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en circuitos chopper (conversiones de dc- dc) y circuitos inversores (conversiones dc -ac) a niveles de potencia en los que los MOSFET's, TBJ's e IGBT's no pueden ser utilizados. A bajos niveles de potencia los semiconductores de conmutacin rpida son preferibles. En la conversin de AC - DC, los GTO's, son tiles porque las estrategias de conmutacin que posee, pueden ser usadas para regular la potencia, como el factor de potencia.
A nivel industrial algunos usos son: Troceadores y convertidores. Control de motores asncronos. Inversores. Caldeo inductivo. Rectificadores. Soldadura al arco. Sistema de alimentacin ininterrumpida (SAI). Control de motores. Traccin elctrica.
Como el GTO necesita una corriente elevada de apagado (aprox. 1/6. IA), es comn usar un capacitor para proporcionar la corriente necesaria en la compuerta para apagarlo. El inductor se coloca para limitar el valor de di/dt de la corriente de la compuerta circulando por S1, R2, R1 y L. Se debe seleccionar el voltaje de suministro VGS al circuito de compuerta para alcanzar el valor necesario de apagado. Los valores de R1 y R2 se minimizan. Durante el periodo de apagado, que comienza despus que la cola de corriente de nodo llega a cero, la compuerta en el caso ideal, debera permanecer con polarizacin inversa, para asegurar la mxima especificacin de bloqueo. Esta polarizacin inversa se puede obtener ya sea manteniendo cerrado S1, durante el periodo de no conduccin, o usando un circuito de mayor impedancia S2 y R3, siempre y cuando exista un voltaje negativo mnimo. En el caso de una falla de los circuitos de auxiliares de apagado, la compuerta puede permanecer en condicin de polarizacin inversa, y el GTO podr no bloquear la tensin. Para asegurar que se mantenga un voltaje de bloqueo en el dispositivo, de debe aplicar una resistencia mnima de compuerta RGC especificada por el fabricante. Para la condicin de apagado, los GTO tienen baja ganancia, normalmente seis, lo que requiere un pulso de corriente elevado para desactivarlo. La cada de voltaje en sus extremos, es mayor que los SCR; por ejemplo para un GTO de 1200 V y 550 A, su cada de tensin es de 3,4 volt. En algunas aplicaciones, los GTO necesitan un diodo rpido conectado en antiparalelo; en este caso, no necesitan tener capacidades de bloqueo de voltaje inverso. Con modificaciones en la capa interna n, se logran GTO asimtricos en un solo encapsulado.