SEMICONDUTOR DE JUNO E DISPOSITIVO

Milton Expedito de Oliveira Neto

Semicondutores de Juno
A juno dos dois tipos de cristais semicondutores, dopados adequadamente, cria um tipo de dispositivo eletrnico com caractersticas eltricas bem diferentes das encontradas nos componentes eltricos comuns ( resistncia, capacitor e indutor). indutor). Um semicondutor dopado passa a ser denominado extrnseco extrnseco. .

Semicondutor extrnseco tipo N Para se formar um

material tipo N adiciona adicionase, ao cristal de silcio, impurezas pentavalentes. pentavalentes. A figura mostra que haver quatro ligaes completas, e um eltron livre, por regio do material. material . O material tem assim caractersticas doadoras, ou seja de doar o eltron livre de maneira a ficar estvel. estvel. Os eltrons so os portadores maioritarios e as lacunas os minoritrios minoritrios. .

Semicondutor extrnseco tipo P Para se formar um

material do tipo P adicionaadiciona -se, ao cristal de silcio impurezas trivalentes. trivalentes . A figura mostra que haver trs ligaes completas de eltrons e uma quarta incompleta, por regio do material, originando uma lacuna e um on negativo fixo estrutura do cristal. cristal. As lacunas so os portadores maioritarios e os eltrons os minoritrios.

Analogia entre P e N

Diodo Semicondutor
Para construir dispositivos semicondutores de juno (diodo) necessrio unir os materiais tipo P e tipo N de maneira a formar uma juno PN PN. .
A

Tipo n

Tipo p

Juno PN no polarizada
Na juno PN no polarizada , haver um deslocamento de eltrons da regio N para a regio P e simultaneamente um deslocamento das lacunas da regio P para a regio N, originando uma corrente, denominada corrente de difuso. difuso . Durante esse deslocamento de portadores de cargas , eltrons e lacunas recombinamrecombinam-se, anulando as suas cargas, surgindo ao lado da juno uma regio neutra denominada barreira de potencial ou regio de depleo depleo. .

Diodo inversamente polarizado Neste tipo de polarizao , o plo

positivo atrara os eltrons e o plo negativo as lacunas, aumentando assim a barreira de potencial. potencial . Portanto, no haver conduo de corrente devido aos portadores maioritarios, existindo apenas uma corrente devido aos portadores minoritrios (corrente de fuga) que para o condutor de silcio da ordem de nanoamperes (nA) tornandotornando -se desprezvel. desprezvel. O material apresentar caractersticas isolantes pois, devido ao aumento da barreira de potencial, no haver corrente. corrente .

Diodo diretamente polarizado

O plo positivo atrair os eltrons livres do lado N, fazendofazendo -os vencer a barreira de potencial, originando assim uma corrente de eltrons do plo negativo para o plo positivo da bateria, sendo esta ultima adotada, para fins de anlise, em circuitos com dispositivos semicondutores. semicondutores . O material tem caracterstica condutiva, permitindo a circulao de uma corrente. corrente. Devido aos ons formados na barreira, aparecer uma diferena de potencial

Curva do diodo
ID = IS e
KV D TK

VD>0 , ID ser positivo e cresce conforme a funo exponencial. VD=0, A equao acima tornatorna -se ID =0 VD<0, o primeiro termo cai rapidamente para valores menores que IS, resultando em ID= -IS

Efeito da temperatura sobre o diodo

De acordo com a equao anterior ao slide a temperatura possui efeito sobre as caractersticas de um diodo semicondutor de silcio silcio. . A corrente de saturao reversa IS ter uma amplitude praticamente dobrada para cada aumento de 10 10C C na temperatura, isto est de acordo com as evidencias experimentais. experimentais.

Diodo Zener
Funciona como um limitador de tenso. tenso. Ocorre quando um ponto de aplicao de uma tenso suficientemente negativa resulta numa mudana brusca na curva caracterstica do diodo semicondutor semicondutor. . A corrente no sentido negativo aumenta a uma taxa superior ao do sentido positivo. positivo. Ento surge um potencial de polarizao reversa conhecido como potencial Zener (VZ).

Diodo Zener
O fato de a curva cair abaixo do eixo horizontal e se distanciar dele, revela que a corrente na regio Zener tem o sentido oposto ao de um diodo polarizado diretamente. diretamente . A localizao da regio Zener controlada variando os nveis de dopagem. dopagem . Impureza inversamente proporcional ao potencial Zener. Zener.

Diodos Emissores de Luz juno PN polarizada (LED)Na diretamente existe dentro

da estrutura uma recombinao de lacunas e eltrons. eltrons . A energia do eltron livre no ligado transferida para outro estado de energia. energia . Em todas as junes PN do semicondutor, uma parte dessa energia ser emitida na forma de calor e outra parte na forma de ftons. ftons. Ento o LED pode emite luz nas cores vermelho, verde, amarelo e branco. branco.

Aplicao dos semicondutores

Diodo semicondutor:
Retificador : Tem funo de transformar I e V de AC para DC. Ceifadores: Tem a capacidade de ceifar uma poro de sinal de entrada sem distorcer o restante da forma de onda alternada. Grampeador: possui a funo de grampear o sinal em um valor CC diferente.

Diodo Zener Serve como um regulador de tenso. Diodo Emissor de Luz (LED) utilizado em displays digitais de diversos equipamentos eletrnicos, seja eles: calculadoras, relgios, televiso e etc.

BIBLIOGRAFIA
Tipler, Paul A. Fsica para cientistas e engenheiros; volume 4, tica e Fsica Moderna; Terceira Edio; editora Guanabara Koogan S.A., Rio de Janeiro. Malvino, Albert Paul. Eletrnica ; volume 1; Quarta edio; editora Makron Books LTDA, So Paulo. Boylestad, Robert L. Dispositivos eletrnicos e teoria de circuitos; volume nico; Oitava edio; editora Pearson, So Paulo.