suite du remplacement dun transistor d efectueux, le nouveau composant fonctionnait en dehors du mode actif normal !

4.1.5

Autres facteurs

Jusqu` a pr esent, nous avons cherch e` a eviter une distorsion du signal de sortie et avons attir e lattention sur la stabilit e du point de repos. Toutefois, dautres crit` eres peuvent egalement intervenir dans le choix du sch ema de polarisation : gain en tension elev e, obtenu par exemple en choisissant de grandes valeurs de RC , grande r esistance dentr ee et petite r esistance de sortie (voir chap. 5), excursion maximale de la tension de sortie, puissance dissip ee par le transistor inf erieure ` a une limite renseign ee par le constructeur.

62

Polarisation du transistor bipolaire ` a jonction

Ces objectifs peuvent avoir plus ou moins dimportance en fonction de lapplication vis ee. Tr` es souvent, il est impossible de satisfaire simultan ement tous les crit` eres, il faut donc trouver un compromis. Remarque Pour rappel, la puissance instantan ee dissip ee par un transistor se calcule comme suit : en prenant lexemple du transistor npn de la g. 4.5, il sut de sommer les produits (tension) (courant entrant) ` a chacune des trois bornes, P =
bornes i

vi ii = (+vC )(+iC ) + (+vB )(+iB ) + (+vE )(iE ) (4.3)

= vC iC + vB iB vE iE . Etant donn e que iE = iB + iC , cela donne P = (vC vE ) iC + (vB vE ) iE = vCE iC + vBE iB .

(4.4)

Typiquement, en mode actif normal, le premier terme lemporte sur le second car iB = iC / iC et vBE 0.7 V est inf erieur ` a vCE . Dans ce qui suit, on utilisera donc lapproximation P vCE iC . (4.5)

vC iC vB iB iE vE

Fig. 4.5 Calcul de la puissance dissip ee par un transistor de type npn.

4.2
4.2.1

Sch emas de polarisation


Polarisation par la base

La polarisation par la base, illustr ee ` a la g. 4.6, est un sch ema tr` es simple qui nutilise quune seule source de tension.

4.2 Sch emas de polarisation VCC IC RB IB Fig. 4.6 Sch ema de polarisation par la base. Analyse du point de polarisation Maille base- emetteur : IB = VCC VBE . RB RC

63

(4.6)

De la relation IC = IB , on d eduit IC = VCC VBE . RB (4.7)

Maille collecteur- emetteur (droite de charge) : VCE = VCC RC IC . (4.8)

Le r esultat (4.7) montre que le courant IC est tr` es sensible au gain , ce qui devrait etre evit e pour les raisons evoqu ees plus haut. De plus, le num erateur de lexpression (4.7) d epend de VBE , qui est sensible aux variations de la temp erature. Cependant, linuence de ces variations peut etre r eduite en choisissant un VCC susamment grand par rapport ` a VBE (au moins un facteur 10). Exemple num erique Consid erons le circuit de la g. 4.7 et comparons son fonctionnement ` a deux temp eratures : ` a T = 25 C, le transistor est caract eris e par les param` etres = 100 et VBE = 0.7 V ; ` a T = 75 C, le param` etre augmente ` a la valeur = 150, tandis que VBE , diminuant de 2 mV par C, devient VBE = 0.6 V. Ces variations de param` etres sont assez fortes, on a par exemple | |25 C 150 100 = 75 C = 0.5 50% ! = |25 C 100 (4.9)

64

Polarisation du transistor bipolaire ` a jonction 12 V 0.56 k 100 k

Fig. 4.7 Polarisation par la base : exemple num erique. Les expressions (4.7) et (4.8) nous donnent les valeurs suivantes : IC = 11.3 mA et VCE = 5.7 V ` a T = 25 C et IC = 17.1 mA et VCE = 2.4 V ` a T = 75 C. (4.11) (4.10)

Les valeurs de IC et de VCE subissent donc des variations relatives de lordre de 50%, soit du m eme ordre de grandeur que les variations de . Ceci est bien s ur le r esultat du fait que IC est directement proportionnel ` a .

4.2.2

Polarisation par l emetteur

Le sch ema de polarisation par l emetteur (g. 4.8) permet, moyennant le choix ad equat des composants, de r eduire la sensibilit e du point de fonctionnement vis-` a-vis des variations de temp erature. Il n ecessite n eanmoins lutilisation de deux sources de tension. VCC RC RB RE VEE Fig. 4.8 Sch ema de polarisation par l emetteur.

4.2 Sch emas de polarisation Analyse du point de polarisation Maille base- emetteur : 0 = RB IB + VBE + RE IE + (VEE ). Comme IE = (1 + )IB , on peut ecrire VEE VBE = RB IB + RE (1 + ) IB , VEE VBE = IB = . RB + (1 + )RE De la relation IC = IB , on d eduit IC = VEE VBE VEE VBE . RB + (1 + )RE RB + RE

65

(4.12)

(4.13) (4.14)

(4.15)

Maille collecteur- emetteur (droite de charge) : VCE = VCC + VEE RC IC RE IE . (4.16)

Ainsi, le courant IC peut etre rendu peu sensible aux variations de si RB RE , et ` a celles de VBE si VEE > VBE 0.7 V. Quand ces deux conditions sont satisfaites, on a, approximativement, IC VEE , RE (4.17)

dont la valeur num erique est x ee par le circuit dencadrement (et non par les param` etres intrins` eques du transistor).

4.2.3

Polarisation par diviseur de tension

On peut am eliorer le circuit pr ec edent et nutiliser quune seule source dalimentation en d elivrant la tension requise via un diviseur potentiom etrique. La gure 4.9 illustre ce principe. Analyse du point de polarisation Maille base- emetteur : simplions dabord le sch ema en exprimant le diviseur potentiom etrique par son equivalent de Th evenin.2 Ceci donne le sch ema de la g. 4.10, avec VTH =
2

R2 VCC R1 + R2

et RTH =

R1 R2 . R1 + R2

(4.18)

Il sagit de l equivalent de Th evenin vu par lacc` es constitu e dune part par la base du transistor et dautre part par un point de r ef erence ` a la masse, soit lacc` es ab.

66

Polarisation du transistor bipolaire ` a jonction VCC R1 RC

R2

RE

Fig. 4.9 Sch ema de polarisation par diviseur de tension. VCC R1 a RTH R2 b RE VTH b RE RC a VCC RC

Fig. 4.10 Transformation du diviseur potentiom etrique en son equivalent de Th evenin, vu par lacc` es ab. En r esolvant ensuite la maille base- emetteur, nous obtenons VTH = RTH IB + VBE + RE IE , or, comme IE = (1 + )IB , on a IB = VTH VBE . RTH + (1 + ) RE (4.20) (4.19)

De la relation IC = IB , on d eduit IC = VTH VBE RTH + (1 + ) RE VTH VBE . RTH + RE (4.21) (4.22)

4.2 Sch emas de polarisation Maille collecteur- emetteur (droite de charge) : VCE = VCC RC IC RE IE VCC (RC + RE ) IC .

67

(4.23)

Par cons equent, dune fa con similaire au sch ema de polarisation par l emetteur, IC est peu sensible aux variations de si RTH RE . Il est egalement peu sensible aux variations de VBE si VBE VTH . Lorsque ces deux conditions sont remplies, on a IC VTH /RE . La faible sensibilit e de IC vis-` a-vis des variations de est la cons equence dune polarisation judicieuse du diviseur potentiom etrique. Rappelons quun diviseur potentiom etrique est quali e de diviseur rigide si la tension quil d elivre ` a sa charge est proche de la tension equivalente de Th evenin VTH . VCC R1 IL VL R2 RL

Fig. 4.11 Diviseur de tension alimentant un charge r esistive RL . Consid erons lexemple de la g. 4.11 : en rempla cant le diviseur par son equivalent Th evenin, on obtient facilement VL = VTH RTH IL . (4.24)

Comme VL = RL IL , on d eduit IL = VTH /(RL + RTH ). En revenant ` a la relation (4.24), on observe que VL VTH si RTH IL RTH 1 1 RTH RL . VTH RL + RTH (4.25)

Dans le circuit de la g. 4.9, le diviseur alimente un transistor et non une r esistance. Cependant, en remarquant que la tension de la base est donn ee par lexpression VB = VBE + RE IE = VBE + RE (1 + ) IB , (4.26)

dont le premier terme, VBE , est en g en eral petit par rapport au deuxi` eme terme, on constate que VB est equivalente ` a la chute de potentiel que lon

68

Polarisation du transistor bipolaire ` a jonction

obtiendrait aux bornes dune r esistance de valeur RL (1+ )RE , parcourue par un courant IB . La condition RTH RL devient alors RTH RL = (1 + )RE RTH (1 + )RE RE , cest-` a-dire la condition de stabilit e enonc ee plus haut. Remarque Notez quen pratique, dans les montages damplication de tension o` u intervient le sch ema de la g. 4.9, choisir une faible valeur de RTH peut aussi r eduire la r esistance dentr ee (voir les montages correspondants dans le chapitre 5). De plus, choisir une grande valeur de VTH r eduit la plage de tension r eserv ee ` a RC iC et, par suite, lexcursion de la tension de sortie (voir chap. 5). Comme nous lavions annonc e de fa con g en erale dans la soussection 4.1.5, le choix de valeurs ad equates rel` eve donc dun compromis, quil faut r esoudre en fonction de lapplication vis ee. Exemple num erique 20 V 110 k 10 k (4.27)

10 k

1 k

Fig. 4.12 Sch ema de polarisation par diviseur de tension : exemple num erique. An dillustrer la stabilit e du sch ema de polarisation par diviseur de tension, examinons le circuit de la g. 4.12 ` a deux temp eratures distinctes : A T = 25 C, on a = 100 et VBE = 0.7 V. ` a T = 75 C, les param` etres du transistor deviennent = 150 et VBE = 0.6 V. Les expressions (4.22) et (4.23) nous donnent IC = 0.9 mA et VCE = 10.3 V ` a T = 25 C (4.28)

4.2 Sch emas de polarisation et IC = 1.0 mA et VCE = 9.0 V ` a T = 75 C.

69

(4.29)

Ainsi, au contraire de lexemple de la polarisation par la base, des variations de de lordre de 50% se traduisent dans cet exemple par des variations de IC et VCE inf erieures ` a 15%, elles sont donc amorties.

4.2.4

M ecanisme de contre-r eaction ` a l emetteur

La stabilit e de la polarisation par l emetteur ou la polarisation par diviseur potentiom etrique provient dun m ecanisme de contre-r eaction n egative ` a l emetteur. Ainsi, par exemple, consid erons le circuit de la g. 4.9 et supposons que le facteur augmente (par exemple ` a la suite dun echauement du transistor). La s equence suivante d ev enements se d eroule : IC = IB et IE = (1 + )IB augmentent, la chute de tension aux bornes de RE augmente, VB (tension ` a la base) et VE (tension ` a l emetteur) sont pouss es vers le haut, le diviseur etant rigide, il limite fortement les variations de VB , mais na pratiquement pas daction sur VE , VB augmentant tr` es faiblement par rapport ` a VE , la tension VBE diminue, la diminution de VBE entra ne une diminution de IC qui contrecarre son augmentation initiale. Ainsi, la contre-r eaction des variations de IE sur la tension VBE fournit un m ecanisme dautor egulation du courant IC .

4.2.5

Polarisation par contre-r eaction au collecteur


VCC RC VC RB

Fig. 4.13 Sch ema de polarisation par contre-r eaction au collecteur.

70

Polarisation du transistor bipolaire ` a jonction

Le principe de contre-r eaction peut etre exploit e dans dautres sch emas de polarisation, comme le montre la g. 4.13, qui illustre le sch ema de polarisation par contre-r eaction au collecteur. Analyse du point de polarisation Maille base- emetteur (de VCC ` a E via RB ) : IB = VC VC VB VE =0 VC VBE = , RB RB = VCC RC (IC + IB ). (4.30) (4.31)

de la relation IC = IB , et en eliminant VC au moyen de (4.31), on d eduit VCC VBE . (4.32) IC = RB + (1 + )RC maille collecteur- emetteur (droite de charge) : VCE = VCC RC IC (4.33)

Dune fa con similaire aux autres sch emas de polarisation, on en d eduit que IC est peu sensible aux variations de si RB RC . IC est egalement peu sensible aux variations de VBE si VCC VBE . Lorsque les deux conditions sont remplies, on a iC VCC /RC . Le m ecanisme de contre-r eaction est le suivant : une augmentation de T entra ne une diminution de VBE et une augmentation de . Par cons equent, IC augmente, la chute de tension aux bornes de RC augmente et VC diminue. Par (4.30), IB diminue et, via leet transistor, induit une diminution de IC qui soppose ` a son augmentation initiale. Remarquez que dans ce montage, le collecteur se trouve toujours ` a une tension sup erieure ou egale ` a celle de la base. Par cons equent, le transistor nentre jamais en saturation.

4.2.6

Polarisation par source de courant

Dans les circuits int egr es et dans un certain nombre de montages tels que lamplicateur di erentiel (voir chap. 7), on rencontre souvent une polarisation qui impose un courant plut ot quune tension. Dans le sch ema de la g. 4.14, le courant d emetteur est x e ` a IE = I . Par cons equent, IC IE = I . Un choix ad equat du courant (voir che technique) garantit la polarisation dans le mode actif normal, cest-` a-dire dans le r egime lin eaire.

4.2 Sch emas de polarisation

71

VCC RC RB

I VEE Fig. 4.14 Sch ema de polarisation par source de courant.

72

Polarisation du transistor bipolaire ` a jonction