INTRODUCCION En el estudio de los transistores, tanto de juntura bipolar (BJT), como los de efecto de campo, (JFET); encontramos que

de acuerdo a su polarizacin obtenemos unas caractersticas particulares, las cuales se pueden aprovechar para el diseo de sistemas tiles, por ejemplo, el amplificador EC tiene una ganancia significativa de corriente y voltaje con moderada impedancia de salida y entrada. Es deseable la alta impedancia de entrada, en tanto que ocasiona algunos problemas la elevada impedancia de salida. Cuanto mas alta la impedancia de salida, menos corriente se extrae del amplificador sin una cada significativa en el voltaje de salida. El amplificador EC se usa muy a menudo para la amplificacin de voltaje. Es capaz de brindar una gran excursin de voltaje de salida. En sistemas multietapa, esta salida se vuelve la entrada de la siguiente etapa del sistema. Un sistema puede constar de varias etapas de amplificacin, la ultima de las cuales es un amplificador de potencia. La carga alimentada por este amplificador de potencia puede ser un altavoz, un actuador, un transmisor, un motor o algn otro dispositivo anlogo. Adems se deben realizar esfuerzos para reducir los efectos en las variaciones de los parmetros, ya que estas variaciones afectan el desempeo del sistema. Con esta sencilla introduccin nos preparamos para realizar un amplificador de potencia de una seal de audio mono aural. OBJETIVOS Reconocer las distintas clases de amplificadores de potencia transistorizados. Disear un amplificador de potencia de 5Watts clase AB, para seales de audio con una RL 8 Ohms. Reconocer las variaciones de los parmetros de los transistores, sus causas y como reducirlos al mximo para impedir un decremento en el desempeo del sistema. Aplicar los conocimientos y destrezas adquiridas durante en curso aplicadas a la hora de implementar, analizar y disear amplificadores que usen transistores de juntura bipolar. Por medio del simulador PSPICE obtener los valores ideales del amplificador diseado.

MARCO TEORICO AMPLIFICADORES MULTIETAPA: Los amplificadores se conectan a menudo en serie, (cascada). La carga en el primer amplificador es la resistencia de entrada del segundo amplificador. Las diversas etapas no necesitan tener la misma ganancia de voltaje y corriente. En la prctica, las primeras etapas son casi siempre amplificadores de voltaje y la ltima o las dos ltimas etapas son amplificadores de corriente. Las etapas amplificadoras de voltaje aseguran que las etapas de corriente tengan las excursiones de entrada apropiadas. La cantidad de ganancia en una etapa esta determinada por la carga en la etapa del amplificador, la cual esta gobernada por la resistencia de entrada para la siguiente etapa. Por tanto para disear o analizar amplificadores multietapa, se empieza en la salida y se procede luego hacia la entrada; la ganancia de voltaje total del sistema es el producto de las ganancias de voltaje de cada etapa, al igual que la corriente, si la resistencia de entrada es Rin, y la resistencia de carga es R l, se debe observar que la formula de la impedancia de ganancia es aplicable a todo el amplificador, por consiguiente:
RL Rin

AVT = AiT

AMPLIFICADORES DE POTENCIA: El propsito del amplificador de potencia es proporcionar una tensin de salida con mxima excursin simtrica sin distorsin a una baja resistencia de carga. En la prctica, un sistema puede consistir en varias etapas de amplificacin, la ultima de las cuales suele ser un amplificador de potencia. La carga alimentada por este amplificador de potencia puede ser un altavoz, un excitador, un solenoide o algn otro dispositivo analgico. La entrada al sistema es una seal que se amplifica a travs de etapas de ganancia de tensin. La salida de las etapas de ganancia de tensin tiene la suficiente amplitud para alimentar el amplificador de potencia de la salida. El amplificador de potencia debe operar en forma eficiente y debe ser capaz de manejar grandes cantidades de potencia ya que deben trabajar con tensiones e intensidades de gran amplitud. (La potencia por lo regular es de unos cuantos watts a cientos de watts). Los factores del amplificador de potencia que mayor inters presentan son: Eficiencia en potencia del circuito (rendimiento). Mxima cantidad de potencia que el circuito es capaz de manejar. Acoplamiento de impedancia en relacin con el dispositivo de salida.

Con respecto al rendimiento debe ser lo mayor posible para que el amplificador entregue una seal de la mxima potencia posible a cambio de la potencia que toma de la fuente de alimentacin en forma de corriente continua.

ESTABILIDAD DE POLARIZACION: Las variaciones en los parmetros, como los debidos a cambios de temperatura, envejecimiento y sustitucin de dispositivos causan que el punto de operacin de un circuito con transistor vare con respecto al valor nominal. Al disear se deben reducir al mximo estas variaciones de parmetros, ya que tales cambios suelen afectar adversamente el desempeo. Por ejemplo, un cambio en la posicin del punto (Q) reduce la mxima excursin de salida simtrica no distorsionada. Tales cambios suelen saturar o cortar el transistor. Los parmetros varan debido a cambios en el voltaje de alimentacin, cambios en la temperatura y tambin como consecuencia de tolerancias en los procesos de fabricacin del transistor. TIPOS DE POLARIZACION: Existen diversas tcnicas de polarizacin, que pueden usarse tanto en los BJT como en los JFET, aunque la motivacin es de alguna forma diferente, por ejemplo, la temperatura no afecta la operacin del FET, en la misma forma en que lo hace en la operacin del BJT. Polarizacin con retroalimentacin de corriente: En esta forma de polarizar la corriente de emisor (colector) a travs de R E genera un voltaje de retroalimentacin negativo. El resistor de la base, RB, se conecta a la alimentacin, VCC, y se deducen las ecuaciones en reposo. La retroalimentacin ocurre cuando un circuito se configura de tal manera que la entrada se afecta debido a la salida. El resistor del emisor en el circuito, brinda esta forma de retroalimentacin, ya que conforme la corriente de colector aumenta, el voltaje a travs de RE tambin aumenta. Este incremento en el voltaje a travs de RE reduce el voltaje Base Emisor y, en consecuencia reduce tambin la corriente de la Base. Esto, a su vez, disminuye la corriente de Colector para reducir el efecto del cambio original, debido a este efecto, de estar peleando contra el aumento en la corriente del colector, se conoce como una Retroalimentacin Negativa de Corriente. Polarizacin de voltaje y de corriente: En esta forma de polarizacin la retroalimentacin de corriente aun esta presente debido a RE, Por lo que hay dos formas de retroalimentacin presentes, se alimenta hacia atrs una parte del voltaje de salida a travs de RF y tambin se retroalimenta una parte de la

salida de voltaje desarrollado en RE. Es posible lograr un incremento de ganancia sin afectar la polarizacin cd, del circuito, desviando RE, con un capacitor. El resistor de retroalimentacin, RF, se conecta entre el colector y la base. El voltaje Base Tierra esta en ese caso compuesto por dos componentes, una que surge del voltaje de entrada y la otra proveniente de voltaje del colector. EFECTOS DE LOS CAMBIOS DE PARAMETROS: Las variaciones de temperatura provocan el cambio de algunos parmetros del transistor, en particular, los siguientes parmetros son sensitivos a la temperatura: La corriente de fuga de colector entre Base y Colector (ICBO ) El voltaje Base Emisor (VBE )

El voltaje de alimentacin, Vcc, y el Beta del transistor tambin varan, pero por lo general no dependen de la temperatura. En muchos casos, la alimentacin es suficientemente bien regulada, por lo que es posible ignorar los cambios en Vcc. Las variaciones en el Beta, suelen ser importantes, aunque las variaciones ms grandes son provocadas por otros efectos diferentes de la temperatura. Las que ocurren en el Beta surgen a partir de variaciones aleatorias que suceden en el proceso de manufactura. Cuando la temperatura aumenta, los cambios en los parmetros ocasionan que el punto Q se mueva hacia arriba (Es decir, un aumento en Ic). Si la temperatura se reduce, el punto Q se mueve hacia abajo (esto es una disminucin en Ic). Cualquiera de estas condiciones hace que la mxima excursin posible pico a pico del voltaje de salida se vuelva ms pequea. COMPENSACION CON DIODO: Como hemos visto, los cambios de temperatura afectan de manera significativa la posicin del punto Q. La compensacin con diodo es una tcnica para reducir el efecto de los cambios en la temperatura sobre Ic. Al elegir el diodo este debe tener caractersticas de temperaturas similares a las del transistor. Para asegurar que las curvas de caractersticas del diodo y del transistor sean idnticas. La adicin del diodo en el circuito de la base compensa los cambios que surgen de variacin de temperatura puesto que VON cambia del mismo modo que VBE. RF es resistencia directa del diodo. Suponiendo que las caractersticas del diodo y que caracterstica de la unin base-emisor son iguales, entonces cuando cambia la la la la

temperatura, tanto VON como VBE, cambian a la misma tasa, cancelando as cualquier variacin en los parmetros de polarizacin.

Con la seleccin adecuada del diodo, los efectos de las variaciones en V BE se reducen. La nueva ecuacin de polarizacin para el voltaje Base tierra es: VB = VON + IDRF = VBE+ ICRE Donde ID = (VCC VON) / (R1 + R2 + RF) Para reducir los efectos de los cambios de parmetros en la ubicacin del punto Q, es necesario enfocarse en reducir cada de la ecuacin general, el planteamiento de diseo para cumplir esta meta se describe en los siguientes pasos: Emplee compensacin por diodos para restar los cambios que ocurren en V BE por cambios en la temperatura. Los cambios en V BE son a menudo significativos y causan un cambio considerable en Ic. Al emplear compensacin por diodo es imperativo que las caractersticas de los diodos son las misma que las de V BE del transistor. Elija un transistor con ICBO Bajo, de manera que el cambio de temperatura no afecte de manera significativa a Ic, o reduzca las variaciones de temperatura. Asegrese que el diseo recurre a alguna tcnica para reducir el efecto del cambio en el Beta, por ejemplo, con polarizacin por divisin de voltaje, R B

debe mantenerse por debajo de 0.1BRE. Esto disminuye el efecto de los cambios en el Beta, Utilice una fuente de potencia bien regulada para reducir el cambio en Vcc a un valor tan pequeo que la ubicacin del punto Q no se afecte.

CLASES DE AMPLIFICADORES: Los amplificadores de potencia se clasifican de acuerdo con el porcentaje de tiempo donde la corriente de colector es distinta de cero, como veremos hay cuatro clasificaciones principales: Clase A: Se denomina al modo de trabajar de aquellos sistemas de amplificacin donde los transistores estn todo el tiempo en activa, para el caso de Bipolares, o en la regin de saturacin, para el caso de JFET y MOSFET. En la Figura 1 se muestra un sistema amplificador con un transistor trabajando en clase A.

La seal de salida vara para los 360 completos de ciclo. La figura 157 a) muestra que esto requiere que el punto Q se polarice a cierto nivel, de manera que al menos la mitad de la variacin de la seal para la salida pueda variar arriba y abajo sin tener que alcanzar un voltaje suficientemente alto para ser limitado por el nivel del voltaje de la fuente o demasiado bajo para aproximarse al nivel inferior de la fuente, 0v en esta descripcin.

ANALISIS DE POTENCIA:

Clase B: Un circuito de clase B proporciona una seal de salida que varia sobre la mitad del ciclo de la seal. El punto de polarizacin d.c para una clase B se encuentra por lo tanto en 0v, lo que implica una variacin de la salida desde este punto de polarizacin para un medio ciclo.

Obviamente, la salida no es una reproduccin fiel de la entrada si solamente se tiene presente un medio ciclo. Son necesarias dos operaciones de clase B, una para proporcionar la salida del medio ciclo de salida positivo y otra para proporcionar la operacin del medio ciclo negativo. La combinacin proporciona entonces una salida de 360 completos de operacin. Este tipo de conexin se denomina como funcionamiento en contrafase, la cual se discutir mas adelante. Ntese que la operacin clase B, por si misma crea una seal de salida muy distorsionada debido a que la reproduccin de la entrada tiene lugar para slo 180 de la variacin de la seal de salida. ANALISIS DE POTENCIA:

Clase AB: Un amplificador puede polarizarse a un nivel d.c sobre el nivel de corriente de base cero de clase B y arriba de la mitad del nivel de voltaje de fuente de la clase A; esta condicin de polarizacin es la clase AB. La operacin de clase AB requiere todava de una conexin en contrafase para conseguir un ciclo completo de salida, pero el nivel de polarizacin de d.c est por lo regular cercano al nivel de corriente de base cero para una mejor eficiencia de potencia. Para la operacin de clase AB la oscilacin en la seal de salida ocurre entre los 180 y 360, y no est en la operacin de clase A ni en la de clase B. Para eliminar la distorsin de cruce se procede a polarizar a los transistores de tal modo que la corriente de colector sea muy pequea pero no cero en ellos. El circuito es el mostrado en la figura: Este circuito se llama generalmente, amplificador de potencia de simetra complementaria, Push Pull. Compensado por diodos.

ANALISIS DE POTENCIA:

Clase C: La salida de un amplificador de clase C se polariza para una operacin a menos de 180 del ciclo y operar solamente con un circuito sintonizador (resonante), el cual suministra un ciclo completo de operacin para la frecuencia de sintona o resonante. Esta clase de operacin se emplea, por consiguiente, en reas especiales de circuito de sintona, tales como los de radio y comunicaciones. Se denomina al modo de trabajar de aquellos sistemas de amplificacin donde los transistores estn polarizados en la regin de saturacin, para transistores bipolares, de tal forma que slo entrega potencia a la carga durante el tiempo en el que la seal de entrada le lleva a la zona activa. Clase D: Esta clase de operacin es una forma de operacin de amplificador que utiliza seales de pulso (digitales) las cuales se activan para un intervalo corto y se desactivan para un intervalo mas largo. Al utilizar tcnicas digitales se hace posible obtener una seal que vari sobre el ciclo completo, empleando circuitos de muestreo y retencin (sampleand-hold), de diversos fragmentos, de la seal de entrada.

La mayor ventaja de la operacin de clase D es que el amplificador se encuentra activado o encendido (empleando energa) solo para intervalos cortos y la eficiencia total puede ser prcticamente muy alta. DISTORSIN DE UN AMPLIFICADOR Una seal senoidal pura tiene una sola frecuencia a la cual el voltaje varia en forma positiva y negativa en cantidades iguales. Cualquier seal que vari poco menos que el ciclo completo de 360 se considera como una seal con distorsin. Un amplificador ideal es capaz de amplificar una seal senoidal pura para proporcionar una mayor versin, resultando como forma de onda una seal senoidal pura de una sola frecuencia. Cuando ocurre la distorsin la salida no ser un duplicado exacto (excepto en magnitud) de la seal de entrada. La distorsin puede ocurrir debido a que la caracterstica del dispositivo no es lineal, en cuyo caso se presenta una distorsin de amplitud o no lineal. Esto puede ocurrir con todas las clases de operacin del amplificador. Tambin puede presentarse distorsin debido a que los dispositivos y los elementos del circuito responden de manera diferente a la seal de entrada para varias frecuencias, siendo sta, distorsin de frecuencia. Una tcnica para describir la distorsin de formas de onda peridicas hace uso del anlisis de Fourier, un mtodo que describe cualquier forma de onda peridica en trminos de su componente fundamental de frecuencia y mltiplos enteros de sus componentes de frecuencia, denominndose estas componentes como componentes armnicas o armnicas. Por ejemplo, una seal de originalmente 1000Hz podra resultar, despus de la distorsin, en una componente de frecuencia a 1000Hz (1KHz) y componentes armnicas a 2KHz (2x1KHz), 3KHz (3x1KHz), 4KHz (4x1KHz), y as sucesivamente. La frecuencia original de 1KHz se conoce como frecuencia fundamental; las que corresponden a mltiplos enteros son las armnicas. Por lo tanto, la componente de 2KHz se conoce como segunda armnica, la de 3KHz es la tercera armnica, y as sucesivamente. La frecuencia fundamental no se considera una armnica. El anlisis de Fourier no se permite para frecuencias armnicas fraccinales, es decir, solamente mltiplos enteros de la fundamental. MATERIALES Resistencias: -R1= 0.22 -R2= 0.22 -R3= 180 -R4= 27 -R5= 180 -R6= 8.2K -R7= 8.2K -R8= 1.6K -R9= 220K -R10= 2K -R11= 47K -R12= 10K

-Rv1= 100K -Rv2= 1K -Rl= 8 Condensadores: -C1=0.47F -C2=47F -C3=1000F -C4=10F -C5=0.1F Diodos: D1=D2=D3=1N4001 Diagrama Elctrico del Circuito

El valor de la tensin de alimentacin necesaria para obtener esta potencia, la hallamos con base a la formula: __________ VCC= Porms*8RL +6v ______ VCC= 10*64 +6v ____ VCC= 640 +6v = 31.29 32v

Para la corriente ICQ tomamos la mxima corriente de salida pico a pico IOPP = (VCC-6V)/RL IOPP = (32-6V)/8 IOPP = (26V)/8 = 3.25A ICQ= 3.25A/200= 16.25mA

Para el resistor de emisor (llamados R1 y R2) para cada par de darlington el valor se asume 0.5. sus cadas de tensin y potencia son: VR1=VR2=ICQ*R2 VR1=VR2=16.25mA*0.5 VR1=VR2=0.008v 8mV

Pr1=PR2= (1.149) 2/0.5 Pr1=PR2= 2.46W Las tensiones para las bases de Q1 y Q2 sern: VBQ3 = VCC/2+VR1+0.6v VBQ3 = 16v+0.008+0.6v VBQ3 = 16.608v VBQ2 = VCC/2+VR1+1.2v VBQ2 = 16v +0.008v+1.2v VBQ2 = 17.208v (R3=R5) Av = Rc/RE R5/R4 R5/R4= 6 R5= 6R4 R4= R5/6 ICQ3=ICQ5=16.25mA IBQ3=IBQ5 = ICQ/hfe3 IBQ3=IBQ5 = 16.25mA/50= 0.325mA ICQ2=10IBQ3+IBQ3=11IBQ3 ICQ2= (0.325A)= 3.575mA R3=R5=(VBQ3-VCC/2)/11IBQ3 R3=R5=(16.608v-16v)/3.575mA R3=R5=(0.608v)/3.575mA = 160 Ahora como R4=R5/6 R4= 160/6=27 Entonces VBE4= VCC/2 VR4 VBE4= 16v R4 (10IBQ3)

VBE4= 16v 27*3.25mA VBE4= 16v 0.087v= 15.903v Y VBQ4 = VCC/2-(VR4+0.6v) VBQ4 = 16v-(0.087v+0.6v)= 15.313v La diferencia de potencial entre las bases Q2 y Q4 es: VBQ2Q4= VBQ2 -VBQ4 VBQ2Q4= 17.208v 15.313v = 1.985v ICQ1= 21IBQ2 IBQ2= ICQ1/hfe2 IBQ2= 3.575mA/80= 0.044mA Entonces ICQ1= 21(0.044mA)= 0.924mA Ahora hallamos el valor de R6 y R7: R6+R7= (VCC-VB2)/21IBQ2 R6+R7= (32v-17.208v)/21(0.44mA) R6+R7= (14.794v)/0.924mA R6+R7= 16K R6=R7=16K/2= 8.2K

Para C2 asumimos una capacidad de 47F a 50V. Para hallar el valor de R8 asumimos como cada de tensin en este resistor 1/10 de la corriente de colector en Q1, La corriente de colector en Q1 es la misma corriente de base para Q4. VR8= VEQ1=VBQ4/10 VR8= VEQ1=14.792v/10= 1.48v Y R8=VR8/ICQ1

R8=1.48v/0.924mA= 1.6K Para incrementar el ancho de banda, es necesario mejorar la respuesta en bajas frecuencias, haciendo que la frecuencia inferior de corte (FL) este en unos 100Hz, para ello es necesario desacoplar R8, por medio de C4. Haciendo que la reactancia de ste sea 1/10 de R8, su capacidad tiene un valor de: XC4=R8/10= 1600/10= 160 C4= 159.000/(100Hz*168) = 10F Hallamos la tensin de base en Q1 de R9, R11 Rv1: VBQ1=VEQ1+0.6v VBQ1=1.48v+0.6v = 2.08v R11= VBQ1/10IBQ1 IBQ1= ICQ1/hfe1 IBQ1= 0.924mA/200 = 4.62A 10 IBQ1= 10(4.62A) = 46.2 A Entonces: R11= 2.08v/0.046mA R11=45K como este valor no es comercial lo reemplazamos por uno de 47 K R9+Rv1 = (VCC/2-VBQ1)/11I BQ1 R9+Rv1 = (16v-2.08v)/(11*4.6A) R9+Rv1 = (13.92v)/0.051mA = 272K Podemos tomar un valor fijo para R9 de 220K y un valor de 100K para Rv1, de modo que ajustando el valor se obtenga el faltante de 52K. La ganancia de tensin para toda la etapa, es suministrada por Q1: (R9+Rv1)/R10 = 590K/2.2K 268 La capacidad de C1 se halla haciendo su reactancia capacitiva 1/10 de R11 Xc1= R11/10 = 45K/10 = 4.5K C1= (159.000)/(100Hz*4.500)

C1= (159.000)/(450.000) = 0.35F, (como este valor no es comercial lo reemplazamos por uno de 0.47 F a 50v) La capacidad de C3 se halla haciendo su reactancia capacitiva 1/10 de RL Xc3= 8/10 = 0.8 C3= (159.000)/(100Hz*0.8) C1= (159.000)/ (80)= 1.987F, (como este valor no es comercial lo reemplazamos por uno de 2200F a 50v)

CONCLUSION Diseamos un amplificador de potencia de 10Watts clase AB, para seales de audio con una RL 8. En el diseo del amplificador se usa una etapa pre-amplificadora la cual da la ganancia de voltaje requerida para la correcta operacin de la etapa amplificadora. En las primeras dos etapas la seal se desfasa 180 grados, completndose los 360 grados, para llegar a la etapa amplificadora complementaria, compensada por diodos. Reconocimos las variaciones de los parmetros de los transistores, sus causas y como reducirlos al mximo para impedir un decremento en el desempeo del sistema (aunque es un poco difcil de lograr), aqu hacemos mencin a la funcin de los diodos en la ltima etapa (los cuales deben estar casi pegados al Darlington par mejor desempeo), ya que estos le dan estabilidad al circuito ante los cambios de temperatura.

BIBLIOGRAFIA Savant-Roden-Carpenter. Diseo electrnico, Addison- Wesley Prentice Hall. 3 Edicin. Boylestad Robert, Wesley Prentice Hall. elctricos, Anlisis y diseo de circuitos

Humberto Gutirrez. Electrnica Anloga.5. Edicin.