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Alimentation stabilise, rgule, dcoupage

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Alimentation stabilise, rgule, dcoupage Partie 3/3


1- Caractristiques fondamentales 2- Redressement 3- Rfrence de tension 4- Stabilisateur de tension 5- Source de courant 6- Rgulateur 7- Protection 8- Alimentation dcoupage les lments du gnrateur de Thvenin quivalent simple, double alternance, filtrage RC diode zener, deux tages, Pb des drives thermiques srie ou parallle stabilise, les quations un vritable asservissement comment viter les mfaits d'un court-circuit les techniques rendement lev

8- Alimentations dcoupage
8.1 analyse chiffre : Examinons une alimentation classique telle celle rappele ci-dessous.

Ainsi qu'on l'a dj mentionn l'alimentation linaire classique n'a pas un rendement lev. Prenons un exemple concret, supposons qu'il s'agisse d'une alimentation fournissant une tension de 12V et un courant de 17A, soit environ 200W, avec un transistor en srie. Admettons que le rseau soit 240V 10%. Pour 240 V on peut considrer que la chute de tension V CE du transistor est environ 5V (soit 85W de dissip sur son collecteur qu'il faudra donc refroidir efficacement). Si le secteur est en excs de 10% ce seront alors prs de 94W qui seront perdus dans le transistor. Dans le pont de diodes et la capacit de filtrage on aura environ 40W de perdus (0.7V de chute par diode et 2 diodes passantes en srie chaque instant, avec 17A plus le courant de charge de la capacit de filtrage). Le transformateur n'a pas non plus un rendement de 100% et consomme une trentaine de watts, auxquels il faut ajouter quelques watts supplmentaires consomms dans le reste du dispositif. On arrive ainsi une perte de l'ordre de 170 W pour une puissance utile de 200W soit un rendement de 54% ce qui est plutt mdiocre et oblige surdimensionner tous les lments On a donc cherch des solutions plus efficaces.

8.2- dcoupage secondaire :

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Dans cette structure la diffrence essentielle par rapport l'alimentation classique tient au fait qu'entre le transistor ballast et la diode zener on a remplac le transistor de commande par un circuit PWM (pulse width modulation) c'est dire un circuit gnrant des impulsions une frquence fixe, mais dont la largeur est modulable. Cette frquence se situe entre 20kHz et 120kHz, typiquement 70kHz et le transistor ballast va fonctionner en tout ou rien cette frquence. Le fonctionnement est le suivant : si le transistor est satur le courant circule vers la charge via l'inductance de lissage qui emmagasine au passage une certaine quantit d'nergie. quand le transistor est bloqu le courant continue circuler dans l'inductance par le biais de la diode D, le condensateur C2 tant charg d'attnuer l'ondulation invitable. En jouant, frquence constante, sur le rapport cyclique on peut rgler cette tension de sortie. Et lorsque le dbit va varier le circuit PWM en comparant la tension de sortie, prise au point milieu du pont, V Z va moduler la largeur d'impulsion c'est dire la dure de conduction du transistor afin de maintenir la constance de la tension de sortie. En terme de rendement le gain est limit. La perte du transistor est rduite puisqu'il est soit bloqu, soit satur, la majeure partie du temps, mais on doit mettre une inductance et la diode D en plus et ce sont des lments de puissance puisqu'ils sont traverss par le courant dissip dans la charge. Le transformateur et le pont de diodes associs au condensateur C1 sont inchangs par rapport au montage prcdent et leurs pertes videmment identiques. Le rendement atteint tout au plus 68%. 8.3- dcoupage primaire : Une meilleure solution consiste procder au dcoupage ct primaire et inclure de mme le pont de diodes au primaire. C'est ce qu'on appelle un convertisseur "forward".

Notons si le secteur est de 240V qu'aux bornes du condensateur C1 on aura 340V.

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quand le transistor est conducteur : cette tension de 340V est applique au primaire du transformateur avec un courant primaire Ion1, il en rsulte dans le secondaire principal et dans l'inductance un courant Ion2. quand le transistor est bloqu : c'est le mme processus que dans le montage prcdent. La diode D2 a pour rle d'viter de court-circuiter l'enroulement secondaire (qui sans elle se trouverait en parallle sur D1). Un troisime enroulement dit de dmagntisation permet de renvoyer l'nergie magntique, stocke pendant la phase de conduction, vers C1 (via D3). Ce montage prsente divers avantages : les courants dans le pont de diodes et le transistor sont videmment plus faibles d'o une dperdition d'nergie rduite. Cependant il ncessite un enroulement de dmagntisation, quelques diodes supplmentaires, un transistor devant supporter une tension inverse de 680V lorsqu'il est bloqu (340 aux bornes de C1 et autant ramens au primaire par le secondaire) en outre il faut un transformateur fonctionnant 70kHz. Le rendement atteint 83% On peut imaginer d'autres solutions utilisant deux transistors monts en push-pull ou demi-pont facilitant le filtrage (la frquence est alors double) et simplifiant le transformateur. En contre partie un tel dispositif implique une parfaite symtrie et une commande spare des deux transistors.

Le fonctionnement est le suivant : rapport de transformation

avec = ton/T rapport cyclique et n = ns/np son courant est la somme de trois composantes.

quand le transistor est conducteur


o

le courant de magntisation qui en fin de conduction vaut i m= Vi ton/Lt o Lt est l'inductance de magntisation du transformateur o le courant secondaire ramen au primaire somme du courant dans la charge Io (connu) et du courant ondulatoire dans l'inductance dIL (qu'on va valuer) Aux bornes de l'inductance

en fin de priode de conduction dans l'inductance on a ILmax = I0 + dIL/2 soit au primaire ILmax/n et donc ICmax = im+ILmax/n

quand le transistor est bloqu Le courant magntisant im est vacu via D3 et les deux enroulements doivent tre identiques sous peine de voir le noyau magntique se saturer au bout de quelques priodes. Il faut alors faire =0.5, si les enroulements sont diffrents on aura diffrent de 0.5.

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En toute rigueur il faut Viton = Vm(T-ton) o Vm est la tension au primaire pendant le blocage du transistor Vm est diffrent de Vi si le nombre de spires des deux enroulements sont diffrents, et = Vm/(Vi+Vm). Mais attention si par exemple V m=2Vi la tension aux bornes du transistor bloqu devient Vm+Vi=3Vi soit 1020V !

La figure ci-dessus montre, sur la courbe du haut, l'volution du courant lequel est en moyenne gal I0. Pendant la phase de conduction du transistor il est gal I 0+ID1 et pendant la phase de blocage il est I0-ID2. Les formes des variations ID1 et ID2 dans l'inductance (agrandies) sont donnes sur les diagrammes suivants. 8.4- modulation d'impulsion : La figure ci-dessous montre le principe du modulateur d'impulsion.

Un oscillateur gnre un signal sinusodal frquence fixe ( 70kHz ici ) et ce signal constitue l'une des entres d'un comparateur dont l'autre entre est l'cart (amplifi) entre la tension V 2 de sortie souhaite( proportionnelle Vref) et la tension relle V 2 obtenue. Si l'cart est nul la sortie du comparateur est 1 trs exactement la moiti du temps et s'il est diffrent de zro la sortie du comparateur sera 1 plus ou moins longtemps selon l'amplitude de l'cart. Le dispositif logique n'a pour but que de gnrer une impulsion de sortie bien rectangulaire, mais il n'a aucune influence sur sa dure qui est dfinie par le comparateur.

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La figure montre sur un exemple simul comment le niveau de l'cart influe sur la largeur des impulsions.
Copyright 2000-2003 LHERBAUDIERE dernire mise jour 11 fvrier 2003