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Florin CIUPRINA

Petru V. NOINGHER

SCIENCE DES MATERIAUX DE LELECTROTECHNIQUE


TRAVAUX PRATIQUES ET EXERCICES

UNIVERSITATEA POLITEHNICA BUCURETI

Facultatea de Electrotehnic Florin CIUPRINA Petru NOINGHER

SCIENCE DES MATERIAUX DE LELECTROTECHNIQUE


TRAVAUX PRATIQUES ET EXERCICES

2001

Florin Ciuprina, Petru Noingher Science des matriaux de llectrotechnique Travaux pratiques et exercices

Refereni tiinifici : Prof.dr.ing. V. Fireeanu Prof.dr.ing. C. Fluerau

Printech, Bucureti, 2001 Splaiul Independenei 313, 77206, Bucureti

Table de matires
Prface I. Travaux pratiques 1. Rsistivit volumique et superficielle des matriaux isolants solides. 2. Rigidit dilectrique des matriaux isolants. 3. Permittivit relative et facteur de pertes dilectriques des matriaux isolants solides. 4. Paramtres lectriques des matriaux semiconducteurs. 5. Proprits des matriaux magntiques doux. 6. Proprits des ferrites magntiques douces. 7. Proprits magntiques des matriaux magntiques durs. 8. Etude du phnomne dhystrsis dilectrique. II. Exercices 1. Proprits conductrices des matriaux. 2. Proprits dilectriques des matriaux. 3. Proprits magntiques des matriaux. Bibliographie 47 53 61 69 7 11 17 23 29 33 37 41 3

I. TRAVAUX PRATIQUES

Prface
Connatre les proprits des matriaux utiliss dans la construction des dispositifs et des quipements lectriques et lectroniques, et aussi les modifications de ces proprits sous laction des sollicitations du milieu ambiant, constitue lun des lments fondamentaux de la formation de lingnieur du gnie lectrique. Dans ce sens, la ralisation dapplications numriques et pratiques joue un rle trs important. Louvrage Science des Matriaux de lElectrotechniques Travaux pratiques et Exercices sadresse surtout aux tudiants en troisime anne de lUniversit POLITEHNICA de Bucarest, le Dpartement de Sciences de lIngnieur, Filire Francophone, Gnie lectrique et Informatique. Cet ouvrage a comme but principal de fixer et de complter les connaissances acquises au cours Science des Matriaux de lElectrotechnique et contient deux parties distinctes. La premire partie Travaux pratiques est base sur le guide de laboratoire de Matriaux de lElectrotechniques labor par A. Ifrim, V. Fireeanu, P. Noingher et D. Stanciu, et prsente 8 travaux pratiques que les tudiants effectuent dans le cadre du Laboratoire de Matriaux de lElectrotechniques. Chaque travail contient un brviaire de notions thoriques ncessaires la comprhension du travail a effectu, ce qui facilite linterprtation des rsultats exprimentaux obtenus. La deuxime partie Exercices est base sur le recueil dapplications numriques de Matriaux de lElectrotechniques labor par P. Noingher et I. Radu, et regroupe 26 applications numriques concernant les proprits conductrices, dilectriques et magntiques des matriaux utiliss dans lingnierie lectrique. La ralisation de ces applications permet aux tudiants de fixer les ordres de grandeur des principales proprits des matriaux. A llaboration de cet ouvrage (traduction de certains travaux en franais) ont particip aussi les thsards ing. Oana Viata, ing. Laurenia Dumitrescu et ing. Laureniu Dumitran, auxquels les auteurs apportent les plus chaleureux remerciements. Les auteurs remercient aussi aux professeurs Virgiliu Fireeanu et Cezar Fluerau pour avoir fait le comte rendu de cet ouvrage et, surtout, pour les observations et les suggestions destines a lamlioration de son contenu. AUTEURS

GUIDE DE LABORATOIRE

1. Rsistivit volumique et superficielle des matriaux isolants solides


1. But Le but gnral de ce travail est de dterminer les grandeurs qui expriment la rsistance quun matriau oppose au passage du courant dans son volume ou sur sa surface, respectivement la rsistivit volumique v et la rsistivit superficielle s. Les mesures et les calculs effectus permettent de fixer les valeurs de ces grandeurs pour les isolants usuels. 2. Notions thoriques La rsistance de volume Rv [] est le rapport entre la tension continue applique entre deux lectrodes qui sont en contact avec les faces opposes dun chantillon et le courant entre les deux lectrodes, en excluant le courant de surface. La rsistivit volumique v [m] est le rapport entre lintensit du champ lectrique continu et la densit du courant qui parcourt le matriau isolant. Cette grandeur exprime la difficult du passage du courant lectrique travers dun matriau. La rsistance de surface Rs [] est le rapport entre la tension continue applique entre deux lectrodes appliques sur la surface dun chantillon et le courant entre les deux lectrodes. La rsistivit superficielle s [] est le rapport entre lintensit du champ lectrique continu et la densit linaire du courant qui parcourt la couche superficielle dun matriau isolant. La rsistivit superficielle est numriquement gale la rsistance de surface entre deux lectrodes qui forment les cts opposs dun carr de certaines dimensions. Quand on mesure les rsistances, les valeurs indiques par les appareilles ne doivent pas tre notes immdiatement aprs lapplication de la tension, mais aprs une priode bien prcise t. La raison est que immdiatement aprs lapplication de la tension, le courant travers le matriau (appel courant dabsorption) dcrot asymptotiquement vers la valeur de rgime stationnaire (figure 1). En pratique, la dure dapplication de la tension est par convention dune minute.

Figure 1. Courant dabsorption et courant de conduction dans un isolant 7

SCIENCE DES MATERIAUX DE LELECTROTECHNIQUE 3. Objectifs 2.1. Dterminer les valeurs de v et de s pour quelques isolants solides; 2.2. Comparer les rsultats obtenus et expliquer les diffrences. 4. Dterminations exprimentales La figure 2 prsente le montage utilis pour effectuer les mesures exprimentales.

e1, e2 - lectrodes de mesure; e3 - anneau de garde; M - matriau isolant; A - ampremtre; V - voltmtre; K - commutateur; Rp - rsistance de protection de lampremtre A;

Figure 2. Schma du montage utilis Afin de dterminer la rsistivit volumique on passe le commutateur K sur la position a. On applique la tension dessai U = 500 V et, aprs une minute, on mesure lintensit du courant Iv qui circule, par le volume du matriau, entre les lectrodes e1 et e2. Dans ce cas, e3 est un anneau de garde qui intercepte les courants de fuite sur la surface du matriau en les dirigeant en dehors du circuit de mesure. Aprs la mesure du courant Iv on coupe la tension et on passe le commutateur K sur la position b afin de dterminer la rsistivit superficielle. Ensuite, on applique la mme tension U = 500 V et (aprs une minute) on mesure le courant It qui est la somme entre le courant qui circule, par le volume du matriau, entre les lectrodes e1 et e2 et le courant qui circule, sur la surface du matriau, entre les lectrodes e1 et e3. La rsistivit volumique est calcule par la relation: S v = Rv , d U o Rv = R p , reprsente la rsistance volumique, S = D12 / 4 - la surface de Iv llectrode e1 et d - lpaisseur de lchantillon de mesure. La rsistivit superficielle est calcule par la relation: P s = Rs , g U RR Rs = v t reprsente la rsistance superficielle; Rt = R p ; It Rv Rt P = Dm ; Dm = 1 ( D1 + D3 ) (figure 3); 2

o:

g=1 ( D3 D1 ) . 2

GUIDE DE LABORATOIRE

Figure 3. Notations des dimensions des lectrodes

Noter les rsultats obtenus dans un tableau de type suivant: Matriau isolant d [mm] U [V] Iv [A] Rv []

v [m]

It [A]

Rt []

s []

5. Vrifications des rsultats Le tableau 1 prsente les valeurs de v pour quelques matriaux isolants. Tableau 1. Valeurs de v 20C et humidit relative 0% Matriau isolant Matriau stratifi base de tissure de verre Matriau stratifi base de cellulose PCV plastifi PCV non - plastifi Carton comprim Matriau stratifi base de texture textile Isolation mixte Asbeste Micanite Polyamide (Nylon)

v [m]
1011 - 1012 108 109 109 - 1012 1011 - 1013 1011 - 1012 109 1010 1011 - 1012 103 - 1011 1011 - 1012 1010 - 1011

SCIENCE DES MATERIAUX DE LELECTROTECHNIQUE 5. Questions Quelles sont les valeurs typiques de la rsistivit volumique pour les matriaux isolants? Pourquoi est-il ncessaire de mettre un anneau de garde? Quelle est linfluence de lhumidit et de la temprature sur les valeurs des rsistivits volumique et superficielle? Est-ce que lintensit du champ lectrique appliqu au matriau influence les valeurs des rsistivits volumique et superficielle?

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GUIDE DE LABORATOIRE

2. Rigidit dilectrique des matriaux isolants


1. But Le but gnral de ce travail est de dterminer les valeurs de la rigidit dilectrique des matriaux isolants et de mettre en vidence le phnomne de contournement et de claquage des isolants. 2. Notions thoriques Claquage dun isolant: la perte subite de la proprit isolante dun matriau soumis un champ lectrique. La rigidit dilectrique Ec est la valeur maximum de lintensit du champ lectrique auquel peut tre soumis un isolant, sans apparition dun claquage.

La rigidit dilectrique dun matriau peut varier de plusieurs ordres de grandeur selon lutilisation qui en est faite. Dans des conditions de travail identiques, il nest pas rare de voir Ec varier de simple au double. La puret, le mode de mise en oeuvre, la forme de lchantillon et le milieu environnant ne sont que quelques exemples de causes pouvant influencer fortement Ec. Cela explique les grandes diffrences entre les valeurs de Ec dtermines de faon thorique et celles dtermines exprimentalement. Pour dterminer la rigidit dilectrique exprimentale, les essais se droulent selon des procdures trs prcisment dfinies de faon garantir une certaine reprsentativit aux rsultats obtenus. On peut diviser ces essais en deux classes: Les essais sur chantillon dans lesquels on teste lisolant pour lui-mme. La forme de lchantillon et des lectrodes sont spcifies, ainsi que lenvironnement et la fonction du temps selon laquelle le champ est appliqu: champ continu vari par escaliers, champ sinusodal augment continment, impulsions de mme polarit ou de polarit alternes etc. Ces essais ont lieu en laboratoire et ils servent au contrle de matires premires et leur dveloppement technologique. Les essais sur installation. Il sagit ici simplement de dmontrer quen aucun point de linstallation, lisolation ne prsente de dfauts ou nest sollicite de manire quun claquage puisse se produire en fonctionnement normal. Ces essais se rsument soumettre linstallation, pendant un temps dtermin, une tension nominale U0 multiplie par un facteur suprieur 1. Les facteurs 1,25 ou 2,5 sont utiliss couramment. Si lisolation est sensible aux dcharges partielles, le niveau de telles dcharges sera vrifie, par exemple, 1,25 U0. Les mcanismes responsables de claquages permettent de classer ces derniers en deux catgories: les claquages thermiques et les claquages lectriques. Claquage thermique. Les pertes dilectriques de conduction et de polarisation provoquent un dgagement de chaleur dans les isolants. Tant que la chaleur ainsi produite est suprieure celle que peut vacuer lisolant, la temprature augmente et un claquage se produit, appel claquage thermique. Le claquage lectrique est dfini comme un claquage dans le dclenchement duquel leffet Joule, li un courant prcdant la dcharge proprement dite, ne joue aucun rle. 11

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3. Objectifs 3.1. Dterminer la rigidit dilectrique du carton comprim. 3.2. Dterminer la rigidit dilectrique de lhuile minral de transformateur. 3.3. Etude du phnomne de contournement. 4. Dterminations exprimentales La figure 1 prsente le systme dlectrodes (e1 lectrode plane, e2 lectrode cylindrique) utilises pour les essais sur des chantillons plans des isolants solides.
HT e2 d Matriau isolant

Pour les essais en champ uniforme, la rigidit dilectrique se calcule par la relation suivante :
Ec = Uc , d

(1)

e1

Figure 1. Le systme dlectrodes utilis pour le claquage des isolants solides

o U c est la tension lectrique de claquage et d est lpaisseur de lchantillon.

Le schma du montage utilis est prsent dans la figure 2.


Cage de protection

THT A 220 V ~ AT
e2

V
e1

C L

A THT C

interrupteur automatique; - transformateur lvateur; - contact de protection;

AT L V

autotransformateur; - lampe de signalisation; - voltmtre.

Figure 2. Schma du montage utilis

Le montage contient un transformateur lvateur de tension THT qui assure une valeur maximale Us,max = Usn = 60 kV aux bornes du secondaire pour la tension nominale du primaire Upn = 220 V ( une frquence de 50 Hz). A laide du voltmtre 12

GUIDE DE LABORATOIRE (V) on mesure les valeurs de la tension dans le circuit primaire Upi et, en connaissant le rapport de transformation k = Usn/Upn = 60000/220 on peut dterminer la tension de claquage de lchantillon, Uci = kUpi. Le rglage de la tension applique entre les lectrodes se fait avec un autotransformateur (AT) connect une source de tension sinusodale U = 220 V. 4.1. Dtermination de la rigidit dilectrique du carton comprim La dtermination de la rigidit dilectrique se fait en conformit avec les standards internationaux. Les chantillons de carton non-pli ont une forme carre et les dimensions sont 300 x 300 mm. Pour les essais sur le carton pli on utilise le mme type dchantillon et le pliage se fait a 100 mm du bord de lchantillon (figure 3).
100 Lignes de pliages

300

Aprs lintroduction de lchantillon entre les lectrodes e1 et e2 (figure 2), on augmente la tension lectrique entre les lectrodes avec une vitesse constante, telle que le claquage se produit dans un intervalle de 10 - 20 s. On effectue n 5 essais successifs et on dtermine les valeurs Uci (pour lesquelles le claquage se produit). La tension de claquage moyenne U c se calcule comme la moyenne des valeurs obtenues dans les n essais : Uc =

300

Figure 3. Echantillon de carton pli

U
i =1

ci

, n ou Uci est la valeur individuelle de la tension de claquage. On calcule aussi la dviation moyenne avec la relation :

A=

U
i =1

ci

Uc

n U c

100 .

4.2. Dtermination de la rigidit dilectrique de lhuile minrale En vue de dterminer la rigidit dilectrique de lhuile minrale on utilise un rcipient de porcelaine avec deux lectrodes en cuivre en forme de calotte sphrique (figure 4). Le niveau de lhuile dans le rcipient doit dpasser le niveau des lectrodes de plus de 10 mm. Le rayon de courbure des lectrodes est R = 25 mm et la distance entre les lectrodes est d = 2,5 mm. Lessai se fait en augmentant la tension de zro jusquau claquage de lhuile, avec une vitesse constante de maximum 2 kV/seconde.

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Electrodes

Rcipient en porcelaine

Borne de connexion

Figure 4. Rcipient pour la dtermination de la rigidit dilectrique de lhuile minrale

Noter les rsultats obtenus dans un tableau du type suivant: Matriau isolant d [mm] Upi [V] Uci [kV]
Uc Ec

[kV]

[kV/mm]

5. Vrifications des rsultats Dans le tableau 1 on prsente les valeurs approximatives de la rigidit dilectrique pour les matriaux tudis. La figure 5 prsente la variation de la tension de claquage Uc en fonction de la concentration volumique deau dans lhuile, tandis que la figure 6 prsente la variation de Uc en fonction de la temprature.

Tableau 1. Valeurs de la rigidit dilectrique pour les matriaux tudis ( 50 Hz et 20 C). Matriau isolant Rigidit dilectrique Ec [kV/mm] Carton comprim 9 - 12 Verre 10 - 40 Huile minrale de transformateur >15

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50

60

U [kV]
c

U [kV]
c

40

50

30

f = 50 Hz d = 2,5 mm R = 25 mm

40

30

2 f = 50 Hz d = 2,5 mm R = 25 mm

20

20
10

10

0 0.00

0
0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06

-40

-20

20

40

60

80

100

Contenu d'eau dans l'huile [%]

T [C]

Figure 5. Variation de la tension de claquage en fonction du contenu de leau dans lhuile 6. Questions

Figure 6. Variation de la tension de claquage en fonction de la temprature : 1 huile dshydrate ; 2 - huile nondshydrate.

Quelle sont les causes des diffrences entre les valeurs dtermines dans le laboratoire et celles prsentes dans le tableau 1 ? Pourquoi la rigidit dilectrique du carton dans la rgion plie est infrieure celle de la rgion non-plie ? Essayer dexpliquer lallure des courbes prsentes dans les figures 5 et 6 .

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GUIDE DE LABORATOIRE

3. Permittivit relative et facteur de pertes dilectriques des matriaux isolantes solides


1. But Le but gnral de ce travail est dtudier les grandeurs physiques qui caractrise le phnomne de polarisation lectrique. Les mesures et les calculs permettent de fixer les valeurs de la permittivit relative et du facteur de pertes pour quelques dilectriques usuels. 2. Notions thoriques Diple lectrique: un systme de deux charges ponctuelles +q et -q spares par une distance d .
+q d -q

Moment lectrique dipolaire p : p = qd [Cm]. (1) Vecteur polarisation: somme vectorielle des moments lectriques dipolaires p i contenus dans le volume infiniment petit V : ( p i ) V [C/m2]. (2) P = lim i V 0 V Polarisation temporaire: polarisation induite par lintensit du champ lectrique E et qui sannule en son absence. La loi de la polarisation temporaire scrit : Pt = 0 e E , (3) -12 o 0 est la permittivit du vide ( 0 = 8.85 10 F/m) et e est la susceptibilit lectrique. Dilectrique: matriau dont la proprit lectromagntique fondamentale est dtre polarisable. Matriau polaire: matriau constitu des molcules qui prsentent un moment lectrique spontan. Matriau non-polaire: matriau constitu des molcules qui ne prsentent pas un moment lectrique spontan. Mcanismes de polarisation: polarisation lectronique: dplacement relatif de lensemble des lectrons qui entourent le noyau dun atome par rapport au noyau, sous leffet dun champ lectrique; polarisation ionique: dplacement en sens contraires des ions de signes opposs sous leffet dun champ lectrique; polarisation par orientation: rotation des moments dipolaires spontans des particules constitutives sous leffet dun champ lectrique. Obs. Les matriaux non homognes peuvent prsenter, en plus, une polarisation supplmentaire appele polarisation interfaciale. 17

SCIENCE DES MATERIAUX DE LELECTROTECHNIQUE Permittivit relative r :

r = 1 + e

(4)

En utilisant r , lexpression de Pt devient: Pt = 0 ( r 1) E (5) De la relation (5) on saperoit que r exprime la facilit dun matriau de se polariser sous laction dun champ lectrique. Donc, un matriau qui ne se polarise pas a r = 1 , tandis quun matriau qui se polarise a r > 1 . Plus r est grande, plus la polarisation du matriau est forte. Dans le cas des champs lectriques harmoniques, la susceptibilit lectrique et la permittivit relative sont des grandeurs complexes: (6) r = 1+ e = r j r o r garde la mme signification physique que r en champ continu, tandis que r caractrise les pertes dilectriques dues la polarisation lectrique du matriau. Les valeurs de r dpendent de la structure physico-chimique des matriaux, de leur tat dagrgation, des caractristiques du milieu ambiant, du champ lectrique etc. Ainsi, les valeurs de r pour les matriaux polaires sont suprieures celles 1 et les matriaux qui prsentent une des matriaux non polaires, les gaz ont r gale a quelques centaines (Tableau 1). polarisation permanente ont r

pour diffrents matriaux Tableau 1.Valeurs de r Matriaux


Gaz Liquides non polaires polaires fortement polaires molculaires Solides ioniques semiconducteurs ferrolectriques non polaires polaires

1 1,5 2,5 2,5 6 dizaines 23 3 16 5 13 8 16 centaines milliers

Facteur de pertes dilectriques Lutilisation dun isolant en lectrotechnique implique le placement de lisolant entre deux conducteurs, ce qui correspond la ralisation dun condensateur. Il serait idal que lisolant assure lisolation lectrique parfaite des deux conducteurs lun de lautre, ce qui correspondrait la ralisation dun condensateur idal dans lequel la puissance dissipe soit nulle. A lapplication dune tension sinusodale au condensateur idal, le dphasage courant - tension serait = (figure 1.a). En ralit, le courant qui circule dans le 2 condensateur prsente une composante I a en phase avec la tension U (figure 1.b.), ce qui correspond une dissipation de puissance dans lisolant. Cette puissance, en gnral non rcuprable, constitue ce quon appelle les pertes dilectriques.

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GUIDE DE LABORATOIRE
I Ir I

U a) b)

Ia

Figure 1. Dphasage courant - tension: a) condensateur idal; b) condensateur rel. Les pertes dilectriques sont dues aux phnomnes de conduction lectrique (effet Joule) et de polarisation lectrique. Donc, pour un condensateur rel, le dphasage entre le courant I et la tension U est < . Le complment de , not par 2 ( = ), sappelle angle de pertes dilectriques. La grandeur tg sappelle 2 facteur de pertes dilectriques et caractrise les pertes dilectriques dans un matriau isolant. Le facteur de pertes a lexpression: tg = tg h + tg c = ou:
tg h = r r

r P | Ia | + = = 0 r | Q | | I r | r

(7)

= facteur de pertes par polarisation (hystrsis dilectrique); = facteur de pertes par conduction lectrique dans lisolant de conductivit , soumis a un champ lectrique de pulsation ; = la puissance ractive correspondante au condensateur de capacit C soumis a une tension de valeur efficace U; = la puissance active dissipe dans lisolant.

tg c =

0 r

Q = CU 2 P = CU 2 tg

Les valeurs du facteur de pertes tg (entre 10-5 et 0,5), dpendent de la structure physico-chimique des matriaux, des caractristiques du milieu ambiant, du champ lectrique etc. En gnral, tg a des valeurs plus rduites pour des matriaux non polaires et qui ont petite (polythylne, polypropylne, quartz etc.), que pour des matriaux polaires et qui ont grande (PCV, polyamides etc.) (Tableau 2). 3. Objectifs

et tg pour quelques isolants solides en forme de plaques. 3.1. Dterminer r 3.2. Calculer tg c , tg h et pour un polythylne de conductivit lectrique r
connue ( = 5 10 17 S/m). 4. Dterminations exprimentales 19

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La figure 2 prsente le montage utilis pour effectuer les mesures exprimentales.


RLC - mtre C tg Cellule de mesure Condensateur de mesure

Cable coaxial

et tg . Figure 2. Schma du montage utilis pour dterminer r dun isolant il faut mesurer la capacit du condensateur qui a Afin de dterminer r comme dilectrique lisolant tudi. Lappareil de mesure utilis est un RLC-mtre qui indique pour un condensateur connect ses bornes la capacit Cx et le facteur de pertes dilectriques tg lune des frquences 100 Hz ou 1 kHz. La connexion entre RLC-mtre et le condensateur de mesure se fait avec un cble coaxial de capacit connue (Cc). En mme temps que la capacit relle (Cr) du condensateur qui a comme dilectrique lisolant tudi, on mesure aussi la capacit parasite de la cellule de mesure Cp = 43 pF. On a donc trois condensateurs connects en parallle aux bornes du RLC-mtre: Cc, Cr et Cp (figure 3). Evidemment, Cx est la capacit quivalente de ces trois capacits : Cx = Cc + Cr + Cp. Avec Cx mesur, on calcule Cr: Cr = Cx - Cc - Cp. (8) Comme Cr est la capacit dun condensateur plan, C r Cp Cc RLC A mtre , (9) Cr = 0 r d
il rsulte: o C0 = 0

Figure 3. Schma quivalent

r =

Cr , C0

(10)

A reprsente la capacit du d condensateur air, avec la configuration gomtrique identique celle du condensateur qui a comme dilectrique le matriau tudi, A - la surface de llectrode (de diamtre D = 10 cm) et d - lpaisseur du matriau tudi.

Noter les rsultats obtenus dans un tableau de type suivant: Matriau isolant Epaisseur d mm Frquence f Hz
Cx Cr Co

tg

Obs.

pF

pF

pF

5. Vrifications des rsultats 20

GUIDE DE LABORATOIRE

et de tg pour quelques Le tableau 2 prsente les valeurs exprimentales de r matriaux isolants. Dans les figures 4 7 sont prsentes les variations des grandeurs tudies en fonction de la temprature et de la frquence du champ lectrique.

et de tg pour quelques isolants usuels Tableau 2. Valeurs de r


Matriau isolant Carton lectrotechnique Micanite Matriau stratifi a base de tissus textile Matriau stratifi a base de tissus de verre PCV plastifi Asbeste Rsine polypoxyde Matriau stratifi a base de cellulose Polythylne Verre

r
3-5 4-6 6 4-6 3-7 6-20 4 6-7 2-2,3 4-16

tg

10-2 10-2-10-3 10-1-10-2 10-1-10-2 10-2 10-1 10-3 10-1-10-2 10-3-10-4 10-3-10-4

' r " r

Polarisation lectronique Polarisation ionique Polarisation d'orientation Polarisation interfaciale

' r

" r

f 0n

f 0o

f 0i

f 0e

} }

frquences industrielles

frquences radio

frquences frquences infrarouges optiques

Figure 4. Variation de r en fonction de la temprature.

Figure 5. Variations de r et de r en fonction de la frquence du champ lectrique. 21

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Figure 6. Variation de tg en fonction de la temprature.

Figure 7. Variation du facteur de pertes dilectriques en fonction de la frquence.

6. Questions

Quelle est la cause des diffrences entre les valeurs des proprits dilectriques dtermines dans le laboratoire et celles prsentes dans le tableau 2? Lesquels des matriaux tudis peuvent tre utiliss dans les systmes disolation qui fonctionnent hautes frquences? Pourquoi est-il ncessaire de connatre les frquences propres (f0k) des matriaux? Pourquoi les matriaux polaires ont les valeurs de r et tg suprieures aux celles des matriaux non polaires? Quelle est la valeur de r dun matriau isolant soumis un champ lectrique de frquence optique?

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4. Paramtres lectriques des matriaux semiconducteurs


1. But Le but gnral de ce travail est de dterminer le type de conduction lectrique dans les monocristaux semiconducteurs, la variation de leur conductivit lectrique en fonction de la temprature, la concentration dimpurets et la largeur de la bande interdite de Fermi. 2. Notions thoriques Semiconducteurs: matriaux qui prsentent une conductivit lectrique dans le domaine 10-6 - 105 Sm-1, reprsentant, de ce point de vue, une catgorie intermdiaire entre les conducteurs ( > 105 Sm-1) et les isolants ( < 10-6 Sm-1). Les bandes dnergie permises des semiconducteurs sont soit compltement occupes, soit compltement vides (non-ocupes). A T = 0 K, la dernire bande permise situe au-dessous de la bande de Fermi (la bande interdite qui contient le niveau de Fermi wF), appele bande de valence, est compltement occupe, tandis que la premire bande permise au-dessus de la bande de Fermi, appele bande de conduction, est vide (sans lectrons). La bande de Fermi a la largeur infrieure 2 eV. Semiconducteur intrinsque: semiconducteur pur, sans impurets (non-dop). Les porteurs de charge sont obtenus exclusivement suite aux transitions des lectrons de la bande de valence (bv) dans la bande de conduction (bc) (fig. 1a) grce lnergie dagitation thermique. Chaque lectron qui effectue un transition de bv dans bc laisse un niveau vacant (non-occup) dans bv. A ce niveau vacant on attribue une particule fictive de charge positive q0, appele trou. Donc les lectrons de bc et les trous de bv sont les porteurs de charge dans un semiconducteur intrinsque. Semiconducteur extrinsque: sobtient par dopage, cest--dire adjonction dun trs petit nombre datomes de dopage dans un semiconducteur intrinsque. Semiconducteur extrinsque de type n: les atomes de dopage ont un nombre dlectrons de valence suprieur celui de base (>4 pour Si et Ge qui ont 4 lectrons de valence). Les atomes de phosphore, darsenic ou dantimoine, possdant cinq lectrons de valence, sont couramment utiliss comme dopants dans les semiconducteurs de type n. On appelle ces atomes donneurs car il fournissent des lectrons la bande de conduction. Ces lectrons reprsentent les porteurs de charge majoritaires. Semiconducteur extrinsque de type p: les atomes de dopage ont un nombre dlectrons de valence infrieur celui de base (<4 pour Si et Ge). Les atomes de bore, daluminium, dindium ou de gallium, possdant trois lectrons de valence, sont couramment utiliss comme dopants dans les semiconducteurs de type p. Ces atomes de dopage portent ici le nom daccepteurs, car ils acceptent des lectrons de la bande de valence, crant des niveaux vacants (trous) dans cette dernire. Les trous reprsentent les porteurs de charge majoritaires.

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wn
Bande de conduction 1' wF 1

wF
1 1'

3 1 1'

wi

wi
2 2'

wi wp wF

Trou Electron Bande de valence a) b)

c)

Figure 1. Transition des lectrons et des trous dans les semiconducteurs intrinsques (a) et extrinsques (b type n, c type p) 3. Objectifs 3.1. Dterminer le type de conduction lectrique dans des monocristaux de Si et Ge; 3.2. Dterminer la rsistivit lectrique des semiconducteurs et la concentration des impurets. 3.3. Pour un semiconducteur de Ge, dterminer la largeur wi de la bande interdite de Fermi et la variation de la rsistivit en fonction de la temprature. 4. Dterminations exprimentales 4.1. Type de conduction lectrique Le dispositif utilis (figure 2) contient deux sondes mtalliques, lune la temprature ambiante (1), lautre chauffe 200400C (2), et un microampremtre (4). La mthode de dtermination du type de conduction lectrique utilise leffet Seebeck, qui consiste en lapparition p n dune tension lectromotrice entre les deux sondes mises en contact avec la surface du cristal (figure 2). Dans ce 4 cas, si le semiconducteur est de type n, alors un flux dlectrons va se dplacer + dans le matriau, orient de llectrode 2 chaude vers llectrode froide ce qui ~ 1 conduira un courant lectrique orient de la borne (-) vers la borne (+) 3 de lampremtre. Pour un semiconducteur de type p le courant, d Figure 2. Dispositif utilis pour dterminer au dplacement des trous de llectrode le type de conduction extrinsque:1- sonde chaude vers llectrode froide, sera froide, 2- sonde chaude, 3- semiconducteur, orient de la borne (+) vers la borne (-). 4- microampremtre.

4.2. Rsistivit lectrique

24

GUIDE DE LABORATOIRE Pour la dtermination de la rsistivit dun monocristal semiconducteur on utilise la mthode des quatre sondes (figure 3). Les sondes, alignes et distances s = 1,6 mm, sont mises en contact avec la surface du semiconducteur. On injecte le courant I = 110 mA par un gnrateur de courant connect entre les sondes S1 et S4 et on mesure la tension U entre les sondes S2 et S3.

mV U
s s s

S1

S2

S3

S4

Semiconducteur
>>

mA

Figure 3. Prsentation schmatique de la mthode des quatre sondes

Si lpaisseur de lchantillon d et la distance entre une sonde et le bord de lchantillon sont suprieures 3s, la rsistivit se dtermine par la relation :

U 2s . I

(1)

Pour dterminer la rsistivit des plaquettes semiconductrices homognes qui ont des paisseurs d plus faibles (200 - 400 m), avec d<<s, on utilise la relation :

U d . ln 2 I

(2)

Dans le cas des couches de dopage diffuses (figure 4), la relation (2) - o d reprsente, dans ce cas, lpaisseur de la couche - dtermine la rsistivit moyenne. La rsistivit de la couche Figure 4. Plaquette semiconductrice avec diffuse tant de 3 - 4 ordres de une couche de dopage diffuse grandeur plus petite que la rsistivit du semiconducteur de base, le courant circule, pratiquement, seulement par cette couche. La concentration des impurets se dtermine en utilisant le graphique prsent dans la figure 5.
Couche de dopage diffuse

25

SCIENCE DES MATERIAUX DE LELECTROTECHNIQUE

Figure 5. Variation = f (concentration des impurets) pour diffrents semiconducteurs extrinsques. Noter les rsultats obtenus dans un tableau du type suivant: No. ech. Semiconducteur Type de conduction U [mV] I [mA]

[m]

Concentration des impurets [m-3]

4.3. Variation de la rsistivit avec la temprature et dtermination de la largeur wi de la bande interdite Fermi Pour une plaquette de Ge on va dterminer la caractristique (T) dans le domaine 20180C. Pour la dtermination de la rsistivit, la plaquette de Ge et les quatre sondes sont introduites en huile silicone qui sera chauffe laide dune rsistance chauffante. Avec deux valeurs de la rsistivit et qui correspondent deux tempratures T et T (entre 120C et 180C), on dtermine la largeur de la bande interdite Fermi wi en utilisant la relation:
wi = 2k (ln ln )T T T T

(3)

26

GUIDE DE LABORATOIRE o k reprsente la constante de Boltzmann (k = 1,3810-23 J/K) et T - la temprature (exprime en Kelvin). Pour exprimer wi en lectron-Volts [eV] on utilise la relation : 1 eV = 1,610-19 J. Noter les rsultats obtenus dans un tableau du type suivant: T [K] U [mV] I [mA]

[m]

5. Vrifications des rsultats Dans la figure 6 on prsente la courbe de la variation de la rsistivit dun semiconducteur extrinsque en fonction de la temprature. Dans cette figure, Ts est la temprature laquelle tous les niveaux additionnels sont ioniss et Ti est la temprature laquelle le nombre des transitions des lectrons de la bande de valence dans la bande de conduction devient non ngligeable. Pour T<Ts, la conduction extrinsque est prpondrante, tant correspondante aux lments de dopage. Dans lintervalle (Ts, Ti) tous les niveaux additionnels sont ioniss et la conduction intrinsque est encore ngligeable par rapport celle extrinsque. Pour T>Ti, la conduction intrinsque devient importante et la rsistivit a une dcroissance exponentielle.

TS

Ti

Figure 6. Variation = f (T) pour un semiconducteur extrinsque.

Tableau 1. Valeurs de la rsistivit intrinsque i et de wi pour silicium et germanium (dtermines T = 300 K) Matriau semiconducteur Silicium Germanium 6. Questions 27 [m] (2,5-3)103 0,47

wi [eV] 0,756 1,1

SCIENCE DES MATERIAUX DE LELECTROTECHNIQUE

Dfinir un semiconducteur intrinsque et un semiconducteur extrinsque? Comment varie la rsistivit dun semiconducteur avec la concentration des lments de dopage? Expliquer la variation de la rsistivit dun semiconducteur extrinsque avec la temprature. Comment se dtermine la largeur de la bande interdite de Fermi en utilisant la dpendance (T) pour un semiconducteur intrinsque?

28

GUIDE DE LABORATOIRE

5. Proprits des matriaux magntiques doux


1. But Le but gnral de ce travail est de dterminer exprimentalement la courbe de premire aimantation B(H), la courbe M(H), la courbe r (H), linduction de saturation Bs, laimantation de saturation Ms et la valeur maximale de la permabilit relative statique r max des matriaux magntiques doux en champ continu (caractristiques statiques daimantation).
B

2. Notions thoriques Les grandeurs qui caractrisent compltement le champ magntique dans un corps sont linduction magntique B [T] et lintensit du champ magntique H [A/m]. Ltat daimantation dun corps est caractris dans chaque point du corps par le vecteur aimantation qui reprsente la somme vectorielle des moments magntiques m i (associs aux particules magntiques polaires) contenus dans le volume infiniment petit V : ( mi ) V M = lim i [A/m]. V 0 V La liaison entre B , H et M est exprime par la loi: B = 0 ( H + M ) , o

0 = 410-7 H/m est la permabilit du vide.


Laimantation peut tre temporaire ( M t ) ou permanente ( M p ): M = M t + M p . Aimantation temporaire: aimantation induite par lintensit du champ magntique H et qui sannule en son absence. La loi de laimantation temporaire scrit : Mt = mH , o m est la susceptibilit magntique. Aimantation permanente : aimantation qui existe mme en labsence du champ magntique appliqu au matriau. La courbe M(H) observe champ croissant prsente un palier de saturation, sur lequel laimantation reste constante une valeur M = Ms, pour H > Hs, o Hs est lintensit du champ magntique de saturation (figure 1.b). La dpendance B(H) observe champ croissant sur un corps nayant jamais t aimant sappelle courbe de premire aimantation. Cette courbe prsente un palier de saturation, sur lequel linduction reste pratiquement constante une valeur B = Bs, pour H > Hs, o Hs est lintensit du champ magntique de saturation (figure 1.a). A champ dcroissant, aprs laimantation, la dpendance B(H) scarte de la courbe de premire aimantation, en raison du caractre irrversible de laimantation. Permabilit magntique relative statique ( r ) : est dfinie par la relation B r = . 0 H

29

SCIENCE DES MATERIAUX DE LELECTROTECHNIQUE Pour un champ magntique alternatif, la dpendance B(H) prend la forme dun cycle dhystrsis (figure 1.a).
B Bs a) M Courbe de premire aimantation Ms b)

Hs

Hs

Cycle d'hystrsis B(H)

Cycle d'hystrsis M(H)

r r max
c)

Figure 1. (a) Courbe de premire aimantation et cycle dhystrsis B(H); (b) cycle dhystrsis M(H); (c) dpendance r (H) On appelle induction rmanente Br, linduction qui subsiste dans le corps aprs quon a fait dcrotre H jusqu zro. On appelle champ coercitif Hc le champ magntique ncessaire pour annuler linduction rmanente. Linduction rmanente et le champ coercitif sont des proprits spcifiques du matriau considr. Elles figurent sur le cycle dhystrsis de saturation. On appelle matriaux magntiques doux ceux dans lesquels le champ coercitif est petit (10-2102 A/m). Les matriaux magntiques doux ont les valeurs de Bs et r max leves (tableau 1), et laire de la surface de leur cycle dhystrsis de saturation est petite.
B

3. Objectifs

3.1. Dterminer la courbe de premire aimantation B(H), la courbe M(H), et la courbe r(H) pour un matriau magntique doux (fer silici, acier ou fonte) sous forme de barreau. 3.2. Dterminer linduction de saturation Bs, laimantation de saturation Ms et la valeur maximale de la permabilit magntique relative statique r max pour le matriau tudi.
B

4. Dterminations exprimentales

Laimantation en champ continu des matriaux magntiques doux (sous forme de barreaux section carr de 1 cm2 et de longueur lAB = 20 cm) se ralise avec le prmeamtre Iliovici, dont le schma est prsent dans la figure 2. Afin de dterminer la courbe de premire aimantation il faut dabord dsaimanter le matriau, ce qui se fait de la manire suivante:
30

GUIDE DE LABORATOIRE

a)

b)

c)

On introduit le barreau dtude (marqu AB dans la figure 2) dans le prmamtre et on lui applique un champ magntique fort (H = 200300 A/cm), en augmentant le courant daimantation de 0 2,5 A. On rduit doucement le courant jusqu ce quil devienne nul, en tournant en mme temps le commutateur inverseur K avec environ deux rotations par seconde. Ainsi, Figure 2. Schma du prmeamtre Iliovici on ralise des aimantations alternatives caractrises par des cycles dhystrsis (et, par consquent, par des inductions rmanentes) de plus en plus petites, jusqu la dsaimantation complte du barreau. On tablit des valeurs croissantes du courant I (Tableau 1) et on mesure les valeurs de B. Tableau 1.
I [A] 0,025 0,05 0,07 0,1 0,15 0,2 0,25 0,3 0,7 1 1,5 2 2,5

c.1) Pour chaque valeur du courant on effectue la "compensation" (lannulation du champ magntique sur le ct C2) ce qui permet de calculer lintensit du champ magntique par la relation: N H = a I, (1) l AB o Na reprsente le nombre de spires de la bobine daimantation. Dans les N a 10 5 conditions constructives du permamtre Iliovici utilis, on a et la = l AB 4 relation (1) devient : 10 5 H= I [A/m], (2) 4 o lintensit du courant I est introduite en Ampres. c.2) Afin de compenser le circuit on passe le commutateur K1 (figure 2) sur la position 1 (ou 2) et, ensuite, on tourne le commutateur K de 180o. Si la dviation du fluxmtre nest pas nulle ( 0), la compensation nest pas encore obtenue et il faut rgler le courant de compensation (par Rc) jusqu ce quon obtient = 0 (pour une rotation de 180o du commutateur K). c.3) Pour dterminer linduction B, on passe le commutateur K1 sur la position N = 25 spires. Ensuite, on tourne le commutateur K de 180o et on note la dviation du fluxmtre. On calcule linduction en utilisant la relation: k (3) B= F , 2 NA

31

SCIENCE DES MATERIAUX DE LELECTROTECHNIQUE


o A est laire de la surface du barreau et k F est la constante du fluxmtre. Pour A = 1 cm2, k F = 10-4 Wb/div, et dans le cas dune bobine de mesure qui a N = 25 spires, on obtient: B = 0,02 [T]. (4) Noter les rsultats obtenus dans un tableau du type suivant: Matriau magntique

I [A]

H [A/m]

[div]

B [T]

Dterminer Bs et r max en utilisant les courbes B(H) et r (H) obtenues (voir Figure 1).
B

5. Vrifications des rsultats

Le tableau 2 prsente les valeurs approximatives de r max , de Bs et de Hc pour quelques matriaux magntiques doux.
B

Tableau 2. Valeurs approximatives des grandeurs tudies


Matriau magntique Acier Fer silici Fonte lamellaire Permalloy (21,5% Fe, 78,5% Ni) Dynamax (32,7% Fe, 65% Ni, 2% Mo, 0,3% Mn)

r max 2000 8000 700 100000 1530000

Bs [T]
B

Hc [A/m]
< 2 000 48 240 4 0,4

1,4 - 2 1,9 2 1,2 1 1,26

6. Questions

Quelle est la cause des diffrences entre les valeurs des proprits magntiques dtermines dans le laboratoire et celles prsentes dans le tableau 2 ? Est-ce quon peut utiliser les matriaux magntiques doux comme des aimants permanents ? Quest-ce quil faut faire pour obtenir en laboratoire une valeur plus prcise pour r max ? Quelles sont les influences des impurets sur les proprits des matriaux magntiques doux ?

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GUIDE DE LABORATOIRE

6. Proprits des ferrites magntiques douces


1. But Le but gnral de ce travail est de dterminer les principales caractristiques des ferrites magntiques douces: linduction de saturation Bs, la temprature Curie et les dpendances de Bs et de la rsistivit lectrique en fonction de la temprature ((T) et Bs(T)).
B B B

2. Notions thoriques Ferrites magntiques douces: matriaux ferrimagntiques doux raliss par sintrisation (aux hautes tempratures et aux hautes pressions) de loxyde de fer (Fe2O3) avec des oxydes des mtaux bivalents (Mn, Ni, Zn, Mg, Cu, Li etc.). Par rapport aux matriaux ferromagntiques, les ferrites prsentent quelques avantages: rsistivit lectrique leve, (0,1107) m, ce qui dtermine des pertes magntiques par courants de Foucault rduites; une grande rsistance lhumidit de lair, ce qui permet leur utilisation dans des milieux humides. Pourtant les ferrites prsentent quelques dsavantages par rapport aux matriaux ferromagntiques: induction de saturation rduite (Bs < 0,6 T); permabilit magntique initiale faible; temprature de Curie basse (60450C). Il faut noter, aussi, que du point de vue mcanique les ferrites sont dures (tant prpares seulement par rectification avec des pierres abrasives) et cassantes, ayant une rduite rsistance aux chocs. Pertes magntiques : puissance, en gnral non rcuprable, qui se dissipe dans un matriau magntique plac dans un champ magntique variable en temps. Dans un champ magntique harmonique il y a deux composantes des pertes magntiques: Pertes par hystrsis magntique Ph: n (1) Ph = f Bmax V,
B

o est le coefficient de Steinmetz, f la frquence de champ magntique, Bmax lamplitude de linduction magntique B, n lexposent de Steinmetz et V - le volume du corps magntique. Les valeurs de et de n dpendent de la nature du matriau. En pratique, on considre souvent n 2. Pertes par courants de Foucault PF: 2 2 2 2 PF = f Bmax V , (2) 6 o est la rsistivit lectrique et - lpaisseur de lchantillon. Temprature de Curie: temprature au del de laquelle le matriau magntique (ferromagntique ou ferrimagntique) devient paramagntique.
B

Ayant une rsistivit leve (de semiconducteurs) par rapport aux ferromagntiques (qui sont conducteurs), les ferrites prsentent des pertes par courants de Foucault trs

33

SCIENCE DES MATERIAUX DE LELECTROTECHNIQUE rduites. Cette proprit recommande lutilisation des ferrites dans le domaine des hautes frquences (103-109 Hz) : radios, tlviseurs, tlcommunications, commutation etc. 3. Objectifs 3.1. Dterminer linduction de saturation Bs, la variation de linduction de saturation en fonction de la temprature Bs(T) et la temprature de Curie pour un tore en ferrite MnZn. 3.2. Dterminer la dpendance de la rsistivit lectrique en fonction de la temprature pour une ferrite MnZn.
B B

4. Dterminations exprimentales Pour dterminer les principales caractristiques des ferrites magntiques douces on utilise le montage prsent dans la figure 2. Dans lenceinte 3 il y a deux ferrites: Une ferrite sous forme de tore pour laquelle on dtermine linduction de saturation Bs et la variation de Bs avec la temprature; une ferrite sous forme de "E" pour laquelle on dtermine la variation de la rsistivit avec la temprature.
B B

1 - tore en ferrite; 2 ferrite E; 3 - enceinte thermostate; F - fluxmtre;

A - ampremtre c.c. (02) A; In - inverseur; G - gnrateur de c.c.(2,510) mA; mV - millivoltmtre de c.c. (01)V.

Figure 2. Schma du montage utilis.

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GUIDE DE LABORATOIRE Pour aimanter le tore jusqu la saturation on augmente le champ magntique H (en augmentant le courant daimantation) jusqu ce que linduction B reste pratiquement constante. La variation du flux magntique dans le tore est ralise avec linverseur In. La dtermination de linduction B se fait en mesurant au fluxmtre la variation du flux magntique suite la variation du courant daimantation de + Im a -Im : = 2 N B S, (3) o N est nombre des spires de la bobine de mesure, B - linduction magntique et S - laire de la section transversale du tore en ferrite. Dautre part on a : = kF , (4) o kF est la constante du fluxmtre et est la dviation mesure sur le fluxmtre quand le courant daimantation varie entre + Im et -Im . En tenant compte des relations (3) et (4) il rsulte: kF B= = k B . 5) 2NS Afin de dterminer la rsistivit des ferrites on utilise la mthode des quatre sondes. Les quatre sondes en contact avec la ferrite tudi sont en wolfram et elles sont parallles et quidistantes une distance s = 1,6 mm. Le gnrateur de courant G injecte un courant constant entre les sondes extrieures (S1 et S4). Suite au passage du courant, entre les sondes intrieures (S2 et S3) apparat une tension U. En tenant compte que lpaisseur des ferrites et que la distance entre la sonde et lextrieur sont suprieures 3 s, on calcule la rsistivit lectrique avec la relation: U = 2 s . (6) I

Noter les rsultats obtenus dans un tableau du type suivant: Temprature T [C] Tension U [mV] Courant I [mA] Rsistivit

Dviation

Induction Bs
B

[ m]

[ div.]

[T]

La temprature de Curie rsulte de lintersection de la courbe B(T) avec laxe OT (Figure 3).

5. Vrifications des rsultats

Le tableau 1 prsente les valeurs approximatives de Bs, , et pour quelques ferrites magntiques douces, tandis que les figures 3 et 4 reprsentent les variations typiques de Bs et de avec la temprature pour ces matriaux.
B B

35

SCIENCE DES MATERIAUX DE LELECTROTECHNIQUE Tableau 1. Valeurs approximatives des Bs, , et .


B

Type de ferrite Mn Zn Ni Zn Li Zn Mg Zn Mg Mn

Bs
B

[m] 0,1- 1 10 - 106 10-106 106-107 106-107

[C] 120-180 60-400 200-500 300-600 300-600

[T] 0,25-0,5 0,2-0,4 0,1-0,3 0,1-0,2 0,1-0,2

Bs

Figure 3. Variation de linduction de saturation Bs en fonction de la temprature T, pour une ferrite douce.
B

Figure 4. Variation de la rsistivit lectrique en fonction de la temprature T, pour une ferrite douce.

6. Questions Est-ce qu'il y a des diffrences entre les valeurs des Bs, , et dtermines dans le laboratoire et celles prsentes dans le tableau 1? Dans laffirmative comment peuton les expliquer ? Quel est le comportement des ferrites concernant les pertes magntiques? Pourquoi est-il ncessaire de connatre la temprature Curie et les caractristiques Bs(T) et s(T)?
B B

36

GUIDE DE LABORATOIRE

7. Proprits des matriaux magntiques durs


1. But Le but de ce travail est de dterminer linduction rmanente Br, le champ coercitif Hc, lindice de qualit (BH)max et la courbe de dsaimantation des aimants permanents. Les mesures et les calculs permettent de fixer les valeurs des grandeurs physiques qui caractrisent les aimants.
B

2. Notions thoriques Matriaux magntiques durs (aimants) : matriaux qui gardent ltat daimantation aprs lannulation du champ magntisant. Ils ont des cycles dhystrsis larges (figure 1) et des valeurs leves de linduction rmanente Br, du champ coercitif Hc et de lindice de qualit (BH)max. Induction rmanente Br : valeur de linduction magntique qui subsiste dans lchantillon pour un champ magntique nul, aprs une aimantation de laimant jusqu' la saturation. Champ coercitif Hc : intensit du champ magntique ncessaire
B

B Br Courbe de dsaimantation

-H c

Hc

-Br

Figure 1. Cycle dhystrsis typique des aimants.


B

pour annuler linduction rmanente Br. Indice de qualit (BH)max : valeur maximale de la densit volumique dnergie dveloppe en aimant. Lindice de qualit correspond un champ HL et une induction BL qui dterminent le point optimal de fonctionnement de laimant (HL, BL). Ce point peut tre dtermin (avec approximation) comme dans la figure 3. Courbe de dsaimantation : partie du cycle dhystrsis de saturation, situe entre le point (0, Br) et le point (-Hc, 0) (figure 1).
B B

3. Objectifs 3.1. Dterminer la courbe de dsaimantation dun aimant. 3.2. Dterminer linduction rmanente Br et le champ coercitif Hc. 3.3. Dterminer lindice de qualit (BH)max et le point optimal de fonctionnement de laimant.
B

4. Dterminations exprimentales 37

SCIENCE DES MATERIAUX DE LELECTROTECHNIQUE

Le montage utilis pour dterminer les principales proprits des aimants est prsent sur la figure 2:

T SH P1 K R A B1 120 V =
M R K P1, P2 - aimant tudi; - rhostat; - inverseur; - ples magntiques; SH - sonde Hall ; T - teslamtre; A - ampremtre; B1, B2 - bobines inductrices.
2

P2 M
lm

B2

Circuit magntique

Figure 2. Schma du montage utilis. Lintensit du champ magntique Hm se dtermine par la relation :

Hm =

2 0lm

1 , B1 - B 2 2
B

(1)

o B1 est linduction dans lentrefer dpaisseur 1, B2 linduction dans lentrefer dpaisseur 2, lm = 1 - 2 et 0 - la permabilit magntique absolue du vide (0 = 4 10-7 H/m). Pour dterminer linduction magntique de laimant Bm on introduit la sonde Hall dans lentrefer 2 et on mesure B 2 . En tenant compte de la loi du flux magntique
B B

appliqu pour une surface S qui passe par aimant et lentrefer 2 (figure 2), il rsulte Bm = B 2 . Afin de dterminer linduction rmanente il faut dabord magntiser laimant jusqu la saturation. Ensuite on annule le champ magntique et on obtient linduction rmanente. La saturation de laimant peut tre obtenue soit par laugmentation continue du courant daimantation jusqu ce que linduction de laimant naugmente plus, soit par une aimantation en courts chocs de courant. La deuxime mthode, utilise dans ce 38

GUIDE DE LABORATOIRE travail, consiste en lapplication des chocs de courant de plus an plus forts, en mesurant aprs chaque choc linduction B 2 correspondante au champ magntique nul en aimant. Cela se rpte jusqu ce que linduction mesure naugmente plus. La dernire valeur mesure reprsente linduction rmanente. Une fois linduction rmanente dtermine on met linverseur K sur la position de dsaimantation et les rhostats du circuit daimantation sur la position de rsistance maximale. Ensuite on augmente le courant I et on dtermine des points (Bm,Hm) situs sur la courbe de dsaimantation. En utilisant la courbe de dsaimantation on dtermine les valeurs de (BH)max, HL et BL (figure 3).
B

Noter les rsultats dans un tableau du type suivant: Aimant Bm = B2 [T] B1 [T] Hm [A/m] |Bm Hm| [ kJ/m3] Obs.

5. Vrifications des rsultats Dans le tableau 1 sont prsentes les valeurs des grandeurs tudies pour quelques aimants utiliss en lectrotechnique. Tableau 1. Valeurs des grandeurs Br, Hc et (BH)max
B

Br [T] Aciers martensitique >0,8 Aciers peu allis >1 Aimants mtalliques AlNi 0,5-1,25 Aimants mtalliques AlNiCo 0,6-1,4 Ferrite de Ba isotrope >0,2 Ferrite de Ba anisotrope >0,35 Ferrite de Ba plastoferrite >0,135 Ferrite de Sr isotrope >0,21 Ferrite de Sr anisotrope >0,36 Aimant SmCo5 0,95 Aimant Sm2 Co17 1,07 Aimant Nd2 Fe14 B 1,20 Aimant Nd Fe B 1,30 (2e gnration) Aimant
B

Hc [kA/m] >4 >5,6 20-90 20-90 >116 >131 >91 >90 >223 1800 1200 800 1100

(BH)max [kJ/m3] >1 >2,2 5,5-24 6-40 >5,6 >22,3 >3 >6,7 >23,9 180 225 270 320

La figure 3 prsente la courbe de dsaimantation et la courbe BH = f(H) typiques.

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SCIENCE DES MATERIAUX DE LELECTROTECHNIQUE

Figure 3. Courbe de dsaimantation typique et variation typique BH = f(H)

6. Questions Quelle sont les diffrences entre les aimants et les matriaux magntiques doux? Est - que il y a des diffrences entre les valeurs de Br, Hc et (BH)max dtermines en laboratoire et celles prsentes dans le tableau 1? Dans laffirmative essayer dexpliquer ces diffrences. Pourquoi est-il ncessaire de connatre la courbe de dsaimantation et les valeurs de Br, Hc et (BH)max ?
B B

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GUIDE DE LABORATOIRE

8. Etude du phnomne dhystrsis dilectrique


1. But Le but gnral de ce travail est de mettre en vidence le phnomne dhystrsis dilectrique et de dterminer les grandeurs qui le caractrisent. Aussi, on fait la diffrence entre les dilectriques linaires et les ferrolectriques. Les mesures et les calculs effectus permettent de fixer les valeurs des pertes par hystrsis dilectrique et de la permittivit relative pour les dilectriques linaires et pour les ferrolectriques. 2. Notions thoriques Hystrsis dilectrique : le retard de la polarisation P (et de linduction lectrique D ) par rapport lintensit du champ lectrique E . Ce retard est d au temps ncessaire aux diples associes aux particules constitutives du dilectrique de sorienter sous laction du champ lectrique. Matriau ferrolectrique : matriau dilectrique dans lequel les moments dipolaires sont coupls. Ce phnomne de couplage constitue la ferrolectricit. Le prfixe ferro a t choisi en raison des trs nombreuses analogies entre ces matriaux et les matriaux ferromagntiques. Les matriaux ferrolectriques sont caractriss par une permittivit relative extrmement leve, de lordre de 103 et mme 104. Toutes leurs proprits lectriques sont trs sensibles la temprature. Le comportement ferrolectrique disparat au del dune temprature appele temprature de Curie ferrolectrique. 3. Objectifs 3.1. Mettre en vidence de lhystrsis dilectrique et mesurer le dphasage h entre D et E pour des dilectriques linaires. 3.2. Visualiser le cycle D(E) pour dilectriques linaires et pour des ferrolectriques. 3.3. Dterminer les pertes par hystrsis dilectrique pour les dilectriques tudis. 4. Dterminations exprimentales
AT Cm 220 V ~ Uc

Ua OSC Cet

AT OSC V

- autotransformateur; - oscilloscope; - voltmtre.

Cm Cet

- condensateur de mesure; - condensateur talon;

Figure 1. Schma du montage utilis.

41

SCIENCE DES MATERIAUX DE LELECTROTECHNIQUE La figure 1 prsente le montage utilis pour effectuer les mesures exprimentales. Pour le condensateur de mesure Cm, qui est un condensateur plan ayant comme dilectrique le matriau dtude, sont valables les relations suivantes : E =U / d (1) et (2) D=Q/S , o E est lintensit du champ lectrique dans le dilectrique de Cm, U - la tension aux bornes de Cm, D - linduction lectrique, Q - la charge de Cm, d lpaisseur du dilectrique et S laire de la surface dune armature. Par consquent, la dpendance Q(U) va respecter la mme loi que D(E) mais une autre chelle. Afin de visualiser le cycle dhystrsis dilectrique il suffit dappliquer une tension Ux proportionnelle U entre les plaques verticales de loscilloscope et une tension Uy proportionnelle Q = idt (o i est le courant par le dilectrique du condensateur) entre les plaques horizontales de loscilloscope. Le condensateur talon, de capacit Cet le condensateur de mesure, de capacit Cm, tant connects en srie, leurs armatures ont la mme charge Q. Par suite la tension Uet aux bornes de Cet, applique, aussi, aux plaques verticales de loscilloscope est: Q 1 = Uy. (3) U et = idt = C et C et Cette tension est proportionnelle Q et, donc, D. On choisi Cet >> Cm pour que la tension aux bornes de condensateur talon soit ngligeable par rapport la tension aux bornes du condensateur de mesure. Dans ce cas on peut admettre que la tension aux bornes du condensateur de mesure U est quasigale la tension de la source Ua. Pour la mise en vidence de lhystrsis dilectrique on visualise sur oscilloscope les variations Ux(t) = U(t) et Uy(t) = Uet(t). Puisque Uy est proportionnel D et Ux est proportionnel a E, le retard (le dphasage) de Uy par rapport Ux reprsente le retard de D par rapport a E. On mesure sur oscilloscope le dphasage h entre D et E. Ensuite, on passe loscilloscope en mode XY et on visualise le cycle Uy(Ux) qui reprsente le cycle D(E) lautre chelle. On note les valeurs maximales Uxm et Uym (en divisions). Avec les valeurs des grandeurs mesures, on calcule les valeurs des parties relle et imaginaire de la permittivit complexe = j , du facteur de pertes tg h et des pertes par hystrsis dilectrique Ph, en utilisant les relations suivantes: U U (4) Em = m = xm d d CetU ym Q Dm = m = (5) S S D = m cos h = 0 r (6) Em D = m sin h = 0 r (7) Em

Ph = E 2 Sd

(8)

o Um, Qm, Em, Dm sont les valeurs maximales des grandeurs harmoniques (de pulsation ) U, Q, E et D. 42

GUIDE DE LABORATOIRE

Noter les rsultats obtenus dans un tableau du type suivant: Matriau dilectrique Epaisseur Frquence d f mm Hz tg h Xm Em Ym Dm

r Ph r
W

div. V/m div. C/m2

5. Vrifications des rsultats Dans la figure 2 est prsente lellipse D(E) pour un dilectrique linaire, tandis que la figure 3 prsente le cycle dhystrsis D(E) pour un ferrolectrique.

D Dm

Em

Figure 2. Ellipse D(E) pour un dilectrique linaire.

Figure 3. Cycle dhystrsis ferrolectrique.

6. Questions Quelle est lexplication de la non-linarit trs prononc des ferrolectriques ? Pourquoi les ferrolectriques ont les valeurs de r et de tg suprieures aux celles des dilectriques ?

43

II. EXERCICES

EXERCICES

1. Proprits conductrices des matriaux


Exercice 1.1. Calculer en pour-cent la variation du volume et de la densit dun cristal de fer au passage de ltat Fe dans ltat Fe. On connat: RFe = 1,271010 m, RFe = 1,2411010 m, MFe = 55,487, NA = 6,0251026 kmol-1.

a)

b)

Figure 1. a) Cube au volume centr (CVC); b) Cube aux faces centres (CFC)

Solution Le Fe cristallise en CVC et le Fe en CFC. 1 La cellule CVC contient: N = 8 + 1 = 2 atomes, 8 et la cellule CFC contient:
N = 8 1 1 + 6 = 4 atomes. 8 2

Donc, deux cellules CVC se transforment en une cellule CFC. Les cts et les volumes des deux cellules sont :

a =

4 RFe 3 4 RFe

4 1,241 10 10 3 = 2,863 10 10 m V = a = 23,467 10 10 m 3 3

4 1,27 10 10 3 = 3,5921 10 10 m V = a = 46,34 10 10 m 3 2 2 La variation du volume est: V = V 2V = 46,34 10 10 2 23,46 10 10 = 0,585 10 10 m 3 a = =


La variation du volume, calcule en pour-cent, est: 100 V 100 0 ,585 ( V )r = = = 1,25% 2 V 2 23,467

47

SCIENCE DES MATERIAUX DE LELECTROTECHNIQUE Exercice 1.2. Calculer la rsistivit dun cristal de cuivre qui contient c = 210-4 atomes dargent pour un atome de cuivre et qui se trouve la temprature t = 20 C. On connat: la rsistivit du cuivre pur t = 20 C, 0 = 1,710-8 m, la concentration volumique des atomes du cristal N = 8,451028m-3, le rayon de lion dargent Ri = 1,444, la masse de llectron m0 = 9,110-31 kg, la vitesse de Fermi vF = 1,57106 m/s et la charge de llectron q = -1,610-19 C. Solution On considre lun des Ne = N lectrons libres du cristal qui se dplacent au long de laxe Ox. Cet lectron subit des chocs seulement avec les atomes dimpurets dont le centre se trouve dans un cylindre de rayon Ri. Supposons que, dans le cas dune concentration dimpurets rduite, llectron subit sur la distance L un nombre de chocs Nc gal au nombre dimpurets avec les centres dans le cylindre de rayon Ri et de longueur L.
Ri O2 Ri

eq

Ri O1 L

N c = N i Vc = N i Ri 2 L
~

l=
*

L 1 = N c N i Ri 2
*

i =

m vF N m v 1 = 0 = i 0 2 F Ri2 , ~ i N q 2 l N q0

* - la masse o Ni reprsente la concentration volumique de impurets (Ni = c N), m0

effective de llectron et l - le chemin libre moyen; En considrant m0 * m0 , il rsulte:


i = c m0 v F Ri2 q0
2

= 2 10

9 ,1 10 31 1,57 10 6 1,444 10 10

(1,6 10

19 2

( )

= 0 ,073 10 8 m

La rsistivit du cristal est (Mathiessenn): = 0 + i = 1,773 10 8 m Laugmentation de la rsistivit est:

i 7,3 10 10 i = 100 = 100 = 4,3% 0 1,7 10 8

48

EXERCICES Exercice 1.3. On considre un cristal darsniure dindium (InAs) sans impurets T = 300K. Calculer: a) les temps de relaxation des porteurs de charge: n et p; b) la conductivit intrinsque du cristal i. On connat: la masse effective de llectron mn* = 0,03m0, la masse effective du trou mp* = 0,4m0, la mobilit des lectrons libres n = -3,3 m2/Vs, la mobilit des trous p = 0,046 m2/Vs, la concentration des lectrons libres Nn = 1,5611021 m-3, la masse de llectron m0 = 9,110-31 kg, la charge de llectron q0 = -1,610-19 C. Solution q N n qn n n = n * n * mn mn Les temps de relaxation sont: m* 0 ,03 9 ,1 10 31 ( 3,3) n = n n = = 5,63 10 13 s qn 1,6 10 19 a)
2

n = N n qn n =

0,4 9,1 10 31 0 ,046 = 1,046 10 13 s , 19 qp 1,6 10 ou qn et qp sont la charge de llectron, respectivement du trou. p = = b) La conductivit intrinsque du cristal est : i = N n q n n + N p q p p = N n q 0 ( n + p ) = ou :

m* p p

= 1,561 10 21 1,6 10 19 (3,3 + 0,046) = 8,356 10 2 S/m N n = N p et q n = q p

Exercice 1.4. La conductivit lectrique dun cristal de silicium pur a la valeur 1 = 408 S/m la temprature T1 = 300 K et la valeur 2 = 1,54 mS/m la temprature T2 = 320 . Dterminer la largeur de la bande interdite de Fermi wi. Solution Comme le cristal ne contient pas dimpurets, la conduction lectrique est assure en exclusivit par les lectrons et par les trous propres, donc il nexiste que la conduction intrinsque. Par consquent: 1 = C i ,1 exp(- w i / 2kT1 )

2 = C i , 2 exp(-w i / 2kT2 ) En ngligeant les variations de Ci,1 et de Ci,2 avec la temprature, on obtient Ci,1 = Ci,2 et: w T -T ln 1 = i 1 2 , 2 2 k T1 T2 respectivement: T T wi = 2 k 2 1 ln 2 T2 T1 1 et 300 320 1,54 10 -3 = 1,76 10 -19 J = 1,1 eV . wi = 2 1,38 10 -23 ln -6 320 - 300 408 10
wi = 1,1 eV. 49

SCIENCE DES MATERIAUX DE LELECTROTECHNIQUE Exercice 1.5. Dans un semiconducteur extrinsque la mobilit des lectrons |n| est trois fois plus grande que la mobilit des trous p (|n| = 3p). En sachant que la rsistivit lectrique du semiconducteur est = 1,17 m et que les concentrations volumiques des lectrons libres et des trous sont Nn = 1019 m-3 et, respectivement, Np = 1020 m-3 calculer les mobilits n et p. Solution La conductivit lectrique du semiconducteur est donne par la relation: = N n qn n + N p q p p = q0 ( N n n + N p p ) Comme = 1/ et -n = 3p, il rsulte: 1 / = q 0 (3 N n p + N p p ) et

p =
respectivement :

q0 ( N p + 3N n )

; n =

-3 , q0 ( N p + 3N n )

p =

1 = 0,0411 m 2 / Vs. 20 19 1,17 1,6 10 (10 + 3 10 )


-19

n = - 3 0,0411 = - 0,1233 m 2 /Vs.


Exercice 1.6. La conductivit lectrique correspondante aux ions de Na+ dans le sel NaCl a les valeurs : 1 = 1,9610-6 S/m T1 = 550 C et 2 = 210-4 S/m T2 = 727 C. En sachant que la valeur de la constante du rseau pour NaCl est a = 5,63 , calculer: a) lnergie dactivation wa correspondante aux ions de Na (en cal/mol); b) les valeurs du coefficient de diffusion T1 et T2 (D1 et, respectivement D2); c) les valeurs des constantes D0 et 0. On connat: NA = 6,0251026 Kmol-1, q0 = 1,6 10-19 C, k = 1,3810-23 J/K. Solution En utilisant lexpression de la conductivit ionique:

= 0 exp( wb / kT ),
il rsulte:

(1)

1 = 0 exp( wb / kT1 ), 2 = 0 exp( wb / kT2 )


T1 T2 2 ln , T2 T1 1
823 1000 2 10 -4 ln = 2,97 10 -19 J -6 1000 823 1,96 10

En tenant compte des ces expressions on trouve:

wb = k

wb = 1,38 10 -23

wb = 2,97 10 -19 J = 1,86 eV .

50

EXERCICES respectivement, wa = wb b) En utilisant la relation: NA 6,025 10 23 = 2,97 10 -19 = 42 809 cal/mol. 4,18 4,18 (2)

=
o

N q2 D, kT

4 4 = = 2 ,24 10 28 m 3 3 -10 3 Vc.el . a (5,63 10 ) reprsente la concentration volumique des ions de Na+, Na,c.el. le nombre des ions et Vc.el le volume de la cellule lmentaire et q = +q0, il rsulte: k T1 1,38 10 23 823 D1 = 1 = 1,96 10 6 = 3,88 10 17 m 2 /s 2 28 19 2 Nq 2,24 10 (1,6 10 ) N= =

N a ,c.el .

k T21 1,38 10 23 1000 = 2 10 4 = 4,81 10 15 m 2 /s . 2 Nq 2 2,24 10 28 (1,6 10 19 ) 2 c) En utilisant lexpression du coefficient de diffusion D = D0 exp( Wb / kT ) , il rsulte: 2,97 10 19 6 2 D0 = D1 exp( Wb / kT1 ) = 3,88 10 17 exp 1,38 10 23 823 = 8,83 10 m /s D2 =
D0 = 8,83 10 6 m 2 /s .

Avec la relation (1) on obtient:

0 = 1 exp( Wb / kT1 ) = 1,96 10 -6

2,97 10 19 5 23 = 4,45 10 S/m 1 , 38 10 823

0 = 4 ,45 10 5 S/m .

Observation On peut constater que si la temprature dpasse des valeurs suprieures la temprature de fusion, le NaCl devient pratiquement conducteur. Exercice 1.7. Pour un cristal daluminium on a detrmin exprimentalement les valeurs de la rsistivit lectrique = 28 nm, de la constante de Hall RH = -0,4310-10 m3/C et de la densit d = 2,7 kg/dm3. Calculer: a) la concentration volumique des lectrons libres Nn; b) la mobilit des lectrons libres n ; c) le nombre moyen des lectrons libres n qui correspondent un atome.

51

SCIENCE DES MATERIAUX DE LELECTROTECHNIQUE Exercice 1.8. Dterminer la position du niveau limite de Fermi wF(T) = wF pour un cristal pur dantimoniure dindium (InSb) qui se trouve la temprature ambiante. * On connat: la masse effective de llectron m n = 0,013 m0, la masse effective du trou
-23 m* J/K, q0 = 1,610-19 C et p = 0,6 m0, la constante de Boltzmann k = 1,3810

m0 = 9,110-31 kg. Exercice 1.9. Sachant que loxyde de calcium (CaO) a une structure cristalline de type NaCl, que le coefficient de diffusion des ions de calcium (Ca2+) a les valeurs D1 = 10-14 m2/s T1 = 2000 K et D2 = 1,5810-16 m2/s T2 = 1666 K, et que la constante du rseau est a = 4,81 , calculer: a) lnergie dactivation wb correspondante la diffusion des ions de calcium (Ca2+) dans loxyde de calcium; b) la valeur du coefficient de diffusion D0 correspondante une valeur trs leve de la temprature (T ); c) les valeurs de la conductivit lectrique 1, 2 et 3, correspondantes aux ions de calcium T1, T2 et T3 = 300 K, respectivement.

52

EXERCICES

2. Proprits dilectriques des matriaux


Exercice 2.1. On considre le hlium en tat de gaz dans un champ lectrique dintensit E = 106 V/m. Calculer: a) le facteur de polarisation de latome dhlium, e; b) le moment lectrique induit, pe; c) la permittivit relative re et la polarisation lectronique Pe dans les conditions: p = 105 N/m2, T = 300 K; d) la permittivit relative re1 et la polarisation lectronique Pe1 dans les conditions: p1 = 100p et T1 = T. On connat: NA = 6,0251026 kmol-1, R = 8314 J/(kmolK), 0 = 8,8510-12 F/m, RHe = 0,582 . Solution a) Le facteur de polarisation lectronique est:
3 e = 4 0 RHe = 4 8,85 10 12 ( 0 ,582 10 10 )3 = 2 ,2 10 41 F m 2

b) Le moment lectrique induit pe est:


p e = e E 0 = e E = 2,2 10 41 10 6 = 2,2 10 35 C m

c) La permittivit relative a lexpression:

re = 1 +
o N e =

Ne e

Nt N = A est la concentration volumique des atomes, V est la volume du gaz V V pV et = est le nombre de mols. RT
p N A 10 5 6,025 10 26 = = 2,42 10 25 m 3 R T 8314 300

Il rsulte : Ne =

re = 1 +
La polarisation lectronique est:

2,42 10 25 2,2 10 41 = 1,000062 8,85 10 12

Pe = N e p e = 2 ,42 10 25 2 ,2 10 35 = 5,32 10 10 C m 2

d) Pour la valeur de la pression p1 = 100 p on obtient :


1 Ne =

p1 N A 100 p N A = = 100 N e = 100 2,42 10 25 = 2,42 10 27 m 3 R T R T

53

SCIENCE DES MATERIAUX DE LELECTROTECHNIQUE

=1+
1 re

1 Ne e

2 ,42 10 27 2,2 10 41 =1+ = 1,0062 8,85 10 12

1 Pe1 = N e p e = 2,42 10 27 2,2 10 35 = 5,32 10 8 C m 2

Exercice 2.2. Dans les conditions normales de pression (p0 = 1 bar) et de temprature (t0 = 0C), largon (Z = 18), a la permittivit relative r = 1,00044. Calculer: a) le facteur de polarisation e; b) le rayon de latome dargon R0; c) le dplacement (x) du centre de la sphre dans laquelle on suppose que se trouvent les lectrons par rapport au centre de latome, dans le cas de lapplication dun champ lectrique dintensit E = 104 V/m. On connat: NA = 6,0251026 kmol-1, 0 = 8,8510-12 F/m, Vm = 22,41 dm3. Solution a) Pour les gaz neutres lexpression de la permittivit relative est:

r =1+
o:

Ne e

Ne =

NA est le nombre des atomes par unit de volume, Vm

N A = 6,025 10 23 mol 1 est le numro dAvogadro et Vm = 22,41 dm3 est le volume molaire. Le facteur de polarisation lectronique est: ( 1) 0 ( r 1) 0Vm (1,00044 1) 8,85 10 12 22,41 108 ) e = r = = = 1,448 10 40 Fm 2 23 Ne NA 6,025 10
3 b) En utilisant lexpression du facteur de polarisation lectronique e = 4 0 R0 , on obtient :

e 1,448 10 40 3 = R0 = = 1,092 10 10 m . 12 4 0 4 8,85 10 c) Le moment lectrique du diple qui se trouve dans un champ lectrique E a lexpression: p e = e E 0 = e ( E + P ) = e E (pour les gaz = 0 ) 0 De lautre part, on peut exprimer le moment lectrique du diple par lexpression:
3

p e = q x , respectivement p e = Z q 0 x

Il rsulte : x=

e E
Z q0

1,448 10 40 10 4 = 5,03 10 19 m 19 18 1,6 10

54

EXERCICES Exercice 2.3. La permittivit relative de loxyde de magnsium (MgO), mesure dans un champ lectrique dintensit E = 105 V/m et frquence f = 10 GHz, est r = 9,6 et lindice de rfraction n = 1,74. Sachant que MgO cristallise dans la structure de NaCl et que la constante du rseau est a = 4,2 , dterminer: a) lintensit du champ lectrique intrieur E0; b) la permittivit relative re et le facteur de polarisation e (globale, correspondant aux ions positifs et ngatifs); c) la permittivit relative ri et le facteur de polarisation i ; d) La polarisation lectronique Pe, la polarisation ionique Pi et la polarisation totale P. Solution a) Avec les relations:

E0 = E +

P 0

P = 0 e E = 0 ( r 1) E
on dtermine : E 0 = [1 + ( r 1)] E = [1 + (1 / 3) (9,6 1)] 10 5 = 3,86 10 5 V/m b) La permittivit relative qui corresponde au polarisation lectronique est: re = n 2 = 1,74 2 = 3,03 . En utilisant les relations:

P e = 0 e,e E = 0 ( re 1) E
et Pe = N + p e+ + N p e = N ( e+ + e )E 0 = N e [1 + ( r 1)] E il rsulte :

e =

0 ( re 1) , N [1 + ( r 1)]

o N = N+ = N- est la concentration des ions du magnsium, respectivement doxygne et e + et e sont les facteurs de polarisation correspondants aux deux types dions. Le nombre des atomes qui se trouve dans une cellule lmentaire est:
1 1 N c , el = 8 + 6 = 4 8 2 et, par consquent, la concentration des ions est: N N ,el 4 N = c ,el = c3 = = 5,4 10 28 m 3 10 3 Vc ,el a ( 4,2 10 ) Le facteur de polarisation lectronique est: 8,85 10 12 (3,03 1) e = = 0,86 10 40 F m 2 1 5,4 10 28 [1 + (9,6 1)] 3 c) La polarisation ionique est: Pi = P Pe = 0 ( r 1) E 0 ( re 1)E = 0 ( r re )E Dautre part: Pi = 0 ei E = 0 ( ri 1)E

(1) (2)

55

SCIENCE DES MATERIAUX DE LELECTROTECHNIQUE


Pi = N i E 0 = N i [1 + ( r 1)]E .

(3)

En utilisant (1) et (2) on obtient la permittivit relative ionique: ri = r re + 1 = 9 ,6 3,03 + 1 = 7 ,57 . En utilisant (2) et (3) on obtient le facteur de polarisation ionique: 0 ( ri 1) 8,85 10 12 (7,57 1) = = 2,79 10 40 F m 2 i = 1 N [1 + ( r 1)] 5,4 10 28 [1 + (9,6 1)] 3 d) Les polarisations Pe , Pi et P ont les valeurs: Pe = 0 ( re 1) E = 8,85 10 12 (3,03 1) 10 5 = 1,79 10 6 C/m 2

Pi = 0 ( ri 1) E = 8,85 10 12 (7,57 1) 10 5 = 5,82 10 6 C/m 2


P = 0 ( r 1) E = 8,85 10 12 (9,6 1) 10 5 = 7,61 10 6 C/m 2 . On voit que la relation Pe + Pi = P = 7,61 10 6 C/m 2 est vrifie. Exercice 2.4. Sachant que le facteur de polarisation du mthane (CH4) est e = 2,71040 Fm2, dterminer la distance entre les centres des charges positifs et ngatifs des molcules, quand dans le corps on tablit un champ lectrique dintensit E = 1 MV/m. On connat: ZC = 6, ZH = 1 et q0 = 1,610-19 C. Solution Dans le cas des gaz, = 0 et on obtient: p e = e E = Z q0 d et: eE , d = Zq 0 o d reprsente la distance entre les centres des charges positives et ngatives et Z = ZC + ZH = 6 + 4 = 10 - le nombre total des lectrons de la molcule. Il rsulte: 2,7 10 -40 10 6 = 1,69 10 16 m = 1,69 10 6 . d = 10 1,6 10 19

d = 1,69 10 6 .
Exercice 2.5. Le dilectrique dun condensateur plan est constitu dhlium en conditions normales de pression et de temprature. Calculer les composantes 'r et '' r de la permittivit complexe r et les valeurs du facteur de pertes par hystrsis dilectrique tgh, dans le cas dun champ lectrique harmonique, pour diffrentes valeurs de la frquence: a) f = 50 Hz ; b) f = 0.145 PHz; c) f = 2 PHz . On connat : le nombre des lectrons de latome dhlium Z = 2, le volume molaire Vm = 22,414 m3/kmol, la frquence propre de rsonance f0 = 0,15 PHz, 0 = 8,85 10-12

56

EXERCICES F/m, = 0.

0 = 4 10-7 H/m, m0 = 9,1 10-31 kg, q0 = 1,6 10-19 C et NA = 6,025 1026 kmol-1,

Solution Puisque ce dilectrique prsente seulement une polarisation de dformation lectronique, pour le calcul les grandeurs 'r , '' r et tg h on utilise les relations:

'r = 1 + '' r =

2 ( '0 ) 2 2 ( '0 ) 2 2 N Z q0 1 B = + 2 [( 0 ) 2 2 ] 2 + 2 2 0 m 0 [( 0 ) 2 2 ] 2 + 2 2 / m 0

2 N Z q0 / m 0 = B 2 2 2 2 2 2 2 [( 0 ) 2 ] 2 + 2 2 0 m 0 [( 0 ) ] + / m 0

' tg h = '' r / r , o N reprsente la concentration volumique des atomes de He, -la pulsation du champ 2 2 2 2 NZq 0 / 0 m0 = 0 2 lectrique, ( '0 ) 2 = 0 (pour les gaz), = 0 q 0 0 / 6c une constante de matriau, c = 0,3 Gm/s - la vitesse de la lumire, = / m0 et 2 B = NZq 0 / 0 m0 . On a: ' 0 = 0 = 2 f 0 = 2 0,15 1015 = 9,425 1014 s -1 N = N A / Vm = 6,025 10 26 / 22,414 = 2,69 10 25 m -3

4 10 7 (1,6 10 19 ) 2 (9,425 10 14 ) 2 = 5,05 10 24 Ns / m. 6 3 10 8

5,05 10 -24 = 5,55 10 6 s -1 31 9,1 10

B =

2,69 10 25 2 (1,6 10 -19 ) 2 = 1,71 10 29 s -2 . 8,85 10 12 9,1 10 31

a) Pour f = 50 Hz, la pulsation = 250 = 314,16 rad/s est trs infrieure la ' = 0 = 9,425 1014 rad/s et les relations de calcul se pulsation de rsonance 0 simplifient: 'r = 1 + B / ( '0 ) 2

''r = B / ( '0 ) 4 .
Il rsulte:

'r = 1 + 1,71 10 29 / (9,425 10 14 ) 2 = 1193 , ''r = 1,71 10 29 5,55 10 6 314,16 / (9,425 10 14 ) 4 = 3,778 10 22

3,778 10 22 = 3,17 10 22 . 1193 , b) Pour f = 1,451014 Hz on obtient les valeurs:

tg h =

57

SCIENCE DES MATERIAUX DE LELECTROTECHNIQUE

= 21,45 1014 = 9,111 1014 s-1

'r = 1 + 1,71 10 29

(9,425 10 14 ) 2 (9,111 10 14 ) 2 = [(9,425 10 14 ) 2 (9,111 10 14 ) 2 ]2 + (9,111 10 14 ) 2 (5,55 10 6 ) 2 = 3,938

''r = 1,71 10 29

5,55 10 6 9,111 10 14 = [(9,425 10 14 ) 2 (9,111 10 14 ) 2 ]2 + (9,111 10 14 ) 2 (5,55 10 6 ) 2 = 2,552 10 7

2,552 10 7 = 6,48 10 8 . 3,938 c) Pour f = 2 PHz on obtient les valeurs:

tg h =

= 221015 = 12,56 1014 s-1 'r = 1 + 1,71 10 29


(9,425 10 14 ) 2 (12,56 10 14 ) 2 = [(9,425 10 14 ) 2 (12,56 10 14 ) 2 ] 2 + (12,56 10 14 ) 2 (5,55 10 6 ) 2 = 0,752

''r = 1,71 10 29

5,55 10 6 12,56 10 14 = [(9,425 10 14 ) 2 (12,56 10 14 ) 2 ]2 + (12,56 10 14 ) 2 (5,55 10 6 ) 2 = 2,5 10 8

tg h =

2,5 10 8 = 3,32 10 8 . 0,752

Observations 1) Dans des champs lectriques aux frquences industrielles, la permittivit relative r a des valeurs proches de 1, et les pertes par hystrsis dilectrique sont extrmement rduites (tg h = 10-22). 2) Pour des valeurs de la frquence proches de la valeur de rsonance, r et tg h prsentent des variations importantes (pour f = 0,145 PHz, tg h a une croissance de 14 ordres de grandeur). 3) Pour les frquences suprieures a f0 (mais trs proches de cette valeur), r devient infrieur 1. Ainsi, on met en vidence le phnomne de dispersion anomale du dilectrique.

58

EXERCICES

Exercice 2.6. On considre un corps gazeux constitu des atomes dhlium. Sachant que le moment lectrique induit dans un atome par un champ lectrique dintensit E = 106 V/m est pe = 4,310-35 Cm, calculer la valeur de la polarisation P du corps qui se trouve la temprature T0 = 293 K et la pression p = 10 bar. Exercice 2.7. La molcule de lacide chlorhydrique (HCl) a le moment lectrique dipolaire pp = 3,510-30 Cm. Supposant que le gaz se trouve 0 oC dans un champ lectrique dintensit E = 1 MV/m, dterminer la pression du gaz pour laquelle la polarisation a la valeur P = 410-8 Cm-2. Exercice 2.8. La permittivit relative de la chlorure de potassium mesure aux frquences optiques est () = 2.1. Calculer la valeur du facteur de polarisation des ions de potassium (+) sachant que KCl a le mme type de rseau cristalline que NaCl, et que la constante du rseau est a = 6,29 . On connat: le facteur de polarisation lectronique de lion de chlore - = 3,410-40 Fm2 et la permittivit du vide 0 = 8,8510-12 F/m.

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SCIENCE DES MATERIAUX DE LELECTROTECHNIQUE

60

EXERCICES

3. Proprits magntiques des matriaux


Exercice 3.1. Linduction de saturation dun cristal de fer est Bs = 2,1 T. Dterminer : a) laimantation saturation Ms ; b) le nombre moyen de magntons de Bohr-Procopiu nBP correspondants un atome du cristal considr. On connat: la masse atomique relative du fer M = 55,85, la densit d = 7,87 kg/dm3, la valeur du magnton de Bohr-Procopiu mBP = 9,2710-24 Am2, le nombre dAvogadro NA = 6,0251026 kmol-1 et la permabilit du vide 0 = 410-7 H/m.
B

Solution a) La loi de la liaison entre linduction, lintensit du champ magntique et laimantation, crite pour ltat de saturation est: B S = 0 ( M S + H S ) 0 M S (car MS >>HS ). On obtient : B 2,1 MS = S = = 1,67 10 6 A/m 0 4 10 7 b) Dautre part : M S = N mP = N n BP mBP d o: est la concentration volumique des atomes de fer. N = NA M Il rsulte : MS MS M 1,67 10 6 55,85 n BP = = = = 2,12 N m BP N A d m BP 6,025 10 26 7 ,87 10 3 9 ,27 10 24 Observations 1. Pour latome de fer isol on obtient, thoriquement, nBP = 4. La valeur plus petite du nBP obtenue en utilisant la valeur mesure de Bs - dans le cas du cristal (nBP = 2,12) est due aux orientations diffrentes des spins des lectrons par rapport aux orientations des spins dans les atomes isols (considrs identiques). 2. Evidemment, les valeur du nBP des atomes neutres diffrent de ceux des ions.
B

Exercice 3.2. La susceptibilit magntique dun cristal de nickel (Ni) a la valeur m1 = 4,3510-4 la temprature T1 = 773 K et la valeur m2 = 1,110-4 la temprature T2 = 1173 K. Calculer: a) la valeur de la temprature de Curie de paramagntisme ; b) le nombre moyen de magntons de Bohr-Procopiu nBP. On connat: la masse atomique relative du nickel M = 58,71, la densit du nickel d = 8,9 kg/dm3, k = 1,3810-23 J/K, NA = 6,0251026 kmol-1, mBP = 9,2710-24 Am2, 0 = 410-7 H/m. Solution a) La susceptibilit des ferromagntiques est donne par la relation Curie-Weiss: C . m = T En crivant cette relation pour T1 et pour T2, il rsulte:

61

SCIENCE DES MATERIAUX DE LELECTROTECHNIQUE m1 T1 m 2 T2 4 ,35 10 4 773 1,1 10 4 1173 = 637 ,6 K m1 m 2 4 ,35 10 4 1,1 10 4 b) La constante C a lexpression: 2 C = 0 N mp / k = o: mp= nBPmBP est le moment magntique dun atome, et N = N A concentration volumique des moments magntiques (des atomes). Il rsulte: m (T ) = 0 N m p 2 / k
d M

est la

n BP =
et
N=

1 m BP

k m (T ) 0 N

6 ,025 10 26 8,9 10 3 = 9 ,13 10 28 m-3 58,71

n BP =
Observations:

1 1,38 10 23 1,1 10 4 (1173 637 ,6) = 0 ,287 9,27 10 24 4 10 7 9 ,13 10 28

1. Exprimentalement = 631 K; 2. Pour latome de nickel isol on a obtenu thoriquement : nBP = 2. Exercice 3.3. Un cristal de fer ayant la temprature de Curie de paramagntisme = 1093 K est introduit dans un champ magntique dintensit H = 24 kA/m. Calculer: a) la constante de Weiss ; b) lintensit du champ magntique intrieur H0. On connat: la masse atomique relative du fer M = 55,85, la densit d = 7,87 kg/dm3, linduction de saturation du fer Bs = 2,1 T, le magnton de Bohr-Procopiu mBP = 9,2710-24 Am2, le nombre moyen de magntons Bohr-Procopiu de latome du fer nBP = 2,1, NA = 6,0251026 kmol-1 et 0 = 410-7 H/m.
B

Solution a) La temprature de Curie de paramagntisme a lexpression: = C , o C = ( 0 N m p ) / k , mp = nBP.mBP et N est la concentration volumique des moments
2

magntiques. Il rsulte :
N= N A d 6 ,025 10 26 7 ,87 10 3 = = 8,48 10 28 m-3 M 55,85

C = 2 ,926 K

62

EXERCICES

= 373,5

b) Lintensit du champ magntique intrieur a lexpression: H 0 = H + M Pour H = 24 kA/m, le cristal atteint la saturation magntique, et donc M MS . Il rsulte: BS = 0 (H + M S )

MS =
et

BS 2,1 H = 24 10 3 = 1,64 10 6 A/m 7 0 4 10

H 0 = H + M S = 24 10 3 + 373,5 1,64 10 6 616 MA/m.

Exercice 3.4. Entre les ples dun lectroaimant (figure 1) on place un tube en forme de U, de manire quune seule branche soit situe dans le champ. On introduit dans le tube un fluide paramagntique (par exemple eau oxygn : m = 2 105). Le niveau du fluide est fix sous laxe de symtrie N-S des ples magntiques. Dans quel sens se produit la dnivellation du fluide quand dans les bobines de llectroaimant on tablit un courant lectrique dintensit I ?

Figure 1. Fluide paramagntique dans un champ non-uniforme Solution A cause de la forme spciale des ples magntiques, le champ magntique est fortement non- uniforme: son intensit a la valeur maximale dans les points situes sur laxe N-S et dcrot quand la distance de laxe augmente. Par suite, comme le fluide est paramagntique ( M et H sont omoparalleles), il va se dplacer dans la zone o le champ est plus intense et, en consquence, le fluide va monter dans la branche place entre les pices polaires (branche A). Observation Les valeurs des susceptibilits des corps paramagntiques sont rduites, mais positives (par rapport celles des matriaux diamagntiques) (Tableau 4.1). Tableau 4.1 Les valeurs des susceptibilits des corps paramagntiques m,p Elment m,p x 106 Elment m,p x 106 Li 2,38 Na 0,85 K 0,59 Mg 1,19 Nb 23,70 63 Al 2,10 Mo 10,68 Ca 1,50 Sr 3,33 Ti 18,01 Pt 26,14 V 35,80 U 66,40

Y 10,30

Zr 10,56

Pd 79,80

SCIENCE DES MATERIAUX DE LELECTROTECHNIQUE Exercice 3.5. Pour deux alliages Ni-Cu, ayant les concentrations des atomes de cuivre 1 = 10 % et 2 = 38 % on dtermine exprimentalement les valeurs du nombre de magntons de Bohr Procopiu n (n1 = 0,5, respectivement n2 = 0,18) et de la temprature de Curie de paramagntisme (1 = 520 K, respectivement 2= 200 K). Dterminer: a) Les moments magntiques atomiques moyens (mp1 et mp2); b) Le moment magntique atomique moyen dans le cristal du nickel pur (mp) et le nombre moyen des magntons Bohr-Procopiu (n); c) Les susceptibilits magntiques des alliages (m,1 et m,2) T = 773 K. On connat: 0 = 410-7 H/m, k = 1,3810-23 J/K, mBP = 9,2710-24 Am2, NA = 6,0251026 kmol-1, M = 58,71 et d = 8,9 kg/dm3. Solution a) Les moments magntiques atomiques moyens ont les valeurs: m p1 = n1 m BP = 0,5 9,27 10 24 = 4,635 10 24 Am 2 , m p 2 = n 2 m BP = 0,18 9,27 10 24 = 1,669 10 24 Am 2 . b) On dtermine le moment magntique atomique moyen de latome dans le cristal pur (mp) avec la relation: m p ,a = m p v m BP , 100 o mp,a reprsente le moment magntique atomique moyen de latome dans lalliage, - la concentration des impurets et v - leur valence (pour cuivre v = 1). Il rsulte:
m p = m p1 +

v m BP = n1 + 1 v 100 100

m BP ,

respectivement,

10 mp = 1 9,27 10 24 = 5,562 10 24 Am 2 . 0,5 + 100 Le nombre moyen des magntons de Bohr-Procopiu est: mp n = = n1 + 1 v , m BP 100 respectivement, 10 n = 0,5 + 1 = 0,6 . 100 c) Pour dterminer la valeur de la constante de Weiss on utilise la relation suivante: = C, 2 o C = 0 Nm p / k reprsente la constante de Curie. En considrant que la concentration de particules est constante et gale la valeur correspondante du cristal pur : N 6,025 10 26 N = A d = 8,9 10 3 = 9,133 10 28 m -3 , M 58,71 il rsulte: 0 Nm 2 Nn 2 m 2 p1 C1 = = 0 1 BP k k

64

EXERCICES C2 = et ensuite:

0 Nm 2 p2
k

2 2 0 Nn2 m BP

C1 = C2 =
Finalement:

4 10 7 9,133 10 28 0,52 (9,27 10-24 )2 = 0,1786 K , 1,38 10-23

4 10 7 9,133 10 28 0,18 2 (9,27 10 -24 ) 2 = 0,0232 K , 1,38 10 -23

1 =

1
C1

= =

520 = 2912 0,1786

200 = 8621 . C2 0,0232 b) Pour calculer les susceptibilits magntiques on utilise la relation de Curie-Weiss. On obtient: C1 0,1786 m1 = = = 7,06 10 4 T 1 773 520

2 =

m2 =

C2 0,0232 = = 4,05 10 5 T 2 773 200

Observation La croissance du contenu des impurets dtermine une rduction du nombre moyen des magntons de Bohr-Procopiu de latome de nickel et, videment, la temprature de Curie de paramagntisme. Exercice 3.6. Dterminer linduction de saturation de la ferrite de nickel [(NiFe4O4)8]. La cellule lmentaire de la ferrite est cubique et a la contante de rseau a = 8,34 . On connat: ZFe = 26, ZNi = 28, mBP= 9,2710-24 Am2 et 0 = 410-7 H/m. Solution A la saturation on a Ms >>Hs et, en tenant compte de la loi de liaison entre linduction, intensit du champ magntique et laimantation, il rsulte: Bs = 0 M s . Laimantation de saturation Ms est: M s = N m p = m c.el / v c.el . o mc.el. reprsente le moment magntique rsultant de la cellule lmentaire, vc.el. = a3 - le volume de la cellule lmentaire. Le moment mc.el. est obtenu comme la somme vectorielle des moments magntiques permanents des ions de Fe et de Ni rsultants et des moments magntiques de spin (voir Tableau 4.2.). Lorientation des spins et des moments propres des ions est la suivante: Fe3+ : 8 x 5 = 40 mBP avec lorientation Fe3+ : 8 x 5 = 40 mBP avec lorientation Ni2+ : 8 x 2 = 16 mBP avec lorientation . 65

SCIENCE DES MATERIAUX DE LELECTROTECHNIQUE Le moment magntique rsultant de la cellule lmentaire mc.el. a le module mc.el. = 16 mBP et lorientation . Tableau 4.2. Les valeurs thoriques des moments magntiques des atomes (ions) Atome N 1s (ion) elec. Fe 26 2 Ni 28 2 3+ Fe 23 2 2+ Ni 26 2 2+ Fe 24 2 2+ Mn 23 2 2+ Co 25 2 2+ Cu 27 2 2+ Mg 10 2 + Li 2 2+ Zn 28 2 Cd2+ 46 2 2s 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2p 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 3s 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 3p 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 3d 6 8 5 8 6 5 7 9 10 10 4s 2 2 2 4p 6 4d 10 Lordre des spins mp 4mBP 2mBP 5mBP 2mBP 4mBP 5mBP 3mBP 1mBP 0 0 0 0

Laimantation de saturation est M s = mc.el . / v c.el . = 16 m BP / a 3 = 16 9,27 10 24 / (8,34 10 -10 ) 3 = 0,2557 10 6 A/m M s = 0,2557 MA/m. et linduction de saturation rsulte: Bs = 0 M s = 4 10 -7 0,2557 10 6 = 0,321 T Bs = 0,321 T . Observations 1. La valeur de linduction de saturation calcule est proche de la valeur exprimentale Bs = 0,37 T. 2. La valeur du moment magntique molculaire est mp,molec = mc.el./8 = 16mBP/8 = 2mBP.
B

Exercice 3.7. Pour un cristal de cobalt (Co) pur, aimant la saturation on a dtermin linduction Bs = 1,7 T pour lintensit du champ magntique H = 30 kA/m. Calculer : a) la permabilit magntique relative statique rs et la susceptibilit magntique m; b) laimantation saturation Ms ; c) le moment magntique propre moyen de latome de Co ; d) le nombre moyen des magntons de Bohr-Procopiu nBP qui correspondent un atome ; e) la constante de Weiss. On connat : la temprature Curie de paramagntisme = 1388 K, la densit d = 8,9 kg/dm3, la masse atomique relative du cobalt M = 58,9332, le magnton de
B

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EXERCICES Bohr-Procopiu mBP = 9,710-24 Am2, le nombre dAvogadro NA = 6,0251026 kmol-1 et 0 = 410-7 H/m. Exercice 3.8. Pour un cristal antiferromagntique doxyde de manganse (MnO) on a dtermin exprimentalement les valeurs de la susceptibilit magntique T1 = 150 K et T2 = 250 K, en obtenant m1 = 10,410-4 et, respectivement m2 = 9,1710-4. Calculer la temprature de Curie asymptotique . Exercice 3.9. Le noyau ferromagntique dune bobine de section 1 x 1 cm2 est ralis en tle de fer silici lamine froid qui a lpaisseur g = 0,35 mm, la densit d = 7,65 kg/dm3 et de rsistivit = 4.810-7 m. Pendant le fonctionnement de la bobine, dans le noyau on tablit un champ magntique dinduction B = 0,3 T et de frquence variable. Calculer les pertes spcifiques par courants de Foucault dans les cas suivants : a) f1 = 50 Hz ; b) f2 = 1 MHz ; c) On remplace le noyau en tle par un noyau similaire en ferrite Ni-Zn avec = 103 m et d = 4,5 kg/dm3.

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SCIENCE DES MATERIAUX DE LELECTROTECHNIQUE

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GUIDE DE LABORATOIRE ET EXERCICES

Bibliographie
1. A. Ifrim, P. Notingher, Materiale electrotehnice, Ed. Didactica si Pedagogica, Bucuresti, 1992. 2. A. Ifrim, V. Fireteanu, P. Notingher, D. Stanciu, Indrumar de laborator de materiale electrotehnice, Litografia IPB, 1985. 3. P. Notingher, I. Radu, Materiale electrotehnice Aplicatii, Litografia IPB, 1992. 4. P. Robert, Matriaux de llectrotechnique, Presses polytechniques romandes, Lausanne, 1989. 5. P. Brissonneau, Magntisme et matriaux magntiques pour llectrotechnique, Ed. Herms, Paris, 1997. 6. E. Burzo, Magneti permanenti, Editura Academiei, Bucuresti, 1986. 7. A. Nicula, F. Puskas, Dielectrici si feroelectrici, Ed. Scrisul Romanesc, Craiova, 1982. 8. M. Dragomirescu, P. Svasta, O. Dragomirescu, Materiale si componente electronice Indrumar de laborator, Litografia IPB, 1973.

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