Todos los circuitos digitales utilizan datos binarios para funcionar correctamente, los circuitos estn diseados para

contar, sumar, separar, etc. los datos segn nuestras necesidades, pero por el tipo de funcionamiento de las compuertas digitales, los datos presentes en las salidas de las mismas, cambian de acuerdo con sus entradas.

CELDA DE MEMORIA. Circuito electrnico que se utiliza para almacenar un solo bit (0 o 1). PALABRA DE MEMORIA. Grupo de bits o celdas en una memoria que representa datos de algn tipo. Varia de 4 a 64 bits. BYTE. Termino usado para una palabra de 8 bits. NIBBLES. Es dividir un byte en 2 unidades de 4 bits CAPACIDAD. Especifica cuantos bits puede almacenar un dispositivo de memoria. Ejemplo. 4096X20. Significa. El 4096 es el numero de palabras. Y el 20 es el nmero de bits por palabras. El numero de palabras es un mltiplo de 1024 es decir 1K = 210

DIRECCIN. Nmero que identifica la localidad de una palabra en la memoria. LECTURA. Operacin por medio de la cual la palabra almacenada es captada y despus transferida a otro dispositivo. ESCRITURA. Operacin por medio de la cual se coloca una nueva palabra en cierta localidad de memoria.

TIEMPO DE ACCESO. Es la cantidad de tiempo que se requiere para realizar una operacin de lectura. MEMORIA VOLTIL. Cualquier tipo de memoria que requiere la aplicacin de energa elctrica a fin de almacenar la informacin. Al retirar la energa se pierde la informacin(RAM). MEMORIA NO VOLTIL. La informacin existe aun desconectada la fuente (ROM) ACCESO SECUENCIAL. La informacin almacenada es hallada por sucesin a travs de todas las direcciones hasta que llegue a la deseada, Ejemplo una cinta de audio. ACCESO ALEATORIO. El tiempo es el mismo para cualquier direccin de memoria, ejemplo un cd.

A0...An (Bus de direcciones): Estos pines son las entradas para seleccionar la posicin de memoria a escribir o leer y su cantidad define la capacidad de palabras que puede almacenar, dada por la expresin 2, donde n es el nmero de pines. D0...Dn (Bus de Datos): Corresponde a los pines de entrada y salida de datos. En el mercado se consiguen generalmente buses de 1, 4, 8 y 16 bits y lo ms usual es encontrar chips tengan 8 entradas de datos. CS (Chip Select): Este pin se utiliza para seleccionar el chip de memoria que se desea acceder. Esto en el caso del usar dos o ms memorias similares. OE (Output Enable): Utilizado para habilitar la salida de datos. Cuando se encuentra en estado activo las salidas tiene alta impedancia o actan como entradas. RW (Read/Write): Entrada utilizada en las memorias RAM para seleccionar la operacin de lectura o escritura. VCC y GND (Alimentacin): Corresponden a los pines de alimentacin del circuito integrado. Algunas tienen disponible tres pines para este propsito, pero por lo general son dos y el valor de la tensin de alimentacin depende de la tecnologa de fabricacin del circuito.

MEMORIAS DE ACCESO SECUENCIAL. (SAM). El tiempo de acceso no es constante.

FIFO. Es un registro serie-serie, donde el primer dato en entrar es el primero en salir.

FIFO ASNCRONAS. Dependen de las entradas en lectura y escritura.

FIFO SNCRONAS. Los accesos de lectura y escritura dependen de las seales de reloj.

APLICACIONES MEMORIAS FIFO. Comunicacin bidireccional entre dos microprocesadores. Generador de funciones. Transferencia de datos. Imagen de video.

 LIFO. El ltimo dato en entrar es el primero en salir. Debido a si cambiamos de lectura a escritura tambin cambia el sentido de desplazamiento del registro.

MEMORIAS DE ACCESO ALETORIO. (RAM). El tiempo de acceso es constante. Proporciona almacenamiento a corto plazo.

ARQUITECTURA DE LA RAM. Para leer una localidad se aplica un cdigo de direccin binario. A las entradas de direccin (A5.A0). As el dato 011010 selecciona el registro 26 para una operacin de lectura o escritura. Operacin de Lectura, la entrada R/W debe ser 1, y la entrada de seleccin CS debe ser cero. Con ello se habilitan los buffers de salida. Operacin de escritura se requiere que R/W = 0 y CS = 0. Esto habilita los buffers de entrada, de tal manera que los datos de entrada se cargaran en el registro seleccionado. Terminales comunes de entrada y salida. Durante la operacin de lectura los terminales actan como salida de datos. Y para la operacin de escritura los terminales actan como entrada de datos.

MEMORIAS RAM ESTTICA. (SRAM). Memoria RAM muy veloz y relativamente cara, construida con transistores, que no necesitan de proceso de refresco de datos. Anteriormente haba mdulos de memoria independientes, pero actualmente solo se encuentra integrada dentro de microprocesadores y discos duros para hacerlos mas eficientes.

MEMORIAS RAM DINMICAS. (DRAM). Es el tipo de memoria mas comn y econmica, construida con capacitores por lo que necesitan constantemente refrescar el dato que tengan almacenado es decir recargar las celdas de memoria, haciendo el proceso hasta cierto punto lento. El refresco se debe producir cada 8ms. Y tienen mayor capacidad que las SRAM. Multiplicacin de direcciones. Sirve para reducir el nmero de lneas de direccin. Ya que posee un arreglo de celdas de 128X128.

MEMORIAS DE SOLO LECTURA. (ROM). Estn diseadas para retener datos que son permanentes o que no cambian con frecuencia. Los datos que se almacenen tienen que grabarse durante el proceso de fabricacin, otras ROM pueden grabarse elctricamente. Al proceso de grabar elctricamente se lo conoce como programacin.

Qu registro ser habilitado por la direccin de entrada 1101 A3A2 = 11 Activa la lnea de seleccin de la columna 3. A1A0= 01 Activa la lnea de seleccin de regln 1 El registro habilitado es el 13. Qu direccin habilita el registro 7. Se debe seleccionar el regln 3 y columna 1. Regln 3 A1A0 = 11 Columna 1 A3A2 = 01 Direccin = 0111

ROM PROGRAMABLES (PROM). Memoria ROM que permite una programacin y posteriormente un nmero indeterminado de lecturas pero no puede ser modificada. El proceso de programacin consiste en fundir las conexin a travs de la aplicacin de un pulso de voltaje entre 10 a 30 Voltios, para producir los datos almacenados en memoria. Se reconoce como 0 cuando se funde la conexin.

ROM PROGRAMABLES y BORRABLES(EPROM). Memoria PROM que permite reprogramacin por medio de un dispositivo especial y borrado por medio de luz ultravioleta, la cual borra todas las celdas al mismo tiempo. Esta compuesta por transistores Mosfet por compuerta flotante, es decir sin conexin elctrica. La memoria tiene dos entradas de control. Una EPROM sin grabar se lee como 0. El CE acta como habilitacin del circuito y tambin para colocarlo en modo de espera.

ROM PROGRAMABLES y BORRABLES ELECTRICAMENTE (EEPROM). Evolucin de las memorias EPROM que permite alterar su contenido por medio de seales elctricas. Es decir realizar el borrado de forma elctrica. entre 100.000 y un milln de veces. Se puede borrar un byte a la vez.

VENTAJAS (EEPROM).
Para borrar la informacin no se requiere luz ultravioleta.

No requieren programador. Las palabras almacenadas se pueden borrar de forma individual. El tiempo de borrado se reduce a 10ms. Para reescribir no se necesita de un borrado previo.

Buffer. Soporta informacin que se encuentra en espera de ser procesada y una vez realizado ese proceso, la borra para esperar nuevos datos, puede ser espacio asignado en una memorias RAM en un disco duro.