Universidad Politcnica Salesiana.

Informe Practica 8 de Electrnica Analgica:

TRANSISTOR BJT EN CONMUTACIN
Tania Torres Ttorresj1@est.ups.edu.ec Universidad Politcnica Salesiana

Resumen En nuestro informe podemos calcular simular y

medir los diferentes circuitos que se nos han puesto para disear, tambin podemos aprender el funcionamiento de los diferentes circuitos con fuentes de tensin y fuentes que varen su voltaje para esto utilizamos un potencimetro va desde el valor mnimo hasta el valor mximo que puede alcanzar. Podemos tambin conocer el funcionamiento y las caractersticas de los transistores PNP y NPN. Abstrac. - In our report we calculate simulate and measure the different circuits that have put us to design, we can also learn the operation of the various circuits with voltage sources and varying the voltage sources for this we use a potentiometer ranges from the minimum to the maximum value that can be achieved. We also know the operation and characteristics of PNP and NPN transistors.

II.

MARCO TEORICO
TRANSISTORES BJT

El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales. La denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja. Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se usan generalmente en electrnica analgica aunque tambin en algunas aplicaciones de electrnica digital, como la tecnologa TTL o BICMOS. Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:

ndice de TrminosTransistor, BJT, CC, CB, CE, VBE,

VCE, VBC.

I.OBJETIVOS
1. Disear, calcular y comprobar el funcionamiento de los siguientes circuitos de utilizando el transistor BJT en conmutacin: a. Controlar la inversin de giro de un motor DC usando sensores de luz (LDRs por ejemplo). Los sensores debern estar conectados uno a cada costado del motor. El motor debe girar en sentido horario si el sensor de la derecha registra mayor cantidad de luz, y en sentido antihorario si el sensor de la izquierda lo hace. Usar tan solo transistores para lograr lo comentado b. Encender una lmpara de 110VAC si la luz del ambiente es mnima usando un circuito transistorizado c. Realizar un circuito que accione un motor (el de un ventilador por ejemplo) en caso de que la temperatura supere un determinado nivel. (Usar NTC o PTC)

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga. Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector. Colector, de extensin mucho mayor.

La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial. En su funcionamiento normal, la unin base-emisor est polarizada en directa, mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca recombinacin de portadores, y la mayora pasa al colector. El transistor posee tres estados de operacin: estado de corte, estado de saturacin y estado de actividad. Est compuesto por tres zonas, que forman entre s dos uniones PN que nos determinarn la manera de polarizar el transistor, cada una de estas zonas, se corresponde a una patilla fsica del mismo llamadas Colector, Base y Emisor.

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Zona de saturacin: En esta zona, nuestro transistor se comportar prcticamente como un circuito cerrado donde la Ic (corriente de colector) ser BETA veces ms grande que la Ib (corriente de base) ya que Ic = x Ib Zona de corte: En est zona, nuestro transistor se comportar como un circuito abierto impidiendo el paso de corriente por el emisor, esto se produce cuando Ib = 0. Zona activa: Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin de corte entonces est en una regin intermedia, la regin activa. En esta regin la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de (ganancia de corriente) y de las resistencias que hayan conectadas en el colector y emisor. Esta regin es la mas importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador.

Dependiendo de la distribucin de las uniones PN, tenemos dos tipos de transistores:

NPN PNP La unin Base Emisor de un transistor, se comporta prcticamente como un diodo semiconductor, lo que nos puede dar una pista sobre la manera de polarizarlo, pero para que quede ms claro veamos lo siguiente:

Para utilizar el transistor como un conmutador que nos permita trabajar con corrientes superiores a las que nos proporciona Arduino, lo que haremos ser llevarlo de la zona de corte a la zona de saturacin a travs de las instrucciones digitalWrite(salida, LOW) o digitalWrite(salida, HIGH). Veamos un breve ejemplo de como adaptar nuestro arduino a un rel a travs de un transistor:

Polarizacin NPN: Es necesario una seal Positiva en su base y la seal sale por el emisor del transistor. Polarizacin PNP: Es necesario una seal Negativa en su base y la seal entra por el emisor al transistor.

Como hemos dicho antes, un transistor est formado por tres patillas llamadas Colector, Base y Emisor, entonces, si nosotros aplicamos cierta corriente, por lo general muy baja, a la Base, nos va a regular el paso de corriente a travs del emisor, la relacin entre la corriente que le aplicamos a la base, y la corriente que deja pasar (I colector) depende de un factor al que denominamos amplificacin, descrito como BETA en los datos tcnicos de cada transistor. En un transistor, vamos a distinguir tres zonas de trabajo:

Para saturar al transistor, debemos aplicarle una corriente determinada a la Base, y esta se calcula en funcin de la corriente mxima que queramos que circule por Colector Emisor y la Beta, (Tambin llamada Ganancia o HFe) mnima de nuestro Transistor, todo esto lo encontraremos en el Datasheet, de manera que nos queda la siguiente ecuacin:

En nuestro caso, la corriente que necesitamos en Colector Emisor, es de 65mA, para asegurarnos de que le llegue suficiente corriente para que conmute, lo llevaremos a 100mA, con lo que cualquier transistor NPN que soporte una corriente de 100mA entre Colector y Emisor y posea una Vceo (tensin colector emisor) suficiente para alimentar nuestro rel de 5v, nos servira (como el BC107), nosotros hemos utilizado un BD139 que nos puede entregar hasta 1,5A y 80Vceo con una ganancia mnima de 40, por

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lo que nos quedara Ibase = 100 / 40 = 2,5mA que es mucho menos de los 65 que nos pide el rel!!

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con el emisor hacen que los valores de y en modo inverso sean mucho ms pequeos que los que se podran obtener en modo activo; muchas veces el valor de en modo inverso es menor a 0.5. La falta de simetra es principalmente debido a las tasas de dopaje entre el emisor y el colector. El emisor est altamente dopado, mientras que el colector est ligeramente dopado, permitiendo que pueda ser aplicada una gran tensin de reversa en la unin colector-base antes de que esta colapse. La unin colector-base est polarizada en inversa durante la operacin normal. La razn por la cual el emisor est altamente dopado es para aumentar la eficiencia de inyeccin de portadores del emisor: la tasa de portadores inyectados por el emisor en relacin con aquellos inyectados por la base. Para una gran ganancia de corriente, la mayora de los portadores inyectados en la unin base-emisor deben provenir del emisor. El bajo desempeo de los transistores bipolares laterales muchas veces utilizados en procesos CMOS es debido a que son diseados simtricamente, lo que significa que no hay diferencia alguna entre la operacin en modo activo y modo inverso. Pequeos cambios en la tensin aplicada entre los terminales baseemisor genera que la corriente que circula entre el emisor y el colector cambie significativamente. Este efecto puede ser utilizado para amplificar la tensin o corriente de entrada. Los BJT pueden ser pensados como fuentes de corriente controladas por tensin, pero son caracterizados ms simplemente como fuentes de corriente controladas por corriente, o por amplificadores de corriente, debido a la baja impedancia de la base. Los primeros transistores fueron fabricados de germanio, pero la mayora de los BJT modernos estn compuestos de silicio. Actualmente, una pequea parte de stos (los transistores bipolares de heterojuntura) estn hechos de arseniuro de galio, especialmente utilizados en aplicaciones de alta velocidad.

Ahora solo nos quedara calcular la resistencia adecuada para limitar la corriente en la salida de nuestro Arduino de manera que nos queda:

Y esto adaptado a nuestro transistor sera Rbase = (5 0,7)/0,0025 = 1725 como resistencia ideal, el valor ms prximo hacia abajo sera 1K5 (mejor que llegue un poquito ms de corriente a quedarnos cortos y que no conmute), si solo tenis una resistencias de 1K por ejemplo, podis poner una de 1K en serie con dos de 1K en paralelo y tendris el 1K5 deseado. Estructura

A.

Un transistor de unin bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la regin del emisor, la regin de la base y la regin del colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada regin del semiconductor est conectada a un terminal, denominado emisor (E), base (B) o colector (C), segn corresponda.

B.

Funcionamiento

Corte transversal simplificado de un transistor de unin bipolar NPN. Donde se puede apreciar como la unin base-colector es mucho ms amplia que la base-emisor. La base est fsicamente localizada entre el emisor y el colector y est compuesta de material semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad. El colector rodea la regin del emisor, haciendo casi imposible para los electrones inyectados en la regin de la base escapar de ser colectados, lo que hace que el valor resultante de se acerque mucho hacia la unidad, y por eso, otorgarle al transistor un gran . El transistor de unin bipolar, a diferencia de otros transistores, no es usualmente un dispositivo simtrico. Esto significa que intercambiando el colector y el emisor hacen que el transistor deje de funcionar en modo activo y comience a funcionar en modo inverso. Debido a que la estructura interna del transistor est usualmente optimizada para funcionar en modo activo, intercambiar el colector

Caracterstica idealizada de un transistor bipolar. En una configuracin normal, la unin emisor-base se polariza en directa y la unin base-colector en inversa. Debido a la agitacin trmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez, prcticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo elctrico que existe entre la base y el colector. Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin del nodo compartida. En una operacin tpica, la unin baseemisor est polarizada en directa y la unin base-colector est polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando una tensin positiva es aplicada en la unin base-emisor, el equilibrio entre los portadores generados trmicamente y el campo elctrico repelente de la regin agotada se desbalancea, permitiendo a los electrones excitados trmicamente inyectarse en la regin de la base.

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Estos electrones "vagan" a travs de la base, desde la regin de alta concentracin cercana al emisor hasta la regin de baja concentracin cercana al colector. Estos electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la base est dopada con material P, los cuales generan "huecos" como portadores mayoritarios en la base. La regin de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los portadores puedan difundirse a travs de esta en mucho menos tiempo que la vida til del portador minoritario del semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores que se recombinan antes de alcanzar la unin base-colector. El espesor de la base debe ser menor al ancho de difusin de los electrones.

4 C. 1)
Tipos de Transistor de Unin Bipolar NPN

1)

Control de tensin, carga y corriente

El smbolo de un transistor NPN. NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayora de los transistores bipolares usados hoy en da son NPN, debido a que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operacin. Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de material dopado N. Una pequea corriente ingresando a la base en configuracin emisor-comn es amplificada en la salida del colector. La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y apunta en la direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo..

La corriente colector-emisor puede ser vista como controlada por la corriente base-emisor (control de corriente), o por la tensin baseemisor (control de voltaje). Esto es debido a la relacin tensincorriente de la unin base-emisor, la cual es la curva tensincorriente exponencial usual de una unin PN (es decir, un diodo). En el diseo de circuitos analgicos, el control de corriente es utilizado debido a que es aproximadamente lineal. Esto significa que la corriente de colector es aproximadamente veces la corriente de la base. Algunos circuitos pueden ser diseados asumiendo que la tensin base-emisor es aproximadamente constante, y que la corriente de colector es veces la corriente de la base. No obstante, para disear circuitos utilizando BJT con precisin y confiabilidad, se requiere el uso de modelos matemticos del transistor como el modelo Ebers-Moll.

2)

El Alfa y Beta del transistor

2)

PNP

Una forma de medir la eficiencia del BJT es a travs de la proporcin de electrones capaces de cruzar la base y alcanzar el colector. El alto dopaje de la regin del emisor y el bajo dopaje de la regin de la base pueden causar que muchos ms electrones sean inyectados desde el emisor hacia la base que huecos desde la base hacia el emisor. La ganancia de corriente emisor comn est representada por o por hfe. Esto es aproximadamente la tasa de corriente continua de colector a la corriente continua de la base en la regin activa directa y es tpicamente mayor a 100. Otro parmetro importante es la ganancia de corriente base comn, . La ganancia de corriente base comn es aproximadamente la ganancia de corriente desde emisor a colector en la regin activa directa. Esta tasa usualmente tiene un valor cercano a la unidad; que oscila entre 0.98 y 0.998. El Alfa y Beta estn ms precisamente determinados por las siguientes relaciones (para un transistor NPN):

El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refirindose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en da son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeo en la mayora de las circunstancias.

El smbolo de un transistor PNP. Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comnmente operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentacin a travs de una carga elctrica externa. Una pequea corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector. La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en la direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo.

D.

Regiones operativas del transistor [editar]

Los transistores de unin bipolar tienen diferentes regiones operativas, definidas principalmente por la forma en que son polarizados:

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Regin activa:

corriente del emisor = ( + 1)Ib ; corriente del colector= Ib Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin de corte entonces est en una regin intermedia, la regin activa. En esta regin la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de (ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de las resistencias que se encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta regin es la ms importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador de seal.

Modelo Ebers-Moll para transistores NPN

Regin inversa: Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las regiones del colector y emisor intercambian roles. Debido a que la mayora de los BJT son diseados para maximizar la ganancia de corriente en modo activo, el parmetro beta en modo inverso es drsticamente menor al presente en modo activo. Modelo Ebers-Moll para transistores PNP

Regin de corte: Un transistor est en corte cuando: La corriente interna de base es principalmente por difusin y

corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0) En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentacin del circuito. (como no hay corriente circulando, no hay cada de voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0) De forma simplificada, se puede decir que el la unin CE se comporta como un circuito abierto, ya que la corriente que lo atraviesa es cero.

Dnde:

es la corriente de emisor. es la corriente de colector. es la ganancia de corriente directa en configuracin base comn. (de 0.98 a 0.998) es la corriente de saturacin inversa del diodo baseemisor (en el orden de 1015 a 1012 amperios) es el voltaje trmico (aproximadamente 26 mV a temperatura ambiente 300 K). es la tensin base emisor. W es el ancho de la base.

Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando:

corriente de colector corriente de emisor = corriente maxima, (I c Ie = Imax) En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin del circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver Ley de Ohm. Se presenta cuando la diferencia de potencial entre el colector y el emisor desciende por debajo del valor umbral VCE,sat. Cuando el transistor esta en saturacin, la relacin lineal de amplificacin Ic=Ib (y por ende, la relacin Ie=(+1)Ib ) no se cumple. De forma simplificada, se puede decir que la unin CE se comporta como un cable, ya que la diferencia de potencial entre C y E es muy prxima a cero. Como se puede ver, la regin activa es til para la electrnica analgica (especialmente til para amplificacin de seal) y las regiones de corte y saturacin, para la electrnica digital, representando el estado lgico alto y bajo, respectivamente.

E. 1)

Teora y Modelos Matemticos Anlisis en continua

a) El modelo Ebers-Moll Las corrientes continuas en el emisor y el colector en operacin normal son determinadas por:

La corriente de colector es ligeramente menor a la corriente de emisor, debido a que el valor de T es muy cercano a 1,0. En el transistor de unin bipolar una pequea variacin de la corriente base-emisor genera un gran cambio en la corriente colector-emisor. La relacin entre la corriente colector-emisor con la base-emisor es llamada ganancia, o hFE. Un valor de de 100 es tpico para pequeos transistores bipolares. En una configuracin tpica, una seal de corriente muy dbil circula a travs de la unin base-emisor para controlar la corriente entre emisor-colector. est relacionada con a travs de las siguientes relaciones:

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Modelo de parmetro h generalizado para un BJT NPN. Reemplazar x con e, b o c para las topologas EC, BC y CC respectivamente.

Eficiencia del emisor: Otras ecuaciones son usadas para describir las tres corrientes en cualquier regin del transistor estn expresadas ms abajo. Estas ecuaciones estn basadas en el modelo de transporte de un transistor de unin bipolar.

Otro modelo comnmente usado para analizar los circuitos BJT es el modelo de parmetro h. Este modelo es un circuito equivalente a un transistor de unin bipolar y permite un fcil anlisis del comportamiento del circuito, y puede ser usado para desarrollar modelos ms exactos. Como se muestra, el trmino "x" en el modelo representa el terminal del BJT dependiendo de la topologa usada. Para el modo emisor-comn los varios smbolos de la imagen toman los valores especficos de:

x = 'e' debido a que es una configuracin emisor comn. Terminal 1 = Base Terminal 2 = Colector Terminal 3 = Emisor iin = Corriente de Base (ib) io = Corriente de Colector (ic) Vin = Tensin Base-Emisor (VBE) Vo = Tensin Colector-Emisor (VCE)

Dnde:

es la corriente de colector.

Y los parmetros h estn dados por: es la corriente de base. es la corriente de emisor.

hix = hie - La impedancia de entrada del transistor (correspondiente a la resistencia del emisor re). hrx = hre - Representa la dependencia de la curva IBVBE del transistor en el valor de VCE. Es usualmente un valor muy pequeo y es generalmente despreciado (se considera cero). hfx = hfe - La ganancia de corriente del transistor. Este parmetro es generalmente referido como hFE o como la ganancia de corriente continua (DC) in en las hojas de datos. hox = hoe - La impedancia de salida del transistor. Este trmino es usualmente especificado como una admitancia, debiendo ser invertido para convertirlo a impedancia.

es la ganancia activa en emisor comn (de 20 a 500) es la ganancia inversa en emisor comn (de 0 a 20) es la corriente de saturacin inversa (en el orden de 1015 a 1012 amperios) es el voltaje trmico (aproximadamente 26 mV a temperatura ambiente 300 K). es la tensin base-emisor. es la tensin base-colector. Modelo en pequea seal [editar]

2)

a) Parmetros h

Como se ve, los parmetros h tienen subndices en minscula y por ende representan que las condiciones de anlisis del circuito son con corrientes alternas. Para condiciones de corriente continua estos subndices son expresados en maysculas. Para la topologa emisor comn, un aproximado del modelo de parmetro h es comnmente utilizado ya que simplifica el anlisis del circuito. Por esto los parmetros hoe y hre son ignorados (son tomados como infinito y cero, respectivamente). Tambin debe notarse que el modelo de parmetro h es slo aplicable al anlisis de seales dbiles de bajas frecuencias. Para anlisis de seales de altas frecuencias este modelo no es utilizado debido a que ignora las capacitancias entre electrodos que entran en juego a altas frecuencias.

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7 III. CONCLUSIONES

DESARROLLO
Para realizar la practica primeramente se debe de tener una idea clara de lo que son los transistores, tambin se debe de tener conocimientos sobre sus valores y de su correcta conexin para que en la practica no tengamos inconvenientes. I. II. DESARROLLO

We measure the strength calculations to be good and also to measure correctly as we exit the simulations. Para tener los clculos debemos imponernos algunos valores. En el circuito de divisin de tensin los voltajes no salen exactamente como en la simulacin y en lo calculado.

Controlar la inversin de giro de un motor DC usando sensores de luz (LDRs por ejemplo). Los sensores debern estar conectados uno a cada costado del motor. El motor debe girar en sentido horario si el sensor de la derecha registra mayor cantidad de luz, y en sentido antihorario si el sensor de la izquierda lo hace. Usar tan solo transistores para lograr lo comentado

REFERENCIAS

[1] http://www.arduteka.com/2012/01/componentes-eltransistor/ [2] http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_uni %C3%B3n_bipolar

=13,75k=15k

Con luz =4,1k Sin luz =275k Con luz =0,8k sin luz =120k

Calculo de los circuitos con LDR

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