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TEMA 3: Diodos de Unin

Electrnica

TEMA 3: Diodos de Unin


Contenidos del tema:
q Unin PN abrupta: condiciones de equilibrio q Diodo PN de unin: Electrosttica q Anlisis en DC o estacionario del diodo PN q Desviaciones de la caracterstica ideal q Modelo dinmico q Modelo de pequea seal q Otros tipos de uniones y sus modelos

Tr. 1

TEMA 3: Diodos de Unin

Electrnica

Unin P-N abrupta: Condiciones de equilibrio tipo p


x=0

tipo n
x

Regin Neutra

proceso de difusin electrones + ++ Regin Neutra huecos + + + ++ campo elctrico

------ --

Regiones de Carga Espacial de Transicin de Empobrecimiento o Vaciamiento Significa: Campo elctrico que se opone a la difusin Significa: Barrera de potencial que se opone a la difusin Equilibrio: cuando el arrastre se iguala a la difusin Resultado: Potencial de contacto equilibra la difusin
Tr. 2

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Unin P-N abrupta: Distribucin de Portadores


Situacin inicial ND lado p NA Unin Metalrgica: x = 0 Tipo p Tipo n lado n x ND-NA

Distribucin de portadores:
mayoritarios

p po= N A

n no = ND mayoritarios

minoritarios

n i2/N A

npo -xp regin de transicin xn

p no x

n i2/N D
minoritarios

Tr. 3

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Unin P-N abrupta: Potencial de contacto


Bandas de energa:
sistema en equilibrio = nivel de Fermi constante

Potencial de contacto Vbi:


q Vbi = (E c - E f)p - (Ec - Ef) n

lado p

lado n qV bi Ec Ef Ei Ev

q Vbi = (Ef - Ei)n - (Ef - E i)p


( E f E i) n n = kT ln -----n ni p , ( E E ) = k T ln ----f i p n i p

qVbi qV bi

nn p ND N kT p kT A - ln ------------- - ln ----------------= bi q 2 q 2 n ni i

Ejemplos: Silicio a T ambiente (kT/q=0,026V), ND = 10 15cm -3 , NA =1015 cm -3 , ni = 1010cm -3 V bi = 0,599 V Silicio a T ambiente (kT/q=0,026V), N D = 1015cm-3 , NA =10 17cm-3 , ni = 10 10 cm -3 V bi = 0,718 V Valor lmite para Si no degenerado: qV b i= Eg - 6kT = 0,9641 eV V bi= 0,9641 V
Tr. 4

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Unin P-N abrupta: Regin de transicin


Densidad de carga: = q (ND - N A + p - n)
Fuera de regin de transicin: = 0 Dentro de la regin de transicin: = q (N D + p - n) , = q (- NA + p - n) , 0 < x < xn - xp< x < 0

Aproximacin de empobrecimiento: dentro de la regin de transicin no hay portadores, slo impurezas ionizadas Neutralidad: NAx p = NDxn
qN D -x p xn -qNA x

Campo elctrico: (Teor. Gauss) d = / dx (- x p) = 0 = (x n ) (x ) =


0

qN D (x - x n ) / , 0 < x < xn qN A (x+ x p )/, - xp< x < 0

Potencial: Integramos el campo d = dx qN D qNA 2 2 V = ( x ) ( x ) = ------------ x n + ----------- x p bi n p 2 2

Anchura de la regin de transicin:


W = W

2 1 1 ----- V -------+ -------- q bi N N A D

1 -2

Tr. 5

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Unin P-N abrupta: Campo externo


Vemos el efecto de una tensin externa V
contacto ohmico - Vj + contacto ohmico

+V P -

+V N -

V
Hiptesis: Caida de tensin despreciable en las regiones neutras V=0 V=0 V j = Vbi = VN - 0 + VP Vj = V N - V+ VP
1 2

Vbi = VN + V P Vj = V bi - V
nuevo potencial de la unin

W =

V
Polarizacin directa: V > 0, V < V bi Polarizacin inversa: V < 0

2 1 1 ----- (V V ) -------+ -------- bi N q N A D disminuyen: la barrera de potencial, el campo y la W se favorece: la difusin frente al arrastre aumentan: la barrera de potencial, el campo y la W se favorece: el arrastre frente a la difusin
Tr. 6

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Diodo de Unin: Caracterstica I-V (1)


P Anlisis Cualitativo:
Polarizacin directa: V > 0, V < V bi
difusin de hs

N I
V

V j < V bi
aqu hs son minoritarios

I
P

h
arrastre de es

los portadores que se difunden son mayoritarios los sometidos a arrastre son minoritarios arrastre de hs
e N

es minoritarios

difusin de es

corrientes netas positivas y altas incluso para valores bajos de V

Polarizacin inversa: V < 0

V j > V bi se favorece el arrastre deminoritarios


arrastre de hs

arrastre de es

corrientes netas negativas y bajas

Tr. 7

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Diodo de Unin: Caracterstica I-V (2)


Anlisis Cuantitativo: resolver la ec. de continuidad en las regiones
NA -Xp I -xp x=0 xn ND XN

V
Aproximaciones de partida:
Dopado uniforme: ND y NA constantes Baja inyeccin de portadores Vj = (xn ) - (-xp ) = Vbi - V , xn < x < Xn , -X p < x < - xp En regiones neutras: exceso de portadores minoritarios: pn = pn - pno , np = np - npo p n(x) << ND np (x) << NA

Componentes de arrastre de portadores minoritarios despreciable frente a los de difusin p 'n n ' p j ( x) q D , -X p< x < - x p , x < x < X j ( x ) q D n n p px n nx ( -x p< x < xn ) En regin de transicin: Velocidad neta de recombinacin nula: Situacin de quasi-equilibrio:

U=0
n(x 1) kT - ln ------------- ( x1 ) ( x2 ) = q n(x 2) Tr. 8

(x) = equilibrio

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Diodo de Unin: Caracterstica I-V (3)


Consideraciones para obtener la relacin I-V:
a) Estado estacionario corriente total constante: jp ( x ) + j n ( x ) = cte jp ( x ) = cte x b) En regiones con U = 0 y sin iluminacin se cumple: Resultado: podemos expresar la corriente del diodo como I = Aj , j ( x ) = cte n

j = j ( x ) + j ( x ) p n n p
resolver la ec. continuidad en las regiones neutras

Concentracin de portadores minoritarios en r. neutra N:


j 1 p 0 = p = U qx t n
p'n ( Xn) = 0 p' n( ) = 0 + C2 e p n = p n - p no
V = (x ) j n p n ( x n)

2 p' x 2

p' n = ------ p

p' ( x ) = C e n 1

(x x n ) L p
Lp =

+C e 2

( x x n ) Lp

Diodo de base larga : Xn - x n >> L p


C2 = 0 p' n( x n) = C1

Dp p longitud de difusin

p ( x p ) kT kT N kT A p' ( x ) = p e 1 e - ln ----------------- ln ------------- ( x ) = = n n o p q p ( x n) q p( x ) n qV qV ------ 2 kT n i kT p' ( x ) = p e 1 = -------- e n n n 0 N D

qV -------

( x x ) L n p

Tr. 9

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Diodo de Unin: Caracterstica I-V (4)


Diodo de base corta: Xn - x n << L p
desarrollo en serie de Taylor de las exponenciales

p n

Base larga

q V X x kT n p' ( x) = p e 1 -------------------n no X x n n pn Base corta

V>0
xn x xn

V>0
Xn
x

Densidades de corriente de portadores minoritarios (DIODO DE BASE LARGA ):


lado N
p ' n j p ( x ) q Dp x n' p x
qV qD ------ (x x ) L p kT n p j ( x ) = ---------- p e 1 e p no Lp qV qD ------ n k T ( x + xp ) Ln j ( x ) = ----------- n e 1 e n L po n

lado P

j n( x ) qD n

Tr. 10

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Diodo de Unin: Caracterstica I-V (5)


Ejemplo con V > 0
Tipo p np pn npo pno x movimiento de e jn movimiento de h jp Tipo n

Ejemplo con V < 0


Tipo p npo pno np pn x movimiento de e jn movimiento de h jp x Tipo n

movimiento neto de carga

movimiento neto de carga Tr. 11

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Diodo de Unin: Caracterstica I-V (6)


Las corrientes de mayoritarios se obtienen restando de la total la de los minoritarios
j=jn+ jp jp jn jn jn jp x

V>0
jp jp x

V<0
jn j =jn+jp

Intensidad total a travs de una seccin A (Diodo de Base Larga):


V qV ------- ------ D p p no D n n p o kT UT I = A[ j ( x ) + j ( x ) ] = A q ----------------- + ------------------ e 1 = Ioe 1 p n n p Ln Lp I
ecuacin Shockley (diodo ideal)

Io

kT q

NA -X p I -x p x=0 xn

N D X N

En general (Base corta y larga)

Para V < 0 , -Io I V

Dp Dn 2 I = A qn ------------------------------------------------- + ------------------------------------------------- o i X n x n X p x p L pt g h ------------------ N D L n tgh ------------------ N A LP Ln

Tr. 12

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Consideraciones sobre la caracterstica I-V


Aproximaciones
(diodo ideal)

real

ideal

I
= 0 , V< 0 V=0,>0

= 0 , V< V V =V , > 0

I
= 0 , V< V V =V+ r , V > V V V

I (mA)[Si,Ge]

I (nA)[Si] I (A)[Ge]

Fenmenos de Ruptura: se producen para V negativa y alta


Dos mecanismos causantes:

a) avalancha: ocurre en cualquier diodo cuando el campo elctrico en el origen es alto


tomo
2 1 1 Vbi + VB R = r u p ------ ------ + ------- 2q N A N D

e- acelerado

-V BR V tensin de ruptura b) tunel o Zener: ocurre en diodos de alto dopado cuando se reduce la anchura de la barrera de potencial tanto como para permitir el paso de e-s de la BV de la parte P a la BC de la N

Ambos efectos tienen una dependencia contraria con la temperatura diodos Zener buenos como reguladores de tensin

Ecp Evp W

efecto tunel Ecn Evn

diodo Zener V BR o VZ Tr. 13

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Desviaciones de la caracterstica ideal


q Generacin/recombinacin en la regin de transicin: w En general, hace que la dependencia sea e w I = Io e

V UT V ---------nU T

, con 1< n < 2

e 1 + I o

V ---------2UT

1 qAni W 1 con I = -----------------dependiendo de W ( V bi V ) 2 o 2

w Ms acusada en Si q Alta inyeccin de portadores para tensiones directas elevadas: w Correccin a la baja para tensiones directas muy altas q Caidas de tensin en las regiones neutras: w Equivale a una resistencia muy baja (ej. 0,5 )

V>0,
ln (I)

ISe qV/nkT
R

q Descarga disruptiva para tensiones inversas elevadas: w Ruptura por avalancha (portadores acelerados) o Zener

ideal n=1

eqV/2kT

V<0
IS

I (nA)

I( A) V

kT eqV/n1

Ge Si ( Vbi V )
1 2 0

eqV/n2kT
0,2

n2
0,4

2
0,6 0,8

V(v)

Tr. 14

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Cargas Regin Transicin: Capacidad de Unin


Capacidad de Unin: capacidad asociada a las cargas en la regin de transicin
Cj = d q V(V ) = d Qj
dV dV

V = 0 W
NA p xp xn ND n

W =

2 N A + N D ----V -------------------q b i NA N D

Q j = qAx n N D = qAx p N A

Cj 0 = --------------------------------( 1 V V )m
bi

Qj

V= 0

NA N D = A V 2 q -------------------N A + N D b i

j0

= C

V=0

NA ND A 2 q -------------------= --------------N A + N D 2 Vbi

V>0

V <0

2.0 1.5 Cj (fF) 1.0 0.5 0.0 Cj0

m = 0.5 unin abrupta m = 0.33 unin lineal

n (Vbi - V )

(V bi -V)
Qj
V

N A ND -------------------= A 2 q N A + N D ( V bi V )

V Q

Variaciones en V implican variaciones en Q j efecto condensador

-1.0

-2.0 V (V)

0.0 Vbi

Carga incremental respecto al equilibrio: q V( V) = Qj

V = 0

Qj

Tr. 15

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Cargas Regiones Neutras: Capacidad de Difusin


DENSIDAD DE PORTADORES MINORITARIOS

Xp

Wp
Contacto regin p

h+ Contacto regin n

Electrones en la regin p: Qn = qA

xp Xn

n p ( x ) dx

p,n(x)
e-

pn0 np0 Wn 0 xn
regin n

Huecos en la regin n: Qp = qA

xn

p n ( x )dx

n,p(x)

-Xp

regin p

xp

Xn

I
Exceso de portadores minoritarios (carga) que vara con V efecto condensador
Si V<0 domina la capacidad de unin. Si V>0 y pequea, la capacidad de difusin domina.

Qp Qn Q I = --------+ --------- = -----T T T p n V ----Is uT d Q d Q d I Cd = = = T----- e dV dI dV uT


V ----- uT I = I s e 1

La dependencia de Q con la intensidad depende del tiempo de trnsito (base corta o base larga)

Cd

Cj0

T Cd -----I uT

Capacidad Difusin

Cj
Vbi V (V)

Tr. 16

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Modelo dinmico del diodo PN


Estudiamos ahora el comportamiento del diodo cuando V vara con el tiempo
Con V = V(t), pn y np dependen de x y de t y se obtendran tambin de la ecuacin de continuidad Dp x 2 2 p ' n ( x, t ) = p ' ( x, t ) n p ' n (x , t ) + -----------------t p

Evitaremos resolver la ecuacin para variaciones grandes de V(t) w COMPORTAMIENTO TEMPORAL

I(t) +V(t)
por ejemplo V(t) t

- Planteamos la ec. de continuidad para un caso particular de inters - Hacemos la aproximacin cuasi-esttica - Extrapolamos al caso general
Tr. 17

TEMA 3: Diodos de Unin

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Modelo dinmico: Modelo de Control de Carga


DENSIDAD DE PORTADORES MINORITARIOS

Wp
C ontacto regin p

+ h

e-

pn0 np0 Wn xn regin n Xn

n,p (x)

C ontacto regin n

p,n(x)

I (t )

V( t)

-Xp

regin p

xp

I ( t)
+-n (Q >>Q ) de base larga Caso Concreto: Diodo p p n

Ecuacin de Continuidad dependiente del tiempo. p' ( x, t ) 1 n - j ( x, t ) = p ' ( x , t ) + -------------------q x p t n p Xn Xn Xn 1 1 d j ( x, t ) = tp n ( x, t) dx + ---- p n ( x , t ) dx p q p xn xn xn 0 Q p ( t) Qp (t ) 1 j ( x , t ) j ( X , t ) = -- Q ( t) + -------------- A j ( x , t ) i( t) = Q ( t ) + -------------p n p n p n A t p A t p p p
Tr. 18

TEMA 3: Diodos de Unin

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Modelo dinmico: Modelo de Control de Carga


Expresin I-V: Aproximacin Cuasi-esttica ( x xn ) ----------------------L p Diodo p-n+: Q ( t) n Q n ( t ) + --------------t n Diodo sin exceso en ninguna zona neutra: i( t ) = i (t ) = V (t ) --------- uT Se sustituye Q ( t) = I e 1 p p s en la expresin de i(t) Q ( t) Q ( t) p n Q p ( t ) + --------------- + Q n ( t ) + --------------t t p n Generalizando....

p' ( x, t ) = p' ( x , t ) e n n n

V (t ) --------- uT p' n ( xn , t) = p n 0 e 1

i (t ) = Modelo de Control de Carga contempla el estado estacionario... 0 Q( t) i (t ) = Q ( t ) + ---------- t V f( t )

Modelo Q (t ) Q ( t ) + ----------- Control t de Carga V ( t) --------- uT Q (t ) = I e 1 s


Tr. 19

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Ejemplo de transitorios: transitorio de corte Transitorio de corte:


VF V F, V R >> vD

iD(t)
-VR

vS(t)

v D(t)
Condiciones finales (Diodo OFF)
iD ( ) = IS v D ( ) = V R + RIS

Condiciones iniciales (Diodo ON)


V v (0 ) V F D F i ( 0 ) = ----------------------------- -------- = I D F R R IF v ( 0 ) = V ln -----+ 1 D T I S Q T ( 0 ) = T I F

V R

El diodo pasa de conduccin a corte


Se necesita un tiempo para eliminar las cargas Dos trminos: ts y t r
Tr. 20

TEMA 3: Diodos de Unin

Electrnica

Ejemplo de transitorios: transitorio de corte Clculo de tS: 0 < t < tS :


tiempo de almacenamiento

iD(t)
IF Is t -IR

vD(t) > 0, vD(tS ) = 0, Q(ts)=0:


V R v D ( t ) V R v (t) v (t ) S D i ( t ) = --------------------------------= -------------------------------- ----------- = I D R R R R

Ecuacin a resolver:
I R = Q T t QT + -------T

vD(t)
con
QT ( 0) = T IF QT ( ) = T IR

tr
t

tS
Q ( t) = T I + ( I + I )e T R F R t T

VR

Q T( tS) = 0

I +I F R = T ln ------------------S IR
Tr. 21

TEMA 3: Diodos de Unin

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Ejemplo de transitorios: transitorio de corte Clculo de tr:


Para t S < t:
iD(t)
IF Is t -IR
tiempo de recuperacin

v D(tS ) = 0, vD(oo) = - V R

El diodo est OFF:

vS ( t ) vD ( t ) VR v D (t) i D ( t ) = --------------------------------- = -------------------------------R R

Ecuacin a resolver:
V R vD ( t ) d -------------------------------- = C j (v D) dt R
Cj 0 C (v ) = ---------------------------j D v m D 1 --------- V bi

vD(t)

tr
t

tS

VR

C j es nolineal, para resolver la ec. tomamos un valor medio Cj

Tr. 22

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Ejemplo de transitorios: transitorio de corte Valor medio (v 2 = - V R, v1 = 0):


C ( v) dv Cj0 Vb i v 1 m v 1 m 1 j 2 1 ----------------------------------------C = ---------------------------- = + 1 -------- 1 --------- j ( v v ) ( 1 m ) v v V V 2 2 b i bi 1 1

v2

v ( t ) = V 1 e D R

( ( t t S ) ) Cj R

t 4C R r j

tr suele ser mucho menor que t s


Tr. 23

TEMA 3: Diodos de Unin

Electrnica

Ejemplo de transitorios: transitorio de conduccin Transitorio de conduccin:


VF vS iD vD tA
t

vD(t)

Condiciones iniciales (Diodo OFF):


v (0 ) = 0 S iD (0 ) = 0 v D(0 ) = 0

Para t > 0:
v S( 0) = V F v S( t ) v D ( t) i D ( t ) = --------------------------------R

Si V F >> vD(t):

Tr. 24

TEMA 3: Diodos de Unin

Electrnica

Ejemplo de transitorios: transitorio de conduccin


Modelo de control de carga:
Q T T IF = + -------t T Q

Solucin:
Q T ( t ) = Q T ( ) + ( Q T ( 0 ) Q T ( )) e QT ( 0 ) = 0

t T

Q ( ) = T I T F

t T Q T ( t) = T I F 1 e

La intensidad pasa de 0 a I F a lo largo del transitorio, pero cumpliendo:


q v ( t) D ---------------- t T kT I 1e = I e 1 F S I F v ( t ) = 0, 9 v ( ) vD ( ) = V T ln ------ + 1 D A D I S I F t T v ( t ) = V ln ------ 1 e +1 D T I S

1 = T ln ------------------------------------- I F ( 0, 1 ) 1 ----- IS
Tr. 25

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Modelo de pequea seal del diodo (1)


I

Punto fijado con una fuente de DC Variaciones pequeas de AC

e = V

IQ

punto de operacin Q
VQ

V = VQ + V I = g V
V

E = VQ

qV ------kT I = Is e

q VQ Q qV ------------------ kT k T q V 1 V 2 -q 1 = Is e 1 + I se ----------- + ----------- + ... k T 2! k T aproximacin IQ = Respuesta a VQ I = Respuesta a V vlida para V < 0,4U


I q I e g = - = V Q kT s q VQ ---------kT

Conductancia de pequea seal:

Tr. 26

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Modelo de pequea seal del diodo (2)


Circuito equivalente de pequea seal completo:

I
g V

cada elemento tiene un valor segn el punto de operacin y la regin de operacin del diodo Cj Polarizacin inversa, VQ < 0: g=0 C j0 C = ---------------------------j CD/Q = 0 VQ m Q
1 --------- V bi

CD

Polarizacin directa, VQ > 0:


g q -I e = kT s qV Q ----------kT IQ = -------U T C

q VQ ----------Q kT D d C = -----------= I e = g D S V dV Q Q C j0 = ---------------------------j VQ m Q 1 --------- Vb i


Tr. 27