ELECTROSTTICA

Este captuIo constituye un pre-apunte (o sea, no IIega a

ser un apunte) cuya nica funcin es faciIitar Ia redaccin
de Ios apuntes en cIase por parte deI aIumno. Contiene
grficos, formuIas y expIicaciones muy eIementaIes de
Ios contenidos que se dictan en Ia cIase terica a mi
cargo, de forma que Ios participantes de Ia misma puedan
compIetar en Ios espacios en bIanco Io que consideren
necesario. De ninguna manera reempIazan Ia bibIiografa
sugerida y se debe tener en cuenta que no han sido
corregidos exhaustivamente
Corriente eIctrica
Si entre extremos de un conductor apIicamos V => i
+ -
V
E
(

= = ) ( $PSHUH $
VHJ
&
GW
GT
L
definicin: sentido de i
sera eI de Ias cargas +
i
}}
= = 6 G M L L
G6
GL
M

. j
dS
Como es eI movimiento microscpicamente?
v dt
H 6 Y Q
GW
H 6 GW Y Q
GW
GT
L = = =
H 6 Q
L
Y =
$
$
1
3
Q
7
=
suponiendo que cada tomo
contribuye con un portador
$
$
1 H 6
3 L
Y
7
=
aIambre de Cu
2 mm de dimetro=10
-3
m
=8,92gcm
-3
=8,92 10
3
kgm
-3
i = 1 A
P
A
=63,54


1 23 3 3 19 2 6
1 3
10 022 , 6 10 92 , 8 10 6 , 1 10
10 54 , 63 1


=
PRO DW .JP &RXO P
.JPRO $
Y
5
1
23 , 0

= VHJ FP Y
VeIocidad de arrastre ~ cm seg
-1
VeIocidad de Ios eIectrones ~ 10
5
m seg
-1
VeIocidad de Ia seaI eIctrica ~ 3 10
8
m seg
-1
Ley de Ohm
En ciertos materiaIes (ohmicos) reIacin IineaI entre V e i
9 L
9
5
L
1
=
R: resistencia eIctrica
(

O = = ) ( 2KP
$PSHUH
9ROW
L
9
5
R: Medida de Ia dificuItad que tienen Ios portadores para
moverse por Ia red debido a Ias interacciones couIom-
bianas con Ios eIectrones de Ios tomos de Ia estructura
i
V
No
siempre
VIvuIa
diodo
i
V
reaI
Y H Q M 6 Y H Q L

= =
Otras magnitudes tiIes
En conductores metIicos, v: veIocidad que adquieren Ios eIectrones
entre choques sucesivos
9
P
( H
Y W
P
( H
Y Y W
P
( H
Y Y = + = + =
0 0
P
( H
H Q M
9

=
( M

8 =
P
H Q 9
8
2
=
conductividad
M (

7 =
8
7
1
=
resistividad
7 7 O
$ 9
$
(
$ M L
5
9
= = = =
$
O
5 7 =
U (:m)
Coef.T
(porqC)
Ag
Cu
Au
A|
Fe
Const
.
C
Ge
1,6 10
-8
1,7 10
-8
2,4 10
-8
2,8 10
-8
1,0 10
-7
4,9 10
-7
1,4 10
-6
0,46
S,8 10
-S
S,9 10
-S
S,4 10
-S
S,9 10
-S
6,0 10
-S
1,0 10
-6
Gi
\idrio
Cuarz
0,0S
10
10/14
7,6 10
17
A 20C
Fuerza eIectromotriz
eIectroIito
V =
Circuito eIctrico: camino conductor cerrado
t

+
} } }
= =
G
F
F
E
E
D
F E
O G ( O G ( O G ( 9 9

. . . 0
E: no conservativo
}
= 0 . O G (

Se considera que Ios conductores tienen R=0 (Aproximacin
muy razonabIe: Cu de 2 mm de diam. y 1 m tiene R 0,02 )

R
a
d
c b
i
5
L 5 L
0
0 = =
V
En reaIidad Ias bateras tienen resistencia interna
r

R i
r

R
i

ir
iR
fem (: fuerza eIectromotriz) de una batera es Ia diferencia de potenciaI
entre sus bornes a circuito abierto
Esta es Ia V que se ve
entre Ios bornes cuando
circuIa corriente
5 L U L + = 0
5 U
L
+
=
0
Conexiones de resistencias en serie
V
1
V
2
V
R
1
R
2
i
R
V
i
5 L 5 5 L 5 L 5 L 9 9 9 = + = + = A + A = A
2 1 2 1 2 1

=
M
M
5 5
Conexiones de resistencias en paraIeIo
R
1
R
2
i
i
1
i
2
R
V
i
5
9
L
5
9
5
9
L L
A
= =
A
+
A
= +
2 1
2 1

=
M
M
5 5
1 1
Potencia
eIectroIito
5 L L 5 L
2
= = 0 0
: energa potenciaI por unidad de carga
entre bornes, o sea energa que entrega
Ia batera cuando 1 C va de + a - por R
T 0 energa totaI
L
W
T
0
0
=
potencia
i : potencia suministrada por Ia batera cuando se estabIece i
i
2
R: potencia disipada en Ia resistencia R
caIor
R
1
R
2

2 1
5 5
L
+
=
0
2 1
2
5 5
L
+
=
0
0
Potencia
entregada
2 1
2
2
5 5
5 L
+
=
0
Potencia disipada
M
5 L
2
Potencia disipada en resistencia R
j
Leyes de Kirchoff
R
3
R
4
R
1
R
2
R
5 R
6

i
i
1
i
2
Nodo: punto donde convergen 3
o ms conductores
Rama: tramo entre nodos
MaIIa: camino cerrado de conductores
En nodos

= 0 L
(conservacin de Ia carga)
En maIIas

= 0 5 L 0
0 0
2 1 2 1
= + = L L L L L L
0
5 1 3 1
= + 5 L 5 5 L 0
0
5 1 4 6 2 2
= + + + 5 L 5 5 5 L
0
4 6 2 2 3 1
= + + + 5 5 5 L 5 5 L 0
3 ecuaciones con tres incognitas
LineaImente dependiente

0
0
4 6 2 2 5 1
5 1 3 1
2 1
= + + +
= +
=
5 5 5 L 5 L
5 L 5 5 L
L L L
0


4 6 2 5
5 3 1
0
0
1 1 1
5 5 5 5
5 5 5
+ +
+

= A

A
+ +


=
4 6 2 5
5
0
0
1 1 0
5 5 5 5
5
L
0

A
+ +
+

=
4 6 2
3 1
1
0 0
0
1 0 1
5 5 5
5 5
L
0
1 2
L L L =
Corriente: es un caudaI (de cargas) => medidor (Ampermetro) intercaIado
en Ia rama donde se Ia quiere medir, o sea conectado en serie
A
i
r
A
Ampermetro tiene resistencia interna r
A
=> modifica circuito
Ampermetro ideaI
r
A
0
VoItaje: es una ddp entre dos puntos => medidor (VoItmetro) conectado
entre esos puntos, o sea en paraIeIo con eIemento donde se mideddp
V
i
VoItmetro tiene resistencia interna r
V
=> modifica circuito
VoItmetro ideaI r
V

V
i
i
1
i
2
r
V
Mediciones
EjempIos

R
A
V
G
G

R
r
S
R
1
R
2
G GaIvanmetro: dispositivos en eI que Ia corriente que circuIa por una
espira produce una defIeccin en Ia aguja deI medidor proporcionaI a
esa corriente (efecto magntico). SencibiIidad 10
-8
A
VaIores posibIes: R= 1 K, R
2
= 35 , r
S
= 1 , R
1
= 10
5

O = + = 97 , 0
1
1
35
1 1
$
$
5
5
$ L 22 , 0
1000
220
= =
9 9
$PS
21 , 0 22 , 0 97 , 0 = =
P$ L
*
3 , 0
35
21 , 0
2
= =
Resistencia
de
derivacin
9 9
5
220 1000 22 , 0 = =
$ L
*
0022 , 0
10
220
5
1
= =
Puente de Weastone (>precisin)
Resistencia: se mide V y A y se saca R
hmetro: PiIa y un Ampermetro (eIemento a medir desconectado)
x
I
R
R(x/I)
Resistencia variabIe
G
R
1
R
2
R
3
R
x
G
GaIvanmetro: ~ampermetro con 0 aI medio
i
a
i
b
Se ajustan R
j
hasta que G marca 0
3 2
1
5 L 5 L
5 L 5 L
E D
[ E D
=
=
2
3 1
5
5 5
5
[
=
VoItmetro
VoItmetros modernos usan componentes semiconductores de estado
sIido con R interna muy grandes (~10
12
), pero soIo aguantan ddp de 1
o 2 V => necesidad de divisores de tensin
G
10K 90K 900K 9M
R
1
R
2
R
3
R
4

O = 0 5
7
10
3
7
4
10
10
10

=
2
7
5
10
10
10

=
1
7
6
10
10
10

= 1
10
10
7
7
=
Potencimetro: para mediciones precisas de voItaje
V: incgnita;
S
fem patrn;
LIave en a y se mueve cursor hasta que G=0, I
S
LIave en b y se mueve cursor hsta que G=0, I
x
U
L
0
=
Si G=0, i
G
=0
i
I

L
G
R
G

S
a
b
V
r
V
6
U
/
O
L 0 =
9 U
/
O
L
[
=
6
;
6
O
O
9 0 =