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Aula 03 - Diodo Semicondutor

Prof. Phelippe Aguiar

Programa da aula
Diodo Semicondutor Juno PN Camada de Depleo Barreira de Potencial Representao do Diodo Polarizao Direta Polarizao Reversa

Diodo Semicondutor
O diodo um componente que pode se comportar como condutor ou isolante eltrico, dependendo da forma como a tenso aplicada aos seus terminais.

Juno PN
Um diodo semicondutor formado a partir da juno entre um semicondutor tipo P e um semicondutor tipo N. Esta estrutura recebe o nome de Juno PN

Juno PN
Aps a formao da juno PN, os eltrons livres do lado N se difundem para o lado P, e as lacunas do lado P se difundem para o semicondutor tipo N.

Juno PN
Durante este processo, parte dos eltrons se lacunas na regio prxima a juno. recombinam com A diminuio do nmero de eltrons livres existentes inicialmente do lado N que se combinaram com as lacunas do lado P, produz uma regio de cargas (ons) positivas do lado N e negativas do lado P.

Camada de Depleo
As cargas produzidas nas proximidades da juno esto fixas estrutura do cristal , devido as ligaes covalentes, e no se deslocam livremente como os eltrons e lacunas.

Camada de Depleo
Com o aparecimento da camada de depleo, o transporte de eltrons para o lado P bloqueado, devido a repulso da regio carregada negativamente no lado P. Portanto, aps a juno cria-se uma diferena de potencial entre os lados P e N, e o semicondutor volta ao seu estado isolante natural

Barreira de Potencial
A intensidade da camada de depleo aumenta com cada eltron que a atravessa at que se atinja um equilbrio. Neste ponto a repulso da camada interrompe o fluxo de eltrons. A diferena de potencial atravs da camada de depleo chamada barreira de potencial. A 25C, esta barreira aproximadamente 0,7V para o silcio e 0,3V para o germnio.

Representao do Diodo
O diodo semicondutor representado em diagramas de circuitos eletrnicos pelo smbolo abaixo. O terminal da seta representa o material P, denominado nodo do diodo, enquanto o terminal da barra representa o material n, denominado ctodo do diodo.

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Representao do Diodo
A identificao dos terminais no componente real, pode aparecer por um smbolo impresso no corpo do componente, ou atravs de um anel impresso na superfcie do componente indicando o ctodo

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Polarizao Direta
Polarizao direta quando o lado P est submetido a um potencial positivo relativo ao lado N do diodo. Assim o plo positivo da fonte repele repele as lacunas do material P, e os eltrons livres do lado N so repelidos pelo plo negativo da fonte

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Polarizao Direta
Se a tenso aplicada sobre o diodo for inferior ao valor da barreira de potencial Vd, a maior parte dos eltrons e lacunas no tero energia suficiente para atravessar a juno, produzindo uma corrente muito pequena (0).

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Polarizao Direta
Se a tenso aplicada sobre o diodo for superior ao valor da barreira de potencial Vd, os eltrons e lacunas adquirem energia suficiente para superar esta barreira, produzindo um grande aumento da corrente eltrica atravs do diodo.

Considerando V>Vd diz-se que o diodo est em conduo


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Polarizao Reversa
Polarizao reversa quando o lado P est submetido a um potencial negativo relativo ao lado N do diodo. Assim os plos da fonte atraem as lacunas e eltrons, aumentando a camada de depleo e a barreira de potencial.

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Polarizao Reversa
Com o aumento da barreira de potencial, fica mais difcil o fluxo de eltrons e lacunas atravs da juno.

A corrente atravs do diodo tende praticamente a um valor nulo, e diz-se que o diodo est em bloqueio ou condio de corte
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