DEMOSTRACIN DE LA CADA DE TENSIN EN EL DIODO

Galvez Mendoza Angel Eduardo

Resumen
Un diodo de estado slido se forma cuando se unen dos piezas de cristal semiconductor compuestas por tomos de silicio (Si) puro, pero procesadas cada una de forma diferente. Durante el proceso de fabricacin del diodo ambas piezas se someten por separado a un proceso denominado dopado consistente en aadirle a cada una impurezas diferentes, procedentes de tomos de elementos semiconductores tambin diferentes. Al final del proceso se obtiene una pieza de cristal de silicio positiva (P) con faltante de electrones en su estructura atmica (lo que produce la aparicin de huecos) y otra pieza negativa (N) con exceso de electrones.

Introduccin
Si se toma un bloque de silicio y se dopa una parte de l con una impureza trivalente y la otra con una impureza pentavalente, se forma una limite llamado unin pn entre las partes tipo p y tipo n resultantes y se crea un diodo bsico. Un diodo es un dispositivo que conduce corrientes en solo una direccin. La unin pn es la caracterstica que [permite funcionar a diodos, ciertos transistores y otros dispositivos. Un material tipo p consta de tomos de silicio y tomos de impureza trivalentes tales como el boro. Un material de silicio tipo n se compone de tomos de silicio y tomos de impureza pentavalentes tales como el antimonio. Si un trozo de silicio intrnseco es dopado de tal forma que una parte es tipo n y la otra tipo p, se forma una unin pn en el lmite entre las dos regiones y se crea un diodo. La regin p tiene muchos huecos (portadores mayoritarios) por los tomos de impureza y solo unos cuentos electrones libres trmicamente generados (portadores minoritarios). La regin n tiene muchos electrones libres (portadores mayoritarios) por los tomos de impureza y solo unos cuentos huecos trmicamente generados (portadores minoritarios). En cualquier momento que exista una carga positiva una carga negativa, una cerca de la otra, existe una fuerza que acta en la carga como lo describe la ley de Coulomb. En la regin de empobrecimiento existen muchas cargas positivas y muchas cargas negativas en los lados opuestos de la unin pn. Las fuerzas entre las cargas opuestas forman un campo elctrico. Este campo elctrico es una barrera para los electrones libres en la regin n y se debe consumir energa para mover un electrn a travs del campo elctrico; es decir, se debe aplicar energa externa para hacer

que los electrones se muevan a travs de la barrera del campo electrnico en la regin de empobrecimiento. La diferencia de potencial del campo elctrico a travs de la regin de empobrecimiento es la cantidad de voltaje requerido para mover electrones a travs del campo elctrico. Esta diferencia de potencial se llama potencial de barrera y se expresa en volts. El potencial de barrera de una unin pn depende de varios factores, incluido el tipo de material semiconductor, la cantidad de dopado y la temperatura. El potencial de barrera tpico es aproximadamente de 0.7 V para el silicio y de 0.3 V para el germanio a 25 C. En el punto de equilibrio ningn electrn remueve a travs de la unin pn. En general el trmino polarizacin se refiere al uso de un voltaje de cc para establecer ciertas condiciones de operacin para un dispositivo electrnico. En relacin con un diodo existen dos condiciones: en directa y en inversa. Cualquiera de estas condiciones de polarizaciones se establece conectando un voltaje de cc suficiente y con la polaridad apropiada a travs de la unin pn. Efectos de la temperatura Para un diodo polarizado en directa, a medida que se incrementa la temperatura, la corriente de polarizacin en directa se incrementa para un valor dado del voltaje de polarizacin en directa. Adems, con un valor dado de la corriente de polarizacin en directa. El voltaje de polarizacin en directa se reduce. El potencial de barrera se reduce 2 mV por cada grado de incremento de la temperatura.

Desarrollo
Descripcin del circuito
Para polarizar un diodo se aplica un voltaje de cc a travs de l. Polarizacin en directa es la condicin que permite la circulacin de corriente a travs de la unin pn. La Fig. 1 muestra una fuente de voltaje de cc conectada por un material conductor (contactos y alambres) a travs de un diodo en la direccin que produce polarizacin en directa. Este voltaje de polarizacin externo se expresa como VPOLARIZACION.

Fig. 1 Diodo conectado en polarizacin directa

El resistor limita la corriente en condicin de polarizacin en directa de un valor que no dae al diodo. Observe que el lado negativo de VPOLARIZACION est conectado la regin n del diodo y el lado positivo est conectado a la regin p: este es un requisito para que se d la polarizacin en directa. Un segundo requerimiento es que el voltaje de polarizacin, VPOLARIZACION, debe ser ms grande que el potencial de barrera. La polarizacin en inversa es la condicin que en esencia evita la circulacin de corriente a travs del diodo. La Fig. 2 muestra una fuente de voltaje de cc conectada a travs de un diodo en la direccin que produce polarizacin en inversa.

Fig. 2 Diodo conectado en polarizacin inversa

Este voltaje de polarizacin externo se designa como VPOLARIZACION, como en el caso de polarizacin en directa. Observ que el lado positivo de VPOLARIZACION est conectado a la regin n del diodo y el lado negativo est conectado a la regin p. Observe tambin que la regin de empobrecimiento se muestra mucho ms ancha que la condicin de polarizacin en directa o equilibrio. Para fines de la realizacin de esta prctica, se realizara la conexin del diodo con la polarizacin directa, para describir cmo se comporta el voltaje dependiendo de las condiciones de temperatura del entorno.

Diseo del circuito

Para fines de la realizacin de esta prctica, se realizara la conexin del diodo con la polarizacin directa, para describir cmo se comporta el voltaje dependiendo de las condiciones de temperatura del entorno. Como se muestra en la siguiente imagen (Fig. 3) cuando el voltaje de ruptura rebasa los 700 mV (0.7V) la corriente del circuito se dispara, esto a temperatura ambiente. Cuando se aplique una temperatura mayor (>25C) el voltaje tiene que disminuir en 2 mV/C.

Fig. 3 Simulacin del circuito

Descripcin de los equipos del sistema

El microcontrolador que se utilizara en la realizacin de la prctica, tanto para obtener como manipular los datos de entrada en este caso, es una placa de conexin con un microcontrolador Arduino Duemilanove (2009 en italiano, tambin es el ao en que sali al Mercado) Fig.4, pines con entradas/salidas digitales, entradas anlogas, un oscilador de cristal de 16Mhz, entrada de alimentacin y conexin serial USB.

Fig. 4 Placa con microcontrolador Arduino Duemilanove

La Fig. 5 muestra el esquema del microcontrolador Arduino 2009, cada uno de los 14 pines digitales en el duemilanove pueden utilizarse como entradas o como salidas usando las funciones pinMode (),
digitalWrite (), y digitalRead ().

Fig. 5 Esquema del microcontrolador Arduino Duemilanove

Las E/S operan a 5 volts. Cada pin puede proporcionar o recibir una intensidad mxima de 40mA y tiene una resistencia interna de 20-50 k. Adems, algunos pines tienen funciones especializadas. En la Fig.6 se observa el mapeo de pines El Arduino Duemilanove se puede programar a travs del software Arduino. El ATmega168 en las placas Arduino Duemilanove viene precargado con un gestor de arranque (bootloader) que permite cargar nuevo cdigo sin necesidad de un programador por hardware externo. Se comunica utilizando el protocolo STK500.

Tambin se puede eliminar el gestor de arranque y programar directamente el microcontrolador a travs del puerto ISCP (In Circuit Serial Programming).

Fig. 6 Mapeo de pines microcontrolador ATmega 168

Descripcin de los programas del sistema

Para la adquisicin y manejo de los datos que se obtendrn del circuito, se emplearan dos plataformas de programacin: Arduino y Processing.

Arduino
Arduino es una plataforma de electrnica abierta para la creacin de prototipos basada en software y hardware flexibles y fciles de usar. Se cre para artistas, diseadores, aficionados y cualquiera interesado en crear entornos u objetos interactivos. El entorno de cdigo abierto Arduino hace fcil escribir cdigo y cargarlo a la placa E/S. Funciona en Windows, Mac OS X y Linux. El entorno est escrito en Java y basado en Processing, avr-gcc y otros programas tambin de cdigo abierto.

Processing
Processing es un lenguaje de programacin y entorno de desarrollo integrado de cdigo abierto basado en Java, de fcil utilizacin, y que sirve como medio para la enseanza y produccin de proyectos multimedia e interactivos de diseo digital. Fue iniciado por Ben y Casey Reas a partir de reflexiones en el Aesthetics and Computation Group del MIT Media Lab dirigido por John Maeda. Processing es desarrollado por artistas y diseadores como una herramienta alternativa al software
propietario.

Puede ser utilizado tanto para aplicaciones locales as como aplicaciones para la web

(Applets).

Resultados
El sensor requiere de muy baja intensidad, sin embargo la placa no cuenta con un regulador de voltaje, as que la tensin suministrada debe estar entre 1.4 a 3.6Vcd.

Conclusiones
AL estar variando el voltaje dentro del diodo, se observo que a partir de los 0.7 V, se rompe su potencial de barrera y la corriente comienza a fluir libremente. Dependiendo de la temperatura al que este expuesto el diodo, su potencial de barrera disminuye entre mayor sea la temperatura. Entre otras pruebas, se comprob el funcionamiento de la polarizacin inversa, y se afirmo que su corriente es casi despreciable a comparacin de la polarizacin directa. Las plataformas Arduino y Processing, son de gran ayuda para la manipulacin, as como el manejo y manipulacin de informacin que se adquieran del medio ambiente.

Referencias
Thomas L. Floyd, Dispositivos Electrnicos, 8va Edicin, Pearson Educacin Mxico, 2008, pp. 14-25 http://www.arduino.cc/es/, Julio 2012 http://www. processing.org/, Julio 2012