FACULTAD DE INGENIERIA

RED NACIONAL UNIVERSITARIA

SYLLABUS

Facultad de Ciencias y Tecnologa

Ingeniera en Telecomunicaciones

QUINTO SEMESTRE

Elaborado por: Mg. Sc. Ing. Jos Luis Rivera Foronda

Gestin Acadmica I/2013

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UNIVERSIDAD DE AQUINO BOLIVIA Acreditada como PLENA mediante R. M. 288/01

VISION DE LA UNIVERSIDAD Ser la Universidad lder en calidad educativa.

MISION DE LA UNIVERSIDAD Desarrollar la Educacin Superior Universitaria con calidad y competitividad al servicio de la sociedad.

Estimado(a) estudiante: El syllabus que ponemos en tus manos es el fruto del trabajo intelectual de tus docentes, quienes han puesto sus mejores empeos en la planificacin de los procesos de enseanza para brindarte una educacin de la ms alta calidad. Este documento te servir de gua para que organices mejor tus procesos de aprendizaje y los hagas mucho ms productivos. Esperamos que sepas apreciarlo y cuidarlo.

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SYLLABUS Asignatura: Cdigo: Requisito: Carga Horaria: Horas Tericas Horas Practicas Crditos: I. OBJETIVOS GENERALES DE LA ASIGNATURA. Al finalizar el curso el alumno ser capaz de analizar el amplificador operacional y sus caractersticas, disear circuitos de aplicacin con amplificadores operacionales, analizar la respuesta de frecuencia de los amplificadores y disear filtros activos. II. PROGRAMA ANALTICO DE LA ASIGNATURA. UNIDAD I: TEMA 1. Amplificadores Operacionales. 1.1. 1.2. 1.3. 1.4. 1.5. 1.6. Introduccin. Fabricacin. Amplificadores de diferencia. Configuracin cascada. El amplificador operacional. Especificaciones del fabricante. Electrnica II ITT 318 ITT 228 100 horas 4 2 6

TEMA 2. Amplificadores Operacionales Ideales. 2.1. 2.2. 2.3. 2.4. 2.5. Amplificadores operacionales ideales. El amplificador inversor. El amplificador no inversor. Diseo de circuitos con el amplificador operacional. Aplicaciones.

UNIDAD II: TEMA 3. Caractersticas de Respuesta de Frecuencia. 3.1 3.2 3.3 3.4 3.5 3.6 3.7 3.8 Diagrama de Bode. Respuesta de frecuencia de OPAMP. Operacin y construccin del JFET. Operacin y construccin del MOSFET. Polarizacin. Seleccin de componentes. Anlisis de amplificadores DC. Otros dispositivos.

TEMA 4. Retroalimentacin y Estabilidad. 4.1. Introduccin.

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4.2. 4.3. 4.4. 4.5. 4.6. 4.7. 4.8.

Consideracin de retroalimentacin en amplificadores. Tipos de retroalimentacin. Amplificadores retroalimentados. Amplificadores multietapa. Estabilidad de amplificadores realimentados. Respuesta de frecuencia. Osciladores.

UNIDAD III: TEMA 5. Filtros Activos. 5.1. 5.2. 5.3. 5.4. 5.5. 5.6. 5.7. Introduccin. Integradores y derivadores. Diseo de redes activas. Filtros activos. Filtros analgicos clsicos. Transformadores. Filtros Butterworth y Chebyshev.

III. BIBLIOGRAFA. RODEN, SAVANT. Diseo Electrnico, Circuitos y Sistemas. Editorial Adisson Wesley Iberoamericana. SCHILLING, BELOVE. 1994. Circuitos Electrnicos Discretos e Integrados. Editorial Marcombo. WOLF. Guia para Mediciones Electrnicas y Practicas. Prentice Hall. RASHID. Electrnica de Potencia. Editorial Prentice Hall. MALONEY. Electrnica Industrial Moderna. Editorial Prentice Hall. R. MILLMAN. Circuitos Electrnicos. Editorial McGraw-Hill. 1990. WAIT, HUELSMAN, KORN. El amplificador Operacional. Editorial Gustavo Gil 1975. RUIZ DE AQUINO JOSE. Laboratorio Integral de Electrnica. Editorial Alhambra Mexicana 1980. IV. CONTROL DE EVALUACIONES 1 evaluacin parcial: Fecha: Nota 2 evaluacin parcial: Fecha: Nota Examen final: Fecha: Nota APUNTES

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V. CALENDARIO ACADEMICO SEMANA 1ra. 2da. 3ra. 4ta. 5ta. 6ta. 7ma. 8va. 9na. 10ma. 11ra. 12da. 13ra. 14ta. 15ta. 16ta. 17ma. 18va. 19na. 20va. 21ra. DEL 11-Mar 18-Mar 25-Mar 01-Abr 08-Abr 15-Abr 22-Abr 29-Abr 06-May 13-May 20-May 27-May 03-Jun 10-Jun 17-Jun 24-Jun 01-Jul 08-Jul 15-Jul 22-Jul 29-Jul AL 16-Mar 23-Mar 30-Mar 06-Abr 13-Abr 20-Abr 27-Abr 04-May 11-May 18-May 25-May 01-Jun 08-Jun 15-Jun 22-Jun 29-Jun 06-Jul 13-Jul 20-Jul 27-Jul 31-Jul ACTIVIDADES Avance de materia Avance de materia Avance de materia Avance de materia Avance de materia Avance de materia Avance de materia Avance de materia Avance de materia Avance de materia Avance de materia Avance de materia Avance de materia Avance de materia Avance de materia Avance de materia Avance de materia Inicio Evaluacin Final Conclusin Evaluacin Final Evaluacin del segundo turno Cierre de Gestin FERIADOS 29 de marzo 1 de mayo 30 de mayo Viernes Santo Da del Trabajo Corpus Christi Presentacin de Notas Transcripcin de Notas Transcripcin de Notas Inicio Segunda Evaluacin Parcial Conclusin Segunda Evaluacin Parcial Presentacin de Notas Presentacin de Notas Inicio Primera Evaluacin Parcial Conclusin Primera Evaluacin Parcial Presentacin de Notas Presentacin de Notas OBSERVACIONES

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WORK PAPER # 1

PROGRAMA DE CONTROL DE CALIDAD

No. DE PROCEDIMIENTO: APRO 07

No. DE HOJAS:

ELABOR: Mg Sc. Ing. Jos Luis Rivera Foronda

CDIGO: ITT 318

TTULO DEL WORK PAPER: Diodos Zener

DPTO.: Facultad de Ciencias y Tecnologa DESTINADO A: DOCENTES ALUMNOS X ADMINIST. OTROS

OBSERVACIONES: ASIGNATURA: Electrnica II. CARRERA: Ingeniera de Telecomunicaciones

FECHA DE DIFUSIN: Abril 2013

FECHA DE ENTREGA: Abril 2013

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DIODOS ZENER Los objetivos que persigue este Work Paper son: Estudiar punto a punto la relacin Tensin-Intensidad de los diodos Zener, Visualizar la relacin Tensin-Intensidad aprovechando la funcin X-Y de un osciloscopio, Analizar el comportamiento de los diodos Zener como rectificadores, Verificar el comportamiento de los diodos Zener como reguladores de tensin. Los materiales a utilizarse son: Generador de seal, Osciloscopio, Entrenador. Los componentes son: Diodos: Bzx85c3V9, Bzx85c9V1, IN400MD (4), Resistencias 100 (2), Potencimetros, 10 k(2), Condensador 22uF El desarrollo se realizara considerando los siguientes puntos: 1. Grfica I/V punto a punto Sacar la grfica I = f (V) de los diodos: Bzx85c3V9, Bzx85c9V1. Para ello realizar el montaje de la figura 1 con R = 100. Se coloca un voltmetro entre extremos del diodo y un ampermetro en serie. Despus se va variando la tensin de alimentacin y medimos la corriente que pasa diferentes valores de tensin. Es recomendable centrarse en la medicin de los puntos en los que el diodo empieza a conducir, tanto en directa como en inversa. En ambos casos no sobrepasar los 50 mA.

Figura 1. Medida punto a punto 2. Grfica I/V mediante osciloscopio Sacar la grfica I = f (V) de los diodos: Bzx85c3V9, Bzx85c9V1. Para ello realizar el montaje de la figura 2 con R = 100. Se deber emplear el Generador de Seal, a una frecuencia = 100 Hz, Onda Triangular V generador = 20 Vpp Offset = 0 V. Osciloscopio: Canal 1 entre A y B , Colocar Salvatierra, Canal 2 entre C y B, Formato XY

Figura 2. Medida mediante osciloscopio

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3. Diodo Zener como rectificador I Considerando al diodo Zener como un rectificador, deber hallarse las ecuaciones que predicen la tensin Vout de la figura 3 teniendo en cuenta: Vin = 10 Sen 200t, RL = , es decir, circuito abierto, Vz = 3,9 V (superior en la figura siguiente) Vz=9.1V (inferior en la figura siguiente).

Figura 3. Diodo Zener como rectificador Considerando la potencia mxima que pueden disipar los diodos Zener es de 1 W. Calcular rango de valores de Rs, para que no se queme ninguno de los diodos, Realizar el montaje de la figura 3 con Rs = 100 y RL = . Es el funcionamiento del circuito el esperado? 4. Diodo Zener como rectificador I Considerando los pasos anteriores, y el cuestionado citado lneas abajo, hallar las ecuaciones que predicen la tensin Vout de la figura 3, teniendo en cuenta que ahora RL . Dibujar la forma de onda de entrada y de salida para una RL = 100 a conseguir con el potencimetro. Realizar el montaje de la figura 3, para ello utilizar un potencimetro de 10K como RL. Variar el valor de RL y comprobar la variacin de la forma de onda de la tensin de salida. 5. Diodo Zener como regulador de tensin Considerando que se desea realizar una fuente de tensin de 3.9V DC a la salida. La seal de la que se dispone a la entrada es: Vin = 6Sen 10,0002t. La configuracin elegida es la que se muestra en la figura 4, siendo Vz = 3.9 V.
D2 C R D3 D5 P

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Figura 4. Diodo Zener como regulador de tensin Donde: R=10K, D1=D2=D3=D4=IN400MD, D5= Bzx85c3V9, C= condensador electroltico de 22uF, P= Potencimetro de 10k Si la potencia mxima que puede disipar sin quemarse el diodo Zener es 1W , Cul es la tensin mxima que puede tener Vin cuando no se conecta la carga P?. Hallar la curva de tensin de salida de la fuente regulada frente a valores de la carga P. CUESTIONARIO 1 En el punto (1). Se deber realizar una tabla con dichos datos y representar grficamente, calcular la tensin Zener y la

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resistencia dinmica en inversa grficamente, Es igual la tensin umbral en ambos casos?, Es igual la tensin Zener en ambos casos?, Es igual el valor de resistencia dinmica en ambos diodos? En el punto (2). Se deber realizar Cmo funciona el formato XY?, Qu se representa en el osciloscopio?, Coincide con la grfica de un diodo Zener? Por qu? En el punto (3). Dibujar la forma de onda de entrada y de salida En el punto (4). Qu ocurre con la forma de onda de la tensin de salida? Es lgico? En el punto (5). Realizar el montaje de la figura 4. Para qu valor de P la fuente deja de funcionar correctamente? Coincide ese valor con el esperado? Por qu?

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WORK PAPER # 2

PROGRAMA DE CONTROL DE CALIDAD

No. DE PROCEDIMIENTO: APRO 07

No. DE HOJAS:

ELABOR: Mg Sc. Ing. Jos Luis Rivera Foronda

CDIGO: ITT 318

TTULO DEL WORK PAPER: Filtrado de Ondas Rectificadas Tipos de Filtros

DPTO.: Facultad de Ciencias y Tecnologa DESTINADO A: DOCENTES ALUMNOS X ADMINIST. OTROS

OBSERVACIONES: ASIGNATURA: Electrnica II. CARRERA: Ingeniera de Telecomunicaciones

FECHA DE DIFUSIN: Mayo 2013

FECHA DE ENTREGA: Mayo 2013

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FILTRADO DE ONDAS RECTIFICADAS TIPOS DE FILTROS Ya se ha estudiado cmo una corriente alterna (CA) puede ser transformada en corriente continua pulsante por medio de los circuitos rectificadores de onda completa y media onda; sin embargo, esta corriente no puede ser utilizada en circuitos que se energizan con corriente continua (CC). Para ello, deben ser alisados los rizos o crestas. Esta accin, denominada filtrado, se logra utilizando elementos (individuales o en conjuntos) denominados filtros. Los condensadores, las bobinas de choque (o simplemente choque) y resistencias son elementos de filtro. La eficacia de un condensador como filtro est relacionada con su capacidad y su reactancia: mientras mayor sea la capacidad mayor ser el efecto de filtrado. En el caso de las bobinas de choque, la accin del filtrado depende de su inductancia. Existen diferentes montajes de filtro o redes de filtro. Entre ellos se tienen los filtros activos y los pasivos. Los primeros estn formados por resistencias, condensadores y bobinas; los segundos estn constituidos por transistores y amplificadores operacionales, entre otros. Dentro de los pasivos y para la funcin de convertir corriente continua pulsante en directa, se encuentran: filtro de entrada por condensador, filtro de entrada por choque, filtro pi con condensadores y choque (CLC), filtro pi con condensadores y resistencias (CRC). En el presente estudio slo se mostrarn el filtro de entrada por condensador y el tipo pi con condensadores y resistencias (CRC); esto porque slo se trabajar a bajas tensiones, en donde estos tipos de filtros son ms adecuados y econmicos. Filtro de Entrada por Condensador Considrese el circuito de la Figura 92. El condensador electroltico C1 se carga alternadamente cuando los diodos conducen durante las alternancias en que sus nodos son positivos con respecto al ctodo comn (polarizacin directa) y se descarga a travs de la RQ conectada en paralelo. Si se sustituye C1 por un condensador de capacidad mayor, la ondulacin observada la salida disminuye (tiende a ser ms lineal).

Filtro Pi CRC La Figura muestra el esquema de un filtro ms eficaz, en el cual se han aadido a C1 una resistencia y otro condensador electroltico C2. Esta combinacin mejora la accin de filtrado aumentando la carga almacenada en estos componentes reactivos; as la seal de salida ser menos ondulada que en el filtro de entrada por condensador. Este filtro se llama tipo pi porque su configuracin se asemeja a la forma de la letra griega . Una desventaja de este tipo de filtro con respecto al de entrada por condensador es que proporciona una tensin de salida ms baja; sin embargo, proporciona una mejor regulacin.

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El proceso de filtrado tambin se utiliza para disminuir el efecto de ciertas interferencias (seales no deseables que se insertan en el sistema de medicin). En estos casos, stos son diseados para rechazar seales en los rangos de frecuencia especficos que se desee, como son los filtros: pasa baja, pasa banda, pasa alta, ganancia y retroalimentacin. El diseo y estudio de estos filtros escapa al nivel y necesidades del curso; para mayor informacin se puede consultar la bibliografa utilizada y recomendada.

Realizar un procedimiento experimental con las siguientes caracteristicas: Reconocer e instalar un circuito rectificador de media onda y uno de onda completa, as como utilizar un filtro apropiado para mejorar un rectificador de onda completa, Observar y medir las formas de onda de salida de un rectificador de media onda y de onda completa, as como para un circuito con filtro. Seguir el siguiente procedimiento: Rectificador de Media Onda, Instale el siguiente circuito:

Usando los dos canales del osciloscopio en posicin DC, dibuje y mida las seales de entrada y salida (componentes AC y DC) para voltajes de entrada de: 5 V, 10 V y 15 V de amplitud. Interprete y analice los resultados. Rectificador de Onda Completa y Filtrado. Instale el siguiente circuito.

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Dibuje y mida la seale de entrada y salida (componentes AC y DC) para una entrada de 15 V de amplitud. En el circuito de la experiencia 2.1 agregue un condensador de 1 F en paralelo a la resistencia de carga (como los condensadores son electrolticos, debe tenerse cuidado con la polaridad). Dibuje y mida las seales de entrada y salida para voltajes mximos de entrada de 15 V de amplitud. Interprete y analice los resultados. Repita el procedimiento anterior con un condensador de 1 F. Compare estos resultados con los obtenidos en la experiencia 2.2 y analice dichas comparaciones. En el circuito de la experiencia 2.1 quite la RQ y conecte entre los puntos F y G el siguiente filtro pi (CRC):

CUESTIONARIO

Dibuje las seales de entrada y salida para una amplitud de entrada de 15 V. Interprete los resultados y comprelos con los obtenidos en la experiencia 2.2. Analice las comparaciones realizadas.

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WORK PAPER # 3

PROGRAMA DE CONTROL DE CALIDAD

No. DE PROCEDIMIENTO: APRO 07

No. DE HOJAS:

ELABOR: Mg. Sc. Ing. Jos Luis Rivera Foronda

CDIGO: ITT 318

TTULO DEL WORK PAPER: Transistores BJT

DPTO.: Facultad de Ciencias y Tecnologa DESTINADO A: DOCENTES ALUMNOS X ADMINIST. OTROS

OBSERVACIONES: ASIGNATURA. Electrnica II. CARRERA. Ingeniera de Telecomunicaciones

FECHA DE DIFUSIN: Junio 2013

FECHA DE ENTREGA: Junio 2013

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TRANSISTORES BJT Caractersticas de los Transistores: El consumo de energa es relativamente bajo, El tamao de los transistores es relativamente ms pequeo que los tubos de vaco. El peso, Una vida larga til (muchas horas de servicio), Puede permanecer mucho tiempo en deposito (almacenamiento), No necesita tiempo de calentamiento, Resistencia mecnica elevada, Los transistores pueden reproducir el fenmeno de la fotosensibilidad (fenmenos sensibles a la luz). Construccin de Transistores El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de material tipo n y una capa tipo p, o bien, de dos capas de material tipo p y una tipo n. al primero se le llama transistor npn, en tanto que al segundo transistor pnp. Para la polarizacin las terminales que se muestran en la figura 4.14 las terminales se indican mediante las literales E para el emisor, C para el colector y B para la base. Se desarrollar una apreciacin de la eleccin de esta notacin cuando se analice la operacin bsica del transistor. La abreviatura BJT, de transistor bipolar de unin (del ingles, Bipolar Junction Transistor), suele aplicarse a este dispositivo de tres terminales. El trmino bipolar refleja el hecho de que los huecos y los electrones participan en el proceso de inyeccin hacia el material polarizado de forma opuesta. Si slo se utiliza un portador (electrn o hueco), entonces se considera un dispositivo unipolar.

Operacin del Transistores Se describir la operacin bsica del transistor utilizando el transistor pnp de la figura 4.14a. la operacin del transistor npn es exactamente la misma que si intercambiaran la funciones que cumplen el electrn y el hueco. En la figura 4.15 se dibujo de nuevo el transistor pnp sin la polarizacin base - colector. El espesor de la regin de agotamiento se redujo debido a al polarizacin aplicada, lo que da por resultado un flujo muy considerable de portadores mayoritarios desde el material tipo p hacia el tipo n.

El grafico muestra una union con polarizacion directa de un transistor pnp. Ahora se eliminar la polarizacin base colector del transistor pnp. En resumen: Una unin p-n de un transistor tiene polarizacin inversa, mientras que la otra tiene polarizacin inversa, ambos potenciales de polarizacin se aplicaron a un transistor pnp, con el flujo resultante indicado de portadores mayoritarios y minoritarios. Los espesores de las regiones de agotamiento, que indican con claridad cul unin tiene polarizacin directa y

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cul polarizacin inversa. Habr una gran difusin de portadores mayoritarios a travs de la unin p-n con polarizacin directa hacia el material tipo n. As, la pregunta sera si acaso estos portadores contribuirn de forma directa a la corriente de base IB o si pasarn directamente al material tipo p. Debido a que material tipo n del centro es muy delgado y tiene baja conductividad, un nmero muy pequeo de estos portadores tomar esta trayectoria de alta resistencia hacia la terminal de la base. La magnitud de la corriente de base casi siempre se encuentra en el orden de los microamperes, comparando con miliamperes para las corrientes del emisor y del colector. La mayor cantidad de estos portadores mayoritarios se difundir a travs de la unin con polarizacin inversa, hacia el material tipo p conectado a la terminal del colector. La razn de esta relativa facilidad con la cual los portadores mayoritarios pueden atravesar la unin con polarizacin inversa se comprender con facilidad si se considera que para el diodo con polarizacin inversa, los portadores mayoritarios inyectados aparecern como portadores con polarizacin inversa, los portadores mayoritarios inyectados aparecern como portadores minoritarios en el material tipo n. En otras palabras, tuvo lugar una inyeccin de portadores minoritarios al material de la regin de la base tipo n. A la combinacin de esto con el hecho de que todos los portadores minoritarios en la regin de agotamiento atravesar la unin con polarizacin inversa de un diodo puede atribursele el flujo.

La figura muestra una unin con polarizacin inversa de un transistor pnp Configuracin de Base Comn Para la configuracin de base comn con transistores pnp y npn. La terminologa de la base comn se deriva del hecho de que la base es comn tanto a la entrada como a la salida de la configuracin. A su vez, por lo regular la base es la terminal ms cercana a, o que se encuentra en, el potencial de tierra. A lo largo de este libro todas las direcciones de corriente harn referencia al flujo convencional (huecos) en lugar de hacerlo respecto al flujo de electrones. Para el transistor la flecha en el smbolo grfico define la direccin de la corriente del emisor (flujo convencional) a travs del dispositivo. Para describir en su totalidad el comportamiento de un dispositivo de tres terminales, como los amplificadores de base comn se requiere de dos conjuntos de caractersticas, uno para el punto de excitacin o parmetros de entrada y el otro para el lado de la salida. El conjunto de entrada para el amplificador de base comn relacionar la corriente de entrada (IE). el conjunto de caractersticas de la salida o colector tiene tres regiones bsicas de inters: la regiones activa, de corte y de saturacin. La regin activa es la que suele utilizarse para los amplificadores lineales (sin distorsin). En particular: En la regin activa la unin base - colector se polariza inversamente, mientras que la unin emisor - base se polariza directamente. La regin activa se define mediante los arreglos de polarizacin de la figura 4.17. En el extremo ms bajo de la regin activa, la corriente del emisor (IE) es cero; esa es la verdadera corriente del colector, y se debe a la corriente de saturacin inversa ICO, como lo seala la figura 4.18. La corriente ICO real es tan pequea (microamperes) en magnitud si se compara con la escala vertical de IC = 0. Las condiciones del circuito que existen cuando IE = 0 para la configuracin de base comn se muestra en la figura 4.19. La notacin que con ms frecuencia se utiliza para ICO en los datos y las hojas de especificaciones es, como se indica en la

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figura 4.19, ICBO. Debido a las mejoras en las tcnicas de fabricacin, el nivel de ICBO para los transistores de propsito general (en especial los de silicio) en los rangos de potencia baja y mediana, por lo regular es tan bajo que puede ignorarse su efecto. Sin embargo, para las unidades de mayor potencia ICBO, as como Is, para el diodo (ambas corrientes de fuga inversas) son sensibles a la temperatura. A mayores temperaturas, el efecto de ICBO puede convertirse en un factor importante debido a que aumenta muy rpidamente con la temperatura. En la regin de corte, tanto la unin base - colector como la unin emisor - base de un transistor tienen polarizacin inversa. En la regin de saturacin, tanto la unin como la emisor - base estn en polarizacin directa.

La figura muestra los esquemas de los transistores pnp y npn respectivamente.

La figura muestra caractersticas de salida o colector para un amplificador a transistor de base comn.

La figura muestra la corriente de saturacin inversa. Configuracin de Emisor Comn La configuracin de transistor que se encuentra ms a menudo aparece en la figura 4.20 para los transistores pnp y npn. Se le denomina configuracin de emisor comn debido a que el emisor es comn o hace referencia a las terminales tanto de

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entrada como de salida (en este caso, es comn tanto a la terminal de base como a la de colector). Una vez ms, se necesitan dos conjuntos de caractersticas para describir por completo el comportamiento de la configuracin de emisor comn: uno para el circuito de entrada o base-emisor y otro para el circuito de salida o colector-emisor. En la regin activa de un amplificador de base comn la unin del colector-base se encuentra polarizada inversamente, mientras que la unin base-emisor se encuentra polarizada directamente. Para propsitos de amplificacin lineal (la menor distorsin), el corte para la configuracin de emisor comn se definir mediante IC = ICEO.

La figura muestra los smbolos utilizados con la configuracin de emisor comn: transistor npn y transistor pnp respectivamente Configuracin de Colector Comn La configuracin de colector comn se utiliza sobre todo para propsitos de acoplamiento de impedancia, debido a que tiene una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, contrariamente a alas de las configuraciones de base comn y de un emisor comn. La siguiente figura muestra una configuracin de circuito de colector comn con la resistencia de carga conectada del emisor a la tierra. Obsrvese que el colector se encuentra conectado a la tierra aunque el transistor est conectado de manera similar a la configuracin del emisor comn. Desde un punto de vista de diseo, no se requiere de un conjunto de caractersticas de colector comn para elegir los parmetros del circuito de la figura 4.21. puede disearse utilizando las caractersticas de salida para la configuracin de colector comn son la mismas que para la configuracin de emisor comn.

CUESTIONARIO 1 2 Que consideraciones se debe tener en los tipos de transistores. Realice un esquema en el que aplique el transistor.

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PROGRAMA DE CALIDAD UDABOL DIF 001 Distinguido alumno tengo el agrado de presentar este documento de discusin que estoy seguro le ser de utilidad.

Recuerde: Este documento debe ser analizado, interpretado discutido y mejorado por su grupo de estudios. PROPIEDADES DE ALGUNOS CONDUCTORES Y AISLANTES Qu son los metales? Grupo de elementos qumicos que presentan todas o gran parte de las siguientes propiedades fsicas: estado slido a temperatura normal, excepto el mercurio que es lquido; opacidad, excepto en capas muy finas; buenos conductores elctricos y trmicos; brillantes, una vez pulidos, y estructura cristalina en estado slido. Metales y no metales se encuentran separados en el sistema peridico por una lnea diagonal de elementos. Los elementos a la izquierda de esta diagonal son los metales, y los elementos a la derecha son los no metales. Los elementos que integran esta diagonal boro, silicio, germanio, arsnico, antimonio, teluro, polonio y astato tienen propiedades tanto metlicas como no metlicas. Los elementos metlicos ms comunes son los siguientes: aluminio, bario, berilio, bismuto, cadmio, calcio, cerio, cromo, cobalto, cobre, oro, iridio, hierro, plomo, litio, magnesio, manganeso, mercurio, molibdeno, nquel, osmio, paladio, platino, potasio, radio, rodio, plata, sodio, tantalio, talio, torio, estao, titanio, volframio, uranio, vanadio y cinc. Los elementos metlicos se pueden combinar unos con otros y tambin con otros elementos formando compuestos, disoluciones y mezclas. Una mezcla de dos o ms metales o de un metal y ciertos no metales como el carbono se denomina aleacin. Las aleaciones de mercurio con otros elementos metlicos son conocidas como amalgamas. Los metales muestran un amplio margen en sus propiedades fsicas. La mayora de ellos son de color grisceo, pero algunos presentan colores distintos; el bismuto es rosceo, el cobre rojizo y el oro amarillo. En otros metales aparece ms de un color, y este fenmeno se denomina pleocroismo. El punto de fusin de los metales vara entre los -39 C del mercurio, a los 3.410 C del tungsteno. El iridio, con una densidad relativa de 22,4, es el ms denso de los metales. Por el contrario, el litio es el menos denso, con una densidad relativa de 0,53. La mayora de los metales cristalizan en el sistema cbico, aunque algunos lo hacen en el hexagonal y en el tetragonal. La ms baja conductividad elctrica la tiene el bismuto, y la ms alta a temperatura ordinaria la plata. La conductividad en los metales puede reducirse mediante aleaciones. Todos los metales se expanden con el calor y se contraen al enfriarse. Ciertas aleaciones, como las de platino e iridio, tienen un coeficiente de dilatacin extremadamente bajo. Propiedades fsicas Los metales suelen ser duros y resistentes. Aunque existen ciertas variaciones de uno a otro, en general los metales tienen las siguientes propiedades: dureza o resistencia a ser rayados; resistencia longitudinal o resistencia a la rotura; elasticidad o capacidad de volver a su forma original despus de sufrir deformacin; maleabilidad o posibilidad de cambiar de forma por la accin del martillo; resistencia a la fatiga o capacidad de soportar una fuerza o presin continuadas y ductilidad o posibilidad de deformarse sin sufrir roturas. Propiedades qumicas Es caracterstico de los metales tener valencias positivas en la mayora de sus compuestos. Esto significa que tienden a ceder electrones a los tomos con los que se enlazan. Tambin tienden a formar xidos bsicos. Por el contrario, elementos no metlicos como el nitrgeno, azufre y cloro tienen valencias negativas en la mayora de sus compuestos, y tienden a adquirir electrones y a formar xidos cidos. Los metales tienen energa de ionizacin baja: reaccionan con facilidad perdiendo electrones para formar iones positivos o cationes. De este modo, los metales forman sales como cloruros, sulfuros y carbonatos, actuando como agentes reductores (donantes de electrones).

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Estructura electrnica En sus primeros esfuerzos para explicar la estructura electrnica de los metales, los cientficos esgrimieron las propiedades de su buena conductividad trmica y elctrica para apoyar la teora de que los metales se componen de tomos ionizados, cuyos electrones libres forman un 'mar' homogneo de carga negativa. La atraccin electrosttica entre los iones positivos del metal y los electrones libres, se consider la responsable del enlace entre los tomos del metal. As, se pensaba que el libre movimiento de los electrones era la causa de su alta conductividad elctrica y trmica. La principal objecin a esta teora es que en tal caso los metales deban tener un calor especfico superior al que realmente tienen. En 1928, el fsico alemn Arnold Sommerfeld sugiri que los electrones en los metales se encuentran en una disposicin cuntica en la que los niveles de baja energa disponibles para los electrones se hallan casi completamente ocupados. En el mismo ao, el fsico suizo estadounidense Felix Bloch, y ms tarde el fsico francs Louis Brillouin, aplicaron esta idea en la hoy aceptada 'teora de la banda' para los enlaces en los slidos metlicos. De acuerdo con dicha teora, todo tomo de metal tiene nicamente un nmero limitado de electrones de valencia con los que unirse a los tomos vecinos. Por ello se requiere un amplio reparto de electrones entre los tomos individuales. El reparto de electrones se consigue por la superposicin de orbtales atmicos de energa equivalente con los tomos adyacentes. Esta superposicin va recorriendo toda la muestra del metal, formando amplios orbtales que se extienden por todo el slido, en vez de pertenecer a tomos concretos. Cada uno de estos orbtales tiene un nivel de energa distinto debido a que los orbtales atmicos de los que proceden, tenan a su vez diferentes niveles de energa. Los orbtales, cuyo nmero es el mismo que el de los orbtales atmicos, tienen dos electrones cada uno y se van llenando en orden de menor a mayor energa hasta agotar el nmero de electrones disponibles. En esta teora se dice que los grupos de electrones residen en bandas, que constituyen conjuntos de orbtales. Cada banda tiene un margen de valores de energa, valores que deberan poseer los electrones para poder ser parte de esa banda. En algunos metales se dan interrupciones de energa entre las bandas, pues los electrones no poseen ciertas energas. La banda con mayor energa en un metal no est llena de electrones, dado que una caracterstica de los metales es que no poseen suficientes electrones para llenarla. La elevada conductividad elctrica y trmica de los metales se explica as por el paso de electrones a estas bandas con defecto de electrones, provocado por la absorcin de energa trmica. Metales dctiles: Qu es la ductilidad? Bueno es una propiedad de un metal, una aleacin o cualquier otro material que permite su deformacin forzada, en hilos, sin que se rompa o astille. Cuanto ms dctil es un material, ms fino es el alambre o hilo, que podr ser estirado mediante un troquel para metales, sin riesgo de romperse. Decimos entonces que un metal dctil es todo aquel que permite su deformacin forzada, en hilos, sin que se rompa o astille. Metales Maleables: La maleabilidad es la posibilidad de cambiar de forma por la accin del martillo, qu quiere decir entonces? Que puede batirse o extenderse en planchas o laminas. Conductor elctrico: Cualquier material que ofrezca poca resistencia al flujo de electricidad. La diferencia entre un conductor y un aislante, que es un mal conductor de electricidad o de calor, es de grado ms que de tipo, ya que todas las sustancias conducen electricidad en mayor o en menor medida. Un buen conductor de electricidad, como la plata o el cobre, puede tener una conductividad mil millones de veces superior a la de un buen aislante, como el vidrio o la mica. El fenmeno conocido como superconductividad se produce cuando al enfriar ciertas sustancias a una temperatura cercana al cero absoluto su conductividad se vuelve prcticamente infinita. En los conductores slidos la corriente elctrica es transportada por el movimiento de los electrones; y en disoluciones y gases, lo hace por los iones. Semiconductor: Material slido o lquido capaz de conducir la electricidad mejor que un aislante, pero peor que un metal. La conductividad elctrica, que es la capacidad de conducir la corriente elctrica cuando se aplica una diferencia de potencial, es una de las propiedades fsicas ms importantes. Ciertos metales, como el cobre, la plata y el aluminio son excelentes conductores. Por

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otro lado, ciertos aislantes como el diamante o el vidrio son muy malos conductores. A temperaturas muy bajas, los semiconductores puros se comportan como aislantes. Sometidos a altas temperaturas, mezclados con impurezas o en presencia de luz, la conductividad de los semiconductores puede aumentar de forma espectacular y llegar a alcanzar niveles cercanos a los de los metales. Las propiedades de los semiconductores se estudian en la fsica del estado slido. Recuerde: Este documento debe ser analizado, interpretado discutido y mejorado por su grupo de estudios Es recomendable la discusin sobre este DIFs, para facilitar un mejor entendimiento.

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PROGRAMA DE CALIDAD UDABOL DIF 002 Distinguido alumno tengo el agrado de presentar este documento de discusin que estoy seguro le ser de utilidad.

Recuerde: Este documento debe ser analizado, interpretado discutido y mejorado por su grupo de estudios. EL DIODO COMO OPERADOR ELEMENTAL EN CIRCUITOS ELECTRNICOS La Electrnica, adems de poseer una parte tecnolgica importante, es una ciencia experimental; con lo cual, a la hora de abordar su enseanza/aprendizaje, se hace necesario recurrir a las bases tericas que proponen las tendencias actuales en Didctica de las Ciencias Experimentales (Perales y Caal, 2000). El paradigma fundamental de estas tendencias es el constructivismo, que concibe el aprendizaje como un proceso que debe partir de la estructura cognitiva del alumno, a fin de que ste construya su propio conocimiento (Marn, 2003). En consecuencia, el conocimiento previo del alumnado se establece como punto de anclaje para el proceso de instruccin educativa. En el caso que nos ocupa, ser preciso que el alumnado posea unos conocimientos mnimos sobre Circuitos Elctricos; en concreto, los conocimientos bsicos sobre esta temtica, establecidos en los currculos de Fsica y Qumica y de Tecnologa para el nivel de ESO. La propuesta que hacemos se desarrolla en forma de programa-gua de actividades, que tienen por objeto favorecer que los alumnos y alumnas puedan construir y afianzar los conocimientos de Electrnica Bsica propuestos, al tiempo que se familiaricen con las caractersticas bsicas del trabajo cientfico (Gil et al., 1991). Por ello, la propuesta se debe concebir como un material dinmico, abierto y flexible a las necesidades educativas del alumnado; es decir, como un material autocorrectivo, que favorezca el aprendizaje de los alumnos en diferentes situaciones educativas. Con el estudio de la propuesta, se espera que los alumnos y alumnas desarrollen las capacidades siguientes: Reconozcan la importancia del diodo en el desarrollo de la Electrnica. Asuman la necesidad de abordar el estudio del diodo, con el fin de comprender algunos de los aspectos del entorno cientfico/tecnolgico en que se desenvuelven, dominado por la Electrnica. Conozcan y distingan el comportamiento de un diodo en polarizacin directa e inversa. Interpreten la caracterstica I-V ideal de un diodo. Describan el comportamiento de los diodos en circuitos sencillos. Conozcan las aplicaciones del diodo como protector de circuitos y en circuitos de rectificacin elementales.

El proceso de evaluacin estar orientado a obtener informacin sobre la validez de la propuesta didctica, sobre la utilidad que tiene para el profesorado en su prctica El proceso de evaluacin estar orientado a obtener informacin sobre la validez de la propuesta didctica, sobre la utilidad que tiene para el profesorado en su prctica docente y sobre la medida en que los alumnos y alumnas desarrollan las capacidades previstas en los objetivos (Caal et al., 1997). Los resultados obtenidos en la evaluacin permitirn reformular los objetivos y, consecuentemente, introducir las modificaciones oportunas, tanto en las actividades como en la metodologa empleada. Los criterios de evaluacin que proponemos, a la hora de valorar el grado de consecucin de los objetivos, son los siguientes: Valora la importancia del diodo en el desarrollo de la Electrnica. Explica el comportamiento de un diodo polarizado, y distingue los estados de polarizacin directa e inversa. Describe el comportamiento de los diodos en circuitos sencillos y comprende su aplicacin como protector de circuitos, as como el papel que desempean en los circuitos rectificadores elementales.

Los instrumentos de evaluacin que proponemos, a la hora de valorar el aprendizaje de los alumnos, son los siguientes:

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La observacin del trabajo individual, del trabajo en grupo y en las puestas en comn, donde se valorar la participacin, el esfuerzo, la cooperacin, etc. Dado el carcter de las actividades propuestas, se valorar la realizacin de las mismas, en cuanto a la emisin de hiptesis, el anlisis de los resultados y elaboracin de conclusiones, a travs del cuaderno de clase. Realizacin de una prueba objetiva basada en diversos ejercicios y cuestiones, que sern valorados de acuerdo con los criterios de evaluacin establecidos.

Actividades de desarrollo 1 Quin fue el inventor del diodo? Busca informacin sobre ello, y haz una descripcin del primer diodo.

El propsito de esta primera actividad es introducirnos en la historia de la Electrnica, con el fin de introducir el tema. Se trata de que el alumno encuentre informacin sobre el primer diodo, basado en la vlvula de vaco, que fue inventado por J. A. Fleming en 1904. 2 En 1940, aparece el primer diodo semiconductor. Busca informacin sobre ello, e indica cuales fueron las modificaciones y las principales ventajas con respecto al primer diodo. La actividad enlaza con la anterior, y tiene por objeto destacar la importancia de los materiales semiconductores en el desarrollo de la Electrnica. Hacia 1940, durante la segunda guerra mundial, surgi el diodo semiconductor, que releg al diodo de vlvula de vaco de Fleming. Supuso un desarrollo vertiginoso en la industria electrnica, que vino dado por el empleo de tcnicas de miniaturizacin y de materiales ms ligeros y robustos (semiconductores) en los dispositivos electrnicos. Las vlvulas eran grandes y poco fiables tarde o temprano se quemaba el filamento, lo que imposibilitaba el desarrollo de mquinas electrnicas ms pequeas y duraderas (Macaulay y Ardley, 1989). 3 El aspecto comercial de un diodo se muestra en la figura 3. Busca informacin sobre las tcnicas que se emplean en su fabricacin. Raya que seala el terminal negativo del diodo. Cpsula que encierra la unin pn

Conexiones elctricas externas

La actividad muestra el aspecto de un diodo de unin pn comercial, con objeto de que los alumnos se familiaricen con el aspecto real del dispositivo, y no piensen que ste tiene el aspecto del smbolo que lo representa en los circuitos. Recuerde: Este documento debe ser analizado, interpretado discutido y mejorado por su grupo de estudios Es recomendable la discusin sobre este DIFs, para el mejor entendimiento.

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PROGRAMA DE CALIDAD UDABOL DIF 003 Distinguido alumno tengo el agrado de presentar este documento de discusin que estoy seguro le ser de utilidad para el estudio de la organizacin y por supuesto de su carrera profesional.

Recuerde: Este documento debe ser analizado, interpretado discutido y mejorado por su grupo de estudios. DIODO ZENER Hemos visto que un diodo semiconductor normal puede estar polarizado tanto en directa como inversamente. En directa se comporta como una pequea resistencia. En inversa se comporta como una gran resistencia. Veremos ahora un diodo de especiales caractersticas que recibe el nombre de diodo zener. El diodo zener trabaja exclusivamente en la zona de caracterstica inversa y, en particular, en la zona del punto de ruptura de su caracterstica inversa. Esta tensin de ruptura depende de las caractersticas de construccin del diodo, se fabrican desde 2 a 200 voltios. Polarizado en directa acta como un diodo normal y por tanto no se utiliza en dicho estado. EFECTO ZENER El efecto zener se basa en la aplicacin de tensiones inversas que originan, debido a la caracterstica constitucin de los mismos, fuertes campos elctricos que causan la rotura de los enlaces entre los tomos dejando as electrones libres capaces de establecer la conduccin. Su caracterstica es tal que una vez alcanzado el valor de su tensin inversa nominal y superando la corriente a su travs un determinado valor mnimo, la tensin en bornes del diodo se mantiene constante e independiente de la corriente que circula por l. FUNCIONAMIENTO DEL DIODO ZENER El smbolo del diodo zener es:

y su polarizacin es siempre en inversa, es decir

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Tres son las caractersticas que diferencian a los diversos diodos Zener entre si: Tensiones de polarizacin inversa, conocida como tensin zener.- Es la tensin que el zener va a mantener constante. Corriente mnima de funcionamiento.- Si la corriente a travs del zener es menor, no hay seguridad en que el Zener mantenga constante la tensin en sus bornes Potencia mxima de disipacin. Puesto que la tensin es constante, nos indica el mximo valor de la corriente que puede soportar el Zener.

Por tanto el Zener es un diodo que al polarizarlo inversamente mantiene constante la tensin en sus bornes a un valor llamado tensin de Zener, pudiendo variar la corriente que lo atraviesa entre el margen de valores comprendidos entre el valor mnimo de funcionamiento y el correspondiente a la potencia de zener mxima que puede disipar. Si superamos el valor de esta corriente el zener se destruye. Recuerde: Este documento debe ser analizado, interpretado discutido y mejorado por su grupo de estudios Es recomendable la discusin sobre este DIFs, para facilitar un mejor entendimiento.

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