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Diodo semicondutor

Tipos de diodos. Escala em centmetros Diodo semicondutor um dispositivo ou componente eletrnico composto de cristal semicondutor de silcio ou germnio numa pelcula cristalina cujas faces opostas so dopadas por diferentes gases durante sua formao. o tipo mais simples de componente eletrnico semicondutor, usado como retificador de corrente eltrica. Possui uma queda de tenso de 0,3V e 0,7V dependendo do material que utilizado.

Aparncia real do diodo, no mesmo alinhamento que o seu smbolo. O terminal mais prximo da barra fina o catodo. Comportamento em circuitos O diodo um componente eltrico que permite que a corrente atravesse-o num sentido com muito mais facilidade do que no outro. O tipo mais comum de diodo o diodo semicondutor, no entanto, existem outras tecnologias de diodo. Diodos semicondutores so simbolizados em diagramas esquemticos como na figura abaixo. O termo "diodo" habitualmente reservado a dispositivos para sinais baixos, com correntes iguais ou menores a 1 A.

Quando colocado em um simples circuito bateria-lmpada, o diodo vai permitir ou impedir corrente atravs da lmpada, dependendo da polaridade da tenso aplicada, como nas duas figuras abaixo.

Na imagem da esquerda o diodo est diretamente polarizado, h corrente e a lmpada fica acesa. Na imagem da direita o diodo est inversamente polarizado, no h corrente, logo a lmpada fica apagada. O diodo funciona como uma chave de acionamento automtico (fechada quando o diodo est diretamente polarizado, e aberta quando o diodo est inversamente polarizado), a diferena mais substancial que quando diretamente polarizado h uma queda de tenso no diodo muito maior do que a que geralmente h em chaves mecnicas, no caso do diodo de silcio, 0,7 V, assim, uma fonte de tenso de 10 V polarizando diretamente um diodo em srie com um resistor, far com que haja uma queda de tenso de 9,3 V no resistor, pois 0,7 V ficam no diodo. A dopagem do diodo semicondutor e os cristais P e N A dopagem no diodo feita pela introduo de elementos dentro de cristais tetravalentes, normalmente feitos de silcio e germnio. Dopando esses cristais com elementos trivalentes, obter tomos com sete eltrons na camada de valncia, que necessitam de mais um eltron para a neutralizao (cristal P). Para a formao do cristal P, utiliza-se principalmente o elemento Indio. Dopando os cristais tetravalentes com elementos pentavalentes, obter-se- tomos neutralizados(com oito eltrons na camada de valncia) e um eltron excedente (cristal N). Para a formao do cristal N, utiliza-se principalmente o elemento Fsforo. Quanto maior a intensidade da dopagem, maior ser a condutibilidade dos cristais, pois suas estruturas apresentaro um nmero maior de portadores livres (lacunas e eltrons livres) e poucas impurezas que impedem a conduo da corrente eltrica. Outro fator que influencia na conduo desses materiais a temperatura. Quanto maior for sua temperatura, maior ser a condutibilidade pelo fato de que a energia trmica ter a capacidade de quebrar algumas ligaes covalentes da estrutura, acarretando no aparecimento de mais portadores livres para a conduo de corrente eltrica.

Aps dopadas, cada face dos dois tipos de cristais (P e N)ter uma determinada caracterstica diferente da oposta, gerando regies de conduo do cristal, uma com excesso de eltrons, outra com falta destes (lacunas), e entre ambas, haver uma regio de equilbrio por recombinao de cargas positivas e negativas, chamada de regio de depleo ( qual possui uma barreira de potencial). Juno P-N, ou barreira de potencial Da mesma forma que os eltrons livres do cristal N se movimentam, as cargas positivas ou lacunas(buracos) conduzem corrente eltrica pelo fato de que uma lacuna ocupada por um eltron proveniente de uma corrente eltrica que passa sobre o cristal e que fora a criao de outra lacuna atrs de si. Entre as duas regies, uma de maioria negativa, outra de maioria positiva, existe uma terceira, esta de maioria neutra, isto , nem de carga negativa, nem de carga positiva, a juno entre ambas, chamada de regio neutra da juno P-N. Na regio neutra no h excesso de eltrons nem lacunas porque alguns eltrons do material tipo N se difundem pela juno e entram em combinao com algumas lacunas(buracos) do material tipo P, reciprocamente, algumas lacunas(buracos) se difundem pela juno e entram em combinao com alguns eltrons do material do tipo N. Com a passagem de lacunas para a camada N, gera-se um pequeno potencial eltrico positivo e com a passagem de eltrons livres para a camada P, gera-se um pequeno potencial eltrico negativo, gerando uma pequena tenso interna, por isso do nome barreira de potencial, que pode chegar aproximadamente a 0,3 volts nos diodos de germnio e 0,7 volts nos diodos de silcio. Essa barreira de potencial causa uma queda de tenso, interferindo na tenso sobre os outros componentes pertencentes ao mesmo circuito do diodo. Quando a tenso a que submetido o diodo ,alimentado por uma fonte geradora, menor que sua barreira de potencial(<0,3V ou <0,7V), a corrente eltrica baixssima pela oposio ao fluxo de portadores livres feita pela barreira de potencial, porm se a tenso a que for submetido o diodo for mais alta do que sua barreira de potencial, a corrente eltrica torna-se alta e a oposio dos portadores livres feita pela barreira de potencial pequena em relao a tenso de alimentao, sendo quase desprezvel. Polarizao do diodo

Grfico mostra a curva caracterstica do comportamento do diodo em sua polarizao direta e inversa

A polarizao do diodo dependente da polarizao da fonte geradora. A polarizao direta quando o plo positivo da fonte geradora entra em contato com o lado do cristal P(chamado de anodo) e o plo negativo da fonte geradora entra em contato com o lado do cristal N(chamado de catodo). Assim, se a tenso da fonte geradora for maior que a tenso interna do diodo, os portadores livres se repeliro por causa da polaridade da fonte geradora e conseguiro ultrapassar a juno P-N, movimentando-os e permitindo a passagem de corrente eltrica. A polarizao indireta quando o inverso ocorre. Assim, ocorrer uma atrao das lacunas do anodo(cristal P) pela polarizao negativa da fonte geradora e uma atrao dos eltrons livres do catodo(cristal N) pela polarizao positiva da fonte geradora, sem existir um fluxo de portadores livres na juno P-N, ocasionando no bloqueio da corrente eltrica. Pelo fato de que os diodos fabricados no so ideais(contm impurezas), a conduo de corrente eltrica no diodo(polarizao direta) sofre uma resistncia menor que 1 ohm, que quase desprezvel. O bloqueio de corrente eltrica no diodo(polarizao inversa) no total devido novamente pela presena de impurezas, tendo uma pequena corrente que conduzida na ordem de microampres, chamada de corrente de fuga, que tambm quase desprezvel. Testes com o diodo Os dodos, assim como qualquer componente eletrnico, operam em determinadas correntes eltricas que so especificadas em seu invlucro ou so dadas pelo fabricante em folhetos tcnicos.Alm da corrente, a tenso inversa(quando o dodo est polarizado inversamente) tambm um factor que deve ser analisado para a montagem de um circuito e que tem suas especificidades fornecidas pelo fabricante. Se ele for alimentado com uma corrente ou tenso inversa superior a que ele suporta, o diodo pode danificar, ficando em curto ou em aberto. Utilizando de um ohmimetro ou um multmetro com teste de dodo, pode-se verificar se ele est com defeito. Colocando-se as ponteiras de prova desses aparelhos nas extremidades do diodo(catodo e nodo), verifica-se que existe conduo quando se coloca a ponteira positiva no nodo e a negativa no catodo, alm de indicar isolao quando ocorre o inverso. Assim o dodo est em perfeitas condies de operao e com isso possvel a localizao do catodo e do nodo, porm se os aparelhos de medio indicarem conduo dos dois caminhos do dodo, ele est defeituoso e em curto. Se os aparelhos de medio indicarem isolao nos dois caminhos, ele tambm est defeituoso e em aberto. Usos O fenmeno da condutividade em um s sentido aproveitado como um chaveamento da corrente eltrica para a retificao de sinais senoidais, portanto, este o efeito diodo semicondutor to usado na eletrnica, pois permite que a corrente flua entre seus terminais apenas numa direo. Esta propriedade utilizada em grande nmero de circuitos eletrnicos e nos retificadores.

Os retificadores so circuitos eltricos que convertem a tenso CA (AC) em tenso CC (DC). CA vem de Corrente alternada, significa que os eltrons circulam em dois sentidos, CC (DC), Corrente contnua, isto circula num s sentido. A certa altura o potencial U , formado a partir da juno n e p no deixa os eletrons e lacunas movimentarem-se, este processo d-se devida assimetria de cargas existente. Tipos de diodos semicondutores Os diodos so projetados para assumir diferentes caractersticas: diodos retificadores so capazes de conduzir altas correntes eltricas em baixa freqncia, diodos de sinal caracterizam-se por retificar sinais de alta freqncia, diodos de chaveamento so indicados na conduo de altas correntes em circuitos chaveados. Dependendo das caractersticas dos materiais e dopagem dos semicondutores h uma gama de dispositivos eletrnicos variantes do diodo:

Diodo

Diodo zener

Diodo Schottky

Diodo tnel

Diodo emissor de luz

Fotodiodo

Varicap

SCR