Avaliao: CCE0252_AV1_ MATERIAIS ELTRICOS Tipo de Avaliao: AV1 Aluno: Professor: JOAO MARQUES DE MORAES MATTOS Nota do Trabalho:

: Nota de Participao: 2 Turma: 9001/A Data: 11/04/2013 20:30:43

Nota da Prova: 4,0 de 8,0

1a Questo (Cd.: 86555)

Pontos: 0,5 / 0,5

Como chamada a grandeza constante que est presente na Lei de Ohm?

Condutividade Resistividade Indutncia Condutncia Resistncia

2a Questo (Cd.: 160289)

Pontos: 0,0 / 1,0

Semicondutores extrnsecos so obtidos atravs da insero de elementos impureza na rede cristalina do Silcio, originando portadores de carga na forma de buracos, presentes nos condutores tipo-p, ou eltrons, presentes nos condutores tipo-n. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19). Considerando a figura a seguir, escolha a opo correta.

A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrnseco de Silcio. A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrnseco de Glio. A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrnseco de Silcio do tipo-p. A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrnseco de Silcio do tipo-n. A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrnseco de Germnio.

3a Questo (Cd.: 8310)

Pontos: 0,0 / 0,5

A planta de Gerao Energtica Brasileira formada, em sua grande maioria, por usinas hidreltricas espalhadas pelos quatro sistemas monitorados pelo Operador Nacional do Sistema Eltrico (ONS). Devido a estas usinas estarem localizadas longe dos centros consumidores, a energia eltrica precisa ser transmitida atravs de linhas de transmisso. Voc, como engenheiro do ONS, recebe a misso para calcular a resistncia de uma linha de transmisso de 100 km de comprimento, composta por fios de cobre cuja seco transversal igual a 500 mm2. Sabendo-se que a temperatura ambiente igual a 20oC e que a resistividade do cobre nesta temperatura igual a 1,7x10-8 .m, qual alternativa abaixo indica o valor da resistncia hmica da linha para uma temperatura de 80oC (Adotar na soluo que o coeficiente de temperatura do cobre igual a 3,9x103 o -1 C ).
3,4 4,35 6,8 3,89 4,19

4a Questo (Cd.: 160204)

Pontos: 1,0 / 1,0

Entre as diversas propriedades fsicas associadas ao comportamento eltrico de um material, existe a resistividade, que uma propriedade fsica intensiva, ou seja, no depende da geometria e nem da quantidade de massa apresentada pelo material. Matematicamente, a resistividade, , est relacionada a resistncia R do material atravs da relao = R.A/l, onde A a rea da seo reta e l o comprimento do material condutor, como ilustrado na figura a seguir.

Considerando-se que houve necessidade de estirar (esticar) o condutor, o que triplicou o seu comprimento e reduziu a sua rea a um quarto da original, assinale entre as respostas a seguir aquela que melhor representa a nova resistncia do condutor em funo da resistncia anterior R.
8R. 0,75R. 0,67R. 12R. 2,5R.

5a Questo (Cd.: 99577) -6

Pontos: 0,5 / 0,5

Um resistor construdo utilizando-se um material cuja resistividade igual a 44 x 10 .cm na forma de um fio cilndrico. Determine o valor do resistor para um comprimento de 0,3 metros e uma rea da seo reta do fio igual a 0,38 mm2.
347,4 mili ohms 399,9 mili ohms 376,38 mili ohms 384,2 mili ohms 354,6 mili ohms

6a Questo (Cd.: 98327)

Pontos: 0,0 / 1,0

Um condutor de cobre com seo reta circular, 12 metros de comprimento e raio de 1,5 mm percorrido por um acorrente de 2,2 A. Determine a diferena de potencial sobre este condutor. Considere a condutividade do cobre igual a 5,8 x 107 S/m.
6,4 V 120 mV 64 mV 1,2 V 640 mV

7a Questo (Cd.: 160210)

Pontos: 1,0 / 1,0

Georg Simon Ohm (1787-1854) foi um pesquisador e professor de origem germnica. Integrante do corpo docente da Universidade de Munique, publicou em 1827 um artigo no qual divulgava o resultado de seu trabalho com condutores metlicos. Entre as informaes relevantes, havia uma relao entre a diferena de potencial aplicada a um condutor e a corrente gerada que, dcadas mais tarde, seria conhecida como Lei de Ohm. (MEYER HERBERT W., A History of Electricity and Magnetism . Connecticut, Norwalk, 1972, Chapter 3) Entre as opes a seguir, determine a que melhor representa esta relao:
V=R.i V=R i.A/l F=m.a V=N.i.E P=U.i

8a Questo (Cd.: 160235)

Pontos: 0,0 / 1,0

A Fsica a cincia que olha o mundo e tenta explic-lo atravs do mtodo cientfico, cuja linguagem principal a Matemtica. Entre as opes a seguir, marque aquela que melhor define um conceito fsico utilizado no entendimento das propriedades eltricas dos materiais.
A concentrao de impurezas determina se um semicondutor extrnseco do tipo-p ou extrnseco do tipo-n. Considera-se que o eltron desloca-se na velocidade da luz em um processo de conduo de carga. Mobilidade eltrica uma grandeza que representa a facilidade de transporte de cargas eltricas em um material. Velocidade de deslocamento do eltron no processo de transporte de carga a velocidade obtida a partir do deslocamento retilneo do eltron. Condutividade eltrica expressa a facilidade de transporte de cargas eltricas em funo da temperatura do material.

9a Questo (Cd.: 160244)

Pontos: 0,0 / 0,5

A resistividade de um material uma propriedade fsica intensiva e, portanto, no depende

da forma do material e nem da quantidade em que este se apresenta. Contudo, esta propriedade varia com a temperatura e, para pequenas variaes, podemos assumir que a resistividade obedece a expresso =0+T, onde 0 e ao constantes. Baseado nas informaes anteriores, indique a forma geomtrica que melhor indica a variao da resistividade com a temperatura.
Elipse. Crculo. Hiprbole. Reta. Parbola.

10a Questo (Cd.: 160292)

Pontos: 1,0 / 1,0

A concentrao de elementos dopantes um parmetro essencial na fabricao de semicondutores extrnsecos. Identifique, entre as opes a seguir, aquela que identifica um fenmeno fsico que pode fornecer esta informao. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).

Efeito Hall. Efeito Tcherenkov. Efeito Fischer. Lei de Ohm. Efeito Joule.