FUNDAMENTOS DE LA ELECTRNICA DIGITAL

1. FUNDAMENTOS DE LOS FENMENOS ELCTRICOS EN LOS SEMICONDUCTORES

INTRODUCCIN Un semiconductor es un material, constituido por tomos o combinaciones de tomos, que posee una conductividad inferior a la de un metal y superior a la de un aislante. Puede estar constituido por un elemento qumico puro que posee cuatro electrones en la ltima capa como el Silicio (Si) o el Germanio (Ge), que reciben el nombre de semiconductores intrnsecos, o por combinaciones de elementos de tres y cinco electrones en la ltima capa como el Arseniuro de galio (AsGa), los siliciuros y las superredes. La estabilidad de la estructura electrnica de los tomos que poseen ocho electrones en la ltima capa hace que los tomos de Silicio y de Germanio se organicen de tal manera que cada uno de ellos comparte sus cuatro electrones de la ltima capa (electrones de valencia), con cuatro tomos prximos para dar lugar a lo que se denomina enlaces covalentes (Figura 1.1). El enlace covalente es el que se produce entre dos tomos de un semiconductor puro (Silicio o Germanio) que comparten entre s dos electrones (uno de cada uno). La existencia de estos enlaces hace que a cero grados Kelvin no existan portadores de carga libres y que por lo tanto el semiconductor se comporte como un aislante. Al aumentar la temperatura la energa adquirida por algunos electrones hace que se rompan los enlaces covalentes y que se tengan por un lado electrones libres y por otro huecos (ausencia de electrones) tal como se indica en la figura 1.1.
Si Enlace Covalente Si Si

Si Calentamiento

Si Electrones de valencia

Si

Si Hueco Electrn libre

Figura 1.1 Estructura electrnica de los tomos de un semiconductor intrnseco

El silicio y el germanio son por lo tanto materiales que poseen portadores libres positivos y negativos (pares electrn-hueco) en idntico nmero y precisamente por ello reciben el nombre de semiconductores intrnsecos. Si a un material semiconductor

intrnseco se le aaden impurezas (Doping) constituidas por elementos qumicos de los grupos IIIA y VA de la tabla peridica se obtiene un semiconductor extrnseco. Si las impurezas que se aaden son elementos qumicos del grupo IIIA de la tabla peridica como el boro (B), Galio (Ga) o el Indio (In), que poseen tres electrones en la ltima capa, al formarse los enlaces covalentes queda incompleto uno de ellos lo que da lugar a un hueco (Figura 1.2.a). Por ello estas impurezas reciben el nombre de aceptadoras, capaces de aceptar un electrn (en ingls Acceptors), y el material obtenido es de tipo P. Si las impurezas que se aaden a un semiconductor intrnseco son elementos qumicos del grupo VA de la tabla peridica [Fsforo (P), Arsnico (As), Antimonio (Sb), etc.], que poseen cinco electrones en la ltima capa, al formarse los enlaces covalentes sobra un electrn que queda libre (1.2.b). Por ello estas impurezas reciben el nombre de donadoras (en ingls Donors) y el material obtenido es de tipo N. Es interesante observar que las letras P y N constituyen una abreviatura de los trminos ingleses Acceptor y Donor respectivamente, que permiten distinguir a un material del
otro.

La introduccin de impurezas donadoras o aceptadoras, da como resultado un material que posee propiedades conductoras debido a la existencia en mayor proporcin de portadores de corriente (huecos o electrones) que reciben el nombre de portadores mayoritarios. En un semiconductor impurificado de tipo N no solamente existen portadores electrones libres sino que tambin existen huecos debido a la ruptura de enlaces covalentes por efecto de la temperatura. La proporcin de huecos es mucho menor por lo tanto que la de electrones y por ello a los huecos se les denomina en este caso portadores minoritarios. Lo mismo se puede decir de los electrones en un semiconductor de tipo P.
Si Hueco Si B Si

Si Electrn libre Si P Si

Si

Si b)

a)

Figura 1.2 Estructura electrnica de los tomos de un semiconductor extrnseco: a) Tipo P; b) Tipo N

De lo expuesto se deduce que al aplicar un campo elctrico a un semiconductor tanto intrnseco como extrnseco, se producen corrientes denominadas de desplazamiento. Adems, cuando en un material semiconductor extrnseco la concentracin de impurezas no es constante, aparece el fenmeno de la difusin, similar al de la difusin de los gases, debido a que los portadores mayoritarios tienden a desplazarse hacia las regiones en las que estn en menor proporcin. Este desplazamiento de cargas libres genera una corriente, que recibe la denominacin de corriente de difusin.

La yuxtaposicin de un semiconductor de tipo P y otro de tipo N da lugar a una unin semiconductora P-N en la que se presentan corrientes de difusin y de desplazamiento. En la unin P-N se basan numerosos componentes electrnicos que se estudian en sucesivos apartados y por ello se describe brevemente a continuacin. UNIN P-N La unin P-N est constituida por un semiconductor extrnseco de tipo P y otro de tipo N puestos en contacto. La existencia de electrones libres en el material de tipo N y de huecos libres en el material de tipo P, hace que ambos tipos de cargas elctricas se desplacen de un material hacia el otro a travs de la unin, lo que da lugar a dos corrientes de difusin, una de huecos y otra de electrones. Pero la difusin de electrones del material N al P y de huecos del P al N genera un potencial elctrico denominado potencial de contacto (VO), que se opone a la corriente de difusin porque constituye una barrera de potencial para los portadores mayoritarios de ambos materiales (P y N). Se obtiene de esta forma un equilibrio dinmico que genera, en la regin prxima a la unin, una ionizacin de los materiales P y N (Figura 1.3). En esta regin, que recibe el nombre de regin de transicin, no existen portadores libres debido a que los iones estn fijos en la red cristalina del semiconductor, y por ello se denomina tambin regin de cargas descubiertas o de carga espacial. En el caso del Silicio esta regin tiene una anchura aproximada de 0,5 m.
P N

B
I=0

+ B +

+ -

+ + + + + + + + + +

+ +

P -

P P
I=0

+ B

Zona de barrera potencial

Figura 1.3 Estructura electrnica de la unin P-N

Para comprender el funcionamiento de la unin P-N cuando se utiliza para realizar dispositivos electrnicos, es conveniente analizar su comportamiento al aplicarle una tensin continua en los dos sentidos posibles: Al material P se le aplica el negativo de una fuente de tensin continua cuyo terminal positivo se conecta al material N. En este caso, suponiendo que no existe ruptura de enlaces debido a la temperatura, no existen electrones libres que puedan desplazarse hacia el polo positivo ni huecos que se desplacen hacia el polo negativo. Se dice por ello que la unin P-N est polarizada inversamente, lo que hace que la anchura de la regin de transicin aumente (Figura 1.4a).

En realidad existe siempre una pequea corriente de prdidas debido a la ruptura de enlaces por efecto de la temperatura. Al material P se le aplica el positivo de una fuente de tensin continua cuyo terminal negativo se conecta al material N. En este caso existen electrones libres que se desplazan hacia el polo positivo y huecos que pueden hacerlo hacia el polo negativo. Se dice por ello que la unin P-N est polarizada directamente. La existencia de la regin de transicin hace que en la unin P-N se produzca una cada de tensin cuyo valor depende del tipo de semiconductor utilizado. En el caso del silicio es aproximadamente de 0.7 voltios. Para limitar la corriente que atraviesa la unin P-N se debe colocar una resistencia en serie (Figura 1.4b). El valor de la intensidad que atraviesa la unin P-N de silicio es en este caso aproximadamente igual a la expresin: ID = (V 0.7)/ R en la cual V es el valor de la tensin generada por la fuente de tensin continua aplicada al circuito.

+ +
P -

+ -

- + + - + + - + + - + + - + +

+ +
N

+ -

+
+

+ Is

+
IS

R V

a)
Is I mayoritarios I D= I mayoritarios - I s

+ +
P +

+ -

- + - + - + - + - +

+ +
N

+ -

+
+

+ ID

+
ID

R V

b)
Figura 1.4 Unin P-N polarizada: a) Inversamente; b) Directamente

2. COMPONENTES ELECTRNICOS
Se define un componente electrnico como el elemento ms simple que constituye una unidad indivisible de un circuito electrnico. Los componentes electrnicos basados en los fenmenos de conduccin en el vaco, los gases o las uniones semiconductoras, reciben el nombre de dispositivos electrnicos. Los componentes electrnicos que no se basan en los fenmenos antes citados, se denominan componentes pasivos. En la tabla 2.1 se indican los diferentes tipos de componentes electrnicos que se describen brevemente a continuacin.
Lineales: (R, L y C) No lineales: Resistencias variables con la temperatura [en ingls: Negative Temperature (NTC)], Resistencias variables con la luz [en ingls: Light Dependent Resistor (LDR)], etc.

Componentes Electrnicos

Componentes Pasivos

Dispositivos Electrnicos

Pasivos Activos

Circuitos integrados monolticos

Tabla 2.1 Clasificacin de los componentes electrnicos

COMPONENTES PASIVOS Un componente pasivo es un componente de un circuito electrnico que se caracteriza por no poseer uniones semiconductoras lo cual lo diferencia de un dispositivo electrnico. Los componentes pasivos pueden tener: Caractersticas elctricas constantes Son componentes pasivos en los que el parmetro elctrico ms significativo es invariable. Pueden ser resistencias (R) (Figura 2.1a), condensadores (C) o bobinas (L). Caractersticas elctricas variables Son componentes pasivos en los que alguna de sus caractersticas elctricas (L, R o C) es funcin del nivel de alguna variable fsica que acta sobre ellos. Son ejemplos de este tipo de componentes pasivos las resistencias cuyo valor depende de la tensin, denominadas varistores [en ingls Voltage Dependent Resistor (VDR)] o de la luz aplicada, denominadas fotorresistencias [en ingls Light Dependent Resistor (LDR)] (Figura 2.1.b) y las bobinas cuya inductancia depende de la posicin del ncleo.

a)

b)

Figura 2.1

Fotografas de componentes pasivos resistivos

a) De valor constante (Resistencias); b) De valor variable en funcin de la luz (LDR)

DISPOSITIVOS ELECTRNICOS Introduccin Se define un dispositivo electrnico como un componente de un circuito electrnico cuyo funcionamiento est basado en los fenmenos de conduccin en el vaco, los gases o las uniones semiconductoras P-N. Constituye la parte ms simple de un circuito electrnico. Los primeros dispositivos electrnicos fueron las vlvulas de vaco (diodo, triodo, etc.) y posteriormente de gas (tiratrn, ignitrn, etc.). Todos ellos fueron sustituidos por dispositivos basados en los fenmenos de conduccin en los semiconductores (diodos semiconductores, transistores, tiristores, etc.). Los dispositivos electrnicos se pueden clasificar, tal como se indica en la tabla 2.2, en pasivos y activos. A continuacin se describe cada uno de ellos.
De seal Pasivos De potencia

Dispositivos Electrnicos
Activos

De seal De potencia

Tabla 2.2 Clasificacin de los dispositivos electrnicos

Dispositivos electrnicos pasivos Los dispositivos electrnicos pasivos poseen slo dos terminales y no necesitan una energa de polarizacin suministrada mediante una fuente de alimentacin o una batera. Los dispositivos electrnicos pasivos ms tpicos estn formados por una unin P-N.

Los dispositivos electrnicos pasivos que se utilizan en el apartado 3 son: El diodo rectificador El diodo luminiscente denominado LED (Light Emitting Diode)

Dispositivos electrnicos activos Los dispositivos electrnicos activos tienen un mnimo de tres terminales uno de los cuales acta como elemento de control, de tal manera que al aplicar una tensin entre l y uno de los otros dos (o hacer pasar una corriente a travs de l) se modifica la resistencia entre estos ltimos. La variacin de la tensin o la corriente de control necesaria para obtener una variacin de la tensin o la corriente entre los otros dos terminales es mucho menor que sta ltima. Por ello los dispositivos electrnicos activos son amplificadores. Dispositivos electrnicos activos son los transistores tanto bipolares como unipolares. Todo dispositivo electrnico activo presenta un conjunto de parmetros caractersticos tanto elctricos (potencia disipada, tensin de ruptura, tensin de umbral, corriente de pico, etc.), como temporales (tiempo de conmutacin, frecuencia mxima de operacin, etc.) que limitan su campo de aplicacin. Todos los dispositivos electrnicos activos pueden encontrarse en estado de conduccin o en estado de corte. En el primero presentan una impedancia muy pequea, y en el segundo muy elevada. Adems, algunos dispositivos electrnicos activos como por ejemplo los transistores pueden encontrarse en estados intermedios entre el corte y la saturacin, que constituyen una regin de trabajo llamada activa y por ello pueden ser utilizados para modificar, por ejemplo amplificar, seales analgicas que poseen diferentes formas (senoidales, triangulares, dientes de sierra, etc.). Los dispositivos electrnicos activos que se describen en el apartado 4, son: El transistor bipolar El transistor de efecto de campo

3. DISPOSITIVOS ELECTRNICOS PASIVOS

DIODO SEMICONDUCTOR RECTIFICADOR El diodo semiconductor rectificador (Rectifier diode) o simplemente diodo es un dispositivo electrnico pasivo formado por una unin P-N. Su nombre coincide con el de la vlvula diodo porque se comporta igual que ella. La vlvula diodo posee dos terminales que reciben la denominacin de nodo (en griego camino ascendente) y ctodo (en griego camino descendente). La vlvula conduce cuando el nodo es positivo con respecto al ctodo (los electrones ascienden desde el ctodo hacia el nodo) y no lo hace cuando el nodo es negativo con respecto al ctodo. El diodo semiconductor puede ser considerado un dispositivo ideal que constituye un cortocircuito (estado de conduccin) cuando el terminal conectado a la zona P se polariza positivamente con respecto a la zona N (polarizacin directa), y un circuito abierto (estado de corte o bloqueo) cuando se polariza negativamente (polarizacin inversa). Por ello el terminal unido a la zona P recibe el nombre de nodo y el unido a la zona N el de ctodo. Se considera que el diodo ideal posee una resistencia directa nula y

una resistencia inversa infinita, y por lo tanto se comporta como un rectificador que convierte una seal alterna en continua. En la figura 3.1 se representa el smbolo de un diodo, constituido por un tringulo equiltero con un vrtice tangente a un segmento rectilneo paralelo al lado opuesto. El segmento rectilneo representa la unin P-N, el lado paralelo a l representa el nodo y el vrtice tangente al segmento es el ctodo. Los terminales del diodo son los segmentos unidos respectivamente al nodo y al ctodo. El tringulo as dibujado indica el sentido de la circulacin de la corriente directa (polarizacin directa).

Figura 3.1 Smbolo del diodo rectificador

DIODO LUMINISCENTE El diodo luminiscente o LED (acrnimo de Light Emitting Diode) es un diodo semiconductor que emite luz visible cuando se hace pasar una corriente a travs de l. Se realiza mediante semiconductores intrnsecos (C, Si y Ge) y mezclas de elementos del grupo III y del grupo V de la tabla peridica, entre los que cabe citar el Arseniuro de Galio (As Ga), el Fosfuro de Galio (Ga P) y el Fosfuro de Arseniuro de Galio (Ga As P). Estos compuestos semiconductores poseen una estructura de bandas de energa que propicia la emisin de luz mediante transicin de electrones desde la banda de conduccin a la de valencia, cuando se realiza con ellos una unin P-N y se polariza directamente. El efecto de la emisin de luz recibe el nombre de electroluminiscencia. En funcin de las caractersticas de los semiconductores utilizados el diodo luminiscente puede emitir luz visible o infrarroja. En el segundo caso en lugar de diodo luminiscente (LED) se le suele denominar diodo infrarrojo IRED (acrnimo de Infrared Emitting Diode). La corriente que puede pasar a travs de un diodo luminiscente es de algunos miliamperios con una cada de tensin del orden de 1 a 2 voltios. Es conveniente destacar que las caractersticas de las uniones P-N de los diodos emisores de luz no permiten que se les apliquen tensiones inversas elevadas. Por ello se destruyen cuando por error se invierte la polaridad de la fuente de alimentacin. En la figura 3.2a se muestra su smbolo, que es idntico al del diodo normal, aadindole unos segmentos dirigidos hacia el exterior que indican la radiacin luminosa. Se utilizan en visualizadores de bajo coste en equipos electrnicos. En la figura 3.2b se representa el circuito bsico de un diodo luminiscente. La fuente de alimentacin hace pasar a travs del diodo una corriente I igual a (V-VD)/R y el diodo emite luz.

+V

VD

a)

b)

Figura 3.2 Diodo luminiscente: a) Smbolo; b) Circuito bsico

4. DISPOSITIVOS ELECTRNICOS ACTIVOS

EL TRANSISTOR BIPOLAR Introduccin El transistor bipolar, denominado en ingls BJT (acrnimo de Bipolar Junction Transistor), es un dispositivo electrnico activo de tres terminales constituido por un material semiconductor que posee tres regiones adyacentes, denominadas emisor E (Emitter), base B (Base) y colector C (Collector). La regin de base est situada entre las de emisor y colector y forma con ellas dos uniones P-N que reciben el nombre de unin emisor-base y unin colector-base respectivamente. Segn el tipo de impurezas (donadoras o aceptadoras) de cada regin, el transistor bipolar puede ser PNP o NPN (Figura 4.1). El transistor bipolar funciona como un generador de corriente controlado por otra corriente. La corriente de control es la que atraviesa la unin emisor-base, y la corriente controlada es la que atraviesa el colector.
E N B P C N
E P B N C P

a)

b)

Figura 4.1 Transistores: a) NPN ; b) PNP

La unin emisor-base se encarga de generar portadores, la mayora de los cuales alcanza el colector a travs de la base. La generacin en el emisor se obtiene mediante la polarizacin directa de la unin emisor-base, y el colector capta los portadores

mayoritarios generados en el emisor aplicando una polarizacin inversa en la unin colector-base tal como se indica en la figura 4.2 para el transistor NPN. Para que la mayora de los portadores generados en el emisor, alcancen el colector, la regin de base se hace muy estrecha (del orden de algunas m). La intensidad de emisor IE es igual a la suma de la corriente de colector IC y la corriente de base IB, es decir IE = IB + IC. Se define el parmetro como el cociente entre IC e IE:

IC I IE = C IE

Dado que IB es mucho menor que IC, tiene un valor aproximado entre 0,98 y 0,99. Sustituyendo IE por su expresin en funcin de en la ecuacin anterior se obtiene:
IC = I B + I C I C = I B + I C

A la relacin entre IC e IB se la denomina y su valor vara entre 50 y 100:

I C (1 ) = I B =

IC = IB 1

Si la batera VEB (Figura 4.2) se elimina y se sustituye por un circuito abierto, la unin base-colector constituye un diodo polarizado en sentido inverso, y la corriente a travs de ella puede, en principio, despreciarse (especialmente si no se tiene en cuenta el efecto de la temperatura).
IE E N B P C N IC

RE _

IB + _ +

RC

VEB

VBC

Figura 4.2 Polarizacin y corrientes en un transistor bipolar NPN

Para facilitar la realizacin de los esquemas de los circuitos electrnicos implementados con transistores bipolares se utilizan los smbolos representados en la figura 4.3. Dichos smbolos constan de un segmento que representa la regin de base, al que estn unidos dos segmentos oblicuos, que corresponden al emisor y al colector. El terminal de la base se indica mediante un segmento perpendicular a la misma hacia el otro lado. El tipo de transistor bipolar (PNP o NPN) se indica mediante una flecha situada en el segmento correspondiente al terminal de emisor. Esta flecha representa el

sentido que tiene la corriente en la unin emisor-base del transistor bipolar cuando est polarizada directamente. Dicha corriente sale a travs del terminal del emisor en el transistor bipolar NPN (Figura 4.3a) y entra a travs de l en el transistor bipolar PNP (Figura 4.3b).
C B
B C

E
a) b)

Figura 4.3 Smbolo del transistor bipolar: a) NPN ; b) PNP

Curvas caractersticas del transistor bipolar A partir de los conceptos descritos en el apartado anterior se puede obtener la relacin entre la corriente de colector IC y la tensin entre el colector y el emisor VCE para diferentes valores de la corriente de base IB. Dado que IC = IE IB, si se mantiene IB constante en el circuito de la figura 4.4a, se obtiene una corriente de colector IC que, a partir de un determinado valor de VCE, es prcticamente independiente de la misma. Por lo tanto si se vara RB se obtiene la familia de curvas representada en la figura 4.4b que indica la forma en que vara la intensidad de colector IC en funcin de la tensin aplicada entre el colector y el emisor VCE para diferentes valores de la intensidad de base IB.
IC

RC RB
IB4

VCC

IB3 IB2 IB1 IB=0 VCE

VBB
a) b)

Figura 4.4 Curvas caractersticas del transistor bipolar: a) Circuito de comprobacin de las curvas caractersticas; b) Familia de curvas IC-VCE

El transistor bipolar como amplificador Introduccin Resulta fcil demostrar que el circuito de la figura 4.2 es un amplificador de tensin (Voltage amplifier). Se utiliza para ello el circuito de la figura 4.5, en la que se supone que el transistor est adecuadamente polarizado. Dado que la unin emisor-base est polarizada directamente su impedancia es muy pequea y aproximadamente de 100 . Adems, como la unin colector-base est polarizada inversamente su impedancia es muy elevada y aproximadamente de 100 k. Entre el emisor y la base se aplica un generador de tensin senoidal de 300 mV.

IE

E N

B P

C N

IC

Ve=300 mV 100 100 K RC=5 K

Vs

Figura 4.5 El transistor como amplificador de tensin

La corriente que pasa a travs de la unin base-emisor, IE, es igual a:

IE =

300 .10 3 V = 3 mA 100

Suponiendo que es aproximadamente igual a uno (IC =IE) se obtiene:

I C = I E = 3 mA

y la tensin de salida VS es igual a:

Vs = I C RC = 3.10 3 A . 5.103 = 15V

Por lo tanto la ganancia en tensin es:
AV = Vs 15V = = 50 Ve 300 mV

El transistor bipolar como amplificador en emisor comn

El amplificador en emisor comn (Common emitter configuration) se caracteriza porque el emisor del transistor bipolar es comn a la seal de entrada Ve (que se aplica entre la base y el emisor) y a la seal de salida Vs (que se obtiene entre el colector y el emisor) (Figura 4.6a). Para que el transistor trabaje como amplificador es necesario establecer un punto de trabajo en ausencia de la seal de entrada, denominado Q (Quiescent). Dicho punto es la interseccin de la recta de carga con la curva IC - VCE correspondiente a la intensidad de corriente que pasa por la base cuando no se aplica ninguna seal de entrada Ve (Figura 4.6b). Al establecimiento de dicho punto, mediante la aplicacin de las tensiones continuas adecuadas, se le denomina polarizacin (Biasing).

IC

RC RB Vs Ve
IB4
Q

IB3 IB2 IB1 IB=0 VCE

a)

b)

Figura 4.6 Amplificador en emisor comn: a) Esquema bsico; b) Recta de carga y punto de trabajo

El transistor bipolar en conmutacin

En el apartado anterior se estudia el funcionamiento del transistor bipolar como dispositivo amplificador de seales senoidales. Pero adems de amplificar, el transistor bipolar puede ser utilizado como interruptor (Transistor switch), es decir, como elemento cuya impedancia puede variar entre algunos ohmios (estado de saturacin) y algunos megohmios (estado de corte). En la figura 4.7 se representa el esquema del circuito bsico del transistor bipolar en conmutacin. El interruptor I controla la tensin que se aplica a la unin base-emisor del transistor. Cuando est abierto la corriente que pasa por la base es nula, el transistor est en corte y la tensin de salida Vs es aproximadamente igual a VCC voltios (punto Q2). Cuando est cerrado, por la base pasa una corriente aproximadamente igual a (50,7)/RB. Si RB tiene el valor adecuado, en funcin de la ganancia del transistor, se produce la saturacin del mismo y la tensin de salida VCEsat es aproximadamente igual a 0,2 V (punto Q1) (Figura 4.7).

VCC RC RB Vs

IC
Q1

IB4 IB3 IB2 IB1 IB=0 VCE

I VBB

Q2

a)

b)

Figura 4.7 El transistor como interruptor: a) Esquema bsico; b) Punto de funcionamiento en funcin del valor de IB

EL TRANSISTOR UNIPOLAR Introduccin

El transistor unipolar (Unipolar transistor) es un dispositivo electrnico activo de tres terminales a travs del cual circulan cargas elctricas de un solo signo. Se caracteriza por poseer un elemento de control denominado puerta (Gate) que acta sobre el dispositivo mediante la tensin que se le aplica en lugar de mediante la corriente que lo atraviesa. Recibe por ello el nombre de dispositivo de efecto de campo (Field Effect Transistor). Los transistores de efecto de campo son de dos tipos diferentes: Transistores de efecto de campo cuya puerta no est aislada. Reciben el nombre de JFET (Junction Field Effect Transistor) o simplemente FET. Transistores de efecto de campo de puerta aislada. Reciben la denominacin de MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) o simplemente MOS (Metal Oxide Semiconductor).

4 Transistores de efecto de campo de tipo FET

El transistor FET est formado por un canal semiconductor extrnseco que puede ser de tipo N (Figura 4.8a) o P (Figura 4.9a), situado entre dos regiones de tipo P o N respectivamente, conectadas entre s. Los extremos del canal reciben la denominacin de surtidor (Source) o fuente y drenador (Drain) y las regiones que lo rodean la de puerta (Gate) porque controla la corriente que pasa a travs del canal cuando se aplica una tensin entre la fuente y el drenador.

Puerta

D G
Drenador

Fuente

P Canal N P

a)

b)

Figura 4.8 El transistor unipolar JFET de tipo N: a) Esquema bsico; b) Smbolo

El smbolo del FET consta de un segmento que representa el canal en cuyos extremos se sitan dos segmentos perpendiculares al primero que representan la fuente y el drenador. En el centro y hacia el lado opuesto se coloca otro segmento perpendicular que representa la puerta. El tipo de canal (P o N) se indica mediante una flecha en el segmento de la puerta. Esta flecha indica el sentido que tendra la corriente en la puerta si la unin P-N se sometiese a una polarizacin directa. La flecha hacia el canal indica FET de canal N (4.8b) y desde el canal indica FET de canal P (Figura 4.9b).
Puerta

D G
Drenador

Fuente

N Canal P N

a)

b)

Figura 4.9 El transistor unipolar JFET de tipo P: a) Esquema bsico; b) Smbolo

Mediante la aplicacin de una tensin inversa entre la puerta y la fuente (VGS) se eliminan portadores en el canal y se crea una regin de transicin que carece de cargas mviles. De esta forma se tiene un transistor que se comporta como una fuente de corriente (ID) controlada por la tensin (VGS). El valor de la tensin VGS que elimina todas las cargas del canal se denomina tensin de estrangulamiento (Pinch-off). Aplicando diferentes tensiones inversas VGS entre la puerta y la fuente se obtiene la familia de curvas representada en la figura 4.10.

ID

VGS=0 -VGS1 -VGS2 -VGS3

VDS -VGS3< -VGS2< -VGS1<

Figura 4.10 Familia de curvas ID-VDS para diferentes valores de VGS de un transistor JFET de canal N

Transistores de efecto de campo de tipo MOSFET

El transistor MOSFET o simplemente MOS est formado por un sustrato de tipo P o de tipo N en el que se difunden dos zonas, de tipo N en el primer caso y de tipo P en el segundo. Entre ambas zonas se coloca un terminal de control que est separado del canal mediante un aislante.
SiO2 Surtidor (S) Puerta (G) Drenador (D)

P N
Canal

Contacto metlico

Figura 4.11 Transistor MOS de canal P

Cuando el sustrato es del tipo N, la corriente entre el surtidor y el drenador es posible cuando el canal se convierte en tipo P y, por tanto, este transistor se llama de canal P. Por la misma razn cuando el sustrato es de tipo P, el transistor se denomina de canal N. El transistor representado en la figura 4.11 es de canal P. Las condiciones de conduccin o no conduccin del transistor se logran aplicando la tensin adecuada a la puerta con respecto al surtidor y al sustrato, tal como se indica en la figura 4.12 en la que se representa un transistor MOS de canal P.

VD + VG + _
Surtidor

ID

Puerta Drenador

P N

Figura 4.12 Transistor MOS de canal P polarizado

La zona del sustrato situada entre el surtidor y el drenador puede estar muy impurificada o enriquecida (Enhancement) en los portadores de carga del sustrato o, por el contrario, poco impurificada o empobrecida (Depletion) en dichos portadores, lo cual equivale a estar enriquecida en portadores de signo contrario. La combinacin de esta caracterstica con ambos canales P y N da lugar a cuatro transistores MOS diferentes. En la figura 4.13 se representan las caractersticas de intensidad de drenador ID con respecto a la tensin de puerta VG para una tensin entre drenador y surtidor VD constante, de los cuatro tipos de transistores MOS. A continuacin se analizan las curvas de los transistores de canal N; las de los transistores de tipo P son idnticas sin ms que invertir el sentido de la corriente de drenador y la polaridad de la tensin de puerta. En ambos transistores de canal N la intensidad de drenador ID se eleva al hacerlo la tensin de puerta porque aumenta la anchura de la zona N del canal al ser atrados los electrones hacia l. En el tipo de canal N poco impurificado o empobrecido la zona del canal contiene exceso de electrones en ausencia de tensin de puerta y, por tanto, en estas condiciones existe una cierta corriente de drenador IDSS (Figura 4.13c). Para anular dicha corriente es necesario polarizar negativamente la puerta con respecto al surtidor para repeler los electrones existentes en la zona del canal. Por el contrario, en el tipo de canal N muy impurificado o enriquecido la zona del canal es de tipo P en ausencia de tensin de puerta y la corriente de colector ID es nula en estas condiciones (Figura 4.13a). Para que se produzca una corriente de drenador es necesario elevar la tensin de puerta por encima de un cierto valor, que recibe el nombre de tensin umbral VTH (Threshold voltage), a partir de la cual la zona del canal se hace de tipo N. El rpido desarrollo de los transistores MOS ha hecho que existan diferentes smbolos para representarlos. En la figura 4.14 se indican los primeros smbolos utilizados para los cuatro tipos de transistores MOS. La puerta se representa mediante dos lneas en ngulo recto cuyo vrtice est situado ms cercano al surtidor que al drenador del transistor. El tipo de canal P se indica mediante una flecha que sale del

Transistores enriquecidos CANAL N

ID

CANAL P
V TH ID V GS

VGS VTH

a) Transistores empobrecidos CANAL N

ID

b)

CANAL P
ID Vp VGS

IDSS IDSS V GS -Vp

c)

d)

Figura 4.13 Curvas ID - VG de los cuatro tipos de transistores MOS

transistor y el de tipo N mediante una flecha en sentido contrario. En los transistores enriquecidos, en los que no hay conduccin cuando no se polariza la puerta, se representa discontinua la lnea que une el surtidor y el drenador. En los transistores empobrecidos dicha lnea se representa continua porque hay conduccin cuando la tensin de puerta es nula.

Canal N
D G S D G S

Canal P EMPOBRECIDOS O DE DEPLEXIN (DEPLETION) ENRIQUECIDOS O DE ACUMULACIN (ENHACEMENT)

D G S D G S

Figura 4.14 Smbolos utilizados para representar los transistores MOS

Para simplificar el smbolo se utiliza tambin la notacin representada en la figura 4.15, en la que la flecha que indica si el transistor es de canal N o P se coloca en la conexin de surtidor.

Figura 4.15 Smbolos alternativos de los transistores MOS

Figura 4.16 Smbolos de los transistores MOS con la puerta representada en T

Figura 4.17 Smbolos alternativos de los transistores MOS con la puerta representada en T

En la figura 4.17 se representan otros smbolos alternativos que se diferencian de los anteriores en que en los transistores enriquecidos se representa continua la lnea que une el surtidor y el drenador con un espesor igual a las dems lneas, mientras que en los empobrecidos dicho espesor es mucho mayor. Pero, dado que la flecha se coloca en el surtidor, se puede representar la conexin de la puerta mediante una T en lugar de un ngulo recto, tal como se representa en la figura 4.16. Finalmente, en la figura 4.18 se representan dos smbolos simplificados utilizados con mucha frecuencia para representar los transistores MOS enriquecidos. En ellos se suprimen las flechas y el canal P se indica incluyendo el smbolo de inversin.

Canal N
D G S G

Canal P
D

Figura 4.18 Smbolos simplificados de los transistores MOS enriquecidos.

Regin de no saturacin u hmica: |VDS| < |VGS - VTH|

|ID|

Regin de contraccin: |VDS| |VGS - VTH| Regin de saturacin: |VDS| > |VGS - VTH|

|VGS|

|VDS|
|BV| Regin de corte: |VGS| < |VTH| Tensin de ruptura

Figura 4.19 Curva caracterstica ID VD para diferentes valores de la tensin de puertasurtidor de un transistor MOS enriquecido

En la figura 4.19 se representa la curva caracterstica de corriente de drenador ID en funcin de la tensin entre el drenador y el surtidor VD para diferentes valores de la tensin de puerta de un transistor enriquecido. El anlisis de la figura 4.19 se realiza para un transistor de tipo P pero puede realizarse para uno de tipo N simplemente invirtiendo la polaridad de VG y VD y el sentido de ID. Se pueden distinguir tres regiones bien diferenciadas: a) La regin de bloqueo o corte, en la cual el transistor no conduce, es la comprendida entre el eje de abscisas y la curva de tensin de graduador VGS igual a la tensin de umbral VTH. b) La regin de no saturacin u hmica, en la que VDS < VGS - VTH, es la que est comprendida entre el eje de ordenadas y la regin de contraccin. c) La regin de contraccin, en la que VDS VGS VTH, es la que est situada entre la regin hmica y la regin de saturacin.

d) La regin de saturacin es la comprendida entre la regin de contraccin y la de corte antes citadas y en ella la corriente de drenador ID es prcticamente independiente de la tensin VD. El transistor MOS se puede utilizar en conmutacin hacindolo trabajar entre dos puntos diferenciados de su curva caracterstica ID-VD de una forma similar a la del transistor bipolar.