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https://sites.google.com/site/ingcesaragonzalez/

UNEFA Ncleo Maracay Dpto. de Telecomunicaciones

Prof. Csar Gonzlez Laboratorio de Electrnica II Prctica No 2

AMPLIFICADOR BJT MULTIETAPAS CON ACOPLAMIENTO DIRECTO Los amplificadores multietapas con acoplamiento capacitivo tienen la ventaja de que la polarizacin de sus etapas queda independiente una de la otra y su diseo se puede hacer por separado. Sin embargo, este tipo de amplificadores tiene dos desventajas: Las reactancias capacitivas a bajas frecuencias se comportan como altas impedancias, degradando la ganancia total del amplificador. Esto hace que el diseo sea imprctico para el procesamiento de seales analgicas lentas o de corriente continua, donde se requiere de una respuesta frecuencial plana a bajas frecuencias. El acoplamiento capacitivo slo tiene aplicacin prctica en amplificadores discretos. En amplificadores de circuito integrado los capacitores ocuparan grandes cantidades de valiosa superficie dentro del microcircuito. En amplificadores multietapas con acoplamiento directo, la polarizacin de cada etapa no es independiente de las otras. Ms an, el nivel DC de cada etapa se va trasladando a la siguiente, producindose un problema de apilamiento de voltaje que termina saturando a las etapas finales. Esto se puede corregir, empleando estrategias de desplazamiento del nivel DC. Objetivo: El objetivo de esta prctica es estudiar un amplificador de dos etapas inversoras BJT npn con acoplamiento directo, enfrentarse al problema del apilamiento de voltaje y resolverlo, implementando las tcnicas disponibles. Materiales: Transistores BJT de baja potencia (2N3904 condensadores electrolticos, protoboard, cables y herramientas. Pre-Laboratorio: 1. Dado el circuito de la figura, demostrar y verificar por simulacin que Q2 est saturado por el exagerado valor del voltaje en su base. 2. Calcular el valor de la ganancia de tensin del amplificador, si Q2 pudiera funcionar sin problemas de polarizacin, con la misma corriente que Q1.
Vi 13kohm R2 750ohm Re 750ohm Re

2N2222),

resistencias,

10V Vcc

51kohm R1

2.2kohm Rc

2.2kohm Rc

Vo
10uF Q1 Q2

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Prof. Csar Gonzlez Laboratorio de Electrnica II

A continuacin se presentan dos tcnicas usadas en circuitos integrados, orientadas a resolver el problema de polarizacin del transistor Q2. 3. Calcular el valor del voltaje Zener (Vz) necesario para polarizar correctamente al transistor Q2. 4. Determinar el valor de Rs para polarizar al diodo, tomando en cuenta la potencia del Zener y su influencia en la ganancia total del amplificador.
Vi 13kohm R2 750ohm Re 10uF

10V Vcc

51kohm R1

2.2kohm Rc Dz

2.2kohm Rc

Vo
Q1 Q2

Rs

750ohm Re

Esta segunda tcnica es ms sofisticada que la anterior, ms costosa pero permite mejorar la polarizacin con un circuito transistorizado que desplaza el corrimiento del nivel DC, sin afectar la ganancia total del amplificador.

10V Vcc

51kohm R1

2.2kohm Rc Qa

2.2kohm Rc

Vo
10uF Vi 13kohm R2 750ohm Re Q1 Q2

5. Calcular Ra y Rb de modo que Q2 quede correctamente polarizado, ajustando la corriente del desplazador DC a unos 2mA. Procedimiento: Montar todos los circuitos diseados y medir todas las variables necesarias, en DC y en AC para comprobar su funcionamiento. Post-Laboratorio: Comparar los resultados prcticos con los obtenidos mediante clculos y simulaciones. Analizar y concluir.

Ra 750ohm Re

Qb 10kohm Rx 10V Vcc

10kohm Ry

2mA
Rb