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Haute Ecole d'Ingnierie et de Gestion du Canton de Vaud Dpartement Technologies Industrielles

Unit EAN1

Electronique analogique
Protocoles de laboratoire

i nstitut d' A utomatisation i ndustrielle

Prof. Freddy Mudry

Table des matires


1 Quelques informations
1.1 1.2 Programme du laboratoire EAN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Comment tenir un cahier de laboratoire ? 1.2.1 1.2.2 1.2.3 1.3 1.4 . . . . . . . . . . . . . . . Forme respecter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Rsum de la structure demande . . . . . . . . . . . . . . . . Point important . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

3
3 3 3 4 5 5 6

Evaluation de votre travail . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Rsultats exprimentaux et Matlab

2 Mesures et analyses DC
2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 2.6 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Rsistance interne . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Gnrateur quivalent . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Caractristique de charge . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Mesures AC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Analyse des rsultats . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

9
9 9 9 9 10 10

3 Mesures et analyses AC
3.1 3.2 3.3 3.4 Pralables . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Prvisions thoriques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Mesures . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Analyse des rsultats . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

11
11 11 12 12

4 Mesure et modlisation d'une diode


4.1 Relev de la caractristique d'une diode . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.1.1 4.1.2 4.1.3 4.2 4.2.1 4.2.2 4.2.3 Pralables . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Mesures Graphes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

15
15 15 15 15 16 16 16 18

Modlisation d'une diode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Modle linaire Modle physique

Analyse des rsultats . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

5 Circuits transistors bipolaires


5.1 5.2 Caractristiques du transistor Circuit de base 5.2.1 5.2.2 5.2.3 tude thorique Simulation Mesures . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

19
19 19 20 20 20

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Table des matires


5.2.4 5.3 5.3.1 5.3.2 5.3.3 5.3.4 5.3.5 Analyse des rsultats . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . tude thorique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Simulation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Mesures . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Mise en valeur des rsultats 21 21 21 22 22 22 23

Source de courant . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Analyse des rsultats . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

6 Amplicateur inverseur
6.1 6.2 6.3 Cblage et alimentation d'un AO Caractristiques du LF 356 Amplicateur inverseur 6.3.1 6.3.2 6.3.3 6.3.4 Analyse Mesures . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

25
25 25 26 26 26 27 27

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Simulation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Analyse des rsultats . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

7 Quelques informations techniques


7.1 7.2 Fiches techniques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Caractristiques des condensateurs . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

29
29 29

1 Quelques informations
1.1 Programme du laboratoire EAN
Laboratoire EAN1 : 52 priodes = 13 sances
Initiation Spice / Matlab Mesures et analyse DC Mesures et analyse AC Mesure et modlisation d'une diode Circuits transistors A.O. : entre l'idal et ralit Priodes 12 8 8 8 8 8 Priodes 8 8 8 8 Sances 1-3 4-5 6-7 8-9 10-11 12-13 Sances 1-2 3-4 5-6 7-8 Semaines Semaines

Laboratoire EAN2 : 32 priodes = 8 sances


Ralisation et mesure d'un ltre actif Comparateurs, bascules, circuits PWM Gnrateurs de signaux Oscillateurs (VCO et Wien)

1.2 Comment tenir un cahier de laboratoire ?


An que les rsultats d'une exprience soient utilisables par la suite, il est ncessaire de prendre soigneusement note de ce qui se passe en cours de manipulation. Pour viter des oublis ou des notes disparates et incompltes, il faut se xer une ligne de conduite prcise et stricte. Pour ce faire, procurez-vous un cahier quadrill 5mm de format A4 que vous rserverez uniquement ce laboratoire. Dans ce cahier, chaque nouvelle manipulation dbutera en haut d'une page de droite et vous y crirez en respectant la prsentation et la structure proposes ci-aprs.

1.2.1 Forme respecter


Pour chaque manipulation, l'ensemble des dix points suivants gureront obligatoirement : 1. la date et le nom des personnes participant la manipulation ; 2. le titre de la manipulation (soulign) ; 3. les objectifs atteindre ;

1 Quelques informations
4. une description de l'exprience comprenant les schmas et les calculs pralables ; 5. la simulation correspondante avec schmas et rsultats graphiques ou calculs ; 6. la prsentation des mesures eectues doit tre prcise et complte ; celle-ci doit se faire en donnant : a) le schma de branchement des instruments ; b) le type et la prcision des instruments non-standard ; c) les graphes dcoulant des mesures ; 7. les tableaux de mesures sont viter car dans la plupart des cas on peut

porter les rsultats directement sur les graphes de simulation


les chelles ont t correctement choisies au pralable ;

dont

8. an de pouvoir faire une

analyse critique des rsultats thoriques, simuls et exprimentaux, ceux-ci doivent tre prsents dans un tableau comparatif ;
l'analyse doit tre claire, prcise, argumente et aussi complte que possible ; sitions d'amlioration de la manipulation ;

9. le paragraphe de conclusion sera concis et original ; il peut inclure des propo-

10. la manipulation se termine en rappelant la date et l'heure de la n du travail et doit tre signe par les exprimentateurs.

1.2.2 Rsum de la structure demande


Date : jj.mm.aa Noms : Dupont E. / Durand M.

TITRE DE LA MANIPULATION

1) 2)

Objectifs Description
Schmas Calculs

3)

Simulation
Schma de simulation Rsultats de simulation

4)

Mesures

Schmas de mesures Liste des appareils non-standard et de leur prcision Graphes et rsultats des mesures 5) 6)

Analyse des rsultats avec tableau comparatif Conclusions


Heure : hh. mm Signatures : xxxx et yyyy

Date : jj. mm. aa

1.3 Evaluation de votre travail

Remarque

Comme un cahier de laboratoire s'crit au fur et mesure de la pro-

gression du travail, il est vident que des erreurs y apparaitront. Dans ce cas, il sut de sparer ce qui est erron par deux lignes horizontales et de bier ce qui est incorrect. L'usage intensif de la gomme n'apporte rien, bien au contraire.

1.2.3 Point important


Parmi les points mentionns ci-dessus, il y en a un qui est particulirement important : il s'agit de

l'analyse de l'ensemble des rsultats obtenus. C'est en eet

dans cette partie que vous devrez faire preuve d'imagination, de crativit et d'esprit critique. C'est donc ici qu'apparatra votre personnalit et que vous montrerez votre

capacit analyser avec rigueur ce que vous avez observ et mesur.


mauvaise valuation,

Ce point est susamment important pour que, dans l'apprciation de votre travail, il soit prpondrant par rapport aux autres. Vous devrez donc, pour viter une

vrier que les hypothses formules expliquent numriquement les rsultats obtenus. En particulier, une remarque telle que : Les
dirences observes sont dues au fait que le modle ne concide pas avec la ralit n'a aucun intrt si vous ne prcisez pas o se situent ces dirences et quels sont leurs eets.

1.3 Evaluation de votre travail


L'apprciation d'un rapport est particulirement dicile et subjective car elle dpend essentiellement du sentiment que laisse la premire lecture de celui-ci et assez peu du travail qui a t rellement fourni au laboratoire ou pour sa rdaction. Il ne faut cependant pas oublier que, malgr cela, une grande partie de la communication professionnelle se fait au travers de rapports et que, par consquent, le soin apport la rdaction de ceux-ci est important. Tenant compte de ces remarques, votre rapport sera lu en annotant ses direntes parties l'aide des symboles ci-dessous qui seront gnralement accompagns de remarques explicatives. La note attribue pour votre travail (au demi-point prs) dpendra de ces apprciations et de la qualit des points suivants. Elle dpassera rarement 5.5 car un demi point est rserv l'apport personnel se traduisant par une ide originale ou des calculs avancs. N'oubliez pas que

sera surpondre

l'analyse des rsultats

par rapport aux autres lments et qu'un manque de rigueur

sera sanctionn par une insusance. lments considrs travail eectu prsentation et structure description et calculs simulation qualit des mesures analyse des rsultats apport personnel + Symboles Apprciations excellent trs bien bien susant passable insusant mauvais Note 6.0 5.5 5.0 4.5 4.0 3.5

3.0

1 Quelques informations
Comme dj dit, l'valuation de votre travail n'est pas chose aise et elle est particulirement subjective. C'est pourquoi, si vous prouvez le sentiment d'avoir t injustement not, il est de votre devoir de le dire et d'en discuter. Une bonne argumentation peut montrer une meilleure connaissance de la manipulation que ne l'a laiss accroire votre rapport.

1.4 Rsultats exprimentaux et Matlab


Les rsultats thoriques et exprimentaux sont avantageusement et facilement mis en valeur avec Matlab. Comme exemple, on prsente ci-dessous l'tude d'un ltre passe-bas ralis avec un circuit RC dcrit par sa fonction de transfert

H (j ) =

1 1 + j

avec

= RC

Une illustration de l'tude des rponses frquentielle et indicielle est donne la gure 1.1. On notera que les points exprimentaux sont bien mis en vidence et qu'ils ne doivent pas tre relis entre eux. Les courbes qui sont traces rsultent du modle thorique du circuit. On retiendra donc le point important suivant :

Dans un graphe, il n'y a de points qu'exprimentaux et de courbes que thoriques.


Rponses frquentielle et indicielle dun circuit RC passebas 0 10 HdB 20 30 40 2 10 fc = 10.6 kHz

10

10 frquence [Hz]

10

10

5 4 3 2 1 0 0 0.2 0.4 0.6 temps [sec] 0.8 1 x 10 1.2


4

= 15 sec

u2(t)

Fig. 1.1: Rsultats thoriques et exprimentaux

Voici le chier Matlab permettant de prsenter ces rsultats.

1.4 Rsultats exprimentaux et Matlab


% initialisation Matlab clear all ; close all ; clc ; format compact ; format short g ; % fonction de transfert du circuit R = 15e3 ; C = 1e-9 ; tau = R*C, wc = 1/(R*C), fc = wc/2/pi num = [0,1] ; den = [R*C, 1] ; H_RC = tf(num,den) ; % rponse frquentielle fmin = 100 ; fmax = 1e6 ; ff = logspace(log10(fmin),log10(fmax),500) ; Hjw = freqs(num,den, 2*pi*ff) ; module = abs(Hjw) ; phase = angle(Hjw) ; % mesures U1 = 5 ; % V f_mes = [0.2, 1, 7, 10, 20, 100, 500]*1e3 ; % Hz U2_mes = [5, 4.9, 4.3 3.6, 2.5, 0.5, 0.12] ; % V Hdb_mes = 20*log10(U2_mes/U1) ; % rponse indicielle U1 = 5 ; % V tmax = 8*R*C ; Npts = 1000 ; dt = tmax/Npts ; tt = 0 :dt :tmax-dt ; u1t = U1*ones(size(tt)) ; u1t(1)=0 ; u2t = lsim(num,den, u1t,tt) ; % mesures u2t_mes = [0, 0.5, 3.2, 4.5] ; tt_mes = [0, 2.5, 15, 33]*1e-6 ; % graphes figure ; subplot(2,1,1) ; semilogx(ff, 20*log10(module)) ; hold on ; semilogx(f_mes,Hdb_mes,'or') ; grid on ; axis([fmin,fmax,-40,5]) ; % informations title('Rponses frquentielle et indicielle dun circuit RC passe-bas') ; xlabel('frquence [Hz]') ; ylabel('H_{dB}') ; texte = ['f_c = ', num2str(fc/1000,3), ' kHz'] ; text(fc,2,texte) ; subplot(2,1,2) ; plot(tt,u2t) ; hold on ; plot(tt_mes, u2t_mes, 'or') ; grid on ; axis([0,tmax, -0.1,5.1]) ; xlabel('temps [sec]') ; ylabel('u_2(t)') ; texte = ['\tau = ', num2str(tau*1e6,3), ' \musec'] ; text(1.2*tau,3.22,texte) ; % cration d'un fichier eps contenant la figure print -depsc rc_pbas.eps

1 Quelques informations

2 Mesures et analyses DC
Caractristiques du multimtre HP34401A
RV M = 10 M, fmax = 100 kHz, RAM = 0.1 , fmax = 5 kHz

2.1 Introduction
Dans ce qui suit, vous apprendrez mesurer et modliser un mme quadriple de quatre manires direntes. Chacune de celles-ci possde ces avantages et inconvnients ; vous de les dcouvrir.

2.2 Rsistance interne


Servez-vous d'un botier mis votre disposition et relevez son numro. Aprs avoir rappel la dnition de la rsistance de sortie d'un quadriple, mesurez l'aide d'un ohmmtre la rsistance vue depuis la sortie Que faites-vous avec l'entre ?

2.3 Gnrateur quivalent


Appliquez l'entre de ce quadriple une tension continue 1. Mesurez la tension vide

Udc = 10 [V ]. Icc
du quadriple.

Uco

et le courant de court-circuit

2. Quels sont les gnrateurs de Thvenin et de Norton quivalents de ce circuit ? 3. Quelle est la puissance maximum que peut fournir ce circuit la charge

RL ?

2.4 Caractristique de charge


On souhaite mesurer le courant de sortie du quadriple par rapport la tension fournie une charge rsistive

RL

variable.

1. Dessinez le schma de l'ensemble avec les instruments de mesure ; comment choisissez-vous leur emplacement ? 2. Comme charge variable, utilisez un potentiomtre logarithmique de quelques dizaines de k. Relevez au moins dix points rgulirement rpartis entre 0 et

Uco .

2 Mesures et analyses DC
3. Ouvrez un chier Matlab (par exemple, portez-y directement les mesures de Tracez les points 4. Avec l'aide de la bleau). 5. Que valent

thev.m) et aprs l'avoir initialis U et I ainsi que celles de Uco et Icc . mesurs avec plot(U, I, 'or'). fonction polyfit, calculez puis tracez la droite passant au

mieux parmi les points mesurs et donnez son quation (informations au ta-

Uthv , Rthv

et

Inrt

des modles de Thvenin et Norton ? Comparez-

les aux valeurs prcdentes.

2.5 Mesures AC
Dans le cas o l'on ne peut pas mesurer une droite de charge complte ou courtcircuiter la sortie du diple, on peut obtenir sa rsistance interne en la mesurant en alternatif. Pour cela : 1. Redessinez le schma de la gure 2.1 en prcisant o vous placez les instruments de mesure ; justiez votre choix. 2. Servez-vous d'un condensateur lectrolytique de quelques connexion

F.

Cblez le cir-

cuit en prenant garde la polarisation du condensateur ; o placez-vous sa

3. Choisissez une frquence et une tension du gnrateur AC qui vous paraissent raisonnables ; justiez votre choix. 4. Cblez votre circuit et mesurez

Uac

et

Iac ;

calculez

Rout .

5. La mesure dpend-elle de la tension du gnrateur DC ? de la frquence et/ou de l'amplitude du gnrateur AC ? Pourquoi ? 6. Vriez votre rponse.

C Iac Udc

Circuit rsistif

Uac

Ug,ac

Fig. 2.1: Mesure dynamique d'une rsistance de sortie

2.6 Analyse des rsultats


Portez dans un tableau rcapitulatif les quatre valeurs mesures de la rsistance interne avec une estimation de leur prcision. Analysez et commentez vos rsultats. Laquelle de ces mesures vous parat-elle la plus able ?

Dure

1 sance

10

3 Mesures et analyses AC
Caractristiques du multimtre HP34401A
RV M = 10 M, fmax = 100 kHz, RAM = 0.1 , fmax = 5 kHz

Objectifs

Prvoir et mesurer la rponse frquentielle d'un quadriple LCR.

3.1 Pralables
1. Servez vous d'un botier correspondant ce circuit et d'une rsistance maquette. 2. Avec le multimtre, mesurez la valeur exacte de votre rsistance. 3. Les bobines et les condensateurs des maquettes ont t mesurs avec un RLCmtre. Ces valeurs sont portes dans le tableau 3.1 ; tirez-en celles correspondant votre maquette. 4. Relevez la valeur de la rsistance interne du gnrateur de tension et celle de l'impdance d'entre de l'oscilloscope.

R = 82

que vous placerez entre les bornes prvues cet eet. Notez le numro de votre

Maquettes

1 9.96 15.1 26.6 4.8

2 9.98 15.0 22.6 5.2

3 9.98 15.3 24.9 5.1

4 10.0 15.2 25.5 5.0

5 9.99 15.4 25.2 5.0

6 9.95 15.5 22.6 5.3

7 10.06 11.5 21.4 5.3

8 10.01 15.2 26.0 5.0

9 9.98 15.1 25.6 5.0

10 9.99 15.5 25.2 5.1

11 9.99 15.0 24.0 5.2

12 10.14 14.9 21.4 5.2

Ls [mH] Ds [103 ] Cp [nF] Dp [103 ]

Tab. 3.1: Valeurs des bobines et condensateurs mesurs

frlc = 1 kHz

3.2 Prvisions thoriques


1. Dessinez le schma du circuit LCR. Rappelez ce qui se passe la rsonance ; calculez la pulsation de rsonance

0 ainsi que f0 . Que vaut H (j ) lorsque = H (j ) du quadriple et crivez-

0, 0 , ?

De quel type de ltre s'agit-il ? Esquissez sa rponse frquentielle.

2. Calculez littralement la rponse frquentielle la sous forme canonique.

11

3 Mesures et analyses AC
3. Sachant que la bobine et le condensateur ont t mesurs la frquence

frlc =

1 kHz

et que les facteurs de pertes srie et parallle sont dnis comme suit

Ds

Rs Rs = , Xs L

Dp

Xp 1 = Rp CRp

recherchez et dessinez les modles de la bobine et du condensateur. 4. Dessinez le circuit lectrique complet avec le gnrateur, la bobine et le condensateur rels et l'oscilloscope. Que valent alors dB. 5. Crez un chier Matlab en suivant le modle propos dans la gure 3.1. 6. Observez, analysez et commentez la rponse frquentielle thorique du ltre.

H (0)et H () ?

Exprimez-les en

3.3 Mesures
La ralit est parfois plus complexe qu'on ne le pense. Dans ce qui suit, vous verrez apparatre le phnomne de rsonance (attendu) et celui d'antirsonance (inattendu) d la ralisation de la bobine. 1. Quel est le signal adquat pour mesurer une rponse frquentielle ? Choisissez son amplitude maximum et la frquence de 10 kHz. Reliez le gnrateur votre circuit. Avec l'oscilloscope, observez les signaux d'entre et de sortie. Laissez l'oscilloscope branch sur la sortie. 2. l'aide du voltmtre AC, mesurez les tensions d'entre et de sortie du quadriple en choisissant des frquences qui mettent bien en vidence le comportement du circuit. 3. Crez un chier

mesures.txt

dans lequel vous porterez sur trois colonnes les

valeurs mesures de la frquence et des tensions d'entre et de sortie. 4. Avec Matlab, tracez le Bode d'amplitude mesur

Hmes (f )

et observez rguli-

rement les rsultats obtenus an de vous assurer de la qualit de vos mesures. 5. Veillez avoir

susamment de points autour des comportements particu-

liers que sont les passages par un maximum ou un minimum. Compltez vos mesures si ncessaire.

3.4 Analyse des rsultats


La gure 3.2 prsente les deux composants qui se trouvent dans le botier, savoir le condensateur et la bobine dans son pot en ferrite haute permabilit magntique. Observez la ralisation de celle-ci et notez, qu'entre autres choses, une bobine c'est aussi la juxtaposition de ls conducteurs et d'isolant. 1. Analysez la rponse mesure. S'il n'y a pas concordance entre la mesure et la thorie, essayez de trouver une explication.

12

3.4 Analyse des rsultats


% calcul et mesure d'un filtre LC-R clear all ; close all ; clc ; % composants du botier No ... R = ... ; L = ... ; C = ... ; Ds = ... ; Dp = ... ; w_rlc = 2*pi*1000 ; Rs = ..., Rp = ... % calcul de la rponse frquentielle du modle w0 = .... ; f0 = ... num = [0, R*C, 0] ; den = [L*C, R*C,1] ; % quoi servent les variables num et den ? fmod = logspace(2,6,1000) ; % que fait cette commande ? Hjw = freqs(num, den, 2*pi*fmod) ; Hdb_mod = 20*log10(abs(Hjw)) ; semilogx(fmod, Hdb_mod) ; grid on ; hold on ; % rsultats exprimentaux mesures = load('mesures.txt') ; fmes = mesures( :,1) ; U1 = mesures( :,2) ; U2 = mesures( :,3) ; Hmes = U2 ./ U1 ; Hdb_mes = 20*log10(Hmes) ; semilogx(fmes, Hdb_mes, 'ro') ; % informations sur le graphe title('...') ; xlabel('...') ; ylabel('...') ;
Fig. 3.1: Modle de chier Matlab

Fig. 3.2: Contenu de la maquette LCR : a) le condensateur au polystyrne, b) la

bobine noyau ajustable dans son pot en ferrite et son blindage, c) la bobine seule.

13

3 Mesures et analyses AC
2. Proposez un modle plus complet de la bobine et vriez vos hypothses avec une simulation Spice. 3. tablissez un tableau comparatif des rsultats obtenus avec une estimation de leur prcision. 4. Commentez et concluez.

Dure

1 sance

14

4 Mesure et modlisation d'une diode


Objectifs
Apprendre modliser une diode

4.1 Relev de la caractristique d'une diode


Dans cette manipulation, vous mesurerez la caractristique

ID (UD ) d'une diode puis

la reprsenterez par des modles linaires et exponentiel. Pour bien comprendre les informations concernant les mesures faire et les graphes tracer, commencez par lire attentivement les paragraphes 4.2.1 et 4.2.2.

4.1.1 Pralables
1. Dessinez le schma d'un circuit srie comprenant un gnrateur de tension une rsistance

Udc ,

et une diode

D =1N4148.

2. Choisissez l'emplacement des instruments de mesure vous permettant de mesurer la caractristique de la diode ; justiez votre choix. 3. Choisissez une rsistance

de 0.25 [W] pouvant supporter un courant de

100 [mA].

4.1.2 Mesures
Cblez votre circuit sur une plaque de montage et modiez la valeur de la tension

Udc

de manire pouvoir varier le courant

ID

entre

10 [A]

et

100 [mA].

Puis :

1. Relevez la tension

UD

aux bornes de la diode pour au moins 4 valeurs de

ID

par dcade (par exemple : 1, 2, 3, 5, 10, 20, 30,

).

2. Relevez la valeur de la rsistance interne du voltmtre puis, pour les deux points extrmes de vos mesures, calculez le courant consomm par le voltmtre et valuez l'imprcision ainsi cause sur la mesure de

ID .

4.1.3 Graphes
Portez vos mesures dans un chier Matlab, puis :

15

4 Mesure et modlisation d'une diode


1. Ouvrez une fentre graphique (figure) et deux graphes verticaux (subplot(1,2,k)). a) sur le premier graphe, portez les points mesurs (pas de courbe continue) avec les chelles 0 1V et 0 11mA ; b) sur le deuxime graphe, portez les points mesurs (pas de courbe continue) avec les chelles 0 1V et 0 110mA. 2. Sur une nouvelle gure, portez les points mesurs (pas de courbe continue) dans un graphe semi-logarithmique (semilogy). 3. Sur chacun des trois graphes, n'oubliez pas d'y mettre un titre, des informations sur les axes et une grille.

4.2 Modlisation d'une diode


4.2.1 Modle linaire
Une diode est un lment lectronique dont le fonctionnement est dcrit par une loi exponentielle (voir la section 4.2.2). Cependant, pour la plupart des applications, un modle plus simple, mais susant pour permettre une bonne estimation des courants et tensions, est souhait ; il s'agit du modle linaire statique. La dmarche pour l'obtenir est la suivante : 1. Sur chacun des deux graphes chelles linaires, tracez l'aide d'une rgle une droite tangente aux points mesurs et situe en

ID = 5

mA et 50 mA.

2. Tirez-en deux modles linaires de la diode caractriss par la tension de jonction

Vj

et la rsistance dynamique

rd = UD /ID

4.2.2 Modle physique


Une diode est un lment lectronique dont le fonctionnement direct ou inverse est dcrit par l'quation suivante :

ID = Is eUD /nVT 1
avec :

(4.1)

ID UD Is n VT T k q

courant traversant la diode tension mesure aux bornes de la diode courant de saturation inverse facteur technologique compris entre 1 et 2 (diode Si)

= kT /q =

potentiel thermique

26 mV si T = 300 [K]

temprature en [K] constante de Boltzman charge de l'lectron

16

4.2 Modlisation d'une diode


Lorsque la diode est susamment conductrice (UD simplement :

0.2 [V ]),

cette loi s'crit plus

ID = Is eUD /nVT

(4.2)

On dit alors que le courant augmente exponentiellement avec la tension applique la diode ou, de manire quivalente, que la tension aux bornes de la diode crot comme le logarithme du courant :

UD = n VT ln

ID Is

= 2.3 n VT log

ID Is

(4.3)

Cette loi, valable pour des courants pas trop levs, fait que, dans un diagramme semi-logarithmique, le graphe

log ID = f (UD )

est une droite de pente

log(ID,2 ) log(ID,1 ) 1 log(ID /Is ) = = UD UD,2 UD,1 2.3 n VT

(4.4)

ID 100mA

10mA

URs

1mA

p n

0.1mA p= 0.01mA log(ID/Is) UD

Rs/2
UD UD

Rs/2

Fig. 4.1: Caractristique et modle d'une diode avec sa rsistance srie

Cependant, lorsque le courant traversant une diode relle est lev, on doit encore tenir compte d'une chute de tension ohmique due la rsistance de liaison entre la diode idale et les ls de connexion (gure 4.1). La chute de tension mesure aux bornes d'une diode relle est alors dcrite par :

UD = n VT ln

ID + Rs ID Is

(4.5)

17

4 Mesure et modlisation d'une diode


De l'quation (4.2), on peut montrer que la rsistance direntielle au point de fonctionnement de la diode vaut

rd =

dUD n VT = dID ID

(4.6)

Partant des points mesurs et ports sur le graphe semi-logarithmique : 1. Tracez la main une asymptote valable pour les faibles courants. 2. partir de la pente de l'asymptote et de l'quation 4.4, calculez le facteur technologique

n.

3. partir d'un point de

l'asymptote (pourquoi ?) et de l'quation 4.2, calculez


Is . UD
et

le courant de saturation inverse

4. Pour le courant maximum mesur, que valent de

URs ?

Tirez-en la valeur

Rs . Imod
va-

5. Calculez et tracez la courbe du modle trouv l'aide d'un courant riant de manire continue entre

10 [A]

et

100 [mA]

Imin = 10e-6 ; Imax =100e-3 ; % [I] = [A] Imod = logspace(log10(Imin),log10(Imax),200) ; Umod = n*Vt*log(Imod/Is) + Rs*Imod ; semilogy(Ud,Id,'o',Umod,Imod) ; % [I] = [A]
6. Portez sur le graphe les valeurs des paramtres

Is , n, Rs .

4.2.3 Analyse des rsultats


1. Comparez et commentez la courbe du modle par rapport aux points mesurs. 2. Rappelez les paramtres

Is , n, Rs

de votre modle exponentiel puis comparez-

les ceux proposs par Spice/Orcad pour la diode 1N4148

Is = 2.68nA, n = 1.84, Rs = 0.57


3. Rappelez les paramtres Comparez et commentez 4. Concluez.

Vj

et

culez les valeurs thoriques

rd trouvs pour les deux modles linaires. Calde rd pour les courants moyens ID = 5 et 50 mA.

Dure

1 sance

18

5 Circuits transistors bipolaires


Objectifs
Calculer, simuler et mesurer le comportement d'un circuit de base et d'une source de courant.

5.1 Caractristiques du transistor


Sur les tableaux et graphes des caractristiques du transistor PN100A que l'on peut trouver sur le web ou dans les documents complmentaires du laboratoire, relevez les valeurs suivantes :  le gain en courant du transistor  la tension

(DC Current Gain ) pour

IC

= 0.1mA et 10mA ;

UBE

(Base Emitter ON Voltage ) pour

IC

= 1mA et 10mA ;
Voltage ) pour

 pour quelle valeur de = 1mA et 10mA  la puissance

 la tension de saturation

UCE sont donnes ces deux informations ? UCE, sat (Collector Emitter Saturation (pour quelle valeur de ?) ;
que peut dissiper le transistor.

IC

Pmax

Analysez et commentez ces valeurs par rapport celles utilises dans le modle linaire.

5.2 Circuit de base


C B E
(vu de dessus)

RC

RB

VCC UC RE UE

VBB

Fig. 5.1: Circuit de base

19

5 Circuits transistors bipolaires


5.2.1 tude thorique
Pour les composants de la gure 5.1, on prendra

VCC = 12 V , RE = 0.82 k , RB =
calculez :

8.2 k , RC = 6.2 k .
1. Considrant les valeurs des composants et a) le point de fonctionnement : i. les courants ii. iii.

VBB = 1.5 V ,

IC , IB , IE ; les tensions UB , UE , UC ; la puissance P dissipe par

le transistor ;

b) le point de saturation : i. le courant de saturation ii. les tensions

IC, sat

et la tension

VBB, sat ;

UB , UE , UC VBB
:

au point de saturation.

2. Considrant que l'on varie

a) dessinez les caractristiques de transfert

UE (VBB )

et

UC (VBB ) ;

b) calculez littralement leurs pentes ; que signient-elles ?

5.2.2 Simulation
1. Avec Spice, aprs avoir choisi un transistor circuit de la gure 5.1 en variant

P N 100A

ou

BCW 60B ,

simulez le

VBB

de 0 5 V avec un pas de 0.05 V.

2. Sur une mme gure et trois graphes distincts, tracez les courants

IB (VBB ) ainsi que le gain en IB et lorsque VBB = 1.5 V

courant

= IC /IB .

Avec le curseur, mesurez

IC (VBB ), IC ,

et 3.0 V. Dlimitez la main les trois domaines

de fonctionnement du transistor. Observez et commentez. 3. Sur une deuxime gure, tracez sur un mme graphe les caractristiques de transfert sions

UB (VBB ), UE (VBB ) et UC (VBB ). Avec le curseur, mesurez les tenUBE et UCE lorsque VBB = 1.5 V et 3 V. Ajoutez la main les segments

correspondant aux valeurs thoriques calcules plus haut. Observez et commentez.

5.2.3 Mesures
1. Cblez le circuit de la gure 5.1 avec mable) et

VCC = 12 V

(alimentation DC program-

VBB = 1.5 V

(gnrateur de signaux Siemens en position DC oset).

2. Mesurez avec soin (4 chires signicatifs) les tensions de ces valeurs, dduisez thoriques. 3. Tout en variant

VCC , VBB , UB , UE

et

UC ;

IB , IC , IE

et

Comparez ces mesures aux rsultats

VBB

entre 0 et 3 V (une quinzaine de points judicieusement

choisis susent), mesurez avec soin (4 chires signicatifs) les tensions

VBB ,

UB , UE et UC . Portez ces valeurs chier mesure_tensions.txt.

sur quatre colonnes directement dans un

20

5.3 Source de courant


4. Dans Matlab, a) chargez vos mesures avec les commandes

mesures = load('mesure_tensions.txt') ; VBB = mesures(( :,1) ; UB = mesures( :,2) ; UE = mesures(( :,3) ; UC = mesures( :,4) ;
b) Tracez vos mesures dans un mme graphe (sans relier les points entre eux). Sur cette gure, tracez la main les caractristiques thoriques. c) Des valeurs des tensions, dduisez les courants

IB , IC , IE ; calculez le gain . Sur une nouvelle gure, tracez les trois graphes (subplot(3,1,k)) IC , IB , en fonction de VBB .

5.2.4 Analyse des rsultats


1. Comparez les rsultats de mesure avec ceux de la simulation. En particulier, que valent

et

UCE

lorsque

VBB = 3 V

2. Analysez et commentez l'ensemble des rsultats. Remplissez le tableau comparatif ci-dessous et concluez. Modle linaire transistor actif : Spice Mesures Fabricant

VBB = 1.5 V, IC =

UBE UCE
transistor satur :

VBB = 3.0 V, IC =

UBE UCE

5.3 Source de courant


Le circuit de base de la gure 5.1 peut tre utilis en tant qu'amplicateur ou source de courant. Dans cette manipulation, on s'intresse aux caractristiques de la source de courant avec

VBB = 1.5 V

et

RC

variable. Cette dernire reprsente la charge

RL

que voit la source de courant.

5.3.1 tude thorique


1. Dessinez le schma de la source de courant et sa reprsentation petits signaux. Ecrivez les quations vous permettant de calculer la rsistance de sortie vue depuis la charge 2. Admettant vaudra

Rout

RC = RL . = 250 et VA = 100 V , RC = 10 k ?

calculez

I0

et la rsistance de sortie de

cette source de courant. Tracez sa caractristique

IC (RC ) ;

en particulier, que

IC

lorsque

21

5 Circuits transistors bipolaires


3. Pour quelle valeur de rant

IC

lorsque

la main

RC le transistor saturera-t-il ? Comment voluera le couRC sera suprieur RC, sat ? Sur le graphe prcdent, esquissez IC (RC ) pour RC > RC, sat . IC (URC )
pour

4. Si vous avez le temps, calculez et analysez la caractristique

les parties active et sature du fonctionnement du transistor. Vous dcouvrirez alors que cette caractristique est constitue de deux segments de droite reprsentant chacune une source linaire de tension ou de courant dont vous donnerez les paramtres.

5.3.2 Simulation
1. Dans Spice, dessinez votre circuit en notant que la valeur tance variable 2. Utilisez

RC

doit tre dnie l'aide de la fonction

{Rvar} de la Parameters.

rsis-

Rvar entre 1 et 30k par incrment de 100 . Lancez la simulation et tracez IC en fonction de URC . l'aide du curseur, marquez IC (URC = 0 V ) et IC (URC = 10 V ).
pour varier parez avec la rsistance de sortie thorique et estimez la valeur de par le modle Spice.

DCsweep

3. Mesurez la pente de la partie linaire et tirez-en la rsistance de sortie. Com-

VA

utilise

5.3.3 Mesures
1. Cblez votre circuit avec environ pour 2. Lorsque

VBB

1.5 V

et une rsistance variable de 22k

RC .
de

collecteur

RC = 0, mesurez avec soin (4 chires signicatifs) le courant IC , les tensions VBB et URB . Tirez-en le courant IB et le gain . IC
et la tension

3. Tout en variant la rsistance de collecteur, mesurez avec soin (4 chires signicatifs) le courant de collecteur colonnes directement dans un chier

URC

par pas d'environ

0.5V (relevez au moins une quinzaine de points). Portez ces rsultats sur deux

mesure_courant.txt

5.3.4 Mise en valeur des rsultats


Dans Matlab, chargez vos mesures avec les commandes

mesures = load('mesure_courant.txt') ; IC = mesures(( :,1) ; URC = mesures( :,2) ;


puis : 1. Tracez vos mesures 2. Avec

IC (URC )

dans un premier graphe (subplot(2,1,1)).

Ilin = IC(1 :end-...), Ulin = URC(1 :end-...), extrayez les points reprsentant la partie linaire de la caractristique mesure ; utilisez polyfit
pour calculer l'quation de la droite passant au mieux par ces points.

22

5.3 Source de courant


3. Avec deuxime graphe (subplot(2,1,2)) ainsi que les points de la partie linaire seulement.

polyval,

calculez puis tracez la droite de rgression linaire dans un

5.3.5 Analyse des rsultats


1. Quelle est l'quation de la droite obtenue avec courant de court-circuit. 2. Que valent les gnrateurs quivalents de Norton et de Thvenin ? Concluez. 3. Partant de

polyfit ?

Tirez-en le modle

du gnrateur quivalent votre circuit, savoir sa rsistance interne et son

Rout ,

calculez les valeurs de

VA

du modle Spice et celle de votre

transistor en prenant en compte les direntes valeurs de plissez le tableau ci-dessous.

et

IC ;

puis rem-

Thorie Simulation Mesure

I0

Rout

RC,sat

VA

4. Comparez, analysez, commentez et concluez.

Dure

2 sances

23

5 Circuits transistors bipolaires

24

6 Amplicateur inverseur
Objectifs
Se familiariser avec l'amplicateur oprationnel et apprendre tre critique par rapport aux modles

6.1 Cblage et alimentation d'un AO


La gure 6.1 montre comment on met en place un amplicateur oprationnel sur une plaque de montage et indique la numrotation des broches du circuit. Lors de l'utilisation d'un AO, il faut viter que cet amplicateur haut gain ne se transforme en un oscillateur. Pour ce faire, la prcaution la plus lmentaire consiste diminuer l'impdance des alimentations l'aide de condensateurs de dcouplage (par exemple, des condensateurs cramique de 100nF) placs trs prs de l'AO.

VCC Masse

VCC 100nF 3

8 1

5 4

7 6 4

LF 356 2 3

100nF
Masse VEE
Fig. 6.1: Cblage et alimentation d'un AO

VEE

6.2 Caractristiques du LF 356


1. Sachant que l'AO sera aliment avec

VCC = +12 V

et

VEE = 12 V ,

quelles

tensions de saturation pensez-vous obtenir ?

25

6 Amplicateur inverseur
2. Des spcications de l'amplicateur oprationnel LF356 fournies par le constructeur, tirez les valeurs moyennes du gain

A0 ,

de la frquence de transition

fT = GBW , de la variation limite SR, du taux de rjection du mode commun CMRR. Quelles sont les valeurs maximums de la tension de dcalage Uos et 0 des courants de polarisation IB 25 C ?
3. Tenant compte de ces valeurs, quel est le modle linaire thorique

Aao,th (jf )

d'ordre 1 reprsentant au mieux l'amplicateur oprationnel LF356 ?

6.3 Amplicateur inverseur


6.3.1 Analyse
Considrant un amplicateur inverseur de gain 10 (rappelez son schma) et tenant compte des valeurs moyennes fournies par le constructeur (section 6.2), on demande :

1. Calculez la rponse frquentielle

Ainv,th (jf ) u2,th (t)

de l'amplicateur inverseur. et sa constante de temps ?

2. Que valent sa bande passante thorique 3. Donnez l'expression de sa rponse

finv,th

un signal carr d'amplitude

A.

4. Esquissez cette rponse temporelle ; que vaut sa pente l'origine ? 5. Commentez ces pentes par rapport au SR lorsque le signal d'entre vaut 0.1 V ou 1 V.

6.3.2 Simulation
Dans Spice, dessinez votre circuit (sans les capacits de dcouplage) avec un gnrateur de type

Vpulse.

Placez les tiquettes de ligne

in, in-

et

out.

Dans Probe,

tracez entre 1 Hz et 10 MHz :

1. la rponse frquentielle de l'AO avec

db(V(out)/V(in-)) ; db(V(out)/V(in)) ;

2. la rponse frquentielle de l'amplicateur inverseur avec

Rponse frquentielle de l'AO seul


1. Sur la rponse frquentielle de l'AO, mesurez 2. Connaissant

A0 , fao

et

fT .

A0

et

fao ,

que devrait valoir

fT

? Commentez.

3. Quel est le modle Spice

Aao,sim (jf )

d'ordre 1 de l'AO seul.

4. Quelles dirences observez-vous par rapport au modle thorique ? Commentez.

26

6.3 Amplicateur inverseur

Rponse frquentielle de l'amplicateur inverseur


1. Sur la rponse frquentielle de l'amplicateur inverseur, mesurez sa bande passante et son gain. 2. Calculez le modle correspondant 3. Comparez avec

Ainv,sim (jf ).

Ainv,th (jf )

et commentez.

Rponse temporelle de l'amplicateur inverseur


1. Tracez les rponses temporelles simule et thorique (u2,th (t)) un signal carr d'amplitude 2.

Uout,max = 1 V . Mesurez son temps caractristique. Que vaut la tension de dcalage sur Uout ? Calculez la valeur de Uos du modle
lorsque

Spice. 3. Idem 1, lorsque

Uout,max = 10 V .

4. Observez les dirences et commentez. Si, en cours de simulation, Spice annonce des problmes de convergence, placez une capacit de 0.1pF en parallle avec la rsistance de raction.

6.3.3 Mesures
Cblez un amplicateur de gain 10, puis eectuez les mesures qui suivent. 1. Choisissez un signal (forme et amplitude) vous permettant de bien mesurer le SR de l'AO. Que vaut-il et quelle est sa particularit ? 2. Aprs avoir ramen l'amplitude de la tension de sortie environ 1 V, mesurez la constante de temps de votre amplicateur ; quel signal utilisez-vous ? 3. Pour mesurer la rponse frquentielle de votre amplicateur, quel signal (forme et amplitude) utilisez-vous ? 4. Mesurez quelques points de la rponse frquentielle l'aide de l'oscilloscope. Mesurez exactement sa frquence de coupure. Portez ces points sur le diagramme de Bode trac avec Spice. 5. Quelle est la bande passante de votre amplicateur ? 6. Observez les eets du SR sur un signal sinusodal. partir de quelle frquence estimez-vous que la sinusode est dforme ? Comparez la valeur thorique. Pour l'ensemble des mesures, observez et commentez les signaux intressants.

6.3.4 Analyse des rsultats


Crez un tableau comparatif mettant en vidence les rsultats thoriques, simuls et exprimentaux. Puis analysez, comparez et critiquez vos rsultats.

Dure

2 sances

27

6 Amplicateur inverseur

28

7 Quelques informations techniques


Dans les pages qui suivent, vous trouverez des informations intressantes par rapport au laboratoire et l'lectronique en gnral.

7.1 Fiches techniques


Les ches techniques des composants semiconducteurs utiliss dans ce laboratoire : la diode 1N4148, le transitor PN100 et l'amplicateur oprationnel LF356.

7.2 Caractristiques des condensateurs


Une page extraite de la revue Analog Dialog 30-2 de la socit Analog Devices prsente les caractristiques de la plupart des condensateurs utiliss au laboratoire.

29

1N/FDLL 914/A/B / 916/A/B / 4148 / 4448

1N/FDLL 914/A/B / 916/A/B / 4148 / 4448

Small Signal Diode


Absolute Maximum Ratings*
Symbol
VRRM IF(AV) IFSM
TA = 25C unless otherwise noted

Parameter
Maximum Repetitive Reverse Voltage Average Rectified Forward Current Non-repetitive Peak Forward Surge Current Pulse Width = 1.0 second Pulse Width = 1.0 microsecond Storage Temperature Range Operating Junction Temperature

Value
100 200 1.0 4.0 -65 to +200 175

Units
V mA A A C C

Tstg TJ

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES: 1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 200 degrees C. 2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.

Thermal Characteristics
Symbol
PD RJA

Characteristic
Power Dissipation Thermal Resistance, Junction to Ambient

Max
1N/FDLL 914/A/B / 4148 / 4448 500 300

Units
mW C/W

2002 Fairchild Semiconductor Corporation

1N/FDLL 914/A/B / 916/A/B / 4148 / 4448, Rev. B

1N/FDLL 914/A/B / 916/A/B / 4148 / 4448

Small Signal Diode


(continued)

Electrical Characteristics
Symbol
VR VF

TA = 25C unless otherwise noted

Parameter
Breakdown Voltage Forward Voltage 1N914B/4448 1N916B 1N914/916/4148 1N914A/916A 1N916B 1N914B/4448

Test Conditions
IR = 100 A IR = 5.0 A IF = 5.0 mA IF = 5.0 mA IF = 10 mA IF = 20 mA IF = 20 mA IF = 100 mA VR = 20 V VR = 20 V, TA = 150C VR = 75 V VR = 0, f = 1.0 MHz VR = 0, f = 1.0 MHz IF = 10 mA, VR = 6.0 V (60mA), Irr = 1.0 mA, RL = 100

Min
100 75 620 630

Max

Units
V V mV mV V V V V nA A A pF pF ns

IR

Reverse Current

720 730 1.0 1.0 1.0 1.0 25 50 5.0 2.0 4.0 4.0

CT

Total Capacitance 1N916A/B/4448 1N914A/B/4148 Reverse Recovery Time

trr

Typical Characteristics
160

Ta=25 C

120

T a= 25 C

Reverse Voltage, VR [V]

150

Reverse Current, IR [nA]

100

80

140

60

130

40

120

20

110 1 2 3 5 10 20 30 50 100

10

R everse V oltage, V R [V]

20

30

50

70

100

Reverse Current, IR [uA]

GENERAL RULE: The Reverse Current of a diode will approximately double for every ten (10) Degree C increase in Temperature

Figure 1. Reverse Voltage vs Reverse Current BV - 1.0 to 100 uA

Figure 2. Reverse Current vs Reverse Voltage IR - 10 to 100 V

550

750

Ta= 25 C

Ta= 25 C

Forward Voltage, VR [mV]

450

Forward Voltage, V [mV] F

500

700

650

400

600

350

550

300

500

250

450 1 2 3 5 10 20 30 50 100 0.1 0.2 0.3 0.5 1 2 3 5 10

Forward Current, IF [uA]

Forward Current, I F [m A]

Figure 3. Forward Voltage vs Forward Current VF - 1 to 100 uA

Figure 4. Forward Voltage vs Forward Current VF - 0.1 to 10 mA

1N/FDLL 914/A/B / 916/A/B / 4148 / 4448

Small Signal Diode


(continued)

Typical Characteristics

(continued)

1.6

900

Ta= 25 C

Forward Voltage, V F [mV]

800

Typical Ta= -40 C


o

Forward Voltage, VF [mV]

1.4

700

1.2

600

Ta= 25 C

1.0

500

Ta= +65 C

400

0.8

300 0.6 10 20 30 50 100 200 300 500 800 0.01 0.03 0.1 0.3 1 3 10

Forward Current, IF [mA]

Forward Current, IF [mA]

Figure 5. Forward Voltage vs Forward Current VF - 10 to 800 mA

Figure 6. Forward Voltage vs Ambient Temperature VF - 0.01 - 20 mA (-40 to +65 Deg C)


4.0

0.90

Reverse Recovery Time, t rr [ns]

TA = 25 C

Ta = 25 C

3.5

Total Capacitance (pF)

0.85

3.0

2.5

0.80

2.0

1.5

0.75 0 2 4 6 8 10 12 14

1.0 10 20 30 40 50 60

REVERSE VOLTAGE (V)

Reverse Recovery Current, Irr [mA]


IF = 10mA - IRR = 1.0 mA - Rloop = 100 Ohms

Figure 7. Total Capacitance

Figure 8. Reverse Recovery Time vs Reverse Recovery Current

500

500

400

Power Dissipation, P [mW] D

400

DO-35

Current (mA)

300

300

200

IF(

AV )

- A VE

R AG

SOT-23

E RE C

200

TIFIE

D CU

R RE

100

NT -

mA

100

0 0 50 100
o

150

0 0 50 100 150
o

200

Ambient Temperature ( C)

Temperature [ C]

Figure 9. Average Rectified Current (IF(AV)) versus Ambient Temperature (TA)

Figure 10. Power Derating Curve

N
PN100 PN100A
C C B

PN100 / MMBT100 / PN100A / MMBT100A

Discrete POWER & Signal Technologies

MMBT100 MMBT100A

TO-92
E

SOT-23
Mark: NA / NA1

NPN General Purpose Amplifier


This device is designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 300 mA. Sourced from Process 10.

Absolute Maximum Ratings*


Symbol
VCEO VCBO VEBO IC TJ, Tstg Collector-Emitter Voltage Collector-Base Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current - Continuous

TA=25C unless otherwise noted

Parameter

Value
75 45 6.0 500 -55 to +150

Units
V V V mA C

Operating and Storage Junction Temperature Range

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES : 1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C. 2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.

Thermal Characteristics
Symbol
PD RJC RJA

TA= 25C unless otherwise noted

Characteristic
Total Device Dissipation Derate above 25C Thermal Resistance, Junction to Case Thermal Resistance, Junction to Ambient PN100A 625 5.0 83.3 200

Max
*MMBT100A 350 2.8 357

Units
mW mW/C C/W C/W

*Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."

PN100 / MMBT100 / PN100A / MMBT100A

NPN General Purpose Amplifier


(continued)

Electrical Characteristics
Symbol Parameter

TA= 25C unless otherwise noted

Test Conditions

Min

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS
BVCBO BVCEO BVEBO ICBO ICES IEBO Collector-Base Breakdown Voltage Collector-Emitter Breakdown Voltage* Emitter-Base Breakdown Voltage Collector Cutoff Current Collector Cutoff Current Emitter Cutoff Current IC = 10 A, IB = 0 IC = 1 mA, IE = 0 IE = 10 A, IC = 0 VCB = 60 V VCE = 40 V VEB = 4 V 75 45 6.0 50 50 50 V V V nA nA nA

ON CHARACTERISTICS
hFE DC Current Gain IC = 100 A, VCE = 1.0 V IC = 10 mA, VCE = 1.0 V IC = 100 mA, VCE = 1.0 V* IC = 150 mA, VCE = 5.0 V* VCE(sat) VBE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter Saturation Voltage IC = 10 mA, IB = 1.0 mA IC = 200 mA, IB = 20 mA* IC = 10 mA, IB = 1.0 mA IC = 200 mA, IB = 20 mA* 100 100A 100 100A 100 100A 80 240 100 300 100 100 100 450 600 350 0.2 0.4 0.85 1.0 V V V V

SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS


fT Cobo NF Current Gain - Bandwidth Product Output Capacitance Noise Figure VCE = 20 V, IC = 20 mA VCB = 5.0 V, f = 1.0 MHz IC = 100 A, VCE = 5.0 V, RG = 2.0 k, f = 1.0 kHz 100 100A 250 4.5 5.0 4.0 MHz pF dB dB

*Pulse Test: Pulse Width 300 s, Duty Cycle 2.0%

Typical Characteristics
Typical Pulsed Current Gain vs Collector Current
400
Vce = 5V 125 C

VCESAT - COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (V)

h FE - TYPICAL PULSED CURRENT GAIN

Collector-Emitter Saturation Voltage vs Collector Current


0.4 = 10 0.3
25 C

300
25 C

200
- 40 C

0.2

100

0.1

125 C - 40 C

0 10

20 30 50 100 200 300 I C - COLLECTOR CURRENT (mA)

500

10 100 I C - COLLECTOR CURRENT (mA)

400

PN100 / MMBT100 / PN100A / MMBT100A

NPN General Purpose Amplifier


(continued)

Typical Characteristics

(continued)

VBESAT - COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (V)

1 0.8 0.6 0.4 0.2 0.1 1 10 100 I C - COLLECTOR CURRENT (mA) 300
- 40 C 25 C 125 C

V - BASE-EMITTER ON VOLTAGE (V) BEON

Base-Emitter Saturation Voltage vs Collector Current

Base-Emitter ON Voltage vs Collector Current


1 0.8 0.6
125 C - 40 C 25 C

= 10

0.4 V CE = 5V 0.2 1 10 100 I C - COLLECTOR CURRENT (mA) 500

Collector-Cutoff Current vs Ambient Temperature


I CBO- COLLECTOR CURRENT (nA) 10 VCB = 60V CAPACITANCE (pF) 10 100

Input and Output Capacitance vs Reverse Voltage


f = 1.0 MHz

Cib Cob

0.1 25

50 75 100 125 TA - AMBIENT TEMPERATURE ( C)


Pr10

150

0.1 0.1

1 10 Vce- COLLECTOR VOLTAGE(V)

100

Switching Times vs Collector Current


270 240 210 TIME (nS) 180 150 120 90 60 30 0 10
td tf tr
IB1 = IB2 = Ic / 10 V cc = 10 V

Power Dissipation vs Ambient Temperature


700
ts

P D - POWER DISSIPATION (mW)

300

600 500 400 300 200 100 0 0 25 50 75 100 TEMPERATURE ( o C) 125 150
SOT-23 TO-92

20 30 50 100 I C - COLLECTOR CURRENT (mA)

200

300

LF155/LF156/LF256/LF257/LF355/LF356/LF357 JFET Input Operational Amplifiers

December 2001

LF155/LF156/LF256/LF257/LF355/LF356/LF357 JFET Input Operational Amplifiers


General Description
These are the first monolithic JFET input operational amplifiers to incorporate well matched, high voltage JFETs on the same chip with standard bipolar transistors (BI-FET Technology). These amplifiers feature low input bias and offset currents/low offset voltage and offset voltage drift, coupled with offset adjust which does not degrade drift or common-mode rejection. The devices are also designed for high slew rate, wide bandwidth, extremely fast settling time, low voltage and current noise and a low 1/f noise corner. n Logarithmic amplifiers n Photocell amplifiers n Sample and Hold circuits Common Features n Low input bias current: 30pA n Low Input Offset Current: 3pA n High input impedance: 1012 n Low input noise current: n High common-mode rejection ratio: n Large dc voltage gain: 106 dB

100 dB

Features
Advantages n Replace expensive hybrid and module FET op amps n Rugged JFETs allow blow-out free handling compared with MOSFET input devices n Excellent for low noise applications using either high or low source impedance very low 1/f corner n Offset adjust does not degrade drift or common-mode rejection as in most monolithic amplifiers n New output stage allows use of large capacitive loads (5,000 pF) without stability problems n Internal compensation and large differential input voltage capability

Uncommon Features
LF155/ LF355
j Extremely

LF156/ LF256/ LF356 1.5

LF257/ LF357 (AV =5) 1.5

Units

fast settling time to 0.01%


j Fast slew

5 2.5 20

12 5 12

50 20 12

V/s MHz

rate
j Wide gain

Applications
n n n n Precision high speed integrators Fast D/A and A/D converters High impedance buffers Wideband, low noise, low drift amplifiers

bandwidth
j Low input

noise voltage

Simplified Schematic

00564601

*3pF in LF357 series.

BI-FET, BI-FET II are trademarks of National Semiconductor Corporation.

2001 National Semiconductor Corporation

DS005646

www.national.com

LF155/LF156/LF256/LF257/LF355/LF356/LF357

Absolute Maximum Ratings

(Note 1)

If Military/Aerospace specified devices are required, contact the National Semiconductor Sales Office/Distributors for availability and specifications. LF155/6 Supply Voltage Differential Input Voltage Input Voltage Range (Note 2) Output Short Circuit Duration TJMAX H-Package N-Package M-Package Power Dissipation at TA = 25C (Notes 1, 8) H-Package (Still Air) H-Package (400 LF/Min Air Flow) N-Package M-Package Thermal Resistance (Typical) JA H-Package (Still Air) H-Package (400 LF/Min Air Flow) N-Package M-Package (Typical) JC H-Package Storage Temperature Range Soldering Information (Lead Temp.) Metal Can Package Soldering (10 sec.) Dual-In-Line Package Soldering (10 sec.) Small Outline Package Vapor Phase (60 sec.) Infrared (15 sec.) 215C 220C 215C 220C 260C 260C 260C 300C 300C 300C 23C/W 65C to +150C 23C/W 65C to +150C 23C/W 65C to +150C 160C/W 65C/W 160C/W 65C/W 130C/W 195C/W 160C/W 65C/W 130C/W 195C/W 560 mW 1200 mW 400 mW 1000 mW 670 mW 380 mW 400 mW 1000 mW 670 mW 380 mW 150C 115C 100C 100C 115C 100C 100C LF256/7/LF356B LF355/6/7

22V 40V 20V


Continuous

22V 40V 20V


Continuous

18V 30V 16V


Continuous

See AN-450 Surface Mounting Methods and Their Effect on Product Reliability for other methods of soldering surface mount devices. ESD tolerance (100 pF discharged through 1.5k) 1000V 1000V 1000V

DC Electrical Characteristics
(Note 3) Symbol VOS VOS/T TC/VOS IOS Parameter Input Offset Voltage Average TC of Input Offset Voltage Change in Average TC with VOS Adjust Input Offset Current Conditions Min RS =50, TA =25C Over Temperature RS =50 RS =50, (Note 4) TJ =25C, (Notes 3, 5) TJTHIGH 5 0.5 3 20 20 LF155/6 Typ 3 Max Min 5 7 5 0.5 3 20 1 LF256/7 LF356B Typ 3 Max Min 5 6.5 5 0.5 3 50 2 LF355/6/7 Typ 3 Max 10 13 mV mV V/C V/C per mV pA nA Units

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LF155/LF156/LF256/LF257/LF355/LF356/LF357

DC Electrical Characteristics
(Note 3) Symbol IB RIN AVOL Parameter Input Bias Current Input Resistance Large Signal Voltage Gain Output Voltage Swing Input Common-Mode Voltage Range Common-Mode Rejection Ratio Supply Voltage Rejection Ratio (Note 6)

(Continued) LF256/7 LF356B Max Min 100 50 10 50 25


12

Conditions Min TJ =25C, (Notes 3, 5) TJTHIGH TJ =25C VS = 15V, TA =25C VO = 10V, RL =2k Over Temperature

LF155/6 Typ 30

LF355/6/7 Max Min 100 5 Typ 30 10 25 15


12

Units pA nA V/mV V/mV

Typ 30 10
12

Max 200 8

200

50 25

200

200

VO VCM CMRR PSRR

VS = 15V, RL =10k VS = 15V, RL =2k VS = 15V

12 10 11
85 85

13 12
+15.1 12 100 100

12 10 11
85 85

13 12 15.1
12 100 100

12 10
+10 80 80

13 12
+15.1 12 100 100

V V V V dB dB

DC Electrical Characteristics
TA = TJ = 25C, VS = 15V Parameter Supply Current LF155 Typ 2 Max 4 LF355 Typ 2 Max 4 LF156/256/257/356B Typ 5 Max 7 LF356 Typ 5 Max 10 LF357 Typ 5 Max 10 Units mA

AC Electrical Characteristics
TA = TJ = 25C, VS = 15V LF155/355 Symbol SR Parameter Slew Rate Conditions Typ LF155/6: AV =1, LF357: AV =5 GBW ts en Gain Bandwidth Product Settling Time to 0.01% Equivalent Input Noise Voltage (Note 7) RS =100 f=100 Hz f=1000 Hz in Equivalent Input Current Noise Input Capacitance f=100 Hz f=1000 Hz 25 20 0.01 0.01 3 15 12 0.01 0.01 3 15 12 0.01 0.01 3 pF 2.5 4 5 1.5 5 LF156/256/ 356B Min 7.5 LF156/256/356/ LF356B Typ 12 50 20 1.5 LF257/357 Units Typ V/s V/s MHz s

CIN

Notes for Electrical Characteristics


Note 1: The maximum power dissipation for these devices must be derated at elevated temperatures and is dictated by TJMAX, JA, and the ambient temperature, TA. The maximum available power dissipation at any temperature is PD =(TJMAXTA)/JA or the 25C PdMAX, whichever is less. Note 2: Unless otherwise specified the absolute maximum negative input voltage is equal to the negative power supply voltage. Note 3: Unless otherwise stated, these test conditions apply:

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CAPACITOR COMPARISON CHART


TYPE DIELECTRIC ADVANTAGES ABSORPTION
<0.1% Small case size Inexpensive Good stability Wide range of values Many vendors Low inductance Inexpensive Low DA available Wide range of values Good stability Inexpensive Low DA available Wide range of values Low DA available Good stability Operational above +125 C Wide range of values Good DA Small Operational above +125 C Low inductance Good stability Low cost Wide temperature range Moderate stability Low cost Wide temperature range Low inductance (stacked film) Low inductance Wide range of values Low loss at HF Low inductance Very stable Available in 1% values or better Large values High currents High voltages Small size Small size Large values Medium inductance

DISADVANTAGES

NPO ceramic

DA generally low, but may not be specified Limited to small values (10 nF)

Polystyrene

0.001% to 0.02%

Damaged by temperature > +85 C Large case size High inductance Damaged by temperature > +105 C Large case size High inductance Relatively expensive Large size High inductance Limited availability Available only in small capacitance values Large size DA limits to 8-bit applications High inductance Large size DA limits to 8-bit applications High inductance

Polypropylene 0.001% to 0.02% Teflon 0.003% to 0.02%

MOS

0.01%

Polycarbonate 0.1%

Polyester

0.3% to 0.5%

Monolithic ceramic (High K) Mica

>0.2%

>0.003%

Poor stability Poor DA High voltage coefficient Quite large Low values (<10 nF) Expensive

Aluminum electrolytic

High

Tantalum electrolytic

High

High leakage Usually polarized Poor stability Poor accuracy Inductive Quite high leakage Usually polarized Expensive Expensive Poor stability Poor accuracy

Analog Dialogue 30-2 / Analog Devices