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Evoluo de Microeletrnica a Micro-Sistemas

Jacobus W. Swart CCS e FEEC - UNICAMP 1 Introduo: A microeletrnica apresenta uma histria longa num perodo muito curto. Como fatos histricos mais marcantes temos o descobrimento do efeito transistor em 1947 na Bell Labs e o desenvolvimento do processo planar para a fabricao de CIs (circuitos integrados) em 1959 na Fairchild, resultando nos primeiros CIs comerciais em 1962. Assim, a idade do CIs de apenas aproximadamente 40 anos (2000). Podemos afirmar que nenhum outro tipo de produto assistiu a evolues a nveis similares ao do CI. Uma lmpada de hoje ainda similar ao de 100 anos atrs. Um automvel de hoje razoavelmente evoludo se comparado ao de 100 anos atrs, porm esta evoluo totalmente desprezvel ao da evoluo do CI. Na verdade, os carros e as lmpadas mais modernos tem suas caractersticas mais atraentes graas incorporao de microeletrnica. Alm desta rpida evoluo da tecnologia, a histria da microeletrnica apresenta outros fatores incomparveis em outras reas: Apresentou um crescimento de mercado de aproximadamente 16% anuais em mdia durante as suas 4 dcadas de vida. Este alto crescimento, inigualvel em qualquer outra rea econmica, fez com que a eletrnica se tronasse hoje o maior mercado mundial, de valor total anual de aproximadamente 1 trilho de dlares (maior que o da automobilstica e de petrleo por exemplo). Ela produziu uma nova revoluo na histria humana, alterando profundamente todas as atividades humanas. A importncia da rea tamanha, que podemos chamar a nossa era como a idade do silcio, dado ser o silcio o material bsico para a fabricao dos chips e outros dispositivos. Isto em aluso prtica comum histrica de classificar as sociedades pela sua habilidade em manipular e usar predominantemente um dado material (idade da pedra, do bronze, etc.) A tecnologia de microfabricao foi desenvolvida inicialmente visando aplicaes de microeletrnica (dispositivos discretos e circuitos integrados). Alm da imensa evoluo havida na tecnologia de microfabricao, chegando-se mesmo tecnologia de nanofabricao, hoje ela extrapola sua rea de aplicaes, incluindo a seguinte lista: Dispositivos e circuitos integrados eletrnicos Dispositivos e circuitos integrados optoeletrnicos Estruturas e circuitos fotnicos Dispositivos tipo microssensores e microatuadores Estruturas e dispositivos de micromecnica Estruturas para biologia. Fabricao e montagem de placas de circuitos impressos Neste trabalho apresentaremos inicialmente, item 2, uma reviso da evoluo da microeletrnica e das tcnicas de microfabricao. Uma reviso da histria da microeletrnica no pas ser apresentada em seqncia, no item 3. No item 4 ser apresentada uma introduo aos microssensores, que fazem uso das mesmas tcnicas de microeletrnica. 2. Evoluo da Microeletrnica
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No sculo 19, pouco se sabia a respeito de semicondutores e muito menos de dispositivos feito com estes materiais. Houve, no entanto, alguns trabalhos empricos. o caso da inveno do retificador a estado slido, apresentado por F. Braun, em 1874. Este retificador foi feito com cristal de PbS, soldado com um fio metlico (diodo de ponta de contato). Este diodo apresentava caracterstica muito instvel e foi abandonado temporariamente, at uma poca em que os diodos a vlvula no atendiam demanda de uso de freqncias mais altas. O incio do sculo 20 por sua vez foi fundamental para o desenvolvimento da microeletrnica, pois houve um enorme progresso na teoria fsica, com o desenvolvimento da mecnica quntica, por Bohr, de Broglie, Heisenberg, Schrdinger e outros, notadamente durante os anos 20. Em paralelo a este fato, foi proposto um primeiro conceito de desenvolvimento de um transistor de efeito de campo em estado slido. Em 1928, Lilienfeld, um homem muito frente do seu tempo, patenteou a idia de modular a condutividade de um semicondutor por meio de um campo eltrico, chamado como dispositivo de efeito de campo. Lilienfeld, no entanto, no teve sucesso na realizao prtica da sua proposta. Na dcada seguinte, dos anos 30, houve um forte crescimento no desenvolvimento de teorias qunticas em slidos, ou seja, a aplicao da mecnica quntica em slidos, com os conceitos de bandas de energias, banda proibida, mecnica estatstica, portadores, etc, pelos trabalhos apresentados por Peieris, Wilson, Mott, Franck e vrios outros (a maioria da Inglaterra). Estes conceitos tericos permitiram entender os semicondutores e motivar a pesquisa por dispositivos semicondutores. 1

No ano de 1936 a Bell Labs decide criar um grupo de pesquisa especfico para estudar e desenvolver dispositivos semicondutores, com o objetivo de fabricar o transistor de efeito de campo. Um outro grupo bastante ativo nesta rea e que contribuiu significativamente com o trabalho na Bell Labs era o grupo da universidade de Purdue. Em 1940, R. Ohi identifica pela primeira vez semicondutores de Si tipo p e tipo n. No mesmo ano, J. Scaff e H. Theuerer mostram que o nvel e o tipo de condutividade do Si devido presena de traos de impurezas. Durante os anos seguintes da II Guerra mundial, as pesquisas nesta rea so suspensas na Bell Labs, devido a outras prioridades. Em meados dos anos 40, ao final da II Guerra mundial, o status da eletrnica era baseado nos seguintes dispositivos bsicos: Vlvulas terminicas, que apresentavam as seguintes caractersticas: muito frgeis, caras e alto consumo de potncia. Rels eltro-mecnicos, que por sua vez eram de comutao muito lenta. Estas limitaes destes dispositivos motivaram o reincio da pesquisa e desenvolvimento de novos dispositivos a estado slido. Assim, em 1946, a Bell Labs recria seu grupo de pesquisa em estado slido, agora sob liderana de William Shockley, concentrando esforos na pesquisa dos semicondutores Ge e Si e de transistores de efeito de campo. Nesta poca, um dos pesquisadores do grupo, Bardeen, sugere uma explicao pelo insucesso na obteno do transistor FET baseado na alta densidade de estados de superfcie dos semicondutores (dentro da banda proibida). Mas persistindo na pesquisa da inveno do FET, Bardeen e Brattain descobrem por acaso o efeito de transistor bipolar, em final de 1947, mais precisamente em 16 de dezembro. Este transistor e esquema eltrico so mostrados na Fig. 1. O transistor era constitudo por uma base de Ge tipo n (contato de base pelas costas da amostra) e duas junes de contato tipo p na superfcie, sendo um de emissor e outro o coletor, feitos um prximo ao outro. Aps os cuidados necessrios para patentear o invento e convencer o exrcito americano, que queria mant-lo como segredo, a Bell Labs o anuncia publicamente em junho de 1948. O descobrimento do efeito transistor bipolar sem dvida atribudo aos pesquisadores Bardeen e Brattain, mas quem desenvolveu a teoria e explicao sobre o funcionamento do transistor bipolar foi o chefe deles, W. Shockley, em janeiro de 1948. A teoria de Shockley, de injeo de portadores minoritrios pela juno emissor-base, foi comprovada por meio de um transistor vertical fabricado em fevereiro de 1948, por J. Shive. Esta teoria torna-se amplamente acessvel com o lanamento do livro Electrons and Holes in Semiconductors por W. Shockley em 1950. Mais tarde, em 1956, Shockley, Brattain e Bardeen so condecorados com o prmio Nobel de fsica pelas contribuies referentes ao transistor bipolar. A pesquisa pela obteno do transistor de efeito de campo foi mantida, apesar do descobrimento do transistor bipolar, sendo que em 1952, I. Ross e G. Dacey demonstram o primeiro transistor tipo JFET. Neste caso, a porta constituda por uma juno pn, que controla a passagem de corrente pelo canal. Desta forma, contornou-se o problema de estados de superfcie, que ainda no tinha sido resolvido at ento. Um fato histrico que contribuiu muito com o desenvolvimento da microeletrnica foi o fato da Bell Labs licenciar seu invento a outras empresas. Por um preo de US$ 25.000,00, empresas como Texas Instruments e Sony (na poca com outro nome), compraram a licena para aprender e usar a tecnologia de fabricao de transistores. A tecnologia foi transferida atravs de um workshop realizado na Bell Labs em abril de 1952. Sony foi a primeira empresa a fabricar um radio totalmente transistorizado e comercializ-lo em escala, criando assim o mercado de consumo para transistores. Em 1955, Shockley deixa a Bell Labs e funda sua prpria empresa, Shockley Semiconductors, que marca a origem do Vale do Silcio, no estado de Califrnia. A sua empresa em si no foi marcante, porm ela comeou com pesquisadores e empreendedores de alto nvel, que depois criaram a Fairchild (1957) e Intel (1968), entre muitos outros. Entre estes pesquisadores destacam-se Gordon Moore, Robert Noyce e Andrew Grove. Uma vez dominados alguns processos de fabricao de transistores, nasceu a idia de se fazer um circuito integrado. Este conceito foi proposto e patenteado por J. Kilby, da Texas Instruments, no ano de 1958. Kilby demonstrou sua idia com um circuito fabricado sobre um nico bloco de Si, contendo um transistor (em estrutura tipo mesa), um capacitor e um resistor. Estes dispositivos eram, no entanto, interconectados por meio de fios soldados nos contatos dos mesmos. Uma fotografia deste circuito integrado rudimentar mostrado na Fig. 2. Em paralelo, um grupo da Fairchild desenvolve um processo superior para fabricar transistores (J. Hoerni) e chamado de processo planar. Este mesmo processo adaptado logo em seguida, no mesmo ano, por R. Noyce do mesmo grupo, para a fabricao de circuitos integrados. Este processo foi fundamental para o progresso da microeletrnica, j que seu princpio bsico, acrescida de vrias inovaes e evolues, vem sendo usado at hoje na fabricao dos modernos CIs. O incio da comercializao de CIs inicia-se a partir do ano de 1962, no parando mais de crescer em termos de volume e de densidade de transistores por chip. A Fig. 3 mostra a fotografia do primeiro CI fabricado pelo processo planar. Marcos precursores e fundamentais para a inveno do processo planar foram: a) em 1952, C. Fuller da Bell Labs, publica seu estudo sobre difuso de dopantes 2

doadoras e aceitadoras em Si; b) em 1955, Frosch e Derick usam camadas de SiO2 para delimitar as reas de difuso; c) em 1955, Andrus e Bond desenvolvem materiais tipo fotorresiste para a litografia e gravao de padres em filmes de SiO2. O estudo e desenvolvimento de processos de oxidao de Si permitiram finalmente o desenvolvimento do to sonhado transistor de efeito de campo com porta isolada, ou seja, o transistor MOSFET ou simplesmente MOS. Em 1960, um grupo da Bell Labs, D. Kahng e M. Atalla, demonstram o transistor MOS. A interface SiO2/Si uma interface de muito boa qualidade, com baixa densidade de estados de superfcie. Mas apesar disto, os dispositivos MOS apresentavam uma estabilidade pobre, causando um atraso de mais 10 anos para seu uso em grande escala. O motivo deste problema era a falta de controle de contaminao de impurezas. Mais especificamente,

Fig. 1 a) Fotografia do primeiro transistor bipolar de contato descoberto em dezembro de 1947, por pesquisadores da Bell Labs, b) esquema eltrico correspondente.

Fig. 2 Fotografia do primeiro circuito integrado desenvolvido por J. Kilby, em 1958.

Fig. 3 Fotografia do primeiro circuito integrado fabricado por processo planar na Fairchild em 1961. impurezas de Na, que so responsveis por cargas positivas dentro do isolante de porta e que causa um desvio na tenso de limiar dos transistores (altera a densidade de portadores induzidos no canal). A combinao de transistores MOS de canal n e de canal p num mesmo substrato, levou F. Wanlass a propor a tecnologia CMOS em 1963. Outros marcos histricos que contriburam enormemente para o avano das tecnologias MOS foram, a) o uso de filme de silcio policristalino dopado como material de porta de transistores, a partir de 1966, e b) o uso da tcnica de implantao de ons para o ajuste da tenso de limiar do transistores, pela dopagem da regio de canal com muita preciso. Alm dos dispositivos descritos acima, muitos outros foram inventados, ao longo do meio sculo de vida da era dos dispositivos semicondutores. K. K. Ng apresenta uma reviso ampla destes dispositivos (A Survei of Semiconductor Devices, IEEE Trans. Electr. Dev., vol.43, no. 10, p.1760, Oct. 1996). Ele classifica como sendo 67 dispositivos distintos, com mais aproximadamente 110 outros dispositivos relacionados, com pequenas variaes em relao aos primeiros, como parcialmente ilustrado na Fig. 4. Uma relao resumida destes dispositivos apresentada na tabela 1, com os mesmos organizados em grupos, baseado em suas funes e/ou estruturas. O estudo e entendimento destes diversos dispositivos requerem basicamente os seguintes conhecimentos: a) Conhecimento dos blocos construtivos de dispositivos. Existem apenas 5 blocos construtivos para os dispositivos, como representados na Fig. 5: Interface metal-semicondutor Interface de dopagem de homojuno, ou seja, juno p-n Heterojuno Interface semicondutor-isolante Interface isolante-metal b) Conhecimento dos mecanismos de transporte. A seguir relacionamos estes mecanismos juntamente com exemplos de dispositivos onde os mesmos se aplicam: Deriva resistores, transistores FET Difuso junes p-n, transistores bipolares Emisso terminica / barreiras Schottky, diodos PDB Tunelamento diodo tnel, contato hmico Recombinao LED, Laser, diodo p-i-n Gerao clula solar, fotodetetor Avalanche diodo IMPATT, diodo Zener, diodo APD.

Grupo Diodos

Tabela 1 Grupos de dispositivos semicondutores, organizados por funo e/ou estrutura. Sub-grupo Dispositivos Retificadores Diodo p-n Diodo p-i-n Diodo Schottky Diodo de barreira dopada panar - PDB Diodo de heterojuno Resistncia negativa Diodo tnel Diodo de transferncia de eltrons Diodo tnel ressonante Diodo RST Diodo IMPATT Diodo BARITT Resistivos Resistor Contato hmico Capacitivos Capacitor MOS CCDs (Charge-coupled devices) Chaves de 2 MISS (Metal-Insulator-Semicond. Switch) terminais PDB (Planar-Doped-Barrier Switch Transistores Efeito de Campo MOSFET JFET MESFET MODFET PBT Efeito de Potencial BJT Bipolar Junction Transistor HBT Heterojunction Bipolar Trans. MBT Metal Base Transistor RTBT Resonant-Tunneling Bipolar Memrias no FAMOS volteis MNOS Tiristores SCR Silicon-Controlled Rectifier IGBT Insulated-Gate Bipolar Trans. Transistor unijuno SIThy Static-Induction Thyristor Fontes de Luz LED Laser VCSEL Vertical-cavity surface emitting laser Fotodetetores Fotocondutor Fotodiodo p-i-n Fotodiodo de barreira Schottky CCIS Charge-coupled image sensor APD Avalanche Photodiode Fototransistor MSM metal-semicondutor-metal Dispositivos pticos Biestveis SEED Self-eloctrooptic-effect device Etalon bi-estvel Outros Dispositivos Fotnicos Clula solar Modulador eletro-ptico Sensores Termistor Sensor Hall Strain Gauge (piezoeltrico) Transdutor Interdigital, tipo SAW ISFET Ion-sensitive FET

Fig. 4 Parte da rvore de dispositivos semicondutores

Fig. 5 Diagrama de bandas de energia, mostrando as interfaces dos 5 blocos construtivos bsicos de dispositivos. Este nmero grande de tipos dispositivos justifica-se pelas necessidades especficas nas diversas aplicaes. Dentro dos circuitos integrados, no entanto, os dispositivos e tecnologias predominantes so as tecnologias MOSFET e BJT, como mostram os dados da Fig. 6. Estes dados so restritos ao perodo de 1974 a 1986. Desde aquela poca, a mesma tendncia de reduo relativa da participao da tecnologia BJT e do aumento do uso da tecnologia MOSFET, em particular a CMOS, continuou. Atualmente, na virada do sculo 20 ao 21, mais de 85% do mercado de semicondutores corresponde tecnologia CMOS. A evoluo da microeletrnica no se restringe ao desenvolvimento de novos dispositivos, apresentados acima, mas apresenta tambm outros aspectos to importantes quanto. Estes outros aspectos incluem os seguintes: Uma reduo contnua das dimenses mnimas, como indicado na Fig. 7. Esta evoluo corresponde a uma reduo com fator 2 a cada 6 anos. Esta evoluo foi possvel graas a avanos tecnolgicos nos processos de fabricao em geral e em especial, nos processos de fotolitografia. Uma evoluo na rea mxima dos chips, como mostra a Fig. 8. Esta evoluo corresponde a um aumento de fator 2 na rea do chip a cada 4 anos. A rea mxima dos chips est relacionada com a densidade de defeitos por unidade de rea, que garanta um rendimento aceitvel de produo. A evoluo na qualidade dos processos de fabricao resulta numa reduo gradual da densidade de defeitos e como conseqncia permite este aumento gradual da rea dos chips. Uma evoluo na eficincia de empacotamento, ou seja, do nmero de dispositivos por rea de dimenso mnima da tecnologia. Esta evoluo est quantificada na Fig. 9 e est relacionada a otimizao do layout empregado e do uso de novas estruturas fsicas dos dispositivos, isolao e interconexes. No incio, havia muito espao de melhoria, resultando numa mdia de aumento de 21 6

vezes por dcada. Aps os anos 70, houve uma reduo na taxa de aumento da eficincia de empacotamento para 2.1 vezes por dcada. A combinao das 3 evolues citadas acima, de reduo nas dimenses mnimas, aumento da rea dos chips e aumento na eficincia de empacotamento, levou a um aumento assombroso no nmero de dispositivos por chip, como mostra a Fig. 10. Associado a cada faixa de nmero de dispositivos por chip convencionou-se chamar o nvel de integrao pelas siglas: SSI (Small Scale Integration), MSI (Medium Scale Integration), LSI (Large Scale Integration), VLSI (Very Large Scale Integration), ULSI (Ultra-Large Scale Integration) e GSI (Giga Scale Integration). Atualmente, na virada do sculo, estamos entrando na era do GSI. O crescimento contnuo do nmero de dispositivos por chip de aproximadamente um fator 2 a cada 18 meses, ao longo das ltimas 3 a 4 dcadas. Este crescimento conhecido como a lei de Moore. Uma evoluo contnua na reduo do custo por transistor ou por bit de informao mostrada na Fig. 11a. Esta reduo de custo tem levado a um enorme crescimento do uso de eletrnica, com um crescimento mdio anual de 16% no mercado de semicondutores ao longo das ltimas dcadas. Ressaltamos que nenhum outro setor econmico teve tal crescimento na histria da humanidade. A Fig. 11b mostra o aumento contnuo do nmero de bits de DRAM produzidos.

Fig. 6 Evoluo da participao das diversas tecnologias do mercado de semicondutores, no perodo de 1974 a 1986.

Fig. 7 Evoluo nas dimenses mnimas empregadas nas estruturas em CIs.

Fig. 8 Evoluo da rea mxima de chips.

Fig. 9 Evoluo na eficincia de empacotamento

Fig. 10 Evoluo do nmero de dispositivos por chip (nvel de integrao).

Fig. 11 a) Evoluo na reduo do custo de bit de memria (DRAM) e b) evoluo da quantidade de bits de memria (DRAM) produzidos por ano. relativamente difcil imaginar o significado das dimenses mnimas e nmeros apresentados acima. Para melhor compreend-los, considere as seguintes comparaes: a) Na Fig. 12 mostramos uma fotografia de microscpio eletrnico de um fio de cabelo sobre uma estrutura de memria DRAM de 4 Mbit, correspondente a uma tecnologia (j ultrapassada) de 1986, com dimenses mnimas de aproximadamente 1 m. b) Ao invs de fabricar estruturas de dispositivos, poderamos usar a mesma tecnologia para desenhar um mapa. Logicamente ningum consegue fazer um negcio rentvel com tal produto, j que no nada prtico usar tal mapa, seria necessrio o uso de microscpio, e atualmente, microscpio eletrnico. Na Fig. 13 apresentamos uma seqncia de mapas que poderiam ser desenhados em chips com as diversas fases tecnolgicas. Ou seja, atualmente (~2000) poderamos desenhar um mapa da Amrica do Sul num chip, contendo todas a ruas, rios e estradas, em escala.

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c) Atualmente (~2000), o nmero de transistores produzidos anualmente no mundo da ordem de 10 . Este nmero corresponde a aproximadamente o nmero de formigas existente no mundo e a 10 vezes o nmero de gros de cereais produzidos no mundo por ano. Fig. 12 Fotografia tirada por microscpio eletrnico de um fio de cabelo sobre um chip de memria DRAM inacabada e de tecnologia do ano de 1986, ilustrando estruturas gravadas de largura de 2 m.

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Fig. 13 Ilustrao de mapas desenhados, contendo detalhes de todas as ruas, em reas de chips nas diversas fases tecnolgicas. Os nmeros e analogias apresentados mostram que a microeletrnica cresceu desproporcionalmente em relao a outras reas tecnolgicas, representando uma rea fascinante de engenharia. Mais e mais caminhamos para sistemas completos em um nico chip. Isto significa que o projeto em eletrnica resumir-se- ao projeto do chip. Uma pergunta natural seria, quais so as foras propulsoras para to rpido avano tecnolgico, ou ainda, para que complicar tanto? A fora propulsora fundamental o capital, ou seja, o mercado. Mas o desenvolvimento no agrada apenas o dono do capital, mas tambm os engenheiros e cientistas que trabalham nos desafios de conseguir sempre um produto melhor ou uma nova inveno. Portanto, a evoluo tem procurado solues que resultem em produtos melhores e mais baratos ou mais rentveis. No caso, a evoluo da microeletrnica como apresentada inclui os seguintes aspectos: Maior densidade de integrao. Considerando uma mesma funo, isto resulta em maior nmero de chips por lmina e aumento do rendimento (supondo uma densidade fixa de defeitos). Portanto, isto resulta em ganho econmico. Maior velocidade de operao. Com dimenses menores tm-se menores capacitncias, o que resulta em menores tempos de chaveamento das portas, melhorando, portanto, o desempenho do CI. Os dados de tempos de atrasos por porta e por linha de interconexo esto mostrados na Fig. 14, simulados para interconexes de linhas de Al e linhas de Cu, envoltos por filmes dieltricos de SiO2 e de material de baixa constante dieltrica, respectivamente. 11

Menor consumo de potncia. Novamente, devido s menores dimenses e menores capacitncias, bem como devido menor tenso de alimentao, a energia associada na mudana da tenso em cada n do circuito ser menor, e como conseqncia, teremos um menor consumo de potncia. Menor nmero de chips por sistema. Considerando agora chips mais complexos, com mais funes integradas, poderemos fabricar sistemas com menor nmero de chips, e no limite, com um nico chip. Este fato traz como vantagem, menor nmero de conexes entre chips. Isto por sua vez resulta em aumento da confiabilidade do sistema, uma reduo do seu tamanho e uma reduo do custo de montagem do mesmo.

Fig. 14 Tempos de atrasos de propagao de sinal atravs de portas e de linhas de interconexes, considerando linhas de Al e de Cu e dois tipos de dieltricos (SiO2 e outro de baixa constante dieltrico). A evoluo obtida at este ponto, bem como a que est por vir, resultado de um esforo muito grande de muitas pessoas, empresas e instituies de ensino e pesquisa. Nenhuma empresa sozinha, nenhum pas sozinho, poderia ter trilhado to rapidamente este caminho. Os pases avanados e suas empresas tm conscincia deste fato, que se torna mais necessrio ainda para o futuro. Os avanos futuros necessitam de recursos mais volumosos ainda e portanto de aes conjuntas de pesquisa e desenvolvimento. Com o intuito de guiar este trabalho de desenvolvimento, a SIA (Semiconductor Industry Association) do USA, elabora um relatrio trienal, onde ela prope um mapa de estrada para o futuro (The National Technology Roadmap for Semiconductors). Na tabela 2 apresentamos alguns dados 23 do relatrio publicado em 1997 . Assim, prev-se uma evoluo gradual at pelo menos dimenses mnimas de 50 nm (ano 2012). Dados mais recentes encontram-se nas referncias 24 e 25, indicando a 11 previso de dimenso mnima de 35 nm e nvel de integrao acima de 10 dispositivos por chip em 2014. A partir deste ponto, provavelmente as vrias limitaes, fsicas e tecnolgicas, impedem a realizao de transistores com comprimento de canal muito menor que 25 nm. Portanto, novos conceitos fsicos devem ser usados para inventar dispositivos alternativos aos dos tradicionais MOSFET e bipolares. Entre estes j existem os dispositivos de bloqueio Coulombiano, entre outros dispositivos de um nico eltron. So propostos tambm os dispositivos qunticos, onde se controla o estado do eltron de um tomo (hidrognio, por exemplo). Estruturas de nano-tubos de carbono outra idia proposta. So tubos de 1.4 nm de dimetro e de 10 m de comprimento que constituem canais de corrente e que permitem realizar circuitos tipo moleculares. Chaveamento a freqncia de 10 THz previsto. Certamente no chegamos no final do tnel da evoluo.

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Tabela 2 Dados de previso de evoluo extrados do relatrio da SIA de 1997. Dado\Ano 1997 1999 2001 2003 2006 2009 LMIN.(nm) 250 180 150 130 100 70 DRAM (bits) 256M 1G 4G 16G 64G 2 rea chip DRAM (mm ) 280 400 480 560 790 1120 Dimetro / lmina (mm) 200 300 300 300 300 450 Nveis de metal (lgica) 6 6-7 7 7 7-8 8-9 Compr. metal (lgica) (m) 820 1480 2160 2840 5140 10000 VDD(V) 2.5 1.8 1.5 1.5 1.2 0.9 FMAX de relgio (MHz) 750 1250 1500 2100 3500 6000 Nmero mscaras 22 23 23 24 25 26 -2 1 Defeitos (m ) 2080 1455 1310 1040 735 520 120 60 30 15 5.3 1.9 Custo/bit DRAM inicial (c) 1 Nota: para rendimento inicial de 60% e memria DRAM. 3. Histria da Microeletrnica no Brasil

2012 50 256G 1580 450 9 24000 0.6 10000 28 370 0.66

Desde a dcada de 50, as universidades brasileiras (ITA a partir de 1953, IFUSP a partir do incio 6 dos anos 60, seguido por muitos outros) tiveram atividades de pesquisa em semicondutores e dispositivos, ou seja, sempre acompanhamos de perto o desenvolvimento da rea e inclusive, o pas contribuiu de alguma forma com o desenvolvimento da mesma. J bem no incio da histria dos dispositivos semicondutores, em meados dos anos 60, a Philco instala fbrica de diodos e transistores em So Paulo. Ou seja, apenas 10 anos aps a liberao e disseminao da tecnologia pela Bell Labs, o Brasil iniciou atividades industriais de microeletrnica. Esta atividade contribuiu com a motivao para se montar um laboratrio de microeletrnica, LME, na Escola Politcnica da Universidade de So Paulo, por iniciativa de um grupo de professores (J. A. Zuffo, C. I. Z. Mammana, R. Marconato, A. Ferreira), em 1968, estando operacional em 1970. A coordenao do laboratrio ficou a cargo do Prof. Carlos Amrico Morato, e no podemos omitir a grande colaborao do professor visitante, Dr. R. Anderson, do USA. Este laboratrio pioneiro foi responsvel pelo desenvolvimento de vrias tecnologias de microeletrnica, pela formao de um nmero considervel de profissionais na rea e por vrias iniciativas tipo spin-off, algumas industriais e outras acadmicas. Marcos de desenvolvimento tecnolgico ocorridos no LME incluem entre outros: Desenvolvimento de tecnologia de diodos e transistores bipolares, com transferncia desta tecnologia para a empresa Transit, em Montes Claros, MG, em1974. Desenvolvimento do primeiro circuito integrado no pas, em 1971, com lgica ECL (Dr. J. A. Zuffo). Desenvolvimento de tecnologia de transistores nMOS em 1973, incluindo o projeto e construo do 7 primeiro CI com tecnologia MOS na Amrica Latina (Dr. Edgar Charry Rodriguez) . Projeto e fabricao de memrias tipo ROM com a tecnologia nMOS com capacidade de 512 e 2k bits em 1975 e 1978 respectivamente (Fig. 15). Estes circuitos podem ser considerados os primeiros circuitos integrados em nvel MSI (Medium Scale Integration) e LSI (Large Scale Integration) respectivamente, no pas. A primeira memria SRAM tambm foi realizada com a mesma tecnologia 8 em 1978 . 9 Desenvolvimento de um implantador de ons (Dr. Joel Pereira de Souza) . Desenvolvimento de tecnologias nMOS com carga tipo depleo e porta metlica e porta de si-poli, 10,11 em 1978 e 1987 respectivamente . Desenvolvimento de tecnologias CMOS com porta metlica e porta de si-poli em duas verses, em 12-14 1979, 1987 e 1988 respectivamente . 15 Desenvolvimento de tecnologia CCD com canal enterrado e portas de si-poli, em 1981 (Fig. 16). Desenvolvimento de tecnologia de circuitos hbridos de filme fino para aplicaes de microondas, sob coordenao do Prof. J. K. Pinto.

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Fig. 15 Fotografia ampliada do chip de memria ROM de 2k bit, desenvolvido no LME/EPUSP em 1978 (E. Charry R, J. P. de Souza e J. W. Swart).

Fig. 16 Fotografia ampliada do dispositivo CCD desenvolvido no LME/EPUSP em 1981 (J. W. Swart). Em 1974, o Prof. Carlos I. Z. Mammana deixa o LME da EPUSP e d incio montagem de um novo laboratrio de microeletrnica, chamado LED (Laboratrio de Eletrnica e Dispositivos) na Faculdade de Engenharia da Universidade Estadual de Campinas, UNICAMP. Vale lembrar a grande contribuio dada pelo Prof. Yukio montagem do LED. Este laboratrio teve como nfase inicial o desenvolvimento de equipamentos de microeletrnica, incluindo: fornos trmicos, sistemas CVD, sistema de corroso por plasma, implantador de ons, fotorepetidora, entre outros. Alm dos equipamentos, este laboratrio tambm procurou desenvolver tecnologias nMOS e bipolares (lgica I2L). O LED tambm teve uma atividade de desenvolvimento de tecnologia de fabricao de diodos para transferncia industrial, no caso para empresa Ober, no perodo de final dos anos 80. Este laboratrio passou por algumas reestruturaes, sendo atualmente transformado no Centro de Componentes Semicondutores, diretamente ligado reitoria da universidade, ou seja, administrativamente independente de unidade de ensino. Suas atividades atuais concentram-se em pesquisas relacionadas a tecnologias CMOS e microssensores, alm de oferecer cursos de laboratrio de microfabricao. Em 1975, o Prof. Joo Antnio Zuffo criou um novo laboratrio na EPUSP, chamado LSI (Laboratrio de Sistemas Integrados). Este laboratrio, com espectro de atuao mais amplo que apenas microeletrnica, deu nfase inicialmente pesquisa em etapas de processos de microeletrnica, tendo como um dos gestores, o incansvel e grande entusiasta, o Prof. Armando A. M. Lagan. O grupo realizou pesquisa de alto nvel nas atividades de obteno e caracterizao de silicetos, processos de plasma para deposio de filmes finos e de corroso, processos de limpeza e de oxidao de Si. Em seguida, o grupo concentrou esforos no desenvolvimento de micro-sensores de Si. Em 1981, o Prof. Joel Pereira de Souza deixou o LME da EPUSP e iniciou a construo de um Laboratrio de Microeletrnica no Instituto de Fsica da Universidade Federal de Rio Grande do Sul. Este 14

laboratrio adquiriu alguns e construiu outros equipamentos bsicos de microeletrnica. Este laboratrio prima por suas atividades em pesquisa na tcnica e aplicaes de implantao de ons, tendo dado grandes contribuies em publicaes, patentes e formao de recursos humanos neste tema. Adicionalmente, o grupo recentemente resgatou conhecimentos anteriores e re-implantou a tecnologia nMOS porta metlica carga tipo depleo no seu laboratrio, demonstrando a fabricao de um circuito integrado tipo matriz de chaveamento de 4 entradas x 4 sadas. Em meados dos anos 80, um novo laboratrio foi implantado no Instituto de Fsica da Universidade Federal de Pernambuco, sob responsabilidade do Prof. Eronides da Silva. Este laboratrio tambm possui os equipamentos bsicos para microeletrnica e tem sua nfase de pesquisa centrada em pesquisa de dieltricos de porta MOS. Os 5 grupos acima constituem os grupos universitrios com instalaes completas de microeletrnica de Si. Alm destes, existem grupos que atuam em temas especficos associados a processos de microeletrnica. Como exemplo temos o grupo de Engenharia Eltrica da UnB, Braslia, Prof. Jos Camargo, e o grupo do Departamento de Fsica do ITA, Prof. Homero Maciel, com atividades em processos de plasma. Embora o Si seja o semicondutor mais usado comercialmente, ocupando da ordem de 98% do mercado de semicondutores, semicondutores compostos tipo III-V so necessrios para nichos de aplicaes. Pesquisas sobre estes semicondutores vem sendo feitas essencialmente em institutos de fsica de diversas universidades, vrios dos quais equipados com modernas e caras mquinas de crescimento epitaxial de camadas, tipo MBE, CBE ou OMVPE. Entre estes grupos citamos: LPD do IFGW da UNICAMP, em Campinas. IF da USP em So Paulo. IFQ da USP em So Carlos IF da PUC-RJ em Rio de Janeiro. IF da UFMG em Belo Horizonte. Entre estes 5 grupos, o LPD apresenta maior tradio no desenvolvimento de dispositivos semicondutores, incluindo Lasers e transistores (MESFET, HEMT e HBT). Este grupo, inicialmente sob liderana do Prof. J. E. Ripper, introduziu e desenvolveu tecnologia de fabricao de Laser 16 semicondutor, j a partir do incio da dcada de 70 . Esta tecnologia foi posteriormente transferida para o CPqD da Telebrs. Alm dos grupos universitrios, temos um nmero menor de institutos de pesquisa, que no entanto receberam investimentos mais volumosos para instalao de laboratrios avanados. Entre estes citamos o CPqD, ITI, LNLS e INPE. O CPqD foi criado em meados dos anos 70, com objetivos de P&D bem amplos em telecomunicaes. Na rea de microeletrnica ele nunca se dedicou tecnologia de fabricao de CIs de Si, concentrando-se nas seguintes reas: Tecnologias de filmes espessos para CIs hbridos Tecnologias de filmes finos para CIs hbridos Tecnologia tipo SAW Tecnologias de Lasers semicondutores. Projeto de CIs de Si e de GaAs. Estas atividades foram, no entanto, todas descontinuadas, sobretudo aps a privatizao do sistema Telebrs, ao final dos anos 90. Esta descontinuidade de atividades de microeletrnica e optoeletrnica no CPqD representa uma grande perda do investimento, sobretudo em pessoal, feito ao logo de duas dcadas, dado que o pessoal foi todo redirecionado para outras atividades. O ITI foi criado no incio dos anos 80, com o intuito de realizar atividades de P&D em tecnologias de CIs de Si, entre outras atividades. Este objetivo inicial no foi completamente concretizado ao longo de sua trajetria, tendo suas atividades de microeletrnica sido restritas a: Linha piloto de encapsulamento de CIs Linha de testes, confiabilidade e anlise de falhas. Linha de fabricao de mscaras. Linha de prototipagem rpida de interconexo para circuitos tipo gate array. Projeto de CIs de Si. Tecnologia tipo SAW O LNLS foi criado em janeiro de 1987, sob coordenao do Prof. Cylon Gonalves da Silva, em Campinas. Este laboratrio projetou e construiu um sistema de anel de eltrons para produzir feixes de luz sncrotron, ou seja, radiao eletromagntica com freqncia variando desde infravermelho at raios X moles. Esta fonte de luz vem sendo utilizada, essencialmente para a anlise de materiais, bem como para a fabricao de microestruturas por litografia profunda de raio X, para microssensores e 15

micromecnica. O LNLS inclusive oferece um servio de prototipagem de microestruturas por programa tipo PMU, chamado de programa MUSA. INPE de So Jos dos Campos o centro mais antigo dos citados aqui. Ele foi criado j em 1961. O INPE realiza atividades amplas na rea de cincias espaciais, o que inclui algumas atividades de microeletrnica, tais como P&D em clulas solares e sensores. O INPE possui algumas das instalaes necessrias para estas atividades, inclusive um sistema MBE para crescimento de semicondutores do tipo IV-VI, e vem interagindo com os outros grupos para complementar as instalaes que lhe faltam. At aqui descrevemos as iniciativas acadmicas e de desenvolvimento na rea de tecnologias de fabricao de microeletrnica. Estas atividades no fazem muito sentido, se no forem acompanhadas por uma correspondente aplicao industrial. As duas reas, acadmica e industrial devem andar concomitantemente, j que as duas so mutuamente dependentes, com demandas complementares. 17-18 Analisaremos abaixo os vrios empreendimentos industriais de microeletrnica no pas . Como j citamos acima, a Philco iniciou uma fbrica de diodos e transistores em So Paulo, SP, em 1966. Mais tarde, em meados dos anos 70, esta fbrica foi transferida para Contagem, MG, agora em parceria com a RCA. A fbrica, modernizada e ampliada, implantou tambm processos de fabricao de CIs lineares com tecnologia bipolar e dimenses mnimas de aproximadamente 6 m. No entanto, no ano 84 aproximadamente, a fbrica foi fechada e colocada a venda. O grupo SID/Sharp, com participao do banco Bradesco, interessou-se pela aquisio da mesma e assim criou a SID Microeletrnica, que at hoje dona dela. Porm, em meados de 1996 ela decidiu por descontinuar as operaes de difuso de componentes semicondutores, mantendo apenas as atividades de montagem e encapsulamento, sendo esta tambm descontinuada em 2000. Uma Segunda iniciativa industrial foi o caso da Transit. Esta empresa foi criada a partir de 1974 e montou sua fbrica em Montes Claros, MG. Ela iniciou a produo de diodos e transistores bipolares em 1976, baseado em tecnologia desenvolvida no LME da EPUSP e visando o mercado de entretenimento. Em 1978 ela adquiriu uma tecnologia da SGS-Ates, da Itlia, para a fabricao de componentes para o mercado profissional. Devido a vrios erros ocorridos na implementao desta fbrica, ela no conseguiu sobreviver por muitos anos, tendo sido fechada ainda no final dos anos 70. Tivemos duas empresas internacionais, a Icotron, do grupo Siemens, com fbrica em Gravata, RS, e a Semicron, com fbrica em Cotia, SP, que tinham uma linha completa de difuso de diodos e tiristores de potncia. Atualmente a Semicron continua com sua linha completa de fabricao destes dispositivos. A Icotron doou seus equipamentos de difuso para a UFRGS em 1998. Uma terceira empresa, tambm atuando na produo destes componentes a AEGIS, que foi criado em 1982 por dois ex-pesquisadores do LME da EPUSP e do LED da UNICAMP. Um deles, Wanderley Marzano, continua dirigindo esta empresa, que heroicamente se manteve, sobrevivendo a todas as crises polticas e econmicas que o pas atravessou nestes ltimos 20 anos. Esta empresa um exemplo vivo da existncia de oportunidades de microeletrnica em nichos de mercados, mesmo para empresas de pequeno e mdio porte. A Itautec possui uma fbrica de encapsulamento de circuitos integrados, sobretudo tipo memrias, em Jundia, SP. Outras empresas tiveram fbricas de montagem e encapsulamento de componentes semicondutores no pas. Entre estas citamos a Texas Instruments, Fairchild, Philips, Sanyo e Rhom. Estas empresas no entanto fecharam suas operaes de produo de componentes semicondutores no incio da dcada de 90 com a ampla e sbita abertura do nosso mercado. Duas empresas atuaram na rea de componentes optoeletrnicos. A ASA Microeletrnica realizava montagem e encapsulamento de diodos tipo LED, com fbrica em So Paulo, SP. Esta fbrica foi fechada recentemente (meados dos anos 90). A outra empresa a ASGA Microeletrnica, que monta receptores pticos e emissores a Laser, para a rea de comunicaes pticas, com fbrica localizada em Paulnia, SP, inaugurada no incio dos anos 90. Por fim temos a empresa Heliodinmica, com fbrica em Vargem Grande Paulista, SP, que produz tarugos de Si monocristalnos de at 8 de dimetro, lminas de Si monocristalno e/ou semicristalino, alm de clulas solares fotovolticas de Si, mdulos e sistemas fotovolticos para diversas aplicaes . Heliodinmica foi criada em 1980 e atende o mercado local bem como internacional. Observamos dos dados acima, que tivemos atividades de microeletrnica desde a dcada de 60 e que havia um bom estgio de desenvolvimento tecnolgico na 2 metade dos anos 70. Inclusive, podemos afirmar que na poca, este estgio era superior aos dos pases hoje chamados de Tigres Asiticos. Durante as duas dcadas de 80 e 90, a rea passou por um estgio de estagnao, constituindo um paradoxo para a retrica da poltica de reserva de mercado de informtica. Investiu-se recursos volumosos numa fbrica de mscaras enquanto que as indstrias clientes no se instalaram, como havia sido planejado. Hoje o pas apresenta um dficit comercial superior a vrios bilhes de dlares anuais em componentes eletrnicos (relatrio setorial no. 1, 1999, do BNDES). Instalao de 16

uma ou mais fbricas de CIs uma necessidade real para equilibrar a balana comercial e promover o desenvolvimento econmico do pas. Um requisito necessrio para a instalao de uma fbrica de CIs e para o desenvolvimento de novos produtos inteligentes para as diversas aplicaes, a capacidade de projetar os CIs. A atividade de projeto de CIs requer um investimento muito menor em instalaes, porm requer um grande nmero de profissionais com experincia no tema. Vrios grupos no pas atuam nesta rea. A seguir apresentamos uma lista (no completa) de grupos universitrios, institutos e empresas com atuao na rea. a) Universidades: DCC/UFMG, Belo Horizonte, MG UFRGS, Porto Alegre, RS DEE/EFEI, Itajub, MG UFSC, Florianpolis, SC DEE/UnB, Braslia, DF LAC/COPEL, Curitiba, PR UFPB, Campina Grande, PB b) Centros de P&D: FEEC/UNICAMP, Campinas, SP CTI, Campinas, SP EPUSP, So Paulo, SP c) Empresas: EESC/USP, So Carlos, SP Motorola, Campinas, SP FEG/UNESP, Guaratinguet, SP Idea, Campinas, SP UFRJ, Rio de Janeiro, RJ Comparado rea de tecnologias de fabricao, o pas teve um desenvolvimento mais intenso na rea de projeto de CIs durante estas duas ltimas dcadas. Esta atividade foi estimulada pela disponibilidade de programas internacionais de fabricao de prottipos tipo MPC (Multi Project Chip) ou PMU (Projeto Multi Usurio). Durante os ltimos 15 anos o CTI organizou um programa similar brasileiro e durante os 6 ltimos anos, a FAPESP financiou a fabricao de 80 chips no exterior, para grupos do estado de So Paulo, para usarem diretamente os programas internacionais (CMP da Frana, Europractice da UEE, Iberchip da Espanha, MOSIS do USA). O desenvolvimento geral da eletrnica requer o uso de CIs de aplicao especfica em grande escala. Assim, necessitamos ampliar ainda muito mais esta atividade e estimular as empresas a conhecer e adotar esta soluo. Para o desenvolvimento de Microssistemas completos necessita-se tanto da disponibilidade das tcnicas de microfabricao como da capacitao em projeto de CIs, j que os microssistemas so compostos por chips contento o sensor ou atuador, co-integrados com o circuito de controle e/ou processamento do sinal. Nota: esta reviso da histria da microeletrnica no pas certamente no est completa, poder ter alguns erros e dever ser revisada para novas edies. Ficaremos muito gratos em receber informaes com dados histricas e/ou sugestes. 4. Introduo a Microssistemas
19-22, 26

Microssistemas, tambm chamado de IMEMS (Integrated MicroElectroMechanical Systems) referese ao universo de sistemas microeletrnicos com interface ao mundo no eletrnico. Ou seja, ela inclui circuitos integrados com microssensores e microatuadores, possivelmente, no mesmo chip. Outros nomes comuns so MEMS e MOEMS (MicroElectroMechanical Systems e MicroOpticalElectroMechanical Systems, respectivamente). Estes dois nomes, no entanto, apresentam uma limitao por no inclurem o efeito qumico presente em alguns dispositivos. Desta forma, o nome microssistema teria um significado mais amplo, embora todos os nomes sejam usados como sinnimos indistintamente. Os microssistemas apresentam uma importncia crescente em diversas aplicaes em vrias reas, entre os quais temos: sade, transporte, indstria de manufatura automatizada, monitoramento ambiental, agricultura, defesa e consumo. O desenvolvimento de microssistemas gera novas aplicaes para CIs, resultando num crescimento adicional deste enorme mercado. O sensor um dispositivo que converte um estmulo fsicoqumico num outro sinal, normalmente eltrico. O atuador executa a funo inversa. O sensor e atuador tambm so chamados de transdutores. O estmulo ou a energia fsico-qumica pode ser do tipo: calor, luz, som, presso, magnetismo, movimento mecnico, potencial qumico, pH, entre outros. Sensores e atuadores no so novos e inicialmente eram feitos por outras tcnicas que no eram de microfabricao. Com a disponibilidade do processo planar para microfabricao, desenvolvido para microeletrnica, o passo natural foi empregar os mesmos conceitos tecnolgicos para a fabricao de microssensores e microatuadores. A grande motivao para este procedimento o baixo custo para produzi-los, comparado s tcnicas anteriores. Numa mesma lmina de Si pode se produzir centenas ou mesmo milhares de microssensores. A dimenso de microssensores pode variar de frao de m at da ordem de mm, como ilustrado na Fig. 17. 17

Fig. 17 Escala comparativa das dimenses de microssensores. Os sensores e atuadores convertem os seguintes tipos de sinais ou energias: 1. Qumico 4. Mecnico 2. Eltrico 5. Radiante 3. Magntico 6. Trmico A Fig. 18 ilustra um sistema genrico. O sensor realiza a primeira converso de sinal para um sinal eltrico. Este processado, condicionado ou modificado por um circuito eletrnico, para em seguida eventualmente ser re-convertido em outra forma de energia pelo atuador. Os processos de converso de energia so classificados como: 1. Biolgicos: Elastoeltrico Transformao bioqumica Termomagntico Transformao fsica Termoptico Efeitos sobre organismos de teste Fotoelstico Espectroscopia Outros 3. Qumicos: Outros 2. Fsicos: Transformao qumica Termoeltrico Transformao fsica Fotoeltrico Processo eletroqumico Fotomagntico Espectroscopia Magnetoeltrico Outros Elastomagntico Termoelstico

Fig. 18 Representao esquemtica de um microssistema genrico. Os sensores e atuadores devem ser projetados e caracterizados quanto aos seguintes aspectos gerais, que se aplicam aos mais diversos tipos de dispositivos:

18

Condies ambientais permitidos: as condies ambientais podem afetar o desempenho do sensor. Deve-se conhecer a faixa de condies em que o sensor funcione dentro da sua faixa de tolerncia. Escala total do sinal de sada: refere-se mxima variao do sinal de sada. Histerese: refere-se variao do sinal de sada para um mesmo sinal de entrada, dependendo do sentido da variao do sinal de entrada. Linearidade: quo prxima a curva de transferncia se aproxima de uma linha reta. Faixa de medida: representa a faixa de variao do sinal de entrada que o sensor consegue medir. Offset: refere-se ao sinal na sada, na temperatura ambiente, sem aplicao de sinal na entrada. Tempo de vida de operao: representa o tempo de vida mdia do sensor, durante o qual ele mantm suas caractersticas de funcionamento dentro das margens de tolerncias especificadas. Formato de sada: a sada normalmente um sinal eltrico varivel com o sinal de entrada. O sinal de sada pode vir em vrias formas: digital, analgico ou de freqncia. Caracterstica de sobrecarga: refere-se ao mximo sinal na entrada do sensor que no altere as caractersticas de funcionamento do mesmo alm da sua faixa de tolerncia especificada. Repetibilidade: a habilidade de produzir o mesmo sinal de sada em medidas repetidas e iguais. Resoluo: representa a mnima variao de entrada necessria para produzir uma variao detectvel na sada. Seletividade: a habilidade do sensor identificar e medir um sinal de entrada (ex. um elemento qumico) na presena concomitante de varias entradas. Sensibilidade: a razo da variao da sada pela variao na entrada, ou seja, a derivada da curva de transferncia do sensor:

S (xa ) =

dy dx

x = xa

Velocidade de resposta: o tempo que demora para o sinal de sada alcanar 63% (1/e) do seu valor final, em resposta a uma variao brusca na entrada (funo degrau). Estabilidade: representa o tempo durante o qual o sensor mantm suas caractersticas de funcionamento dentro do seu limite de tolerncia especificada.

Microssistemas vem apresentando um crescimento vertiginoso e hoje representa um mercado de aproximadamente US$ 13 bilhes (prev-se US$ 34 bilhes no ano 2002). Este mercado apresente uma taxa de crescimento anual variando entre 16 e 35 % Apresentamos a seguir uma lista de exemplos de microssensores e suas aplicaes (existem muitos outros exemplos): Acelermetros para disparo do sistema airbag de automveis e outras aplicaes. Sensor de presso para rea mdica, automveis e industrial. Microvlvulas para injetor de tinta de impressoras, para liberao controlada de medicamento em pacientes e outras aplicaes. ISFET para medir pH, para medicina, alimentos, agricultura, etc Medida de variao de condutividade de filmes sensveis a produtos qumicos, para indstria, automveis, medicina, alimentos, agricultura, etc Sensor Hall para medidas magnticas, medidores de corrente eltrica, medidores de posio, etc. Micromotores, microvlvulas, microbombas, microfiltros, canais e misturadores, necessrios para a rea de microfludica, para medicina, anlise clnica, etc Espelhos e matrizes de espelhos (DMD Digital Mirror Device) para aplicaes pticas (chaves pticas para redes de fibras pticas) e projeo de imagens (para canho de imagens para conferncia, cinema e at para TV domstico). Chaves de RF para comunicaes sem fio. Anemmetros (mede perda de calor) para medida de fluxo de gases e lquidos, para medicina, automveis, ambiente, controle de processo, etc. Mostradores de imagens (microplasma e micropontas) Sensores de Infra-vermelho para viso noturna para transporte. Microponteiras para microscopia de fora atmica, AFM, ou de tunelamento atmico, ATM. 19

Sistema de microponteiras para armazenamento de informao, movendo tomos e depois 2 detectando-os (prev-se da ordem de 30 Gb/cm ) Questes crticas para o desenvolvimento dos transdutores e microssistemas so: a) processos de fabricao, b) encapsulamento, c) testes, d) Infraestrutura de CAD. A microeletrnica constitui o embrio do desenvolvimento de microssistemas, tendo em vista que emprega boa parte dos materiais, processos, conceitos e dispositivos da microeletrnica. No entanto ele tambm requer um nmero grande de outros materiais e processos especficos, como ilustra a Fig. 19. Muitos dispositivos sensores e atuadores podem ser incorporamos em tecnologia CMOS, por etapas de processos de ps-processamento, realizadas aps a concluso da fabricao do circuito eletrnico. Os processos podem ser classificados como de superfcie (surface micromachining) e como de corpo (bulk). No primeiro, os componentes no eletrnicos so fabricados em camadas especficas (muitas vezes de Si-policristalino), removendo uma camada sacrificial, de sustentao durante sua deposio. Nos processos de micro-usinagem de corpo, estes podem ser feitos pela frente ou pela costa da lmina, por micro-usinagem do Si, por processo mido ou seco (por plasma). Como os processos usados em microssistemas usam normalmente regras de projeto de aproximadamente duas geraes anteriores da microeletrnica, muitas fbricas destas ltimas podem ser convertidas em fbricas de microssistemas. O uso de lminas de 150 mm vem ser tornando comum na produo em massa de microssistemas, enquanto que fbricas estado da arte de microeletrnica j usam lminas de 300 mm. Alm das vrias fbricas para produo prpria (Analog Devices, Texas Instruments, Motorola, Lucent Technologies, Silicon Microstructures Inc., Honeywell, Agilent, outros), existem tambm vrias fbricas ou programas que oferecem servios de fabricao de microssistemas. Entre estas temos: LNLS em Campinas, Br; CMP e Tronics Microssystems na Frana; Surface Technology Systems na Gr Bretanha; Sensonor na Noruega; Institute of Microelectronics em Singapura; CSEM na Sua; BFGoodrich Advanced MicroMachines (Ohio), Cronos Integrated Microsystems (NC), IntelliSense (Massachusetts), ISSYS (Michigan), Kionix (N.Y.), MEMX (Albuquerque) no USA. Encapsulamento e teste de microssistemas bem mais complexo que de microeletrnica. Em MEMS podemos ter partes mveis, interface com sinal ptico, interface com meio ambiente (presso, temperatura, meio qumico ou biolgico, etc). Estas condies impem requisitos especficos e complexos para o empacotamento. Os testes tambm tornam se complexos por dois motivos: necessidade de manipular mais formas de energia, alm da eletrnica; impossibilidade de realizar as medidas na lmina, antes do encapsulamento. Como conseqncia, encapsulamento e testes de MEMS bem mais caro que no caso de microeletrnica. Na rea de CAD, comeou-se usando pacotes de software de microeletrnica (Tanner Tools) e de mecnica (ANSYS). Mais recentemente, pacotes especficos vem sendo disponibilizados, com incluso de efeitos eletrnicos, mecnicos, trmicos e alguns outros efeitos fsicos (CFD Research Corp., Coventor, IntelliSense Corp., Integrated Systems Engineering, MEMScaP).

Fig. 19 Ilustrao do nmero de materiais e processos usados em MEMS comparativamente microeletrnica. Como ilustrao de microssistemas, apresentamos nas figuras 20 e 21, dois exemplos de dispositivos de maior utilizao. A Fig. 20 mostra a fotografia de um microssistema de controle de airbag e a Fig. 21 mostra a fotografia de matriz de espelhos para sistemas de projeo de imagens. A parte central do chip da Fig. 20 refere-se estrutura do acelermetro. Os micro-espelhos do chip da Fig. 21 so apropriadamente posicionados eletrostaticamente, conforme cor da luz do pixel desejado. Um circuito CMOS sob os espelhos chaveia os eletrodos eletrostticos.

20

Fig. 20 Microfotografia de microssistema de controle de disparo de airbag.

Fig. 21 Microfotografia de matriz de espelhos para sistema de projeo de imagens. 21

5. Concluses: Mostramos que a histria da evoluo da microeletrnica e microssistemas muito longa, porm ocorreu num tempo muito curto, menor que 50 anos. A rea e mercado de microeletrnica e microssistemas cresceram enormemente, participando direta ou indiretamente em todas as atividades humanas. Adicionalmente, graas a ela que todas as outras reas do conhecimento humano conseguem avanar. A rea tambm extremamente multidisciplinar, envolvendo conhecimentos e profissionais das seguintes reas: engenharia eletrnica, engenharia e cincia de materiais, fsica, qumica, biologia, medicina e cincias da computao. Cincias humanas, tais como economia, sociologia, histria e educao, tambm tm muito a ver com a rea, tendo em vista as enormes conseqncias destas tecnologias sobre a economia, defesa, segurana, empregos, vida social, educao, sade, etc. Estes fatos todos nos levam a dois importantes proposies: inconcebvel que, um pas de tamanho continental como o Brasil, que pretende ser um pas forte economicamente e socialmente, no participe ativamente da atividade produtiva e do mercado da rea de microeletrnica e de microssistemas. urgente o pas estabelecer uma Poltica tecnolgica sria e execut-la tambm. A complexidade e multidisciplinaridade da rea tornam proibitivo a formao de ilhas. primordial que haja uma forte colaborao entre os diversos grupos e setores e das diversas reas no pas, bem como uma forte interao com instituies e empresas do exterior. Uma boa Poltica pode dirigir e promover esta colaborao. Referncias: 1. W. Brinkman et. al. A History of the Invention of the Transistor and Where It Will Lead Us, IEEE J. Solid-St. Circ. Vol. 32, no. 12, pp. 1858-1865 (1997). th 2. Vrios artigos do nmero especial sobre 50 Aniversary of the Transistor!, Proceedings of the IEEE, vol. 86, no.1, pp.1-308 (1998). 3. Vrios artigos do nmero especial sobre Solid-State Century The Past, Present and Future of the Transistor, Scientific American, Special Issue 1997. 4. K. Ng, A Survei of Semiconductor Devices, IEEE, Trans. Electr. Dev., vol. 43, no. 10, pp. 1760-1765 (1996). 5. L. Geppert, Technology 1998 Analysis & Forcast Solid State, IEEE Spectrum, vol. 35, no. 1, pp.2328 (1998). 6. J. R. Leite, Brazil Builts on Its Semiconductor Heritage, III-Vs Review, vol. 11, no. 5, pp.40-44 (1998). 7. E. Charry R., Desenvolvimento e Aplicaes de uma Tecnologia MOS Canal n de Porta Metlica, Tese de Doutorado, EPUSP, So Paulo, 1974. 8 W. A. M. Van Noije, Uma Contribuio ao Estudo Terico e Experimental de uma Memria RAM Esttica Monoltica com Dispositivos nMOS, Dissertao de Mestrado, EPSUP, 1978. 9 J. P. de Souza, Produo de ons Positivos para Implantao em Semicondutores, Dissertao de mestrado, EPUSP, 1973. 10 J. P. de Souza, Uma Tecnologia Simples para Circuitos Digitais MOS Canal n com Carga em Depleo de Alta Velocidade, Tese de doutorado, EPUSP, 1978. 11 L. S. Zasnicoff, "Desenvolvimento de um processo NMOS de alto desempenho: Anlise, caracterizao e extrao de parmetros eltricos e tecnolgicos", Tese de doutorado, EPUSP, 1987. 12 A M. Kuniyoshi, Desenvolvimento Bsico de uma Tecnologia CMOS Porta Metlica, Dissertao de mestrado, EPUSP, 1979. 13 L. C. M. Torres, Projeto e Desenvolvimento de uma Tecnologia CMOS com Porta de Silcio Policristalino e Geometria Fechada; Tese de doutorado, EPUSP, 1987. 14 Joo Antonio Martino, "Um Processo CMOS de Cavidade Dupla para Comprimento de Porta de 2um", Tese de doutorado, EPUSP, 1988. 15 J. W. Swart, O BCCD: Estudo Terico-Experimental e desenvolvimento de um Processo de fabricao, Tese de doutorado, EPUSP, 1981. 16 J. E. Ripper e R. C. C. Leite, "Physics in a developing country.", Proc. International Conference on Physics in Industry, Dublin, 221-223 (1976). 17 J. Martinez, Os Componentes Estratgicos da Independncia Tecnolgica, Dados e Idias, Vol. 1, no. 5, pp.43-45 (1976). 18 J. Martinez, Semicondutores: Um Mercado em Idade de Crescimento, Dados e Idias, vol. 3, no. 5, pp.34-37 (1978). 22

19 S. M. Sze, editor, Semiconductor Sensors, L. Wiley & Sons, Inc., 1994. 20 A. Rasmussen, M. E. Zaghloul, In the Flow with MEMS, IEEE Circuits & Devices, vol. 14, no. 4, pp.12-25 (1998). 21 Vrios artigos no nmero especial sobre Integrated Sensors, Microactuators, & Microsystems (MEMS), Proceedings of the IEEE, vo. 86, no. 8, pp. 1529-1812 (1998) 22 Vrios artigos no nmero especial sobre Sensors Into the Next Century, The Electrochemical Soc. Interface, vol. 7, no. 4, pp. 18-38 (1998). 23 Semiconductor Industry Association, National Technology Roadmap for Semiconductors, San Jose, CA,: SIA, 1997. 24 Semiconductor Industry Association, International Technology Roadmap for Semiconductors, San Jose, CA: SIA, 1999. 25 J. D. Plummer, P. B. Griffin, Material and Process Limits in Silicon VLSI Technology, Proceedings of The IEEE, vol. 89, no. 3, pp. 240-258 (2001). 26 D. J. Nagel, M. E. Zaghloul, MEMS: Micro Technology, Mega Impact, IEEE Circuits & Devices, vol. 17, no. 3, pp 14-25 (2001).

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