La construccin de un Diodo Lser Se ensea la estructura bsica en capas de un lser de diodo simple en la figura 6.24.

Las capas de los materiales semiconductores estn dispuestas de modo que se crea una regin activa en la unin p-n , y en la que aparecen fotones como consecuencia del proceso de recombinacin . Una capa metlica superpuesta a las caras superior e inferior permite aplicar un voltaje externo al lser . Las caras del semiconductor cristalino estn cortadas de forma que se comportan como espejos de la cavidad ptica resonante.

Figura 6.24: Estructura bsica de un lser de diodo

La Figura 6.25 describe la forma en que la radiacin lser electromagntica es emitida para un lser simple de diodo. La radiacin lser tiene forma rectangular y se difunde a diferentes ngulos en dos direcciones.

Figura 6.25: Perfil de la radiacin lser emitida por un diodo lser simple Ms tarde describiremos unas estructuras y diseos especiales que permiten confinar la zonas activa en una regin ms pequea, y controlar as el perfil del haz lser conseguido.

Sumario de los Lseres de Diodo hasta ste punto: Los portadores de carga en un lser de diodo son los electrones libres en la banda de conduccin, y los agujeros positivos en la banda de valencia. En la unin p-n , los electrones "caen" en los agujeros , que corresponden a niveles de energa ms bajos El flujo de corriente a travs de la unin p-n del lser de diodo ocasiona que ambos tipos de portadores (agujeros y electrones ) se recombinen , siendo liberada energa en forma de fotones de luz. La energa de un fotn es aproximadamente igual a la de la brecha de energa. La brecha de energa viene determinada por los materiales que componen el diodo lser y por su estructura cristalina.

Curva I-V de un Diodo Lser Si la condicin requerida para la accin lser de inversin de poblacin no existe , los fotones sern emitidos por emisin espontnea. Los fotones sern emitidos aleatoriamente en todas las direcciones , siendo sta la base de los LED - diodo emisor de luz . La inversin de poblacin slo se consigue con un bombeo externo. Aumentando la intensidad de la corriente aplicada a la unin p-n , se alcanza el umbral de corriente necesario para conseguir la inversin de poblacin . En la figura 6.26 se muestra un ejemplo de la potencia emitida por un diodo lser en funcin de la corriente aplicada. Se aprecia enseguida que la pendiente correspondiente a la accin lser es mucho mayor que la correspondiente a un led.

Figura 6.26: Potencia de emisin de un diodo lser en funcin de la corriente aplicada. El umbral e corriente para el efecto lser viene determinado por la interseccin de la tangente de la curva con el eje X que indica la corriente ( esta es una buena aproximacin ) Cuando el umbral de corriente es bajo , se disipa menos energa en forma de calor , con lo que la eficiencia del lser aumenta. En la prctica , el parmetro importante es la densidad de corriente , medida en A/cm2 , de la seccin transversal de la unin p-n . Dependencia de los parmetros del diodo lser de la temperatura Uno de los problemas bsicos de los diodos lser es el aumento del umbral de corriente con la temperatura . Los operativos a bajas temperaturas requieren bajas corrientes . A medida que la corriente fluye por el diodo , se genera calor . Si la disipacin no es la adecuada , ta temperatura aumenta , con lo que aumenta tambin el umbral de corriente . Adems , los cambios en temperatura afectan a la longitud de onda emitida por el diodo lser . Este cambio se ilustra en la figura 6.27. , y se compone de dos partes : 1. Un aumento gradual de la longitud de onda emitida proporcional al aumento de temperatura , hasta que : 2. Se produce un salto a otro modo longitudinal de emisin

Figura 6.27: cambio de la longitud de onda emitida en funcin de la temperatura Debido a estas variaciones con la temperatura , se necesitan diseos especiales para poder conseguir una emisin continua de alta potencia.

Se requieren monturas especiales para los lseres de diodo , debido a su tamao miniaturizado , para poder ser operativos y cmodos. Existen muchos tipos de monturas , pero quizs el ms estndar es similar a un transistor , e incluye en la montura las pticas necesarias para colimar el haz (ver figura 6.29)
Monturas de los Lser de Diodo

Figura 6.29a: Montura de un lser de diodo comercial

Figura 6.29b: Seccin perpendicular Para poder obtener ms potencia de los lseres de diodo , se han desarrollado matrices de diodos lser , que emiten sincronizadamente , y que estn pticamente acoplados , de modo que se alcanzan las dcimas

de vatio .

Ventajas de los diodos lser

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Son muy eficientes ( ms del 20% de la energa suministrada se consigue en forma de radiacin lser ) Son muy fiables Tienen vidas medias muy largas ( estimadas en ms de 100 aos de operacin continuada ! ). Son muy baratos ( se construyen con tcnicas de produccin en masa utilizadas en la industria electrnica ) Permiten la modulacin directa de la radiacin emitida , simplemente controlando la corriente elctrica a travs de la unin p-n . La radiacin emitida es funcin lineal de la corriente , pudindose modular a dcimas de GHz.

Ejemplo : En un sistema experimental , y utilizando fibras pticas de modo simple , se transmite informacin a 4 [GHz], lo que es equivalente a la emisin simultnea de 50,000 llamadas telefnicas en una fibra (cada llamada ocupa una banda de frecuencia de 64 [KB/s])
Volumen y peso pequeos Umbral de corriente muy bajo Consumo de energa muy bajo

Banda del espectro estrecha , que puede llegar a ser de unos pocos kilo-Herz en diodos lser especiales