Regional Distrito Capital

Sistema de Gestión de la Calidad

ADMINISTRACIÓN DEL ENSAMBLE Y MANTENIMIENTO DE

COMPUTADORES Y REDES

Versión 1

Centro Gestión de Mercados, Logística y Tecnologías de la Información

Programa de Teleinformática
Bogotá, 2009

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MÓDULO DE FORMACIÓN
REALIZAR MANTENIMIENTO PREVENTIVO Y PREDICTIVO Página 2 de 8
QUE GARANTICE EL FUNCIONAMIENTO DEL HARDWARE
DE LOS EQUIPOS

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Nombre Cargo Dependencia Firma Fecha

Autores LUIS Aprendiz Centro Gestión de Febrero
FELIPE Mercados, Logística de 2009
DUITAMA y Tecnologías de la
CASTILLO Información
Revisión John Pérez Instructor Centro Gestión de 2009
Mercados, Logística
y Tecnologías de la
Información

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SEMICONDUCTORES

Los semiconductores. Su característica principal es la de conducir la corriente sólo bajo

determinadas circunstancias, y evitar el paso de ella en otras. Es, precisamente, en este tipo de
materiales en los que la electrónica de estado sólida está basada. La estructura atómica de
dichos materiales presenta una característica común: está formada por átomos tetravalentes
(es decir, con cuatro electrones en su última órbita), por lo que les es fácil ganar cuatro o
perder cuatro.

Un semiconductor es un componente que no es directamente un conductor de corriente, pero

tampoco es un aislante. En los semiconductores se producen corrientes producidas por el
movimiento de electrones como de las cargas positivas (huecos). Los semiconductores son
aquellos elementos pertenecientes al grupo IV de la Tabla Periódica (Silicio, Germanio, etc.
Generalmente a estos se le introducen átomos de otros elementos, denominados impurezas, de
forma que la corriente se deba primordialmente a los electrones o a los huecos, dependiendo
de la impureza introducida. Otra característica que los diferencia se refiere a su resistividad,
estando ésta comprendida entre la de los metales y la de los aislantes.
El elemento semiconductor más usado es el silicio, aunque idéntico comportamiento
presentan las combinaciones de elementos de los grupos II y III con los de los grupos VI y V
respectivamente (AsGa, PIn, AsGaAl, TeCd, SeCd y SCd). De un tiempo a esta parte se ha
comenzado a emplear también el azufre.

Los semiconductores, en los que el salto de energía es pequeño, del orden de 1 eV, por lo que
suministrando energía pueden conducir la electricidad; pero además, su conductividad puede
regularse, puesto que bastará disminuir la energía aportada para que sea menor el número de
electrones que salte a la banda de conducción; cosa que no puede hacerse con los metales,
cuya conductividad es constante, o más propiamente, poco variable con la temperatura.

Semiconductores intrínsecos
Un cristal de silicio forma una estructura tetraédrica similar a la del carbono mediante enlaces
covalentes entre sus átomos, en la figura representados en el plano por simplicidad. Cuando el
cristal se encuentra a temperatura ambiente, algunos electrones pueden, absorbiendo la
energía necesaria, saltar a la banda de conducción, dejando el correspondiente hueco en la
banda de valencia (1). Las energías requeridas, a temperatura ambiente son de 1,12 y 0,67 eV
para el silicio y el germanio respectivamente.
Obviamente el proceso inverso también se produce, de modo que los electrones pueden caer
desde el estado energético correspondiente a la banda de conducción, a un hueco en la banda
de valencia liberando energía. A este fenómeno, se le denomina recombinación. Sucede que, a
una determinada temperatura, las velocidades de creación de pares e-h, y de recombinación se
igualan, de modo que la concentración global de electrones y huecos permanece invariable.
Siendo "n" la concentración de electrones (cargas negativas) y "p" la concentración de huecos
(cargas positivas), se cumple que:

ni = n = p

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Siendo ni la concentración intrínseca del semiconductor, función exclusiva de la temperatura.

Si se somete el cristal a una diferencia de tensión, se producen dos corrientes eléctricas. Por
un lado la debida al movimiento de los electrones libres de la banda de conducción, y por
otro, la debida al desplazamiento de los electrones en la banda de valencia, que tenderán a
saltar a los huecos próximos (2), originando una corriente de huecos en la dirección contraria
al campo eléctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a la de la banda de conducción.

Semiconductores extrínsecos
Si a un semiconductor intrínseco, como el anterior, se le añade un pequeño porcentaje de
impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se denomina
extrínseco, y se dice que está dopado. Evidentemente, las impurezas deberán formar parte de
la estructura cristalina sustituyendo al correspondiente átomo de silicio.

Semiconductor tipo N
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado añadiendo un
cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga
libres (en este caso negativas o electrones).
Cuando el material dopante es añadido, éste aporta sus electrones más débilmente vinculados
a los átomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es también conocido como
material donante ya que da algunos de sus electrones.
El propósito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el
material. Para ayudar a entender cómo se produce el dopaje tipo n considérese el caso del
silicio (Si). Los átomos del silicio tienen una valencia atómica de cuatro, por lo que se forma
un enlace covalente con cada uno de los átomos de silicio adyacentes. Si un átomo con cinco
electrones de valencia, tales como los del grupo VA de la tabla periódica (ej. fósforo (P),
arsénico (As) o antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar de un átomo de
silicio, entonces ese átomo tendrá cuatro enlaces covalentes y un electrón no enlazado. Este
electrón extra da como resultado la formación de "electrones libres", el número de electrones
en el material supera ampliamente el número de huecos, en ese caso los electrones son los
portadores mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. A causa de que los
átomos con cinco electrones de valencia tienen un electrón extra que "dar", son llamados
átomos donadores. Nótese que cada electrón libre en el semiconductor nunca está lejos de un
ion dopante positivo inmóvil, y el material dopado tipo N generalmente tiene una carga
eléctrica neta final de cero.

Semiconductor tipo P
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, añadiendo un
cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga
libres (en este caso positivos o huecos).
Cuando el material dopante es añadido, éste libera los electrones más débilmente vinculados
de los átomos del semiconductor. Este agente dopante es también conocido como material
aceptor y los átomos del semiconductor que han perdido un electrón son conocidos como
huecos.
El propósito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio, un
átomo trivalente (típicamente del grupo IIIA de la tabla periódica) de los átomos vecinos se le
une completando así sus cuatro enlaces. Así los dopantes crean los "huecos". Cada hueco está
asociado con un ion cercano cargado negativamente, por lo que el semiconductor se mantiene

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eléctricamente neutro en general. No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado por la red,
un protón del átomo situado en la posición del hueco se ve "expuesto" y en breve se ve
equilibrado por un electrón. Por esta razón un hueco se comporta como una cierta carga
positiva. Cuando un número suficiente de aceptores son añadidos, los huecos superan
ampliamente la excitación térmica de los electrones. Así, los huecos son los portadores
mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores minoritarios en los materiales
tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb), que contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo
de un semiconductor tipo P que se produce de manera natural.

BOBINA O INDUCTOR

A diferencia del condensador o capacitor, que almacena energía en forma de campo eléctrico,
la bobina o inductor por su forma (espiras de alambre enrollados) almacena energía en forma
de campo magnético.

La bobina o inductor es un elemento que reacciona contra los cambios en la corriente a través
de él, generando un voltaje que se opone al voltaje aplicado y es proporcional al cambio de la
corriente.
Inductancia, unidades

Son componentes pasivos de dos terminales que generan un flujo magnético cuando se hacen
circular por ellas una corriente eléctrica.
Se fabrican arrollando un hilo conductor sobre un núcleo de material ferromagnético o al aire.

Su unidad de medida es el Henrio (H) en el Sistema Internacional pero se suelen emplear los
submúltiplos mH y mH.

Sus símbolos normalizados son los siguientes:

1. Bobina 2. Inductancia 3. Bobina con tomas fijas

4. Bobina con núcleo 5. Bobina con núcleo de

6. Bobina blindada
ferromagnético ferroxcube

7. Bobina electroimán 8. Bobina ajustable 9. Bobina variable

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Existen bobinas de diversos tipos según su núcleo y según tipo de arrollamiento.

Su aplicación principal es como filtro en un circuito electrónico, denominándose
comúnmente, choques.

Características

1. Permeabilidad magnética (m).- Es una característica que tiene gran influencia sobre el
núcleo de las bobinas respecto del valor de la inductancia de las mismas. Los materiales
ferromagnéticos son muy sensibles a los campos magnéticos y producen unos valores altos
de inductancia, sin embargo otros materiales presentan menos sensibilidad a los campos
magnéticos. El factor que determina la mayor o menor sensibilidad a esos campos
magnéticos se llama permeabilidad magnética. Cuando este factor es grande el valor de la
inductancia también lo es.

2. Factor de calidad (Q).- Relaciona la inductancia con el valor óhmico del hilo de la bobina.
La bobina será buena si la inductancia es mayor que el valor óhmico debido al hilo de la
misma.

Tipos de bobinas

1. Fijas

• Con núcleo de aire.- El conductor se arrolla sobre un soporte hueco y posteriormente

se retira este quedando con un aspecto parecido al de un muelle. Se utiliza en
frecuencias elevadas.
Una variante de la bobina anterior se denomina solenoide y difiere en el aislamiento
de las espiras y la presencia de un soporte que no necesariamente tiene que ser
cilíndrico. Se utiliza cuando se precisan muchas espiras. Estas bobinas pueden tener
tomas intermedias, en este caso se pueden considerar como 2 o más bobinas arrolladas
sobre un mismo soporte y conectadas en serie. Igualmente se utilizan para frecuencias
elevadas.

• Con núcleo sólido.- Poseen valores de inductancia más altos que los anteriores debido
a su nivel elevado de permeabilidad magnética. El núcleo suele ser de un material
ferromagnético. Los más usados son la ferrita y el ferroxcube. Cuando se manejan
potencias considerables y las frecuencias que se desean eliminar son bajas se utilizan
núcleos parecidos a los de los transformadores (en fuentes de alimentación sobre
todo). Así nos encontraremos con las configuraciones propias de estos últimos.

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Bobina de ferrita de nido de Bobinas de ferrita Bobinas con núcleo

Bobina de ferrita
abeja para SMD toroidal

Las bobinas de nido de abeja se utilizan en los circuitos sintonizadores de aparatos de radio en
las gamas de onda media y larga. Gracias a la forma del bobinado se consiguen altos valores
inductivos en un volumen mínimo.
Las bobinas de núcleo toroidal se caracterizan por que el flujo generado no se dispersa hacia
el exterior ya que por su forma se crea un flujo magnético cerrado, dotándolas de un gran
rendimiento y precisión.
Las bobinas de ferrita arrolladas sobre núcleo de ferrita, normalmente cilíndricos, con
aplicaciones en radio es muy interesante desde el punto de vista práctico ya que, permite
emplear el conjunto como antena colocándola directamente en el receptor.

Las bobinas grabadas sobre el cobre, en un circuito impreso tienen la ventaja de su mínimo
coste pero son difícilmente ajustables mediante núcleo.

2. Variables

También se fabrican bobinas ajustables. Normalmente la variación de inductancia se produce

por desplazamiento del núcleo.

Las bobinas blindadas pueden ser variables o fijas, consisten encerrar la bobina dentro de una
cubierta metálica cilíndrica o cuadrada, cuya misión es limitar el flujo electromagnético
creado por la propia bobina y que puede afectar negativamente a los componentes cercanos a
la misma.

Identificación de las bobinas

Las bobinas se pueden identificar mediante un código de colores similar al de las resistencias
o mediante serigrafía directa.

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Las bobinas que se pueden identificar mediante código de colores presentan un aspecto
semejante a las resistencias.

Color 1ª Cifra y 2ª Cifra Multiplicador Tolerancia

Negro 0 1 -
Marrón 1 10 -
Rojo 2 100 -
Naranja 3 1000 ±3%
Amarillo 4 - -
Verde 5 - -
Azul 6 - -
Violeta 7 - -
Gris 8 - -
Blanco 9 - -
Oro - 0,1 ±5%
Plata - 0,01 ±10%
Ninguno - - ±20%

El valor nominal de las bobinas viene marcado en microhenrios (mH).