ANGELO FERNANDO PADILHA

FRANCISCO AMBROZIO FILHO

~ ~
TECNICAS DE ANALISE
MICROESTRUTURAL
NDICE
PREFCIO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
APRESENTAO
11
13
1 A MICROESTRUTURA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
1.1 Introduo 1.2 Estrutura cristalina 1.3 Defeitos cris
talinos 1.3.1 Defeitos puntiformes 1.3.2 Discordncias
1.3.3 Defeitos bdimensionals 1.3.3.1 Defeitos de empi
lhamento 1.3:3.2 Contornos de macia 1.3.3.3 Contor
nos de subgro 1.3.304 Contornos de gro 1.3.3.5 Inter
faces IA Classificao das mcroestruturas polifsicas.
Bibliografia.
2 DIFRAO DE RAIOS X . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
2.1 Introduo 2.2 Direo do feixe difratado (Lei de
Bragg) 2.3 Intensidade do feixe difratado 204 Mtodos
utilizados para polcristas 2.4.1 Gerao e seleo de
raios X 2.4.2 Difratometria (gonornetra) 2.4.3 Cmara
de Debye-Scherrer 2.4.4 Medidas de preciso 2.5 Alguns
exemplos de utilizao 2.5.1 Identificao de consti
tu intes m croestruturais 2.5.2 Determinao de diagra
mas de fases 2.5.3 Forma o de solues slidas 2.5.4
Efeito da deformao. Bibliografia.
3 DIFRAO DE ~ U T R O N S . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77
3.1 Introduo 3.2 Algumas caractersticas da difrao
de nutrons 3.3 Gerao e monocromarzao do feixe
de nutrons 3,4 Aplicaes principais. Bibliografia.
4 MICROSCOPIA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85
4.1 Introduo 4.2 Microscopia ptica 4.3 Microscopia
eletrnica 4.3.1 Intera o entre o eltron e a matria
4.3 .2 Microscopia eletrnica de. transmisso (MET)
4.3.2.1 O microscpio 4.3.2 .2 A preparao de amostras
4.3 .2.3 Formao de imagens: slidos amorfos 4.3 .2.4
Formao- de imagens: slidos cristalinos 4.3 .2.5 Difra
o de eltrons em MET 4.3.3 Microscopia eletrnica de
varredura (ME\') 4.4 Microscopia de campo inico
(MCI). Bibliografia.
5 FUNDAMENTOS DE METAWGRAFIA QUANTITA
TIVA , 113
5.1 Introduo 5.2 Terminologia e notao dos parme
tros 5.3 Medidas e equaes bsicas 5.3.1 Medidas bsi
cas 5.3 .2 Equaes bsicas 5.4 Preciso estatstica 5.5
Proporo de fases 5.6 Tamanho de gro 5.7 Micro
estrutura contendo partculas dispersas 5.8 Aplicao
em microscopia de transmisso. Bibliografia .
6 ANLISE QUlMICA DE MICRORREGIES. . . . . . . . 143
6.1 Introduo 6.2 Fundamentos da anlise 6.3 Anlise
quantitativa: correes 6.4 Exemplos de utilizao 6.5
Comentrios finais. Bibliografia .
7 EXTRAO DE PRECIPITADOS 157
7.1 Introduo 7.2 A tcnica de extrao 7.3 Algumas
aplicaes da tcnica de extrao. Bibliografia,
8 TCNICAS INDIRETAS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 163
8.1 Introduo 8.2 Dilatometria 8.3 Anlise trmica 8.4
Medidas de resstivdade eltrica 8.5 Medidas de micro
dureza. Bibliografia.
9 SELEO DE T:eCNlCAS EXPERIMENTAIS . . . . . . . 183
9.1 Introduo 9.2 Caracterizao microestrutural de
processos e fenmenos 9.3 Identificao das fases pre
sentes em um material 9.4 Outros aspectos da seleo
9.5 Comentrios finais. Bibliografia.
CAPr'ruLO 1
A MICROESTRUTURA
1.1 INTRODUO
A microestrutura dos materiais cristalinos constituda de defeitos,
tais como vazios, trincas, contornos de gros, contornos de subgros,
contornos de macla, falhas de empilhamento, discordncias, defeitos
puntiformes e de constituintes rnicroestruturais, tais como fases e
incluses. O conhecimento da estrutura, composio, quantidade,
tamanho, morfologia , relaes de orientao e distribuio destes
constituintes, assim como da natureza, densidade e distribuio dos
defeitos, so de extrema valia para o entendimento e, s vezes, at
para a previso das propriedades dos materiais.
A Figura 1.1 classifica as estruturas em sete nveis que vo desde
estruturas gigantescas, como a muralha da China, at partculas
elementares. Em anlise microestrutural , mais conhecida como meta
Iografia, se investigam desde defeitos punt formes da ordem de
alguns ngstrons at gros grosseiros da ordem de alguns milmetros.
1.2 ESTRUTURA CRJSTALlNA
Os metais e a maioria dos slidos no-metlicos so cristalinos, isto ,
os seus tomos esto arranjados em um reticulado que se repete nas
15
Circuitos integrados Muralha da Chin a
Estrutura de
I I
7
Engenharia
Gros grandes
Espessura de contornos de
,
I
MicToestruturas 6
gros e interfaces
Clulas unitrias
5 Fases t-------<
Monmaros Polfrnaros de cadeia longa
4
Molculas
~
I
3
tomos
H
2 Ncleo
.....
1
Pertlculas
alamentares
....
I
I I I I I
I
10-
15
lO-
U
10-
9
10-
6
10-' 1 0 ~
10'
,TAMANHO DOS OBJETOS (rn)
Fig. 1.1 Classificao das estruturas.
IH. Hornbogen, ActaMet., 32 (1984) 6151.
trs dimenses. Idealmente, o arranjo mais estvel dos tomos num
cristal ser aquele que minimiza a energia por unidade de volume ou,
em outras palavras, aquele que :
preserva a neutralidade eltrica;
satisfaz o carter direcional das ligaes covalentes;
minimiza as repulses on-on e, alm disto,
agrupa os tomos o mais compactamente possvel.
Estes arranjos so chamados reticulados espaciais e cada estrutura
cristalina baseada num dos possveis reticulados espaciais. Um reti
culado espacial um arranjo infinito, tridimensional, de pontos e no
qual todo ponto tem a mesma vizinhana e se chama ponto do reti
16
culado. E importante destacar que a cada ponto do reticulado pode
estar associado mais de um tomo . Os pontos do reticulado, confor
me mostram a Figura 1.2 e Tabela 1.1, podem estar arranjados de 14
maneiras diferentes, denominadas reticulados de Bravais envolvendo
sete sistemas diferentes, chamados sistemas de Bravais,
@@@ @ID$
simplea de fecal Tricltnico
Hexagonal
Rombodrico
centredas
.:
Ortorrrnbico Ortorrmblco
Onorr6mbico
Onorr6mbico
.lrnples
da corpo de faces de faces
@
Cbico Cbico Cbico T I Tetragonel
slmple, de tscas de corpo etragone de corpo
centrada, centrado simples cantreclo
Fig. 1.2 Os 14 reticulados de Bravas,
Devido ao carter no-direcional da ligao metlica, supe-se que
os tomos metlicos so esferas rgidas que podem se tocar, confor
me mostra a Figura 1.3 para a estrutura cbica de faces centradas.
17
TABELA 1.1
Geometria dos sistemas cristalinos de Bravais
slstema eixos ngulosaxiais
cbico
tetragonal
ort orr mbi co
mono cl ntco
tr iclnico
hexagonal
romb odrico
ai :; a, :; a,
aI :; a. *' c
a*b* c
a*b*, c
a *b4' c
a, :; a. :; as 4' c
a , = a. :; a,
todos os ngulo s =; 90
todo s os ngulos > 90"
todos os ngulos ee 9 O"
2 ngulos e 90 ; 1 ngulo 4' 90
' todos os ngulos di ferentes;
nenhum igual a 90
ngulo > 90 e 120"
tod os os ngulos iguais.
mas no 90
Fig. 1.3 Clula unitria cbica de faces . centradas, supondo-se
serem os tomos esferas rgidas.
As estruturas cristalinas na maioria dos metais puros (Tab. 1.2)
so simples; as trs mais freqentes so: cbica de corpo centrado
(CCC), cbica de faces centradas (CFC) e hexagonal compact a (HC).
Por outro lado , as estruturas das fases intermedirias e dos compos
tos no-metlicos so freqentemente complexas.
Uma maneira conveniente de visualizar as estruturas CFC e HC
por meio do empilhamento de planos compactos, conforme mostram
as Figuras IA e 1.5. respect ivamente. Na estrutura HC o empilha
18
mento do tipo ABABAB... e na estrutura CFC o empilhamento
do tipo ABCABC...
TABELA 1.2
Estru tu ra cristalina dos principa is metais
CCC Ba, Cr, Cs, Fe 0<, ofe 5, Hf (3 , K, Li, Mo, Na, Nb, Rb, Ta, Ti (3, V,
W,Zr(J
CFC Ag, AI, Au, Ca, Co 13, Cu, Fe 'l, Ni, Pb, Pd, PI , Rh, Sr
HC Be, Cd, Co 00, Hf 00, Mg, Os, Re, Ru, Ti 00, Y, Zn, Zr O<
1.3 DEFEITOS CRlSTALINOS
Os defeitos cristalinos podem ser classificados em puntiformes (lacu
nas, intersticais e combinaes deles), lineares (discordncias) e bidi
mensionais (defeitos de empilhamento J contornos de macia, contor
nos de subgr o, contornos de gro e interfaces entre fases diferentes).
A Tabela 1.3 apresenta algumas caractersticas destes defeitos.
1.3.1 Defeitos puntiformes
Em um metal puro existem dois tipos de defeitos puntiforrnes: lacu
nas e intersticiais. Estes dois defeitos em uma estrutura cbica sim
ples so mostrados na Figura 1.6. Lacunas e tomos intersticiais
podem ser criados nos materiais por deformao plstica ou por
meio de irradiao com partculas de alta energia . Uma alta concen
trao de lacunas tambm pode ser retida em um cristal por resfria
mento rpido. Este efeito aparece porque a contribuo entrpica
de uma lacuna comparvel ao aumento que ela causa na energia
interna, isto , existe um nmero de lacunas de equilbrio que
funo da temperatura e do material. Por exemplo, para o cobre
a 1250 K o nmero de lacunas em equilbrio de 0,1% e a 300 K
apenas 10-
10
%. A Tabela IA apresenta valores de energia de forma
o e de migrao de lacunas para alguns metais.
19
TABELA 1.3
Algumas caractersticas dos principais defeitos cristalinos
dimenso zero um dois
tipos
pr incipais
1. lacunas
2. ntersticlais
3. combinaes
entre 1 e 2
4 . aglomerados
de 1
1. di scordncias 1. contornos de
gro (alto
ngulo)
2. sub contornos
de subgros
(pequeno
ngulo)
3. contornos de
macla
4. defeitos de
empilhamento
5. interfaces
vetor de
Burgers
b =:O b,*O
1-- -
lacuna :
"v 0,5-1 eV
energia por tomo
de discordncia
contorno de gro
"v 1000 erg/cm?
energia (U)
int ersticial :
"v 5 eV
' ''v7eV
equilbrio
termodinmico
lacunas:
U
C
L
=: e
KT
Tem alta energia de formao e esto
sempre fora de equ lfbrlo
concentraes
tpicas em
metais c ligas
lacunas:
funo da
temp eratura
"v 10-
4
_ ID-
1
funo da histria
termomeenica
"v ID
6
- 10" em/ em'
cont orn o de
gro : funo do
tamanho de gro
"v 10' cm'/cm
3
tomos de impurezas tambm podem ser considerados defeitos
puntifonnes, os quais desempenham um papel importante na defor
mao dos metais (endurecimento por soluo slida, envelhecimen
to dinmico, envelhecimento esttico). Dependendo da posio que
20
[a]
A
[di
8
OA
8
O C
Fig. IA Estrutura CFC: (a) arranjo dos tomos no reticulado; (b)
arranjo dos tomos em um plano compacto (I 11); (c) e
(d) seqncia de empilhamento dos planos (I1l).
21
c
a)
o ~
c) B
OI
-o,
C
o
A
b)
-
B
Fig. 1.5 Estrutura HC: (a) arranjo dos tomos no reticulado ; (b)
e (c) seqncia de emplhamento dos planos compactos.
o tomo estranho ocupa na rede e, portanto, do seu tamanho, ele
pode ser um tomo de impureza intersticial ou de impureza subst
tucional, conforme ilustra a Figura 1.7. Todos os defeitos punt for
mes mencionados acima causam distores na rede cristalina (da
ordem de 1- 5 A) influenciando as propriedades do material.
1.3.2 Discordncias
Discordncias so defeitos lineares, relacionados com os fenmenos
de escorregamento de planos cristalinos. A deformao plstica de
um cristal perfeito pode ocorrer pelo deslizamento de um plano de
22
00000000000
00000000000
O O ~ O O O - O O O
00 OQd-)OO
00 000000
00000000000
00000000000
(a) (b)
Fig. 1.6 Defeitos puntfonnes em um plano (001) da estrutura
cbica simples:(a) lacuna; (b) intersticial.
00000000
O O O O O ~ O
oO(!J}O Od'DO
00000000
00000000
la) (b)
Fig. 1.7 Defeitos puntiformes causados por impurezas: (a) tomos
de impureza substtuc onal; (b) tomos de impureza
intersticial.
23
TABELA IA
Energia de forma o e energia de migrao de lacunas
(H. Bhm, Einfuhrung in die Metallkunde, 1968)
metal
energia de forma o
de lacunas (e V)
energia de migrao
de lacunas (e V)
Au 0,96 - 1,00 0,55 - 0,80
Ag 1,02 1,10 0,83 0,88
Cu 1,00 -1,40 0,70 - 1,20
PI 1,20 - 1,40 1,10 1,50.
Al 0,74 - 0,79 0,50 - 0,60
Ni
-
"v 1,5
W "v 3,3 -
tomos com relao ao outro (Fig. 1.8). Isto exige o movimento
cooperativo de todos os tomos do plano de uma posio de equ l-
b G
brio para outra equivalente. A tens o terica (8, = - -, onde G
a 271'
o mdulo de cisa1hamento) para que o escorregamento de planos
ocorra desta maneira cerca de G/30 para cristais de Cu, Ag e Au.
TanSO

r ---'OO
J_-OOOO
...
Fig, 1.8 Deslizamento de planos em um cristal perfeito .
24
----
---- - -
Esta tenso calculada algumas ordens de grandeza maior do ~ u e a
necessria para deformar cristais r-eais bem recozidos (10-
4
a 10- G),
os quais contm densidades de discordncias da ordem de 10
5_106
em/em", Por outro lado, quando se deformam cristais filamentares
praticamente livres de discordncias (whiskers), a tenso necessr ia
da ordem da tenso terica calculada.
A Figura 1.9 ilustra como a presena de uma discordncia pode
facilitar o desligamento relativo de planos e, portanto, a deformao
plstica, uma vez que o movim ento de discordncia de um ponto
para outro envolve o rearranjo de poucos tomos ao seu redor.
Fig, 1.9 Deslizamento de planos por meio do movimento de uma
discordncia em cunha.
A direo do escorregarnento dada pelo vetor de Burgcrs, Se o
vetor de Burgers perpendicular linha de discordncia (Fig. 1.10),
diz-se que a discordncia do tipo cunha (1); se ele for paralelo
(Fig. 1.11), diz-se que a discoruancra dQ Cipa tr2tee {O).
o caso mais geral a linha de discordncia e o vetor de Burgers
formarem um ngulo qualquer entre si. Nestes casos diz-se que a
discordncia mista, pois ela pode ser decomposta (geometrica
mente) em um componente cunha e outro hlice . Pode-se sintetizar
o exposto acima afirmando que a deformao plstica ocorre por
movimento de discordncias. Quando a discordncia se movimenta
no plano de deslizamento (normalmente os planos de maior densi
dade atmica), diz-se que o movimento conservativo. Se o movi
25
Fg. 1.10 Arranjo dos tomos ao redor de uma discordncia em
cunha.
mento da discordncia se der fora do plano de deslizamento, perpen
dicularmente ao vetor de Burgers, diz-se que ele no-conservatvo
ou de escalagem. Para que isto ocorra necessriaa interao da dis
cordncia com defeitos puntiformes.
As alteraes do reticulado ao redor da dscordncia tm como
conseqncia um campo elstico, o qual responsvel por quase
toda energia da discordncia. Por exemplo, considere-se a discordn
cia em cunha da Figura 1.12; a regio acima do plano de escorrega
mento est comprimida e a regio abaixo est tracionada.
A presena da discordncia aumenta a energia interna (Ud) do
cristal. Utilizando-se a teoria da elasticidade pode-se mostrar que
Udo( Gb
2
.
A maneira mais comum de se introduzirem discordncias em um
cristal pela deformao plstica, quando ocorre movimento e mul
tiplicao de discordncias. A densidade e distribuio das discordn
cias introduzidas pela deformao plstica dependem de vrios fato
26
b
--
-- Eixo da
dscordlJnca
I I
,L.: Vetor de Burgers
F;g. 1.I I DIsco'd"'el' em hlice; i') "''''jo do, to '0 "do,
para BB'.
lnO'
da dl""'d"'e',; ib) InO"mento de dl""'d"'el, de M '
27
...
I
Compresso
Trao
+
Fig. 1.12 Campos de tenses elsticas em torno de uma discordn
cia em cunha num reticulado e bieo simples.
res, tais como material, quantidade, modo , velocidade e temperatura
de deformao. Freqentemente as discordncias nii'\ esto distri
budas ao acaso nos planos de escorregarnento, mas sim arranjadas
formando um arranjo celular (Fig. 1.13), onde o int erior das clulas
tem uma densidad e baixa de discordncias em comparao com as
paredes das clulas.
1.3.3 Defeitos bidirnensionais
Os principais defeitos bidimensionais que OCOrrem em materiais cris
talinos so: defeitos de empilhamento, contornos de macla, contor
nos de subgro, contornos de gro e interfaces entre fases diferentes.
Alm destes deve-se mencionar a superfcie externa dos cristais, que
tambm SO defeitos bidrnensonas.
28
- ,., ...,- . Contorno de gr'o
Parede de clula
(ett a densidade
de discord nclas]
Interior da clula
ldansidade normal
de discordnciasl
Fig. 1.13 Arranjo celular de discordncias (supostas todas em
cunha para simplificar o desenho) de um material
encruado.
1.3.3.1 Defeitos de empilhamento
No item 1.2 foi mencionado que uma determinada estrutura crista
lina pode ser obtida por meio do empilhamento de planos arranjados
em uma seqncia regular. Esta seqncia regular pode ser localmen
te alterada por deformao plstica, tmpera ou irradiao, dando
origem a um defeito de empilhamento. A Figura 1.14 apresenta duas
c C
8 l'> li 8 li
A l'> tiA ti
(a)

C - - "' 8 -


A li lI C li
C
8
8 li li

l'> ti
8 e:------ \7 8 -----t;
A ------=:.
(b)
C l'> lI C
Fig.1.14
Defeitos de empilhamento em uma estrutura CFC (6. =
empilhamento normal, 6. = empilhamento alterado):
a) intrnseco; b) extrnseco.
29
variantes de defeito de empilhamento numa estrutura CFC. A pri
o rneira resultante da retirada de parte de um plano de tomos (defei
to de empilhamento int r nseco) e a segunda como conseqncia
da introduo de parte de um plano de tomos (defeito de ernpilha
menta extrnseco).
A Figura 1.15 apresenta trs tipos de alteraes na seqncia de
empilhamento: um defeito de empilhamento na estrutura HC, um
defeito de empilhamento na estrutura CFC e um contorno de macIa
na estrutura CFC. No primeiro caso o defeito de empilhamento pode
ser vsualzado como urna regio de estrutura CFC dentro do cristal
HC. No segundo caso o defeito de empilhamento uma regio com
empilhamento HC dentro de um cristal CFC.
olA blA elA
8
8 B
Fig. 1.15 Alteraes nas seqncias de
C C
empilhamento originando :
- ~ }
(a) defeito de empilhamento
-:}
A na estrutura - HC; (b) defei
- ~ l
C
C
tos de empilharnento na
A C
B
estrutura CFC; (c) contorno
C A A
de mac1a na estrutura CFC.
A B C
C C 8
o defeito de empilhamento (Fig. 1.16) est limitado por duas dis
cordncias, denominadas parciais. Quanto maior a energia do defeito
de empilhamento por unidade de rea, mais prximas esto as discor
dncias parciais, de modo a minimizar a rea defeituosa.
A Tabela 1.5 apresenta energias de defeito de empilhamento de
vrios materiais.
A energia de defeito de empihamento um dos mais importantes
parmetros indicativos das propriedades dos materiais. Por exemplo,
uma energia de defeito de empilhamento baixa tem vrias conse
qncias: maior densidade de discordncias, arranjo mais uniforme
30
B
A_-------:'
, ~ _ . . . . . . , , , c
Fig. 1.16 Discordncias parciais delimitando defeitos de empilha
mento.
TABELA 1.5
Energia de defeito de empilhamento (EDE) de alguns metais e ligas
material estrutura EDE(erg jcm
')
referncia
W CCC 1860 a
Mo CCC 1450 a
Ta CCC 942 a
Nb CCC 537 a
Ni CFC 220 b
AI CFC 163 b
Cu CFC 62 b
Au CFC 50 b
Ag CFC 22 b
AISI304L CFC 18 c
3) R. R. Vandervoort, Trans. AIME 245 (1969) 2269.
b) R. P. Reed and R. E. Schrarnrn , J. Appl, Phys, 45 (1974) 4705.
c) R. E. Schramm and R. P. Reed , Melall. Trans. 6A (1975) 1345.
31
de discordncias, maior energia armazenada na deformao, recrista
Izao mais fcil, maior incdncia de mac1as de recozimento, maior
taxa de encruamento, maior resistncia fluncia e maior suscetibil
dade corroso sob tenso.
1.3.3.2 Contornos de macIa
Contornos de mac1a so imperfeies bidimensionais que separam
duas regies do cristal que so imagens especulares uma da outra
(Fig . 1.17).
Fig. 1.17 Arranjo dos tomos em torno de uma macla no reti
culado cbico simples.
Este tipo de defeito pode ocorrer durante a solidificao, defor
mao, recrstalizao ou durante o crescimento de gro. Normal
mente, distinguem-se dois tipos de macla: macla de recozimento e
macla de deformao (Fig. 1.18).
As macIas de recozimento (Fig. 1.19).ocorrem durante a recrsta
lizao ou durante crescimento de gro e so mais freqentes quanto
menor for a energia de defeito de empilhamento do material. Por
exemplo, so rarssimas em AI mas muito freqentes em Cu, Ag e
32
/
(a) lbl (c)
?l6. 1.18 Gros maclados: (a) e (b) macias de recozimento em
materiais com estrutura CFC; (c) macia de deformao
(macia mecnica) em materiais com estrutura HC.
Contorno incoerente
Conto mo
coerente
lal
(bl
:- ::. 1.19 Contornos coerentes e incoerentes de macia: a) arranjo
atmico; b) aspecto em metalografia ptica .
33
Au. A energia do contorno coerente de macla aproximadamente a
metade da energia de defeito de empilhamento. J a energia de con
torno incoerente da ordem da energia de contorno de gro.
A maclao mecniea (maclas de, deformao) uma maneira
alternativa de deformao plstica. Ela ocorre em situaes em que
a deformao plstica por deslizamento de planos se torna difcil ;
em metais HC, ela acontece devido ao baixo nmero de sistemas de
escorregarnento ou dur ante a deformao plstica em baixas tempe
raturas ou altas velocidades de deformao. A maclao mecnica
exige pequenos movimentos de tomos, todavia estes movimentos
devem ser coordenados como nas transformaes martensfticas.
. 1.3.3.3 Contornos de subgro (contornos de pequenongulo)
Um mono cristal ou um gro pode estar subdividido em regies (sub
gros) que tm entre si pequenas desorientaes sj; estas regies
1
t
ubgr(jo 2
. J r I T
1
I I /
f I I
J. I
-
~ I
""
S
..1.1
r
,
Tl
Subgroo 1
Fig. 1.20 Arranjo de discordncias em cunha em um contorno
inclinado puro.
34
--
--
--
--
--
--
--
--
esto separadas por fronteiras denominadas contornos de pequeno
iagulo. Em geral, os contornos de pequeno ngulo podem ser descri
tos por arranjos convenientes de discordncias. Um tipo especial de
subcontorno o contorno inclinado, composto de discordncias em
cunha (Fig. 1.20) . b
O ngulo 8 de Inclina o ser 8 =O onde b o vetor de Burgers
e D o espaamento mdio entre as discordncias.
Similarmente existe o contorno torcido (Fig. 1.21) composto por
discordncias em hlice. No caso mais geral, o subcontorno com
r
,
r
,
0 '.
'i
r
: oi o: j :' 1 o' '1
W" N+1
-
o:.
; ,
p. _. -
-
- ' --
. 0
'
I
.
0 . 0
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.' ..

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.
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0 0
. 0
..
I----
o' 0 0 .
..
-
--
0 0
..-
..

..
--
..
.
..
. '
.- c .
.'
; ;
.
..
,
i
,
,
;
;
,
: .. J

;
,
:.,;/
-'
o-

--
.0 ---'--l
0 __
..
,-
Fg. 1.21 Arranjo de discordncias em hlice em um contorno toro
cido puro .
posto de discordncias, em cunha, em hlice e mistas. As discordn
cias se rearranjam desta maneira de modo a minimizar seus campos
elsticos e, portanto, a energia interna.
Este rearranjo das discordncias, tambm denominado poligonza
o, ativado termicamente (Fig. 1.22).
35
i
.J.
.l
J.
1
l
J.
.1.
.l
.L
.J.
.1.
.lo
l
.1.

(a)
(b)
Fig. 1.22 Rearranjo de discordncias em cunha durante a polgo
niza o: (a) aps a deformao: (b) aps recozimento do
material encruado.
1.3.3.4 Contornos de gro (contornos de alto ngulo)
Contornos de gro so as imperfeies bdimensionas que separam
cristais de diferentes orientaes em um agregado policrlstalino.
Aqui , as diferenas de orientao so bem maiores que nos casos de
contornos de pequeno ngulo e contornos de macia (Fg. 1.23) e
no podem ser descritas por arranjos de discordncias (elas estariam
muito prximas). A regio do contorno (duas a cinco distncias
interatrncas de espessura) bastante defeituosa e seus tomos tm
um menor nmero de coordenao do que o dos tomos no interior
dos gros.
A Tabela 1.6 apresenta valores de energia de contornos de gro
em comparao com a energia da superfcie externa para vrios
metais.
A Tabela 1.7 compara as energias de diferentes defeitos bdirnen
sionais.
Destaquemos que um gro em um agregado polcrstalino (Fig.
1.24) um poliedro que deve preencher todo o espao (sem deixar
vazios), satisfazer o equilbrio de tenses superficiais e, claro, satis
36
fazer as relaes entre o nmero de vrtic es, arestas e faces, O polie
dro que mais se aproxima destasexigncias o ortotetracaidecaedro
(Fig. 1.25).

....
-

-.
I
--4-ffi-f1*.ffi-H-HJr

Fig. 1.23 Alguns tipos de contornos: (a) contorno de pequeno
ngulo; (b) contorno de alto ngulo; (c) contorno coe
rente de macla,
1.3.3.5 Interfaces
Nos tpicos anteriores foram abordadas fronteiras entre cristais ou
37
TABELA 1.6
Energia de contorno de gro e energia de superfcie de alguns metais puros
(Marlin and Doherty, Srability o] microstructure in metallic systems, 1976)
metal
energia de contorno de gro
[erglcm"}
energia de superflcie
(ergfcm"]
A1
Au
Cu
Fe (CCC)
Fe (CFC)
PI
W
600
400
530
800
790
780
1070
1100
1400
1750
2100
2200
2100
2800
TABELA 1.7
Energia de alguns defeitos bidimensionais do cobre
defeito energia [erg[cm"]
superfcie
contorno de gro
subcontornos
defeito de empilhamento
contorno coerente de macia
interface coerente Cu-Co
1750
530
O. .. 100
62
31
18 - 21
regies de cristais da mesma fase. Em materiais polifsicos (Fig.
1.26) esto lado a lado diferentes fases, as quais freqentemente
diferem tanto em composio quanto em estrutura. A fronteira que
separa as duas fases denominada interface.
Dependendo das relaes de orientao entre as duas fases, elas
podem ser classificadas como coerentes, semicoerentes ou incoeren
tes (Fig. 1.27) .
38
Fig. 1.24 Mcroestrutura monofsca polcrstalna vista em trs
dimenses.
(aI (b)
Fg, 1.25 Forma provvel dos gros de um material polcrstal no:
(a) ortotetracaidecaedro (24 vrtices, 35 arestas, 14
faces); (b) arranjo tridimensional (sem vazios) destes
poliedros.
39
Fig. 1.26 Microestrutura bifsica policristalina vista em trs dimen
ses.
a) b) c)
.

I






.

~ o -
"



to o
o 0\

I


\0
o o o,

'-

''?. .9
/ .




'1'
.


I
,




Fig. 1.27 Arranjo dos tomos ao redor das interfaces: a) coerente ;
b) semicoerente ; c) incoerente.
40
Quanto maior for O grau de desajuste entre as duas fases tanto
maior ser a energia da interface (Tab. 1.8).
TABELA 1.8
Energias de interface de alguns sistemas
(Martin e Doherty, Stabflfty of Mtcrostructure In Metattic Systems, 1976)
sistema tipo de interface
desorientao
(%)
energia
{erglc m }
Ni AI coerente 0,5 14
Cu - Co coerente 1,8 18 21
Fe/Fe
3C
incoerente
- 74 0
Fe/Fe(Oi/-r) incoerente
-
560
Ni - ThO, incoerente
-
1500
1.4 CLASSIFICAO DAS MICROESTRUTURAS POLIFSICAS
Do ponto de vista experimental vantajoso classificar as rnicroestru
turas (Fig. 1.28) em quatro tipos caractersticos de ocorrncia:
Tipo A: Em metais puros e solues slidas.
Tipo B: Em ligas contendo duas (ou mais fases) . A segunda fase
grande CO > 10 um) e est presente em altas fraes
volumtricas01v > 0,05).
Tipo C: Em ligas contendo disperses mdias de precipitados ou
incluses. As partculas de segunda fase tm tamanho
mdio D (lO /.Im > D > 1 pm) e esto presentes em
baixas fraesvolumtricas (V, <0,05).
Tipo D: Em ligas contendo disperses finas de precipitados. As
partculas (ou zonas) so finas (D < 1 um) e podem
estar presentes em fraes volumtricas variveis. Este
o caso das ligas endurecfveis por precipitao.
41
C
A B
O
Fig. 1.28 Classificao das microestruturas segundo a frao volu
mtrica (Vv) e o tamanho (D) da segunda fase.
42
A maioria das rnicroestruturas encontradas no dia-a-dia do meta
lgrafo ou pertencem a um destes quatro tipos ou so combinaes
deles.
A classificao acima leva em conta basicamente a quantidade e
o tamanho das fases. A morfologia e distribuio das fases presentes
(Fg. 1.29) tambm tm uma importncia considervel tanto para
efeito de anlise quanto nas propriedades do material.
LJ
recobrimento
lO
'E . lemelas
i[ffiU
lS
duplex esqueleto
tpo de microestrutura
Fig. 1.29 Classificao das microestruturas segundo a forma e
distribuio da segunda fase.
(lI. Hornbogen, Acta u, 32 (1984) 615.
flbm.
43
BIBLIOGRAFIA
Referncias introdutrias
Felbeck, D. K. Introduo aos mecanismos de resistncia mecnica,
S. Paulo, 1971, Ed. Edgard Blcher Ltda. e Ed. da Universidade
de sao Paulo.
Guy, A. G. Cincia dos materiais, S. Paulo, 1980, Livros Tcnicos e
Cientficos Ed. Ltda. e Ed. da Universidade de So Paulo.
Moffatt, W. G., Pearsall, G. W. e Wulff J. Cincia dos materiais, Rio
de Janeiro, 1972, Estrutura, Livros Tcnicos e Cientficos Ed.
Ltda., vol . l.
VIack, L. H. van. Princtpios de cincia dos materiais, S. Paulo, 1973,
Ed. Edgard Blcher Ltda.
Referncias suplementares
Cottrell, A. H. Dtslocations and plastic flow in crystals, Nova Iorque,
1953, Oxford University Press.
Flint, Y. Essentials of crystallography , Moscou, s/ data, Peace
Publishers Moscow. .
Hull, D. Introduction to dislocations, Oxford, 1975, Pergamon Press,
2 ~ ed.
Kittel, C. Introduction to sotid stat e physics, Nova Iorque, 1976,
John Wiley, 5 ~ ed.
Martin, J. W. e Doherty, R. D. Stability of mi crostructure in metallic
systems, Cambridge, 1976, Cambridge University Press,
Read, W. T. Disiocations in crystals, Nova Iorque, 1953, McGraw
Hill.
Reed-Hll, R. E. Physical metallurgy principles, Nova Iorque, 1973,
V a ~ Nostrand Company, 2 ~ ed.
44
CAPITULO 2
DIFRAO DE RAIOS X
2.1 INTRODUO
Os mtodos de difrao (difrao de raios X, difrao de nutrons
e difrao de eltrons) so de grande importncia na anlise micro
estrutural. Estes mtodos fornecem informaes sobre a natureza e
os parmetros do reticulado, assim como detalhes a respeito do
tamanho, da perfeio e da orientao dos cristais. A difrao de
nutrons e a difrao de eltrons (hoje em dia realizada quase que
exclusivamente em conjuno com a microscopia eletrnica de trans
misso) sero abordadas em captulos posteriores.
Os raios X foram descobertos em 1895 por Roentgen na Univers
dade de Wurzburg na Alemanha. Embora sua natureza no fosse
ainda bem conhecida (dai o nome raios X), eles foram, devido sua
alta penetrao, quase que imediatamente utilizados para estudar
a estrutura interna dos objetos opacos (radiografia). No Brasil, as
primeiras radiografias foram obtidas j em meados de maro de
896 na antiga Escola Politcnica do Rio de Janeiro pelo professor
Henrique Morize.
Vrios estudos da poca permitiram concluir que os raios X:
propagam-se em linhas retas;
45
- tm ao sobre as emulses fotogrficas;
- produzem fluorescncia e fosforescncia em certas substncias;
- no so afetados por campos eltricos e magnticos;
- possuem velocidade de propagao caracterstica.
Em 1912 von Laue, utilizando a teoria eletromagntica da luz,
previu teoricamente que os raios X podiam ser difratados pelos cris
tais. Logo em seguida, os Bragg (pai e filho) determinaram exper
mentalmente o reticulado cristalino do NaCl, KCI, KBr e KI por
difrao de raios X. Anote-se que at ento a estrutura cristalina
de metais, j extensivamente utilizados, como ferro e cobre, era
desconhecida.
A difrao de raios X possibilitou o estudo de detalhes do reti
culado cristalino , o qual tem dimenses da ordem de ngstroms
(a radiografia detecta defeitos da ordem de at 0,1 mrn), colocando
disposio de pesquisadores e engenheiros de materiais uma tcnica
poderosssima.
2.2 DIREO DO FEIXE DIFRATADO (Lei de Bragg)
Se um feixe de raios X com uma dada freqncia incidir sobre um
tomo isolado, eltrons deste tomo sero excitados e vibraro com
a freqncia do feixe incidente. Estes eltrons vibrando ' emitiro
raios X em todas as direes com a mesma freqncia do feixe nci
dente . Em outras palavras, o tomo isolado espalha o feixe incidente
de raios X em todas as direes. Por outro lado, quando os tomos
esto regularmente espaados em um reticulado cristalino e a radia
o incidente tem comprimento de onda da ordem deste espaa
mento, ocorrer interferncia construtiva em certas direes e inter
ferncia destrutiva em outras.
A Figura 2.1 mostra um feixe monocromtico de raios X, com
comprimento de onda , incidindo com um ngulo e em um con
junto de planos cristalinos com espaamento d.
S ocorrer reflexo, isto , interferncia construtiva, se a distn
cia extra percorrida por cada feixe for um mltiplo inteiro de . Por
exemplo, o feixe difratado pelo segundo plano de tomos percorre
46
urna distncia PO + OQ a mais do que o feixe difratado pelo pri
meiro plano de tomos. A condio para que ocorra interferncia
construtiva :
PO +OQ = nl\. :::: 2d sen ()
(Equao 2.1)
nde n = 1,2,3,4...
o
t
Fig. 2.1 Difrao de raios X por um cristal.
Esta equao conhecida como lei de Bragg e os ngulos () para
quais ocorre difrao so chamados ngulos de Bragg. Fica claro,
;. partir da equao 2.1, que as direes para as quais ocorre difrao
. terfernca construtiva) so determinadas pela geometria do reti
__lado. Os espaamentos entre os planos (h, k, 1) para os diversos
' : emas de Bravais em funo dos parmetros e ngulos do ret cula
_ so apresentados na Tabela 2.1. .
INTENSIDADE DO FEIXE DIFRATADO
-. ei de Bragg em certo sentido uma lei negativa, ou seja, se ela no
~ satisfeita, a difrao no ocorre. Entretanto, a lei de Bragg pode
er satisfeit a para um determinado plano de tomos e, a despeito
47
TABELA 2.1
Relaes entre espaamento interplanar (d), parmetros de reticulado (a, b, c),
ngulos cc, Il, "I e planos cristalinos (h, k, 1).
cc o ngulo entre b e c,ll entre a e c e "I entre a e b.
h' + k' + l'
Cbico:
d' a'
1 h' + k' I'
Tetragonal : -:---+
d' a' c'
Hexagonal :
.z. , + hk + k')+ r,
d' 3 a' c
'
Rombodrico :
1 (h' + k' + 1
'
) sen' cc + 2(hk + kl + hJ)(cos' cc - cos o)
d' a' (1 - 3 cos?cc + 2 --- -
1 h' k' I'
Ortorr mbico: - .:: - +- +
d' a' b' c'
, . 1 1 (h' k' sen'll " 2hl cos Il)
Monochmco : - =-- - + + - - --
d' sen'll a' b' c' ac
Triclnico: ;. = + Sl1k' + S2'!' + 2S"hk + 2S
22kl
+ 2S
nhl)
Na equao para cristais triclnicos:
V = volume da clula,
Sll = b? c' sen? e,
S" = a' c' sen?13,
5" = a'b'sen''Y,
5I' = abc?(cos cc cos 13 - cos "I) ,
5
' 3
;o a'bc(cos Il cos "I - cos o),
5
n
= ab'c(cos'Y cos cc - cos Il).
disto, a interferncia ser destrutiva e a difrao no ocorrer. Consi
dere por exemplo as duas estruturas ortorrmbicas da Figura 2.2;
uma pode ser obtida da outra pela simples mudana da posio de
um tomo de 1{2 c. Suponha que a lei de Bragg seja satisfeita para
48
o plano (Ol) da estrutura de faces centradas (Fig. 2.2c) e que a dife
rena de percurso (AB + BC) entre os feixes 1 e 2 seja ;\,. No caso da
estrutura de corpo centrado (Fig. 2.2d), existe um plano a mais de
tomos e a diferena de percurso (DE + EF) exatamente a metade
de AB + BC, ou seja ;\,/2 . Neste caso os feixes 1 e 3 esto completa
mente fora de fase e sofrero interferncia destrutiva, similarmente
2 com 4 e assim sucessivamente. Portanto, no ocorrer a reflexo
referente ao plano (001) na estrutura de corpo centrado.
Ih)
I ,
c
I I
6
0- - - - -
/ !0--6--
a
(a)
1
1
l '
(cl
2
2'
2'
(di
:: ti. 2.2 a) Estrutura ortorrmbica de base centrada (OBe);
b) estrutura ortorrmbica de corpo centrado COCC);
c) difrao dos planos (O l ) da estrutura OBC; d) difra
o dos planos (Ol) da estrutura OCC.
49
Seis fatores afetam a intensidade relativa dos mximos de difrao
no mtodo de ps:
- fator estrutura;
fator multiplicidade;
fator polarizao;
fator de Lorentz;
fator absoro;
fator temperatura .
Fatorestrutura (F)
o fator estrutura de um plano (h, k, 1) contendo 1, 2, 3.. . N
tomos respectivamente nas posies UI , VI, W1; U2, V2, W2 .
Uno Vn. W
n
dada pela expresso:
N
Fhk1 = 1: f, e
27rl
(h Un + kV
n
+ 1Wn) (Equa o 2.2)
1 n
onde fi . f
2
.. f
n
so os fatores de espalhamento atmico , o qual por
sua vez funo de () e . A partir desta expresso, podem-se deduzir
as reflexes necessariamente ausentes e as possivelmente presentes
nos diversos sistemas, conforme mostra a Tabela 2.2 para os diversos
reticulados.
FatorMultiplicidade (P)
Este fator leva em conta a proporo relativa de planos contri
buindo para a reflexo. Ele pode ser definido como o nmero de
planos tendo o mesmo espaamento d. Planos paralelos do tipo
(I 00) e (100) so contados separadamente. Por exemplo. em cristais
cbicos o fator de multiplicidade para os planos {OOI} 6 e para os
planos {l l l] 8.
1 + cos
2
20
FatorLorentz - Polarizao
sen
20
cos ()
50
TABELA 2 .2
Refl exes possivelmente presentes e as necessariamente ausent es
nos diversos ret iculados de Bravais
reticulado de
Bravais
reflexes possivelmen te
presentes
reflexes necessariament e
ausentes (proibidas)

cen trada
:o rpo cent rado
. ace cen trada
todas
h, k tod os pare s ou t odos
mp are s (no -misto s)
(h + k + I) par
h, k , 1 t odos pares ou todos
mp ares (no-mistos)
nenhuma
h . k m istos
(h + k + I) mpar
h, k, I mistos
Estes fatores levam em conta o espalhamento do feixe por um
2
1 + cos 28)
; .i -ron fator de polarizao: 2 e fatores trgonorn
(
- icos [fator de Lorentz: 1/(4 sen
2
8 cos 8)]. O efeito global destes
:--ores geomtricos decrescer a intensidade das reflexes (Fig. 2.3)
__ ocorrem em ngulos intermedirios.
50
,.
-,
\li
o
,.
o
40
-
-
;,
30
!!
Fig.2.3 Variao do
-

..
fator Lorentz-polarizao
10
com o ngulo de
3
incidncia 8.
O
O 45 90
Angulo de Bragg (J
51
Fator absoro (A)
Este fator leva em conta a absoro que ocorre na amostra. O
valor de A depende da geometria da difrao de cada mtodo. Por
exemplo, na cmara de Debye-Scherrer A funo de ee no caso do
difrat rnetro independente de ().
Fator temperatura (e-
2M
)
O fator temperatura leva em conta o aumento de vibrao trmica
com o aumento de temperatura. O aumento de vibrao trmica,
alm de causar expanso das clulas unitrias, alterando portanto
os valores de d, causa diminuio das intensidades dos mximos
de difrao e aumento na radiao de fundo (Background) . O fator
temperatura depende do material, de e de e, conforme mostra a
Figura 2.4.
1.0
0.9
~ 0.8
'"
0.7
0.6
r---..
r-;
r-,
r-.
r-,
r-,
<,
O .1 .2 .3 A .s .ti .7 .8
sin (I (. I
x - A- )
sen ()
Fig. 2.4 Variao do fator temperatura e-
2M
em funo de T
para o ferro a 20C.
52
Os valores dos fatores espalhamento atmico (f), absoro (A) e
.ernperatura (e-
2M
) so tabelados e facilmente encontrveis.
=..f MTODOS UTILIZADOS PARA POLICRlSTAIS
) 5 mtodos de difrao de raios X utilizados para estudo de mono
: . istais e os utilizados para estudos de policristais diferem basica
zaente quanto fixao do ngulo de incidnciae quanto radiao
i ente. No primeiro caso (mtodo de Laue), a radiao incidente
=branca do espectro contnuo, contendo portanto os diversos com
de onda e sendo fixo o ngulo de incidncia. Na Figura
- so apresentadas esquematicamente as duas montagens (trans-
F
iD-j F
(180"
A
-
28)
C 1I<;<:__.J..=l 5 :::::r-
(a)
to)
_. 2.5 Esquema da cmara de Laue para monocristais. a) Trans
misso; b) reflexo.
- so e reflexo) mais utilizadas no mtodo de Laue de anlise de
- nocristais. No segundo caso, denominado tambm mtodo do p,
: __fao incidente monocromtica e o ngulo fJ varivel. Os dois
de anlise so comparados na Tabela 2.3.
,;. principal aplicao metalrgica do mtodo de Laue na deter
- . . 1 o da orientao de monocristais. Por outro lado, o mtodo do
: - extensivamente utilizado no estudo de materiais e ser abor
aqui em maior detalhe.
53
TABELA 2.3
Comparao entre mtodos de difrao de raios X
mtodo radiao incidente ngulo de incidncia, li
mtodo de Laue branca (vrios ;1.) fIXO
(rnonocristais)
mtodo do p monocromtica varivel
(policristais) (;I. fixo)
2.4.1 Gerao e seleo de raios X
Conforme mencionado anteriormente, a radiao utilizada no mto
do do p monocromtica. Quando um alvometlico, encerrado em
uma cpsula evacuada (Fig. 2.6), bombardeado por eltrons acele
rados, h emisso de raiosX.
vcuo yidro
cobre ruerrwnto de
cep o metco de
Janelada berl110.
lngn'nto O
I
Fig. 2.6 Esquemade umtubo gerador de raios X.
A radiao emitida representa a superposio de dois espectros
(Fig.2.7):
espectro contnuo, contendo uma gama de comprimentos de
onda, gerados pela desacelerao dos eltrons;
54

5
na
radiao
caracter Istlca
~
-
"7
3
-
=
-
2
1.0 2.0
- :- _.7 Espectros de raios X do molibdnio para vrias voltagens
aplicadas.
espectro caracterstico, contendo comprimentos de onda carac
tersticos do metal do alvo, gerados pelo processo mostrado na
Figura 2.8.
Crande part e da radiao branca e os picos K ~ podem ser fil
~ 5, colocando-se no caminho do feixe lminas finas de metais
ados (por exemplo Ni para radiao de Cu). A radiao carac
ica apenas levemente atenuada pelo filtro . A radiao obtida
_ - -i ientemente monocromtica para a maioria dos propsitos
-=- _ _.9).
Comprimento de onda (A)
55
.-_- 0- _ _
eltron incidente
/' --- ..... .....
0/ "O
/ "- ralos X emtidos
I
I
/
M
I
O
I
I
\
\
altnron deflet Ido
Fig. 2.8 Interao de eltrons com tomo ilustrando o apareci
mento de raios X caractersticos do tomo.
Se se deseja obter somente radiao Kal , incide-se o feixe em um
cristal (quartzo, LiF ou mica), denominado rnonocromador, orien
tado de maneira que s o comprimento de onda desejado seja refle
tido . Usualmente os tubos de raios X utilizados em difrao operam
na faixa de 20 a 50 kV, enquanto os utilizados em radiografia ope
ram acima de 100 kV; para radiografias se deseja alta penetrao.
Dois critrios so importantes na seleo da radiao :
o comprimento de onda utilizado no deve ser menor que o
eixo de absoro dos tomos da amostra, caso contrrio a
radiao fluorescente ser muito intensa. Esta condio
normalmente difcil de ser satisfeita para todos os tomos da
amostra em sistemas multicomponentes.
O comprimento de onda utilizado deve ser o menor possvel
para que se tenha um nmero grande de reflexes, conforme
mostra a lei de Bragg.
56
-
Kcx
'.
,


K(l
(

<,
-<;
n ,
U.2 0.4 0.6 0,8 I.U n.70
Comprimento d. onda IA.}
K a,
Xa:
-
LJ
v"
0.71 0.72
:=-::;. 2.9 Espectros de raios X caractersticos do molibdnio para
35 kV. No lado direito a escala foi expandida e mostra o
dubleto Kal/Ka2'
As radiaes mais utilizadas em difrao so mostradas na Tabela
: .,1.. Como se pode notar, os comprimentos de onda mais utilizados
_ - na faixa de 0,5 a 3,0 , ou seja, da ordem dos espaamentos
..::: erplanares, para que possa ocorrer interferncia.
57
TABELA 2.4
Comprimentos de onda das radiaes mais utilizadas
em difllliOde ralos X (em Angstrom)
elemento KOl*
Ka:>
(forte)
s,
(muito forte)
K(3,
(fraca)
Cr
Fe
Co
Cu
Mo
2,29100
1,937355
1,790260
1,541838
0,710730
2,293606
1,939980
1.792850
1,544390
0,713590
2,28970
1,936042
1.788965
1,540562
0,709300
2,08487
1,75661
1,62075
1,392218
0,632288
* Mdia ponderada entre KOl, (peso 2) e Ka:> (peso 1).
2.4.2 Difratometria (gonometria)
A Figura 2.1Omostra de maneira esquemtica o funcionamento de
um difratrnetro. O feixe de raios X gerado pela fonte S, passa pelo
colmador A e incide na amostra C, a qual est sobre o suporte H.
A amostra sofre movimento de rotao em tomo do eixo O, perpen
dicular ao plano da figura. O feixe difratado passa pelos colimado
res B e F e incide no detector G, o qual est. sobre o suporte E. Os
suportes E e H so acoplados mecanicamente de modo que o movi
mento de 2 x graus do detector acompanhado pela rotao de x
graus da amostra. Este acoplamento assegura que o ngulo de inci
dncia e o de reflexo sero iguais metade do ngulo de difrao.
O contador pode varrer toda a faixa de ngulos com velocidade cons
tante ou ser posicionado manualmente em uma posio desejada.
A intensidade do feixe difratado medida pelo contador, o qual
pode ser um contador proporcional, Geger, de cintilao ou ainda
um semicondutor. A amostra deve ter uma superfcie plana. No caso
de ps deve-se utilizar um aglomerante amorfo. A rea da amostra
iluminada pelo feixe tem em geral um dimetro de aproximadamente
9 rnm, A espessura da amostra, determinada pela penetrao do
feixe, muito pequena. Por exemplo, se examinarmos, em um difra
t rnetro, uma amostra de ao com radiao CuKCt, 95% da intensi
dade do pico do ngulo mais baixo da ferrita (110), provm dos pri
58
CIrculo do ->"
difrBtmetro
T
- _. 2.lO' Dfrat rnetro (gonirnetro) de raios X esquemtico.
- ires 2 J.lm de profundidade. Este exemplo evidencia que a super
"". ,: e da amostra deve, tanto quanto possvel, estar livre de tenses.
A Figura 2.11 apresenta espectros caractersticos de um mate
. ristalino, de um lquido ou slido amorfo e de um gs mono
' mico .
. ' 0 caso do difrat rnetro as intensidades relativas podem ser cal
, _ ~ d a pela expresso exata:
2 I + cos? 2(} 2M
1= IFI p e- (Equao 2.3)
sen
2
(} cos e
59
~
. ~
Q>
c
~
~
c:
s
c:
slido
cristalino
slido amorfo ou Hquldo
~ gs monoatmico
"" c:
2J
c:
o 90 180
ngulo de difrao ou da espalhemento (28)
Fig. 2.11 Espectros de difrao (espalhamento) comparativos de
um slido cristalino, de um lquido ou slido amorfo e
de um gs monoat rnico.
60
: - 3 Cmara de Debye-Scherrer
_ _ 50 da cmara de Debye-Scherrer uma das tcnicas de difrao
- raios X mais empregada na anlise de pollcristais. A amostra
. ada nonna1mente na forma de p. Neste caso cerca de 1 mg de
- : ~ suficiente. Arames muito finos , com tamanho de gro peque
tambm podem ser utilizados.
-'m feixe de radiao monocromtica (Fig. 2.12) incide na amos
2 qual contm numerosos cristais (gros) orientados ao acaso, e
_ '; eve ser rotacionada. Cada conjunto de planos d origem a um
:"'" - de difrao. Estes cones interceptam e impressionam um filme
cado ao redor da superfcie interna da cmara, que tem o for
o de uma lata de goiabada.
Diversas montagens possveis do filme e as respectivas medies
- so mostradas na Figura 2.13 .
Esquema mostrando a difrao em uma cmara de
Debye-Scherrer.
61
(b)
Ga."l" ,.
y
(o)
Fig.2.13 Mtodos de montagem do filme em uma cmara de
Debye-Scherrer. Linhas correspondentes tm os mesmos
nmeros nas diversas montagens.
o raio (R) da cmara normalmente mltiplo de 1T para facilitar
os clculos. A medio do filme feita em um negatoscpio conten
do cursores e escalas de medio. A utilizao de padres internos
(misturados com a amostra) possibilita a correo de erros devido
dilatao do filme durante o processamento. As intensidades relativas
dos mximos de difrao podem ser determinadas utilizando-se um
microdensitmetro. A expresso exata para o clculo das intensida
des relativas para a cmara de Debye-Scherrer dada pela equao:
I + cos? 2fJ
1= !Fl
z
p A (O) e-
2M
(Equao 2.4)
sen
z
fJ cos fJ
2.4 .4 Medidas de preciso
Em muitas aplicaes de difrao necessria a determinao precisa
62
. rrnetros de rede. Nestes casos pode-se, por exemplo, utilizar
mtodo de extrapolao, a partir de resultados obtidos em uma
- ara de Debye-Scherrer, conforme ilustra a Figura 2.14.
5.3480.--------------------,
-e
.f 5.3460
<;
o o ....
S.34!lO
....
....
...
...

o
2 3
l + (I )
l "nIJ (I
Fig. 2.14 Obteno de parmetro de rede preciso pelo mtodo
de extrapolao de Nelson-Riley, Cmara de Debye
Scherrer. Material com estrutura cristalina cbica.
Uma outra possibilidade utilizar uma cmara que, ou pela geo
- ria ou pelo uso de radiao monocromtica (Kcq, por exemplo),
' a mais precisa. A Figura 2.15 mostra o esquema da difrao em
a destas cmaras, no caso uma cmara de Guinier. Em compa
. o com uma cmara de Debye-Scherrer do mesmo tamanho , a
rnara de Guinier tem uma preciso duas vezes maior mas cobre
_ a faixa de ngulos menor.
Destaque-se que existem cmaras para condies especiais, tais
mo: cmaras de alta temperatura, cmaras de baixa temperatura
= .:maras de alta presso.
: _5 ALGUNS EXEMPLOS DE UTILIZAO
_ ste tpico sero apresentados alguns exemplos de utilizao de
- frao de raios X para estudo de materiais.
63
Fig. 2.1 5 Cmaras de Guinier com monocrornador AB. Linhas de
baixo ngulo so obtidas na cmara C por transmisso
da amostra (suficientemente fina) D. Reflexes de alto
ngulo so obtidas na cmara C' causadas pela amostra
(suficientemente espessa) D/.
2.5.1 Identificao de constituintes microestroturais
A Figura 2.16 mostra o espectro de difrao do NaCl obtido com um
difratmetro. A maneira mais simples de se identificar o composto
por comparao com o arquivo do JCPDS, Joint Committee on
Powder Diffraction Standards, onde esto arquivadas mais de 30.000
substncias inorgnicas.
A Figura 2.17 mostra o chamado "carto" do NaCl. Uma maneira
alternativa de identificao a combinao da lei de Bragg (Equao
2.1) com as equaes da Tabela 2.1, utilizando-se o mtodo das ten
tativas. Para estruturas complicadas, no-cbicas, existem mtodos
grficos.
Quando mais de uma fase est presente, como na Figura 2.18 ,
a identificao das fases muito mais difcil, exigindo freqente
mente o uso de programas computacionais. Por meio da comparao
da rea de picos de fases e fazendo as correes discutidas no item
2.3, pode-se determinar a frao volumtrica de cada fase. Note-se
ainda que fases presentes em fraes volumtricas menores que 3-5%
dificilmente so detectadas, isto , os picos destas fases se confun
dem com a radiao de fundo.
64
2()O
'22l1
!\a ('] : F\a l
4211
111
333
511
!1O 40 30
'2 0
_.16 Espectro de difrao do NaCI na forma de p. Radiao
de cobre. Filtro de nquel.
-
: .: 1. 99 1.U 1.16 10000.C\
*
S, IS
"
SD41uII Chlo rl d e (PLal1 t e )
. I .S ilOS F III'"
HI
I h;l .
d A 11h hk l d A l /I I hkl
111 ,
01(fr ac t o_c l U
1' 1 cor .
3. 25& 1J 111
a.:.d Fuyat , NAS Cl rc u llr SJlil. Vol . 2, 4l
2. 8:21 100
' 00
...,. 1.994 ss 220
1 . 701 I J II
- S. G.
h )1II
("SI 1. 6211 15
22'
..
"
A C
.. ... 0 6 '00
il r
L

U 2 . 164
1 . 29' I >lI
1. 261 11
" 0
l. JSl S
,
'"
eu lJ 1.5<12
' Y
5...
1 . 0 855 I SII
-
<':o lo l CoJor leu
0 .9949
,
" O -
. U } ) 1 Sl l
. !ilI.Ot J 600
_ c:: .... u.pIe r ecry,u l1
u d ev t ee r
. 19 ) 1 .
6'
. SI50 1 I
51 '
ao:. 26C ,
Bi SG} J
6"
Ed p. 9S6 .
. 8 14 1
,
lO<
Fig.2.17 Carto do JCPDS para o NaCI.
65
800
111 'Y
110 a
60n
-100
220 'Y 200 'Y
200 20(J a
o -'--- _'-_----'_ _ ---I._ _ --'-__---L_ _ -'-_---'
130 120 100 80 (i0
-28
Fig.2.l8 Parte do espectro de difrao de ao Ni-V temperado,
contendo cerca de 30% em volume de austenita (r) e
rnartensita tetragonal (o) , Radiao de cromo. Filtro
de vandio .
2.5.2 Determinao de diagramas de fases
As Figuras 2.19 e 2.20 ilustram a utilizao da difrao de raios X na
66
- -
terminao de diagramas de fases. Na Figura 2.19 apresentado
diagrama hipottico contendo trs fases slidas, duas solues
as terminais com estrutura CFC e uma fase interrnetlica CCC.
o "- Figura 2.20 so apresentados os espectros de difrao de oito
: ras, cujas composies so indicadas no diagrama:
i
<D

I
B-;
I
I
1
I
-
I
1 I
I {3
I
1
114
a I
=
I
-=
I
I
'8.3
I
I
I I
1 1
1
I
B
A
Fig.2.19 Diagrama
de fases hipottico
a ~
com a variao dos
parmetros de
reticulado das fases
Cl e {3.
x
y
B
H
A
et al puro A.
a quase saturada em B. Note-se o deslocamento para ngulos meno
s dos mximos de dlfra o, devido expanso da clula unitria.
- : _:.S fases, a e l' esto presentes . A fase a est agora saturada em B e tem
valor mximo (a
J
) de parmetros de rede.
o que em 3, com exceo de que esta amostra contm uma maior
~ :0 volumtrica de "f que a amostra anterior, Isto acarreta uma maior
idade dos picos de l' nesta amostra, O que no est mostrado na
"f pura.
fases, "f e 13 esto presentes . A fase 13 est agora saturada em A e tem
. ~ or mnimo (a.) de parmetros de rede.
;l pura, com parmetro de rede maior que a. "
:.. puro B.
_ - rmao de solues slidas
__.21 ilustra li variao de parmetros de rede em alguns
67
-
o
o
00
-
11
~
\
\
,
\
\
\
\
,
,
,
,
,
-,
,
,
,
,
-,
o
o
11
~ -
e
Fig. 2.20 Posio das linhas de difrao de 8 amostras indicadas
na Figura 2.19.
sistemas com estrutura CFC em que h formao contnua de solu
es slidas.
Note-se o freqente desvio da lei linear (lei de Vegard) de variao
do parmetro de rede com a composio. Um caso interessante,
68
4.10 ...--- -...-----,----,----,-----,
Ag
Pd
"O
'"

E

no
'"
3.60
3.50 L-_ ---'- __-L L _ _ ---'-__-l N i
O 20 40 50 80 100
Porcentagem atmica
:=:g. 2.21 Variao dos parmetros de reticulado de vrias solues
slidas. As retas interrompidas indicam a lei de Vegard.
.znto do ponto de vista cientfico como tecnolgico, o das solu
; - S slidas urnia (U01) - tria (Th0
1)
. Os dois componentes tm
; t rutura CFC do tipo fluorita e apresentam desvio da lei de Vegard
Fig. 2.22).
A Figura 2.23 mostra o espectro de difrao de urna mistura
.0
1
- U0
1
sem formao de soluo slida.
Aps tratamento trmico por duas horas a 1100 c (Fig. 2.24) h
.ormao de soluo slida e os picos das duas fases se aproximam e
superpem.
: .5.4 Efeito da deformao
_ encruarnento normalmente acarreta tanto alargamento quanto des
carnento dos mximos de difrao em comparao com um mate
- bem recozido (Fig. 2.25).
69
0.600
"
6.500
--'
Th02 80
"
/
/
/
/
/
/
/
"
60
/
/
/
/
40 20
/
/ "-- Ler de Veoard
/
/
/
"
" /
/
/
/
/ .
/
/
/
6470()-=- ...I...- '- -'- -'-
Fig.2 .22 Variao dos parmetros de reticulado das solues sli
das urna-tria.
Estes efeitos possibilitam estudos como os de determinao de
tenses internas e at de determinaes da energia de defeito de
empilhamento por difrao de raios X. A Figura 2.26 ilustra o efeito
do encruamento (90% de reduo em espessura) e de posteriores
70
I
Fig. Espectro de difrao
da mistura de ps
UO:
r
30%Th0
2
;:==__142 01uo, empeso.
(4 20 1HO15"I uo, (Gentileza de Nelson B.
de Lima, IPEN-CNEN/SP.)

I 1 uo,
;:====__ 13 I IIHO,
1200Iu O,
(20 0 ) T h O,
I I ) uo,
(11 I) Th O,

I NTENSI DADE
71
Fig.2.24 Espectro de difrao da mistura de
ps da figura anterior aps
;:::::.==--- (4 2 o J
;;::::'====-_{33I)
snterizao por duas horas
1100 oCo Soluo slida.
a
(4 00)
r2 2 2)
: : = = = : : : : : = = = = ~ . . : . . . . (311 )
' ; = = = = = = = = = = = ~ 122 0)
:========- r20 0I
: : : : = = = = = = = = = = = = = = = = ~ - - ~ - - - - - l l l I)
INTENSIDADE
72
cecozimentos iscronos (1 hora) nos espectros de difrao do lato
/30. A presena de dois mximos de difrao para os planos (331)
;< deve presena do dublet o (Ko:dKo:,.) da radiao CuKo:.
mximo de
d ifrao
reticulado
-I dor-
DJITD
Ilvre de tenses
(el
[[]]]]]
tenses unformes
(h)
20-
tenses no-uniformes
(c)
-;': _.25 Efeito da deformao na posio e na largura dos mxi
mos de difrao.
73
250'C
(el
3W' C
Id)
450'C
I. )
135
134 133 132
131 1311 129
Fig.2.26 Parte dos espectros de difrao do lato 70/30. a) Encru
ado; b) recozido 200 C_l hora; c) recozido 250 C_l
hora; d) recozido 300 C_l hora ; e) recozido 450 C_l
hora.
74
BIBLIOGRAFIA
Referncias introdutrias
Barrett, C. S. e Massalski , T. B. Structure of metais, Nova Iorque,
1966, McGraw-HilI, 4 ~ ed.
Reed-Hll, R. E. Physical metallurgy Principies, Nova Iorque, 1973,
Van Nostrand Company, 2 ~ ed.
Smallman, R. E. e Ashbee, K. H. G. Modem metallography; Oxford,
1969, Pergamon Press.
Referncias suplementares
Azaroff, L. V. Elements of X-ray crystalJography, Nova Iorque ,
1968, McGraw-Hill.
Cullity, B. D. Elements of Xray difraction, Londres, 1978, Addison
Wesley, ~ ed.
Klug, H. P. e Alexander, L. E. X-ray diffraction procedures, Nova
Iorque, 1974, 101m Wiley, ~ ed.
Taylor, A. X-ray metailography, Nova Iorque, 1961, 101m Wiley.
75
CAPfrULO 3
- 1\
DIFRAA DE NEUTRNS
3.1 INTRODUO
advento dos reatores nucleares em 1945 estimulou a aplicao da
Ifrao de nutrons na soluo de problemas que no podem ser
tisfatoriamente resolvidos comoutras tcnicas de difrao. Embora
mente aps 1945 a difrao de nutrons tenha sido utilizada em
z.guma extenso em estudos do estado slido, j em 1936 ela era.
realizada experimentalmente. Estas primeiras experincias de difra
- ;0 de nutrons utilizaram uma fonte no-monocromtica de nu
- ons de rdio-berfllo. (A intensidade do feixe de nutrons obtida
um reator nuclear algumas ordens de grandeza superior
ida com uma fonte de rdio-berflio.) Os nutrons eram terma
ados com parafina e o pico da distribuio de velocidade estava
r volta de 1,6 . O material estudado foi o xido de magnsio.
_ve-se enfatizar que a difrao de nutrons no uma substituta
""'-a a difrao de raios X. Inclusive em algumas circunstncias, devi
-. a limitaes como a resoluo pobre e a baixa intensidade nas
- _ ras de difrao, a difrao de nutrons bastante inadequada.
:: retanto, em certos casos (vide itens 3.2 e 3.4) ela propicia infor
- es que dificilmente seriam obtidas por difrao de raios X.
O nico difratrnetro de nutrons do Brasil funciona no Instituto
: : Pesquisas Energticas e Nucleares (IPEN-CNEN/SP) desde 1970,
77
m
formando-se ao seu redor um ativo grupo de pesquisas. Este dfrat
metro utiliza como fonte de nutrons o reator lBA-RI, em func o
namento desde 1957.
3.2 ALGUMAS CARACTERfSTICAS DADlFRAAo
DE NeurRONS
Quando um feixe de nutrons incide em uma amostra, o ncleo
dos tomos da amostra que espalha o feixe de nutrons, ao contrrio
do feixe de raios X que espalhado pelos eltrons.
A Figura 3.1 apresenta a amplitude de espalhamento para nu
trons em comparao com a amplitude de espalhamento para raios X
potencial de
espalhamento
nutrons
I
- - - raios X _ _ o
(sen o ) f ~ = O.5-'
I I I
4 0 60 80
Fig.3.1 Variao da amplitude de espalhamento para nutrons e
para raios X com o peso atmico (Bacon, vide referncias).
peso atmico
em funo do peso atmico dos elementos. Na Tabela 3.1 so apre
sentadas as intensidades de espalhamento relativas para raios X,
eltrons e nutrons de diversos elementos.
78
TABELA 3.1
Intensidades de espalhamento relativas para raios X, eltrons e nutrons.
(Tomou -se nos trs casos o cobalto como 100.)
I
elemento raios X eltrons nutrons
hidrognio 0,1 12 180
deutrio 0,1 12 540
berlio 2 25 770
carbono 5 39 540
magnsio 20 61 360
alumnio 23 65 150
titnio 66 89 180
ferro 93 98 1140
cobalto 100 100 100
molibdnio 241 126 550
tungstnio 750 162 270
Nesta tabela, as intensidades de espalhamento do cobalto para as
::3 radiaes foram arbitrariamente tomadas como 100. Na reali
:.- e, a intensidade de espalhamento para eltrons de uma substncia
~ cerca de 10
6
vezes maior que para os raios X
Na anlise da Figura 3.1 e Tabela 3.1 saltam vista trs aspectos:
I) A variao de amplitude com peso atmico para nutrons
bastante irregular e dentro de um fator de 3 a 4 as amplitudes
so basicamente as mesmas. A variao da amplitude de espa
lhamento com o peso atmico para raios X crescente, con
tnua e varia numa faixa mais ampla.
: ) Elementos vizinhos na tabela peridica , tais como Fe e Co, que
apresentam amplitudes de espalhamento (de intensidade) para
raios X bastante prximas, so facilmente "separveis" por
difrao de nutrons.
~ Elementos leves, tais como hidrognio, deutrio e berlio, que
so de difcil "deteco" (baixa intensidade) com raios X, so
facilmente detectveis com nutrons.
79
Deve-se mencionar ainda que o feixe de nutrons altamente
penetrante. Por exemplo , uma chapa de ferro de 1 em de espessura
opaca a eltrons, virtualmente opaca a raios X com comprimento
de onda de 1,5 A, mas permitindo a transmisso de cerca de 35%dos
nutrons com comprimento de onda 1,5 A.
3.3 GERAO E MONOCROMATlZAO
DO FEIXE DENEurRONS
Fazendo-se uma pequena abertura na parede de um reator obtm-se
um feixe de nutrons. Este feixe dc nutrons apresenta uma ampla
faixa de energias cinticas, ou seja, de comprimentos de onda. Estas
energias cinticas seguem, como as molculas de um gs em equil
brio, uma lei maxwelliana de distribuio (vide Figura 3.2).
- faixa de
de onda
Ka
nutrons raios X
K(J
A
comprimento
(a)
comprimento de onda em A
2
0,5
(b)
1,0
Fig. 3.2 Variao da intensidade com o comprimento de onda
para : (a) nutrons provenientes de um reator, indicando a
faixa de comprimentos de onda selecionados pelo mono
cromador e b) espectro de raios gerados por um tubo mos
trando a existncia de radiao caracterstica em contraste
com nutrons.
80
Para temperaturas da ordem de 300 a 400 K, obtm-se compri
mentos de onda li< entre 1 e 2 , justamente da ordem dos espaa
mentos atmicos. Um feixe monocromtico pode ser conseguido
incidindo-se o feixe em um monocristal (vide Fig. 3.3) desde que a
orientao relativa entre eles satisfaa a lei de Bragg, Devido pre
sena das radiaes caractersticas no espectro de raios X, estes so
mais facilmente monocrornatizados que os nutrons. Os nutrons
apresentam normalmente uma faixa de comprimentos de onda COm
largura de aproximadamente 0,05 . .
crjstel
monocromador
.,.
feixe
monocromtico
Fig.3.3 Monocrornatza
o de um feixe colimado
feixe no
de nutrons.
desviado
As experincias de difrao de nutrons so realizadas em um
difrat rnetro de nutrons (vide Fig. 3.4), no qual a intensidade do
feixe difratado medida com um contador proporcional preenchido
com o gs BF
a.
O espectro de difrao obtido similar ao obtido
com raios X.
3.4 APLlCAES PRINCIPAIS
Segundo Bacon, as aplicaes da difrao de nutrons podem ser
~ r u p a d a s em trs classes:
h h
T = temperatura absoluta;
= (2 mE)'12 (2 m kT)'t>
k = constante de Boltzman;
h = constante de Planck; E= energia do nutron;
rn = massa do nutron; = comprimento de onda .
81
amostra
gonlmetro
tubo de cdmlo
blindagem da parafina
borada
tubo da cdmio
amplificador ---cili:-l
circuito da contagam
Fig. 3.4 Arranjo experiment al para a difrao de nutrons.
82
I) Investigaes cristalogrficas objetivando determinar a posio
de tomos leves, particularmente hidrognio, no reticulado
cristalino. Por exemplo, determinao da posio do hidrog
nio em hidretos.
2) Problemas que requerem a distino entre tomos com nme
ros atmicos vizinhos . Por exemplo, estudos de ordenao em
FeCo e Ni
3Mn.
3) Estudos de momentos magnticos em escala atmica. Esta apli
cao possvel graas ao fato de os nutrons serem espalha
dos por tomos tendoeltrons com spin desemparelhados, isto
, tendo momento magntico. Esta aplicao no tem similar
em difrao de raios X.
BIB LIOGRAFIA
Referncias introdutrias
llt y, B. D. Elements of X-ray ifraction, Londres, 1978, Addison
Wesley, ed ., Apndice 2.
y, A. G. e Petzow, G. Metallkunde fiir Ingenieure, Wiesbaden,
1978, Akademische Yerlagsgesellschaft.
R. E. e Ashbee, K. H. G. Modem metallography; Oxford,
1969, Pergarnon Press.
= erncias suplementares
- . n, G. E. Applications of neutron diffraction in chemistry, Nova
rque, 1963, Pergamon Press .
n, G. E. Neutron diffraction, Oxford, 1967, Clarendon Press,
ed.
, H. (org.). Neutron diffraction , Berlim, 1978, Springer-Verlag,
1. 6.
83
CAP(TULO 4
MICROSCOPIA
4.1 INTRODUO
As propriedades dos materiais so em ltima anlise determinadas
pelas suas respectivas rnicroestruturas, isto , pelos defeitos e const
tuintes microestruturais que eles contm (vide Captulo 1). A micro
estrut ura dos materiais normalmente apresenta defeitos e consti
tuintes dentro de uma ampla faixa de dimenses conforme ilustra a
Tabela 4.1.
A importncia do conhecimento e das anlises quantitativas da
microestrutura tem levado a um contnuo desenvolvimento das tc
nicas experimentais, particularmente da microscopia conforme ilus
oram a Figura 4.1 e a Tabela 4.2 .
No estudo dos materiais de engenharia trs tipos de microscopia
so utilizados em grande extenso: microscopia ptica (MO), micros
copia eletrnica de varredura (MEV) e microscopia eletrnica de
transmisso (MET). Em menor extenso, mas em uma faixa exclu
siva de resol uo, encontra aplicao a microscopia de campo inico
. 1CI). Estes quatro tipos de microscopia, dos quais a Tabela 4.3
zpresenta algumas caractersticas para efeito de comparao, sero
bj eto deste captulo.
Deve-se ainda destacar que estas tcnicas so complementares na
maioria dos casos ; cada uma delas tem seu campo especfico de apli
85
TABELA 4.1
Algumas dimenses mdias important es em anlise microestrutural
(E. Hornbogen, vide Bibliografia)
tamanho
fA)
descrio
1 5
1 5
2 - 10
> 30
> 30'
> 1000
> 10
> 5
10'-1 0'
dist nci as nte rat rncas
de feit os punti fo rm es (lacun as)
espessura de conto rnos de gro, int erf aces e falhas de
em pilhame nto
espaam ento ent re falha s de empi lhamento
espa ame nt o ent re di scordncias
d irnetro de subgr o e de gro
dimetro de fases (zonas) coerentes
zon a onde ocorre segregao de soluto em defeitos crist alinos
segregao em peas brutas de fuso
TABELA 4.2
Resoluo mdi a dos principais equipament os ut ilizados em microscopia
(E. Hornbogen, vide Bibliografia)
tcnica resolu o f A)
mic ros copia ptica (reflex o c transmisso)
mi cro ssonda elet rnica
microscopia eletr nica de varredura
micro scopia elet rnica de emisso
micro scopia elet rnica de tr ansmisso :
a) replicas
b) lmin a fina
micro scopia de campo in ico
3000
2000
200
150
50
3
< 1
cao. Todavia, se tivssemos que destacar a principal potencialidade
de cada uma, pod eramos afirmar que :
a microscopia ptica permite a anlise de grandes reas, alm
de ser de utilizao simples, rpida e pouco dispendiosa;
86
a microscopia eletrnica de varredura, por apresentar exce
lente profundidade de foco, permite a anlise de superfcies
irregulares, como superfcies de fratura;
a microscopia eletrnica de transmisso permite a anlise de
defeitos e fases internas dos materiais, como discordncias,
falhas de empilhamento e pequenas partculas de outra fase;
a microscopia de eampo inico, por apresentar excelente reso
luo, permite estudos difceis de serem realizados com as
outras tcnicas, tais como defeitos puntiformes, "estrutura"
de contornos e de interfaces.
10'
10
6
1 O ~
~ 10'
..
E
ii: lO)
10
'
101 ..
10
dimenses atmicas
o
---.- - - - - - - - - - - - - r - --
o_o
microscpio
de campo
inico
microscpio
I eletrnico

_o
~ microscpio de
~ ultravioleta
I microscpio ptico
/'
o
lupa
olho nu
t--l---l
lO"
10
10 '
-<
E
10
1
"' .
'&
::>
IO
J
~
~
10'
10\
10
6
1600 1900 1920 mo 1960 1980
ano
F g. 4.1 Evoluo da microscopia
(H. Hornbogen).
87
4.2 MICROSCOPIA PTICA
Dois tipos de microscpio ptico (vide Fig. 4.2) so utilizados na
anlise de materiais: de reflexo, tambm conhecido como metal r
gico e de transmisso.
amostra
oblet lva
projetiva
tela (ocular)
fonte de luz
a) transmisso b) reflexo
Fig. 4.2 Princpio de funcionamento do microscpio ptico: a)
transmisso: b) reflexo.
o microscpio ptico de transmisso bastante utilizado na an
lise de materiais cermicos e polimrcos, como por exemplo no
estudo e determinao da frao cristalizada em plsticos e vidros.
As regies cristalinas (opticamente anisotrpicas) podem ser facil
mente "separadas" das regies amorfas (opt camente sot rpicas)
com auxlio de luz polarizada.
88
TABELA 4.3
Algumascaracterfst icas da mcroscopla
, caracter tst ica
microscopia
ttea
mic roscopia
etetr nica de
varredura
microscop ia
eletrnca de
tronsmisso
mi croscop ia
de campo
in ico
Iaixa til de aumento 1-1 500 X 10-20.000 X 500- 300.000 X 'V la ' X
profundidade de foco em 1000 X 0,1 11m 0.1 mm lO 11m
mxima densidade de
discordncias medid a (em/e m')
lO'
cavidade
de corroso
lO'
cavidade s
de corroso
10
12
lmina fina
tenso de acelerao (kV) .
10-50 100- 1000 5-15
Nos metais e sernicondutores a penetrao da luz, devido sua
:, terao com os eltrons de conduo, muito pequena. Nestes
_ 50S, utiliza-se exclusivamente o microscpio ptico de luz refletida
vide Fig. 4.3).
A resoluo do microscpio ptico' determinada pelo compri
- nto de onda da luz visvel (4000 - 8000 A), que relatvament
, t a, Por microscopia pode-se observar grande parte dos defeitos cris
-, inos (contornos de gro, contornos de macla e contornos de sub
=""30) e constituintes microestru turais maiores que 0,5 pm. Materiais
: m recozidos pod em ter sua densidade de discordncias determ
gem
a pela tcnica de cavidades de corroso. Neste caso, faz-se a con
da quantidade de locais onde as discordncias "furam" a
rf cie do cristal (vide Fig. 4.4).
Com relao ao comportamento sob luz polarizada, as superfcies
::' corpos de prova podem ser divididas em dois tipos: isotrpicas e
. trpicas. Quando um corpo de prova policristalino de material
o:;:' amente anisotrpico analisado sob luz polarizada, cada gro
- material aparece com uma determinada cor , para uma dada pos
- da platina rotativa. A razo deste comportamento se d pelo fato
:' 5 propriedades pticas de uma superfcie opticamente anisotr
variarem com as direes cristalogrficas. Aps a deformao,
dentro de um mesmo gro, no se tem uma COr homognea
no caso das regies recr istalizadas , uma vez que devido defor
-o, os gros apresentam regies que sofreram rotao em rela o
89
imagem
ebertu ra nl? 1
I fonte de luz
1/ . J - - + - - - - - ; - ~ ~ I ' ~
meio espelho __ ><
lente condensadora
amostra
Fig.4.3 Microscpio ptico metalrgico esquemtico.
vizinhana. Este efeito possibilita a identificao e a quantificao
das regies recristalizadas e no recristalizadas. Os metais opticamen
te anisotrpicos so geralmente os no-cbicos. As superffcies dos
metais cbicos sendo opticamente isotrpicas, podem de duas ma
neiras tornar-se opticamente ativas sob luz polarizada: por meio de
ataque da superfce do material ou por meio da deposio de uma
pelcula epitaxial na superfcie do material, a qual se comporta aniso
tropicamente. Esta pelcula, alm de comportar-se ansotropicamen
te, tem uma relao de orientao definida com o metal base, poss
90
bltando seu estudo sob luz polarizada a exemplo dos metais no
cbicos.
pleno de escorregamanto
Fg, 4.4 Revelao de discordncias pela tcnica de cavidades de
corroso (etch pits) .
.:..3 MICROSCOPIA ELETRNICA
.:. .3.1 Interao entre o eltron e a matria
Figura 4.5 ilustra os processos de interao possveis durante a
idncia de um feixe de eltrons. Cada um deste s eventos fornece
formaes sobre a amostra. Os diversos tipos de eltrons refleti
- 5 e os eltrons absorvidos so utilizados em microscopia eletr
- de varredura. Os raios X so utilizados para ident ificar e quan
- car os elementos presentes (vide Captulo 6, Anlise qumica
micro-regies). Os eltrons transmitidos, particularmente os espa
os elasticamente, so utilizados em microscopia eletrnica de
srnsso.
.-\ Figura 4.6 mostra de maneira esquemtica a interao do feixe
eltrons com a amostra slida e as profundidades tpicas de
pc.
91
feixe de eltrons incIdentes
Fig.4.5 Processos de interao possveis durante a incidncia de
um feixe de eltrons em uma amostra slida.
eltrons transmitidos
e espethaoos
elasticamente
eltrons retroespalhados
amostra
-,
"
-,
'" eltrons transmit idos e espalhados
inelasticamente
superffcia
B
C
,
,
,
,
'.
,
, , ,
,
,
, \
r
,
\
I
V
I
I
I
I
I
I
I I
I
, ,
,
I
I
,
\
,
, ,
,
,
,
,
,
I
o
.... -_ ..... ,
... ,
I-
"
'-
.
~ ,
-I
62
E'b . 4 .6 Interao do feixe de eltrons com a amostra e as profun
didades tpicas de escape.
92
,
I
.
I
, ,
\
Resumidamente, os sinais mais utilizados so os seguintes :
Eltrons Auger: energia levemente superior a 1500 eV e pro
fundidade de escape entre 2 e 20 , utilizados em espectros
copia Auger.
Eltrons secundrios: baixa energia, 50 eV, emergem de uma
profundidade de 100 a 200 A. Sua emisso depende sensvel
mente da topografia da superfcie da amostra e apresenta ima
gem com boa profundidade de foco para aumentos entre 10 e
100000 X.
Eltrons retroespalhados : apresentam imagem com menor
resoluo que os eltrons secundrios; so refletidos principal
mente por colises elsticas, de uma profundidade entre 300 e
400 . Tm energia alta, podendo ser aproximadamente igual
do feixe incidente. Indicado para aumentos at 2000 X.
Eltrons absorvidos: correspondem frao dos eltrons pri
mrios que perdem toda sua energia na amostra, constituindo
a chamada corrente da amostra.
Raios X: so utilizados na microanlise do material . De acordo
com a Lei de Moseley, a energia dos ftons emitidos do volu
me irradiado da amostra proporcional ao nmero atmico.
O volume excitado (V) para a radiao X dado pelo espalha
mento do feixe primrio de eltrons com o ncleo do tomo.
A zona excitada maior que O dimetro do feixe, devido a
mudanas no momento do eltron. O volume dos raios X pro
duzidos (D) determinado essencialmente pela energia do
feixe primrio, entretanto o formato deste volume (d) depende
particularmente do nmero atmico.
- Eltrons transmitidos: so utilizados em microscopia elctr
nica de transmisso. O fenmeno bsico que ocorre na difrao
de eltrons e na formao de imagens em MET o espalha.
menta dos eltrons pelos tomos da amostra. Ao contrrio dos
raios X, os eltrons so espalhados no pelos eltrons, mas sim
pelo ncleo (espalhamento de Rutherford). Neste espalha
mento os eltrons no mudam sua velocidade mas sim sua dire
o (espalhamento elstico). Somente uma pequena frao dos
93
eltrons incidentes lnterage com os eltrons do tomo e muda
tanto de direo como de velocidade (espalhamento nel s
tico). Em MET, praticamente S se consideram os eltrons
espalhados elasticamente, pois o feixe incidente tem alta ener
gia e a amostra muito fina.
4.3.2 Microscopia eletrnica de transmisso(MET)
4.3.2.1 O microscpio
Um microscpio eletrnico de transmisso consiste de um feixe de
eltrons e um conjunto de lentes eletromagnticas encerrados em
uma coluna evacuada com uma presso cerca de 10-
5
mm Hg. A
Figura 4.7 mostra a seco esquemtica vertical de um aparelho que
utiliza 100 kV como voltagem mxima de acelerao do feixe .
Um microscpio moderno de transmisso possui cinco ou seis len
tes magnticas, alm de vrias bobinas eletromagnticas de deflexo
e aberturas localizadas ao longo do caminho do feixe eletrnico.
Entre estes componentes, destacam-se os trs seguintes pela sua
importncia com respeito aos fenmenos de difrao eletrnica:
lente objetiva, abertura objetiva e abertura seletiva de difrao. A
funo das lentes projetoras apenas a produo de um feixe para
lelo e de suficiente intensidade incidente na superfcie da amostra.
Os eltrons saem da amostra pela superfcie inferior com uma distri
buio de intensidade e dreo controladas principalmente pelas leis
de difrao impostas pelo arranjo cristalino dos tomos na amostra.
Em seguida, a lente objetiva entra em ao, formando a primeira
imagem desta distribuio angular dos feixes eletrnieos dfratados.
Aps este processo importantssimo da lente objetiva, as lentes
restantes servem apenas para aumentar a imagem ou diagrama de
difrao para futura observao na tela ou na chapa fotogrfica.
Deve-se finalmente destacar que embora existam em operao alguns
aparelhos cuja tenso de acelerao de 1000 kV, a maioria dos
equipamentos utilizados no estudo de materiais dispe de tenso de
acelerao de at 200 kV.
94
distn cia
canho elet rn ico l yJ apro ximada am cm
arlodo

II
11
\1.. ,'
lantes condensadores 1 I J
,rx
lentes condensadoras 2

abe rtura de lante condensado ra
X
(\I
1 1
I ,
'1
I I
\1
lenta objetiva I!
plano da amostra
abertura da objet va >" \ )
astl gmador - - -nin
abertura lnrarrnedlrlar-- -
II
1\ lentas projetivas 1 1 l

T
6
+
-I-
B
t
r
3
15
l 9
t
I
/
\
l 5

/\ t
lentas prole t lvas 2

k
1\
I \ 26
tala f luorascente
I \
10
chapa fotogrfica 1:':::'==='=::::J
--L
':'.7 Microscpio eletrnico de transmisso esquemtico .
95
4.3 .2.2 A preparao de amostras
As amostras utilizadas em MET devem ter as seguintes caractersti
cas; espessura de 500 a 5000 (dependendo do material e da tenso
de acelerao utilizada, conforme ilustram as Tabelas 4.4 e 4.5,
respectivamente) e superfcie polida e limpa dos dois lados. Durante
a preparao a amostra no deve ser alterada, como por exemplo,
atravs de deformao plstica, difuso de hidrognio durante o poli
mento eletroltico ou transformaes martensticas.
TABELA 4.4
Espessura mxima transmissvel a eltrons acelerados
com uma tenso de 100 kV para diversos elementos
(E. Hornbogen, vide Bibliografia)
elemento n9 atmico
densidade
(g/cm')
espessura mxima
(A)
carbono 6 2,26
> 5000
alumnio 13 2.70 5000
cobre 29 8,96 2000
prata 47 10,50 1500
ouro 79 19,30 1000
TABELA 4.5
Efeito do aumento da tenso de acelerao na transmssibilidade de eltrons.
Base de comparao 100 kV (E. Hornbogen, vide Bibliografia)
tenso (k V) [ator de multiplicao
100 1
200
1,6
300 2,0
500 2,5
1000 3,0
96
Os corpos de prova podem ser de dois tipos: lminas do prprio
material ou rplicas de sua superfcie. A preparao de lminas finas
ae metais e ligas segue normalmente a seguinte seqncia: corte de
.minas de 0,8 a 1,0 mm de espessura, afinamento por polimento
mecnico at 0,10-0,20 mm de espessura e polimento eletroltico
final, O afinamento final por polimento eletroltico duplo mos
.rado na Figura 4.8.
porta-amostra
amostra
I
I
I
:;;....... _ . o
- -_. . ~ ~
~
' - - 0 _
_ _ o _ _
- - -
--
hlice
-: . 4.8 Polimento eletrolftico duplo utilizado no afinamento final
de lminas finas metlicas para MET.
97
.'",
\ .
,
f
,
-,
Fig. 4.9 Micrografias obtidas por MET de um ao inoxidvel auste
ntico. a) contorno de gro, 30 000 X.
98
:) arranjo celular de discordncias no material encruado, 30 000 X.
\
~ ' .
......,
. ""If
"
...
\
...~ ' ! !
/
~ precipitados no interior e no contorno de gr:lO, 16000 X.
99
A Figura 4.9 mostra defeitos crist alinos e precipitados observados
por MET de lminas flnas, Quando se est int eressado na superfcie
da amostra, freqentemente utiliza-se a tcn ica da rplica (vide Fig.
4.1O). Trs tipos de rplic a so normalmente utilizados : plstico, car
bono e xido. Na tcnica de rplica de plstico, uma soluo fraca
de plstico em um solvente voltil , por exemplo formvar em cloro
direo da evaporao
, ~ ~ , , _ M l .
1 1 1 1 1 1 feixe de eltrons
filme destacado
Fig.4.10 Preparao de rplicas : a) rplicas de plstico ; b) rplicas
de carbono; c) rplica de xido.
100
frmio, gotejada na superfcie da amostra. O solvente se evapora e
deixa um filme, podendo ser retirado, e que representa o "negativo"
da superfcie. Na rplica de carbono , este material evaporado na
superfcie da amostra. Esta tcnica pode ser utilizada tambm para
arrancar partculas de precipitados da amostra, a chamada rplica
de extrao. Na rplica de xido, usada principalmente para ligas de
alumnio, o filme de xido obtido por anodza o de uma super
fcie previamente polida eletroliticamente. Nos trs tipos de rplica
o contraste tem origem nas variaes de espessura. No caso de part
culas extradas, um contraste adicional aparece, pois as partculas,
se forem cristalinas, difratam eltrons.
.f.3.2.3 Formao de imagens: slidos amorfos
Durante a passagem de eltrons atravs de uma lmina fina de slido
amorfo ocorre espalhamento dos eltrons em praticamente todas as
dire es (vide Fig. 4.11).
amostra
:-5. 4.1 1 Interao do feixe de eltrons incidentes com amostra
slida: a) amostra amorfa (espalhamento); b) amostra
cristalina (difrao).
101
Este espalhamento causado pela interao do eltron incidente
com o ncleo dos tomos da amostra . Ele tanto mais intenso quan
to mais denso for o material, mais espessa a amostra e maior o nme
ro atmico do material da amostra.
A Figura 4.12 ilustra O aparecimento do contraste na formao da
imagem de um material amorfo contendo uma regio mais densa, B,
e uma regio, A, menos densa . A regio mais densa B espalha mais
intensamente os eltrons, de modo que estes so em maior frao
retidos pela abertura do que aqueles provenientes da regio A.
perfil de
A
I
\
l
, B
intensidade de luz clero
feixe primrio
emostra
lente objetiva
abertura da
obletlva
\
\ -
\
tela
lentas
multiplicadoras
escuro
Fig. 4.12 Origem do contraste em slidos amorfos . A regio B
mais densa que a regio A.
102
4.3.2.4 Formao de imagens: slidos cristalinos
Enquanto que para slidos amorfos razovel supor uma distribui
o uniforme de eltrons espalhados, para slidos cristalinos a trans
parncia a eltrons depende das condies de difrao que diferem
bastante conforme a direo. Quando um feixe de eltrons passa por
uma lmina fina de material cristalino, somente aqueles planos quase
paralelos ao feixe incidente contribuem para a figura de difrao
(vide Fig. 4.13). Por exemplo, um feixe acelerado com 100 kV tem
comprimento de onda 0,04 e pela lei de Bragg difratar para o
ngulo de 0,0 1, isto , planos praticamente paralelos ao feixe inci
dente.
_ ___ feixe incidente
amostra
I ~ n t e objetiva

'1
I abertura da objetiva
plano da figura de difrao
feixe transmitido
. plano da imagem
==--_. 4.13 Formao de imagem de material cristalino em micros
cpio eletrnico de transmisso (esquemtico).
. _
- -direto ta
- - -
Ir = feixe
difratado
103
Conforme utlizemos os eltrons difratados ou os eltrons trans
mitidos para se fazer imagem, obteremos os chamados campo escuro
e campo claro, respectivamente. As vrias possibilidades de forma o
de imagem em uma amostra cristalina esto ilustrados na Figura
4.14. A micrografia da Figura 4.15 mostra a mesma regio em campo
claro e em campo escuro .
I 'o - U - ~ /0
amostre
obletlve
abert ura
da objatl va
anteparo
Fig.4.14 Tipos de imagens obt idas em MET: a) campo claro,
Ice = 1= 10-11; b) campo escuro obtido pelo desloca
mento da abertura, ICE = 11 ; c) campo escuro obt ido
por inclinao da fonte de eltrons; d) imagem de inter
ferncia.
(al (b)
d
Fig.4.15 Micrografias obtidas por MET de ao inoxidvel austen
tlco, mostrando precipitados em discordncias , aumento
40000 X: a) campo claro; b) campo escuro utilizando
reflexos do precipitado.
(Gentileza de J. Rossi, W. A. Monteiro, IPEN-eNEN/SP) .
104
4.3.2.5 Difrao de eltrons em MET
Em 1924, De Broglie afirmava que partculas podem atuar como
ondas; em 1927, Davisson e Cermer realizavam experimentalmente
a difrao de eltrons confirmando as previses de De Broglie. O
advento da MET possibilitou o estudo de micro-regies da ordem
de 1 .um por difrao de eltrons. Combinando-se as relaes geom
tricas obtidas da Figura 4.16 (ser. e "'" e=R/2L) com a lei de Bragg
obt m-se:
L constante
R = - ou seja R ""---
d d
L"'SOem
I
---j<--_--'__+---L-_ chapa fotogrfica
R
( O-I.emJ
Fig.4.16 Deduo da frmula bsica de difrao em MET.
Todo spot de difrao em MET representa um ponto do espao
.ecproco" que, por sua vez, corresponde a um plano (h, k, I) no
Um ponto (h, k, I) da rede recproca obtido traando -se pela origem do
espao real uma perpendicular ao plano (h, k, 1). O mdulo de (h, k, 1) o
erso do espaamento d entre os planos (h, k, 1) do espao real. A Figura
- 8 mostra a rede recproca da estrutur a cbica de face centrada .
105
espao real. O diagrama de difrao corresponde aproximadamente
a uma seco plana atravs do espao recproco, perpendicular ao
feixe incidente. A Figura 4.17 ilustra as figuras de difrao que
podem ser obtidas para os diferentes materiais: monocristais, poli
cristais e materiais amorfos.
mono cristal pollcristal sblido amorfo
I O ~ 1 J
~ I
Fig.4.17 Tipos caractersticos de figuras de difrao: a) regio
monocristalna; b) regio pol cristalina; c) regio amorfa.
1 1
i-,ao'l / d,oo'O'---j / Fig. 4.18 Rede rec
1 1 j
I. dioo' l/d?OO-- --J.I proca da clula CFC.
I I
221 121 021
200 rlOo ]
<r------i..:.><:"- - - --4 - - - - -- o ~
origem
106
4.3.3 Microscopia eletrnica de varredura (MEV)
A Figura 4.19 ilustra o modo de func ionamento do microscpio
eletr nico de varr edura.
COLUNA
c8todo - - - - -
geradorde l
varredura
lentes magndlcas -
ampl ificador
d a vrceo
ernostra - ----"-,,
EA
- :g.4.19 Princpio de fun cion amento do micro scpio eletrnico
de varredura. ES = eltrons secundrios; ER = eltrons
retroespalhados; EA = eltrons absorvidos (corrente da
amost ra).
107
Neste tipo de microscpio, os eltrons so aeelerados na coluna
atravs de duas ou trs lentes eletromagnticas por tenses de 1 a
30 kV. Estas lentes obrigam um feixe de eltrons bastante colimado
(50 a 200 de dimetro) a atingir a superfcie da amostra. Bobinas
de varredura obrigam o feixe a varrer a superfcie da amostra na
forma de uma varredura quadrada similar a uma tela de televiso.
A corrente que passa pela bobina de varredura, sincronizada com as
correspondentes bobinas de deflexo de um tubo de raios catdicos,
produz uma imagem similar mas aumentada. Os eltrons emitidos
atingem um coletor e a eorrente resultante amplificadae utilizada
para modular o brilho do tubo de raios catdicos. Os tempos associa
dos com a emisso e coleta dos eltrons, comparados com o tempo
de varredura, so desprezveis, havendo assim uma corresporid n
eia entre o eltron coletado de um ponto particular da amostra
e o brilho do mesmo ponto na tela do tubo. O limite de resoluo
de um MEV cerca de uma ordem de grandeza melhor do que o do
microscpio ptico (MO) e um pouco mais que uma ordem de gran
deza pior do que a do microscpio eletrnico de transmisso (MET).
Enquanto em MO a profundidade de foco decresce sensivelmente
para aumentos crescentes e em MET s com o auxlio de rplieas
podem-se analisar superfcies, com MEV qualquer superfcie boa
condutora eltrica e estvel em vcuo pode ser analisada eom boa
profundidade de foco. Materiais isolantes devem ser recobertos com
uma fina camada de material condutor.
A Figura 4.20 compara a imagem obtida por MO com as imagens
obtidas por MEV da mesma regio de uma amostra de liga alumnio
urnio. A Figura 4.21 mostra uma imagem tpica de fratura vista
com MEV.
A distribuio dos elementos qumicos pode ser estudada com
auxlio das imagens de raios X (vide Captulo 6 - Anlise qumica
de micro-regies).
4.4 MICROSCOPIA DECAMPO IONlCO (MCI)
Esta tcnica possibilita aumentos de 10
6
vezes e resolues de 2 a
3 permitindo inclusive o estudo de defeitos puntiformes. O corpo
de prova um arame fino com uma das pontas polidas eletrolitica
108
' -' , 'I ' ,' I '; : -I/. 1-:::':"'-:/"/ ,_-
' ,11/ '" ,1,;/ , /,/ /
)', .. i ' :I / I/
j
;' .; .' f ( \;; ' : -z: rs:>
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f J ; .., " '.' ,. , . , , ' ,...... .. , _ ' i - '..
..j ... _ , .:. . I I .. . l t l , ',' , ,,-, )
109
Fig. 4,20 A liga Al-13,2% em peso de U solidificada unidirecional
mente mostrando o euttico (Al); DA1
4
, As setas indi
cam a direo de crescimento,
:: :'i
' " . \.... , , ,' f , " " . ' " I f I .
.. . _. .' 0.0 t .. .. 1 ._ . .. . _ "
a) Imagem pti ca,
300 X de aument o,
superfcie polida ,
ataque de HF.
b) Imagem de MEV,
650 X de aumento,
ataque profundo
com 5% NaOH.
c) Imagem de MEV,
850 X de aumento ,
regio fibro sa de b.
Fig. 4.21 Imagem tpica de fratura observada com MEV. Material
U
30S
' Aumento 10 000 X.
(Gentileza.de Ana Lcia EXIleI, IPEN-eNEN/SP).
mente com forma hemisfrica de raio entre 100 a 300 raios atm
coso A amostra carregada positivamente (5-15 kV) em uma cmara
de alto vcuo contendo traos de He ou Ne (vide Fig. 4.22). Os
tomos de He ou Ne que se aproximam da ponta (amostra), cedem
elt rons, ficam carregados positivamente e so projetados (perpendi
cularmente amostra) em um anteparo fluorescente produzindo a
imagem. A diferena de potencial aplicado deve ser suficientemente
110
bombas de vcuo

- selagem de ndlo
nitrogno slido
nitrognio liquido
amostra
armadilha (rrapl de purificao
cilindro de cobre
selagem de fndio
Fig. 4.22 Princpio de funcionamento do microscpio de campo
inico.
alta para acelerar os ons da ponta do corpo de prova at o anteparo
- 1 polegada), mas no to alta que cause o arrancamento de ons
metlicos, os quais interfeririam na imagem . Para resistir a esta
"evaporao" do metal, as ligaes atmicas do corpo de prova
:evem ser suficientemente fortes, caso do W, Mo e Pt .
BIB LlOGRAFIA
- ferncias introdutrias
11, D, Introduction to dislocations, Nova Iorque, 1975 , Pergarnon
Press, ed., cap. 2.
111
Reed-Hill, R. E. Physical metallurgy principies, Nova Iorque, 1973,
D. Van Nostrand Company, 2? ed., capo2.
Smallman, R. E. e Ashbee, K. H. G. Modem metallography, Oxford,
1969, Pergarnon Press,
Referncias suplementares
Glauert, A. M. (arg .). Practical methods in electron microscopy,
Arnsterdam-Londres, 1974, North-Holland, vol, 2.
Goodhew, P. J. Electron microscopy and analysis, Londres. 1975,
Wykeham Publcations,
Heimendahl, M. von, Einfuhrung in die Elektronenmikroscopie,
Braunschweg, 1970, Vieweg.
Hrsch, P. B. e outros. Electron microscopy of thin crystals, Londres,
1965, Butterworths.
Hornbogen, E. Durchstrahlungs-Elektronenmikroskopie fester Stoffe,
Weinheim, 1971, Verlag Chemie.
Madin, H. e Modin, S. Metallurgical microscopy, Londres, 1973,
Butterworths.
Reirner, L. e Pfefferkorn, G. Raster-Elektronenmikroskopte, Berlim,
1977, Springer-Verlag.
Thornas , G. Transmission electron microscopy of metais, Nova
Iorque, 1962, John Wiley.
. 112
CAPITULO 5
FUNDAMENTOS DE METALOGRAFIA
QUANTITATIVA
: .1 INTRODUO
se observar urna microestrutura no microscpio tem-se uma des
_ io qualitativa dos diferentes microconstituintes e dos defeitos
_resentes. Sabe-se que as propriedades dos materiais dependem de
microestrutura, podendo-se cit ar como exemplos as influncias
t amanho de gro e da disperso de uma segunda fase sobre as
priedades mecnicas. So necessrios parmetros que quanti
uem de alguma maneira a microestrutura e ent o correlacion
. com as propriedades do material. A metalografia quantitativa
tereologia quantitativa) fornece meios de quantificar a micro
rutura.
De uma maneira geral visa-se com o auxlio da metalografia quan
ativa determinar a quantidade, forma, tamanho e distribuio de
5 e defeitos .
_-\ 5 medidas de metalografia quantitativa so feitas em superfcies
. cas (ou projees no caso de lminas finas) e destas medidas
_:11 ser obtidas relaes que caracterizem trid imensonalrnente
. roest rut ur a. Muitos dos parmetros em terceira dimenso
zern ser obtidos de maneira exata por meio de medidas em duas
ses, mas estas relaes exat as no so disponveis em t odos
50 S. Algumas vezes a metalografia quantitativa utiliza parme
113
tros que no representam os valores reaisem terceira dimenso, mas
caracterizam bastante bem a microestrutura.
As medidas efetuadas tm um erro associado e a preciso da medi
da obtida depende das variveis normais associadas estatstica.
Neste captulo sero abordadas as medidas bsicas utilizadas em
rnetalografla quantitativa e a determinao dos parmetros mais
comuns.
5.2 TERMINOLOGIA E NOTAO DOS PARMETROS
A notao mais utilizada, devida a Underwood, apresentada na
Tabela S.l.
Nesta notao, os smbolos so utilizados indistintamente para
aspectos geomtricos ou para quantidades de teste . Assim P pode
representar pontos na microestrutura ou pontos teste.
Os smbolos compostos so sempre uma frao em que o nume
rador representa uma quantidade microestrutural e o denominador
uma quantidade de teste ou referncia geomtrica. Por exemplo,
Sy equivalente a S/V onde S a rea da superfcie da microestru
tura contida num volume V de referncia ou teste; Pp a relao
entre o nmero de pontos que perteneem s reas de interesse na
microestrutura e o nmero total de pontos teste que foram utiliza
dos; PL o nmero de pontos (interseces) gerados por unidade de
comprimento de linha teste; PA o nmero de pontos de interesse
de microestrutura por unidade de rea e Py o nmero de pontos
de interesse na microestrutura por unidade de volume e assim por
diante.
5.3 MEDIDAS E EQUAES BSICAS
5.3.1 Medidas bsicas
Apresentamos a seguir as medidas bsicas que podem ser efetuadas
em seces planas e as maneiras mais comuns de Sua realizao.
Pp - O mtodo de contagem de pontos consiste em se dispor uma
114
TABELA 5.1
Lista de smbolos bsicos e suas definies
stmbolo unidade def inio
P
-
nmero de pontos.
Pp
-
m
I
m-'
frao de pontos. Nmero de pontos incidentes no
obj eto de interesse pelo nm ero total de pontos
da grade.
PL
nmero de interseces por unidade de linh a-teste.
PA
nmero de pontos por unidade de rea-teste.
P
v
-,
m nmero de pontos por unidad e de volume-teste.
L m comp rimento de elementos lineares ou linh a-teste.
LL
mIm
frao linear. Comprimento dos interceptes lineares
por unidade de comprimen to de linh a-test e,
LA
mim'
comprim ent o dos interceptes lineares por unidade
de rea-tes te.
I
Lv
mim '
comprimento dos intercepto s linear es por unidade
de volume-test e.
A
,
m rea plan a dos obje tos inter ceptados ou rea-teste .
S m'
mZ/m'
rea superficial ou int erfaci al (no necessariam ent e
plana).
AA
frao de rea. rea dos objet os interceptado s por
unidade de lea-test e.
Sv
m'/m ' rea superfi cial por unidade de volume-teste.
V m' volum e dos o bjet os tr idimensionais ou volum e-teste.
V
v
m'/m '
-
frao volumtrica. Volume dos obj et os por unidad e
dc volume-te ste.
N
NL
n mero de objetos.
-,
m
nm ero de objetos interceptados por unidade de
comp rimento de linha-teste.
NA
.,
m
..
nm ero de obj et os intercept ados por unidade de
rea-teste.
Nv
m nmero de objetos por un idade de volum e-teste.
L m comprimento mdio de intercepto, LUNL'
A m' rea plana mdia , AAlN
A
.
S
V
m' rea superficial ou int erfacial mdia , Sv/Nv .
m' volume mdio, Vv/ Nv.
115
rede de pontos sobre uma determinada rea da microestrutura.
As maneiras mais usuais so colocar esta rede de pontos na
ocular do microscpio ou ento sobre a micrografia. O nmero
de pontos que esto sobre as reas de interesse (por exemplo
uma fase 0:) dividido pelo nmero de pontos totais fornece o
valor Pp, O processo deve ser repetido em diferentes regies da
amostra.
Duas recomendaes bsicas devem ser seguidas para se obter
bons resultados: 1) os pontos que parecem estar em um con
torno devem ser contados como 1/2. 2) Deve ser selecionada
(quando possvel) uma rede de pontos, na qual em mdia no
mais que um ponto incida sobre um mesmo objeto de interesse
e que o espaamento da rede seja prximo do espaamento
entre os objetos de interesse,
A Figura 5.1 apresenta exemplos de grades de pontos para
serem utilizadas em oculares onde os pontos teste so as inter
seces.
A Figura 5.2 apresenta exemplos de seleo de grades de pon
tos em funo da microestrutura a ser analisada .
PL - Um arranjo de linhas retas ou circulares superposto na micro
estrutura. A Figura 5.3 apresenta arranjos de linhas paralelas e
circulares que so utilizadas para medir PL' Quando se deseja
valores mdios, mesmo para estruturas orientadas, o arranjo de
linha circular mais indicado. Os comprimentos das linhas so
prefixados para facilitar os clculos.
Os pontos de interseco das linhas teste usualmente so inter
seces com traos de superfcies no plano de polimento. A
Figura 5.4 apresenta um exemplo de aplicao de linha circular
para microestrutura monofsica. As interseces da linha teste
com os contornos de gros so o nmero de pontos que dividi
dos pelo comprimento da linha teste fornecem uma medida
para PL, que deve ser repetida para se obter um valor mdio
representat ivo. Quando as linhas teste parecem tangenciar as
linhas de interesse deve-se considerar como 1 (uma) intersec
o e quando a interseco for numa juno tripla deve-se con
tar 1 1/2 .
116
E
E
-00
lO
EE
I ,
i .
I,
.'
,""rnrn L 0 50 rnrn
(a) (b)
Hetfculos para gravao
em discos de vidro
de dimetro 16,9 mm
e espessura 15 rnrn.
A espessu ra da linna
de gravao no deve
exceder 0,005 mm
(cf
Fig. 5.1 Tipos de retculos que so normalmente inscritos nas
oculares de 12,5 X da Zeiss.
.-:~ - uma medida semelhante a PL, mas NL utilizada quando se
tem ligas polifsicas. Ela representa o nmero de interseces
de objetos (partculas) por unidade de comprimento da linha
teste. Quando houver objeto (partcula) de forma irregular,
117




. . ..

... .. .
.. . - .

lo

..

' .
Fig.5.2
seces com
,
aI
,
;'
,
/
, -,
/ r
, ,
/ ,
,
r
,
"'
b] arranjo da linhas circul ares \
usada. tanto am mleroastru
turas or ientadas como neque
los nO orlentedas.
Fig.5 .3
Exemplos de seleo de grades para contagem de inter
partculas em microestruturas esquemticas.

.-

linhas paralelas para medidas
am mlcroastruturas no orien
tados. Unhas radiais espaadas
de 15" para madidas em micro
estruturas orientadas,


, "". -
"
"'---.._ _
Arranjos de linhas para medida PL'
118
pode-se intercept-lo mais de uma vez pela mesma linha teste.
Podem ser utilizadas linhas testes como aquelas mostradas na
Figura 5.3.
Fig.5.4 Mcroestrutura tpica esquemtica mostrando o trao dos
contornos de gro no plano de observao. A flecha indica
a presena de juno qudrupla de 'gros.
Em microestruturas onde os objetos (partculas) so separados ,
como se v na Figura 5.5a vale a equao PL = 2 NL' Para
manter a validade desta equao quando a linha teste parece
estar tangente partcula, o valor de PL 1 e o valor de NL
igual a 1/2. Quando as partculas (objetos) no esto sempre
separadas, como mostrado na Figura 5.5b, as relaes entre NL
e PL devem considerar os diferentes tipos de interfaces que so
interceptadas. Neste caso existem interseces com contornos
0:0: bem como interfaces o:p. Para partculas o: vale a relao
(Nda =2 (Pdcrcr + (PdcriJ (Equao 5.1)
2
Esta equao mostra que quando a estrutura consiste apenas
de uma fase cPd"'ll = Oe NL = PL
119
a) as partjculss de Ct no se tocam. b) as partculas de Ct se tocam.
tJ o O
(I 8.03 (j)9 o
K: @
Q 1
o
i
I

(P
L
) <> <> O
2
(P
L)
10
8
6
(NLl <> 5
Fig.5.5 Relaes entre NL e PL para partculas de o: embebidas
em matriz de 13.
PA - Representa a medida do nmero de pontos de interesse numa
microestrutura por unidade de rea. Como exemplos de pontos
numa microestrutura tm-se cavidades de corroses devidas a
discordncias (etclz pits) que so afloramentos das linhas de
discordncias na superfcie e junes de contornos de grifo em
pontos triplos . O nmero total de cavidades de ataque ou de
pontos triplos contados numa determinada rea fornece a rela
o P/A ou PA.
NA - Representa a medida do nmero de objetos da microestrutura
por unidade de rea. Pode-se medir, por exemplo, o nmero de
precipitados em ligas de mais de uma fase, nm ero de vazios e
nmero de gros para ligas monofsicas. Considerando que
numa seco de liga monofsica geralmente trs gros se
encontram num ponto, vale a relao:
120
I
NT == -P+ 1
2
(Equao 5.2)
onde : NT == nmero total de gros;
P == nmero total de pontos
triplos;
e
Quando ocorrer a juno de quatro gros num ponto, este deve
ser contado em dobro. A rea mdia de gro igual a l/NA.
AA - A determinao de AA denominada de anlise de rea. Usual
mente esta anlise envolve a determinao da rea relativa de
uma fase ou constituinte por unidade de rea da microestru
tura, A determinao de AA bastante trabalhosa quando
comparada com a determinao de outros parmetros.
LL - A determinao de LL denominada de anlise linear. Em ligas
com mais de uma fase, a soma dos ' comprimentos individuais
interceptados pelas reas de interesse (segunda fase) dividido
pelo comprimento total da linha teste fornece o valor de LL'
5.3.2 Equaes bsicas
Estas equaes fornecem as relaes para os clculos dos parme
tros em trs dimenses, utilizando-se os valores medidos em duas
:imenses.
A Tabela 5.2 sintetiza as inter-relaes entre os parmetros micro
est ruturais medidos e calculados. As flechas indicam as medidas que
- rmalment e so utilizadas para calcular os parmetros usuais em
. s dimenses Vy, Sy, Ly e Pv.
As equaes bsicas relacionando os parmetros da Tabela 5.2 so:
(Equao 5.3)
12]
4
Sv = LA = 2 PL (Equao 5.4)
rr
Lv = 2PA (Equao 5.5)
1
P
v
= -Lv Sv = 2 PA PL (Equao 5.6)
2
TABELA 5.2
Relaes entre parmetros medidos ( O) e parmetros calculados (O)
espcie mi croestrutural dimenses expressas em metros
_ 2 .2 - 1
mO
m m m
pont os
linhas
superfcies
volumes
~
bJ
Estas equaes so exatas e independentes da microestrutura, ou
seja, elas sempre so vlidas, mesmo para microestruturas orientadas,
desde que as medidas sejam realizadas ao acaso. A Figura 5.6 apre
senta esquematicamente exempl os das medidas bsicas Pp, PL e PA
que so utilizadas nestas equaes.
Quando se tem estruturas orientadas, pode-se desejar determinar
as caractersticas de direconalidade em adio aos valores mdios
obtidos pelas equaes anteriores. A Figura 5.7 apresenta exemplo
de anisotropia microestrutural com variao de estrutura em funo
da seco observada . Muitas vezes sufieiente medir os parmetros
em duas direes , ou seja, em direes transversal e longtudinal e
definir um parmetro chamado de grau de anlsotropia dado por:
122
(ai
(bl
L
I
1
I
I
L

J
L"J
(e)
Fig.5.6 Ilustrao das medidas de : a) Pp ; b) PL; c) PA'
Sy (transversal) PL (transversal)
\\ == e W = (Equ ao 5.7)
Sy (longitudinal) PL (longitudinal)
Outros ndices que descrevem melhor o grau de orientao da
microestrut ura podem ser utili zados (vide Bibliografia).
Uma definio completa da anisotropia pode ser obtida quando se
aplicam em vrias direes as linhas teste paralelas como as da Figura
:. 3a. Pode-se desta forma caracterizar a variao angular de linhas e
. uperf cles com relao a um eixo ou plano de referncia, atravs da
construo de um grfico onde colocado o nmero de interseces
aa linha test e em funo do ngulo de medida. A Figura 5.8 apre
nta resultados deste grfico para duas microestruturas, uma sem
orientao preferencial e outra parcialmente orientada.
123
Q
't?
o
D
C
<0
o
"
o
seco
transversal
seco
longitudinal, L. --'
Fg, 5.7 Ilustrao da variao da mcroestrutura em funo da
seco em um sistema que possui anisotropia estrutural.
5.4 PRECISO ESTATISTICA
A metalografia quantitativa utiliza muitas determinaes que preci
sam ser tratadas estatisticamente. Apresentamos em seqncia as
124
(sI
F:g.5.8 Grficos polares de medidas de PL: a) distribuio ao
acaso de gros em Fe; b) distribuio de gros em Fe larni
nado a frio evidenciando a presena de orientao prefe
rencial .
relaes estatsticas mais utilizadas de uma distribuio normal como
: da Figura 5.9.
A mdia aritmtica de n observaes xj , X2' . . Xn
1 n
x = - ~ xI (Equao 5.8)
n i= l
o parmetro mais utilizado para medir o grau de disperso em
mo da mdia o desvio-padro a (x) da populao. O que se
ct rn experimentalmente uma estimativa do desvio-padro da
ulao S (x), O quadrado do desvio-padro denominado vario
. . [a
2(x),
S2(X)J.
125
o
Fig. 5.9 ilustrao de trs distribuies normais com os respectivos
desvios-padres.
1
n
U
S2(X)=_- 1:
(Xi - X)2 (Equao 5.9)
n-I
i=l
ou
J
fi
S2(X) = L XI
(XI)'- (Equao 5.10)
n-I
1== 1 =l
n
Um dos problemas fundamentais em anlise estatstica verificar
a preciso da mdia encontrada para uma amostragem de tamanho n.
Para tanto existe uma tcnica que consiste no clculo do chamado
erro-padro (EP) da mdia e nvel de confiana da mdia.
126
o desvio-padro de uma populao pode ser estimado calculando
se a raiz quadrada de uma das equaes 5.9 ou 5.10. O desvio-padro
da mdia, ou erro-padro da mdia, dado por:
ax
n
n (n - I)
(Equao 5.11)
(EP) = ax =- =
-r:
A probabllidade de que a mdia da populao esteja entre x EP
de 67%, de que esteja entre x 2 (EP) de 95% e de que esteja
entre x 2,57 (EP) 99%. A faixa para a mdia x 2 (EP) chama
da de nvel de confiana da mdia de 95 %. O nvel de confiana da
mdia de 95% significa que existe a probabilidade de 0,95 de que a
mdia da populao estej a entre 2 (EP) da mdia das amostras.
Normalmente o nvel de confiana de 95% considerado satisfatrio
para os trabalhos de metalografia quantitativa.
5.5 PROPORO DE FASES
_-\ Equao 5.3 fornece a igualdade da frao volumtrica de uma
:'ase com a medida de contagem de pontos Pp, anlise linear LL e
anlise de rea AA' A Figura 5.10 apresenta a equivalncia destes
oarmetros.
- Qualquer um destes mtodos de medida pode ser utilizado nas
_et erminaes de frao volumtrica. A Figura 5. I I apresenta uma
mcroest rut ura tpica em que a determinao da frao volumtrica
;x>r metalografia quantitativa fcil, rpida e precisa .
A contagem de pontos o mtodo mais utilizado, pois, compa
. ado com os outros, de realizao mais simples, quando efetuado
manualment e. Os mtodos automticos de anlise da imagem ut i
o am a determinao da frao de rea, ou seja, fornecem a soma
cas reas selecionadas em relao a uma rea total de refer ncia.
Apresenta-se a seguir um procedimento recomendado para deter
'nao da frao volumtrica pela contagem de pontos, mtodo
.ste normalizado pela norma ASTM E 562.
127
Interceptas vert icais (Anlise linear)
4
;;;
'"
:
.!'!!
s
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c:
E
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8.
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J
t
19 Vt ' \9/17"12)}:\
Fig.5.10 Equivalncia entre Pp, LL e AA' Os quadrados hachura
dos representam partculas de precipitados.
Inicialmente necessrio decidir o rnaxirno erro que pode ser
toler ado. O esforo necessrio varia inversamente com o quadrado
do erro, por exemplo, diferena entre uma preciso de 10% e 1%
corresponde respectivamente diferena entre 1/2 hora e uma sema
na de trabalho.
Em seguida determina-se a frao volumtrica aproximada pela
aplicao pouc as vezes da grade de pontos sobre a amostra para
obter Pp. A seleo da grade deve ser feita de modo a fornecer o m
rumo tempo de contagem e satisfazer as recomendaes dadas na
medida de Pp.
/
128
,/
Tomando-se este valor aproximado de frao volumtrica pode-se
bt er o nmero total de pontos P
T
a serem aplicados para se obter
ietermnada preciso, de acordo com a expresso
PT = Pp {1 - Pp) / aP
p
(Equao 5.12)
nde app o desvio-padro desejvel. No entanto, a preciso
- rmalmente expressa em termos de porcentagem de desvio do
lar mdio. Por exemplo, quando se deseja determinar a frao
lumt rica com uma preciso de 3% de seu valor com um nvel
: e confiana de 95%, deve-se fazer um nmero suficiente de medidas
1 que o dobro do erro-padro da mdia dessas medidas seja igual a
t: _ . 5.11 Microestrutura bifsica ( ~ - c b j c a + e-hexagonal) da
liga Mo-lO, 4 Ru-12, 1 Pd (at %). Aumento de 500 X.
(Gentil eza de J. O. A. Paschoal, IPEN.cNEN/SP.)
129
3% da mdia. O nmero total de medidas que devem ser realizadas
para se obter uma determinada preciso com o nvel de confiana de
95% obtido da igualdade:
2 app (%preciso)
vn == 100 P
p
(Equao 5.13)
Desta equao se obtm:
200 app 2]
n - - (Equao 5.14)
- %preciso Pp
G
Sendo PG o nmero de pontos da grade, o nmero total de pon
tos PT a ser utilizado PT == n PG. Quando o nmero de pontos
calculado muito elevado, duas medidas podem ser tomadas: 1) o
n mero de pontos da grade utilizada deve ser aumentado e 2) a pre
ciso desejada deve ser diminuda.
A prxima etapa a realizao das contagens, com um espaa
mento entre campos que fornea uma amostragem completa do'
plano da amostra. ' Quando cerca da metade da contagem estiver
realizada, a frao volumtrica deve ser recalculada para se obter um
valor de PT mais preciso.
Quando as medidas estiverem completas, pode-se calcular o valor
final mdio de Pp e obter a ~ p ou ap
p
com a Equao 5.12.
5.6 TAMANHO DE GRo
Por serem os gros normalmente irregulares, no fcil conceituar
se com preciso o que seja seu tamanho ou dimetro. Alm disso,
o dimetro do gro em terceira dimenso um parmetro que no
pode ser exatamente obtido. O que pode ser exatamente obtido Sy
atravsda Equao 5.4, Sy = 2 PL.
A Figura 5.12 apresenta um exemplo de grosem liga monofsica.
Vrios mtodos podem ser utilizados para a determinao do
tamanho de gro. Do ponto de vista prtico o mtodo deve ser sim
pies e o parmetro medido deve mostrar .correlao com as proprie
130
Fig. 5.12 Microestrutura monofsica de um ao inoxidvel auste
nitico recozido. Aumento 100 X.
dades do material. A norma ASTM E 112 apresenta as maneiras mais
usuais para a determinao do tamanho de gro.
Em amostras monofsicas de gros equiaxiais, o mtodo compara
tivo com rnicroestrutura-padro bastante simples e muito difun
ido para a determinao rotineira do tamanho de gro. As fotogra
l as das cartas-padro de comparao da ASTM so obtidas util zan
o-se a seguinte equao:
nA = 2{N-I) (Equao 5.15)
onde nA o nmero de gros existentes por polegada quadrada com
_ mento de 100 X e N representa o nmero ASTM de gro. Assim:
N:= (log nA!log 2) + 1,00 (Equao 5.16)
131
Desta forma, pode-se obter o nmero ASTM de tamanho de gro
por comparao com as cartas-padro ou por contagem do nmero
de gros nA por unidade de rea (polegada quadrada) com aumento
de 100 X, que corresponde determinao de NA '
A determinao de NA utilizando um crculo com rea conhecida
(A) denominada de mtodo planim trco ou de Jeffries. Neste
caso, pode-se obter NT' nmero total de gros, considerando a soma
tria do nmero de gros que esto inteiramente contidos no circulo
e mais a metade do nmero de gros que so interceptados pelo cr
culo. NA o:: NT/ A. Outra maneira de se obter NT utilizar a Equao
5.2, NT o:: 1/2 P + I, onde P o nmero de pontos triplos.
Um mtodo que mais rpido e bastante empregado o da inter
seco. Pode ser aplicado independentemente da forma do gro,
quando se conta o nmero de gros que so cortados por linhas
teste. Em ligas monofscas o dimetro o comprimento mdio do
intercepto, podendo ser calculado por :
ou
(Equao S.l7a)
(Equao 5.17b)
onde d o:: dimetro mdio de gro, LT:= comprimentototal da linha
teste , M = aumento, P
I
:= nmero de interseces com contornos
de gro.
O mtodo usual para esta determinao utilizar um crculo
de comprimento conhecido, como mostrado na Figura 5.13, apli
cado na amostra como se v na Figura 5.4. Na determinao de d,
recomenda-se a seleo de um crculo e de aumento que resulte em
mdia em mais de seis interseces por aplicao do crculo. A COn
tagem deve ser feita considerando uma interseco quando a linha
teste tangenciar o contorno de gro e 1 1/2 para pontos triplos. A
preciso da medida dada pelas equaes de estatstica j apresen
tadas, podendo ser inclusive utilizada a Equao 5.14 com substitui
o de Gpp por 0d e Pp por d.
132
Existe uma relao entre N-tamanho de gro da ASTM e d-di
metro do gro pelo mtodo de interseco. Assim, determinando-se
d, pode-se obter G-nmero equival ente do tamanho de gro da
ASTM atravs da Equao 5.18 . A unidade de d para introduo na
equao 5.18 deve ser em.
2 0eIT'
10 crr-
E
u
o
IDem
r :g. 5.13 Mtodo de HilIiard para determinao de tamanho de
gro em micrografas por meio de superposio de cr
culos e contagem de interseces.
G = -10,0 - 6,6410g d (Equao 5.18)
D-seum exemplo de aplicao da Equao 5.18, supondo-se que
crculo de 10 em aplicado quatro vezes na microestrutura com
ent o de 250 X, com um total de 36 interseces. No clculo
para gros equiaxiais, que no variam muito em tamanho, o
10 deve ser aplicado at que se obtenham cerca de 35 intersec
:, garantindo-se assim uma preciso satisfatria para G. O clculo
G neste exemplo fornece o valor de 5,6. A Equao 5.18 pode ser
r/ ida graficamente e na Figura 5.14 vemos sua reproduo, tendo
base o exemplo citado.
_ - ~
~
133
Quando duas fases estiverem presentes, o clculo do tamanho de
gro de cada uma del as pode ser efetuado por :
_ Va:
=da: = - - (Equao 5.19)
NL
- V{3
L
3
(fl) = d{3 = -
(Equao 5.20)
NL(m
onde da: e d{3 so os tamanhos de gros de a: e {3 obtidos pelo mtodo
de interseco e Vex e V{3 as fraes volumtricas de ex e (3.
Os valores de e NL(Jl) podem ser obtidos diretamente pela
contagem de nmero de gros interceptados pela linha- teste ou ento
utilizando-se a Equao 5.1 obtendo-se:
- 2 +
N
L(e<) - (Equao 5.21)
2
e
(Equao 5.22)
A Figura 5.15 apresenta um exemplo de rncroestrutura de liga de
duas fases onde se pode determinar o tamanho de gro de uma das
fases at ravs das equaes apresentadas acima.
5.7 MICROESTRUTURA CONTENDO PARTfcULAS DISPERSAS
Uma micro estrutura pode conter uma disperso de partculas separa
das, como mostrado esquematicamente na Figura 5.16 . Podem ser
considerados como exemplos as mcrcgrafas das Figuras 5.11 e 5.15.
No sero discutidos -aqui os mt odos relativos determinao da
distribuio do tamanho de partculas, que necessitam de hipteses
quanto forma da partcula (vide Bibliografia).
Parmetro espacial, vlido independentemente da forma, tamanho
e distribuio das partculas, a distncia livre mdia entre part
cuias (\) dada por :
134
o 30 0
250
200
2
I::> t "
'3
' OU

3
4
80
i
s
-
;"
< 60
O
:J 5
::>0 e
i
E
.ro o::
40
Z
o
30
<5
20
:J
Fig.5.14
15
"
ui)
/0
50
E
15 40
O
O
-
20
.1 5
.,
30
3 0
Ll
O
40
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2
I:
50
70
100
l U
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8
..
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E
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150
20 0
10
'0
0
~
Gl
. ~
300
.,
. 8
40 0
500
70 0
10 0 0
Nomgrafo para obteno do nmero
ASTM de tamanho de gro.
Ll
7 e
.,
6 E
.:::1
Z
5
4
Fig. 5.15 Microestru
tura de ferro fundido
f e-C-AL-Si aps reco
zimento mostrando
part culas de grafita
embebidas em ferrit a
policristalin a. Aumen
to 100 X. (Gentil eza
de A. B. de Souza San
tos, Fundio Tup y.)
135
..,.... I L
{aI (bJ
5 + ( 3 1 6.5
NA = - L - ~ - ; ; : : L
Fig. 5.16 Ilustrao do nmero de partculas:
a) em um arranjo tridimensional ;
b) que interceptam um determinado plano.
= 1- (VV)a
(Equao 5.23)
NL
onde (VV)a = frao volumtrica da fase das partculas (a) e NL =
nmero de partculas de a por unidade de comprimento da linha
teste . .
Outro parmetro o espaamento mdio entre partculas a, que
representa o comprimento mdio de centro a centro de partculas.
1
a = - (Equao 5.24)
NL
Desta maneira pode'se relacionar o tamanho mdio de partculas
na seco (L)a (comprimento mdio de intercepto com linha-teste)
por:
(Equao 5.25)
Muitas vezes, as propriedades de uma rnicroestrutura contendo
partculas podem ser representadas satisfatoriamente por aproxima
136
o das microestruturas existentes com formas geomtricas simples
das partculas. Assim, formas geomtricas simples apresentam rela
es que podem ser teis na anlise quantitativa da microestrutura.
A Tabela 5.3 apresenta algumas relaes para partculas com formas
simples e tamanho constante.
5.8 APLICAO EM MICROSt:OPIA DETRANSMISSO
Em microscopia eletrnica de transmisso a imagem observada a
projeo de uma determinada espessura do material, havendo uma
diferena com relao ao observado numa superfcie. A Figura 5.17
apresenta a projeo de uma lmina fina observada no microscpio
de transmisso. Como se pode ver, existe uma projeo das reas
de interesse, podendo ocorrer superposio.
lmina fina
imagem projetada
Fig. 5.17 Projeo de vrias espcies mieroestruturais contidas
numa lmina fina.
137
TABELA 5.3
Relaes para distribuio de partculas com tamanho e fonna constantes
forma da particula
volume
V
rea
superficial
S
frao
volumtrica
Vv
rea
plana
mdia

comprimento
mdio de
intercepto
L.
nmero de objetos
por unidade
de volume
Nv
dimenses
reais
da
partfcula
esfera
r =raio
4
---rer'
3
4 7Tr'
8Nr,
37T N
A
2 ,
-7Tr
3
4r
3
8N
L
37TN
A

4N
L
2N
L
3V
v
r=:--=-
1I'N
A
4N
L
disco
r =raio
t =: espessura
Cr t )
7Tr't 27Tr' 2N
L
t 2rt 2t
2N;'"
7TN
L
N
L
r=-
NA
V
v
t= -
2N
L
cilindro
r =: raio
h = altura
(r h)
7Tr'h 27Tr Cr +h )
N
L
2rh
r+h
211'r'h
7Tr+h
2rh
r+h
se r = h
NA 2N
A 0732 _
, NL 7Tr+h
Vv
h=
7TNVr'

'v: NvhJ
fibra
r =: raio
1 = comprimento
(l r)
1I'r'1 27Tt!
2NL
7TN
A
2m'
2N
L
2r= -
7TN
A
2N
A
1
N
L
r =:---
7TN
A
2N
A
1= -
Nv
Duas espcies microestruturais so bastante observadas em micros
copia eletrnica de transmisso: partculas de uma segunda fase e
discordncias . A anlise de partculas dificultada pelos fatos apre
sentados acima e as expresses normalmente utilizadas so aproxima
das, com hipteses sobre a forma das partculas. Estas expresses
no sero discutidas aqui (vide Bibliografia).
A densidade de discordncias (comprimento de linhas de discor
dncias por unidade de volume) de uma estrutura pode ser determi
nada por uma relao exata. A Figura 5.18 apresenta esquematica
mente Uma lmina fina contendo discordncias e sua imagem proje
tada. Quando uma linha-teste de comprimento L colocada sobre
lmina fina contando discordncias
lrneqarn projetada com Inha-tasta
? ig.5.18 Equivalncia entre uma linha-teste na imagem projetada
e um plano de teste na lnna fma.
139
a imagem projetada, equivalente a amostrar a estrutura tridimen
sional com um plano-teste de dimenses L X t, onde t a espessura
do filme. O n mero de discordncias interceptadas por esta linha
teste igual ao nmero de interseces do plano correspondente na
lmina fina. Assim:
P
1
P
A
= - - (Equao 5.26)
L.t
onde PA= nmero de interseces por unidade de rea, P
1
= nme
ro de interseces com discordncias na linha-teste, L = compri
mento da linha-teste, t = espessura da lmina fina, ou
PL
l\A=
t
Este valor de PA pode ser substitudo na Equao 5.5 para obter
LV o comprimento total de discordncias por unidade de volume da
estrutura
2PL
LV = -- (Equao 5.28)
t
A Figura 5.19 apresenta um exemplo de micrografia eletrnica de
transmisso com discordncias.
Fig. 5.19 Micro
grafia eletr nica
de transmisso
de uma lmina
fina contendo
discordncias e
p r e c i p it ados.
Aumento de
30000 X
140
BIBUOGRAFIA
Referncias introdutrias
Ambrozo Filho, F. e Barcelos, E. J. B. V. Metalografia quantitativa
automtica: algumas aplicaes, S. Paulo , 1977, Metalurgia-ABM,
voI. 33, pgs. 9399.
Hoff, R. T. de e Bunshah, R. F. (org.). Quantitative metallography ;
Nova Iorque, 1968, Interscience, vol. 2, parte 1, pgs. 221- 253.
Rhines, F. N. Quantitative Microscopy, Rio de Janeiro, 1969, Insti
tuto Militar de Engenharia.
Underwood, E. E. "Applcatons of quantitative metallography", in
Metais handbook, Oho , American Society for Metals, 8 ~ ed.,
vol. 8, pgs. 37-47 .
Refernciassuplementares
Hoff, R. T. de e Rhnes, F. N. (orgs.). Quantitative microscopy, Nova
Iorque, 1968, McGraw-Hill.
Saltykov, S. A. Stereometrische Metallogmphie, Leipzig, 1974, VEB
Deutscher-Verlag fr Grundstoffindustrie.
Underwood, E. E. Quantitative stereology; Nova Iorque, 1970,
Addison-Wesley.
141
CAPITULO 6
ANLISE QUMICA DE MICRO-REGIES
6.1 INTRODUO
A informao mais importante a respeito de um material certa
mente sua composio qumica, geralmente o primeiro item da lista
de especificaes que deve ser satisfeito. To importante quanto a
composio qumica mdia do material o conhecimento da distri
buio no volume de seus elementos qumicos. Estes componentes
podem estar distribudos homogeneamente formando uma nica fase
ou particionados nos diversos constituintes microestruturais (fases e
incluses) . Mesmo no caso de uma soluo slida, podem ocorrer,
como decorrncia do processo de fabricao, variaes de composi
o. A composio qumica dos constituintes microestruturais ao
lado de sua estrutura cristalina, quantidade, tamanho, morfologia,
distribuio e relaes de orientao com a fase adjacente, tem efeito
determinante nas propriedades do material. A determinao da com
posio qumica dos constituintes microestruturais objeto da
microanlise. A Figura 6.1 compara a microanlise com os mtodos
tradicionais de anlise qumica.
As principais tcnicas utilizadas na anlise qumica de micro
regies so: microssonda eletrnica (anlise por comprimentos de
onda) , anlise de-energia dispersiva, espectroscopia AUGER e micros
143
sonda inica. A Tabela 6.1 apresenta algumas caractersticas dest as
tcnicas. Das tcnicas mencionadas acima, as duas primeiras so
as mais utilizadas e sero abordadas mais extensivamente neste tra
balho .
TABELA 6. 1
Caractersticas da s principais tcn icas utiliz adas
na anlise qumica de rnicro-regies
anlise por
comprimento
de onda
(A CO)
anlise
de energia
dispersiva
(A ED)
espectroscopia
Auger
microssonda
inica
'
seleci on vel: regrao
U dim etro
O profundidad e
elemen to s analisvei s
O (n9 atmi co)
limite de deteco
O (% at mica)
> 1- 2 ttm
>2 ttm
;;. 5
-co, o1%
> 1-2 ttm
>2 urn
;;. 11
'\..0, 1%
> 0,1 um
<20 A
;;. 3
'\..0 ,1- 1%
> 1- 2 um
> I OA
todo s
inclusive
is to po s
'\..10' 7- 10"%
6.2 FUNDAMENTOS DA ANLISE
No Cap tulo 4, item 4.3.1, foram mencionados proc essos de intera
o que ocorrem durante a incidncia de um feixe de eltrons em
uma amostra slida, tais COmo emisso [Auger, secundrios, retro
espalhados) , transmisso (el st ica e inelstica) e absoro de elt rons,
assim como emisso de luz e raios X. Cada um destes eventos fornece
informaes sobre a amostra. A micro anlise por raios X faz uso do
fato de que tomos, na interao com um feixe de eltrons proveni
entes de uma fonte externa, originam raios X caracterstico s dos
elementos contidos na regio da amostra em que o feixe incidiu.
144
Vl
4
:E
4
li:
<!)
:E
W
W
Vl
...J
'4
Z
4
W
O
9
;;
cr
W
I
~
( j ~
10tl
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16
12
I
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10
1 0 - ~
I ~
I
l 2
I;
I
tl
1 0 ~
PORCENTAGEM EM PESO (% J
Fig, 6.1 Intervalo de anlise (produto do tamanho da amostra ana
lisada pelo intervalo de deteco) versus concentrao
(% peso) para diferentes tcnicas.
Estes raios X so normalmente analisados ou por seus compri
:::entos de onda (anlise por comprimento de onda) ou por suas
energias (anlise de energia dispersiva).
Anlise por comprimentode onda [microssonda}
O instrumento opera tendo como princpio a anlise dos raios X
145
de comprimento de onda dispersivo. O feixe de eltrons induz raios
X caractersticos da regio da amostra que est sendo analisada, e
estes so difratados por um cristal curvado e com espaamento
conhecido. As condies geomtricas so posicionadas de modo a
satisfazer a relao de Bragg, n = 2 d sen e, onde n um nmero
inteiro, ee d so conhecidos e o comprimento de onda do ele
menta desconhecido, Figura 6.2. Para manter a geometria requerida,
a superfcie da amostra deve ser perfeitamente plana.
feixe de eltrons
~ ~ ~ ~ i I espaamento do reticulado
\ ;- cristalino [d)
amostra
LZ
Fig.6.2 Coleta dos raios X em espectrmetro com cristal mediante
medidas de comprimento de onda.
Anlise de energia dispersiva
Uma outra' alternativa para dentifcao dos raios X obtidos pela
amostra a medida de sua energia por meio de detectores de estado
slido, como por exemplo silcio com uma camada de ltio difun
dido. Esses detectores requerem o uso de nitrognio lquido e so
extremamente sensveis 11 contaminao de superfcie, por isso
devem estar fechados em recipiente com janelas de berlio, sob
vcuo .
Neste espectr rnetro a difrao no envolvida (vide Figura 6.3).
Os vrios comprimentos de onda da radiao emitida pela amostra
146
Nitrognio liquido
feixe de
eltrons
computador e fita magntica
Fig.6.3 Diagrama esquemtico da anlise de energia dispersiva.
so separados com base nas suas energias, utilizando-se o contador
Si (Li) e um analisador de amplitude multicanal (MCA). Este conta
dor produz pulsos com alturas proporcionais energia do feixe inci
ent e. Os pulsos so classiflcados pelo MCA, segundo suas alturas .
Porque no h separao fsica em espaos de comprimento de onda
ele geralmente chamado no-dispersivo.
.3 ANLISE QUANTITATIVA:CORREES
A microanlise por raios X um mtodo rpido de se determinar
zualitativomente a composio de uma micro-regio de interesse .
147
Se uma determinao quantitativa desta micro-regio for de inte
resse, necessria ento a utiliza o de padres-amostras com con
centraes conhecidas dos elementos a serem analisados - e a rea
Iizao de correes. Neste caso a concentrao dada pela frmula :
CA:=:: IA/IA' CP.. Fz FA' FF (Equao 6.1)
onde:
CA:=:: concentrao em peso do elemento A na amostra;
CX::: concentrao em peso do elemento A no padro;
IA ::: intensidade dos raios X (caractersticos) de A na amostra;
IA = intensidade dos raios X (caractersticos) de A no padro;
Fz = fator de correo devido ao nmero atmico;
FA ::: fator de correo devido absoro;
FF == fator de correo devido fluorescncia.
Correo devido ao nmeroatmico (Fz)
Os eltrons que atingem a superfcie de uma amostra podem nela
penetrar ou serem retroespalhados. Os efeitos destes dois processos
na emisso de raios X so considerados sob dois subfatores. O sub
fator D, poder de desacelerao , determina a profundidade de pene
trao dos eltrons na amostra e o subfator R, retroespalhamento,
compensa o fato de que eltrons de alta energia so retroespalhados
e portanto no produzem raios X. Ambos os subfatores D e R, dim
nuem para nmeros atmicos maiores e mais baixa energia dos el
trons incidentes.
Correo devido absoro (F
A
)
Os raios X emitidos pelos tomos da amostra so parcialmente
absorvidos antes de abandonarem sua superf cie e serem coletados,
conforme mostra a equao geral de absoro:
I == lo' e-(/lI p) p x
(Equao 6.2)
148
I = intensidade transmitida;
lo = intensidade incidente;
11/ p = coeficiente de absoro em massa;
p = densidade;
x = espessura (distncia) percorrida.
A forma e o volume da regio da amostra que emite raios X, o
ngulo em que os raios X so coletados e a energia do feixe incidente
so tambm considerados na correo para absoro (FA)' O fator
absoro (FA) , em geral, o que tem maior peso nas correes e
determina a preciso da anlise.
Correo devido ' fluorescncia (FF)
A fluorescncia a emisso de radiao caracterstica de um ele
mento causada por ftons de energia mais alta que a energia crtica
de excitao deste elemento. A emisso fluorescente pode ser pro
duzida por radiao caracterstica, por radiao branca do espectro
contnuo ou por ambas. O fator fluorescncia (FF) o que tem, em
geral, entre os trs fatores, o menor peso nas correes. A contribui
o da fluorescncia visivelmente aumentada quando a matriz
constituda de elementos com nmero atmico alto e o elemento a
ser medido possui nmero atmico mdio ou baixo.
6.4 EXEMPLOS DEUTILIZAO
As anlises utilizando microssonda (anlise por comprimentos de
nda) e/ou anlise de energia dispersiva podem ser de trs tipos:
ist rbui o dos elementos por meio de imagens de raios X, anlise
em uma linha por varredura mecnica e anlise em um ponto. A
seguir exemplificar-se- cada um destes tipos de anlise.
O conjunto de micrografias da Figura 6.4 mostra as imagens de
; ', trons e de raios X de Ti, Cr e Fe, de duas partculas vizinhas liga
~ S , de fases diferentes, embebidas em uma matriz de ao inoxidvel
: ..: stentico. Estas micrografias foram obtidas em um microscpio
149
eletrnico de varredura acoplado a um sistema de anlise de energia
dispersiva. Este tipo de anlise apresenta como desvantagem a impos
sibilidade de se detectarem pequenas diferenas de composio e
s efetiva quando os elementos presentes esto em concentrao
superior a 5%. Na Figura 6. 5 so apresentados os espectros de ener
gia dispersiva das duas partculas mostradas na Figura 6.4.
Fig.6.4 Partculas geminadas de (Ti, Mo) C (esquerda) e de
(Cr, F e ) ~ B (direita); a) imagem de eltron
No caso de anlise em uma linha por varredura mecnica, o feixe
eletrnico mantido estacionrio e a amostra movda mecanica
mente sob o feixe de eltrons ao longo de uma linha predeterminada.
O registro dos sinais de raios X executado por um registrador
potenciomtrico, de modo a medir simultaneamente a intensidade
das radiaes caractersticas de dois elementos, alm da corrente da
amostra. Este tipo de anlise ilustrado na Figura 6.6.
A anlise em um ponto realzada quando se deseja uma resposta
quantitativa. A Tabela 6.2 compara os resultados corrigidos obtidos
150
b) imagem de raios X de Ti.
c) imagem de raios X de Cr
151
d) imagem de raios X de Fe. Aumento 5.000 X
com auxilio de anlise por comprimentos de onda (mdia de 5 medi
das em pontos diferentes) com os resultados obtidos por anlise de
energia dispersiva (mdia de 6 medidas) para os principais elementos
de um ao inoxidvel austentico. Pode-se notar que a anlise por
comprimentos de onda fornece resultados mais prximos da com
posio real que os obtidos por anlise de energia dispersiva. Estas
diferenas se acentuam para baixas concentraes como no caso do
silcio. Deve-se relembrar "que embora a anlise por energia dispersiva
no dete cte elementos leves, tenha preciso e limite de deteco
piores , o tempo de anlise mais curto e em uma nica operao se
obtm um espectro com todos os elementos detectveis presentes.
6.5 COMENTRIOS FINAIS
A micro anlise extremamente til em uma infinidade de estudos
microestruturais, todavia trs aspectos limitam e/ou determinam a
152
o 20SE C 772151NT
VS' 10 K HS ' 50EV/CH
i
I
I
11 ,
I

In ! 11
1
05 10
20_
EDAX
ee
Fig.6.5 Espectros de energia dispersiva : a) Mo La; Ti Ka, K ~ refe
rentes a (Ti, Mo)C
fi 20 SEC 751151NT
YS' 10K HS ' SOEV /CH
,
~ "
00 0S 10
4 EDA X
b) Cr Ka, KiJ; FeKa, KiJ referente ao (Cr, e ) ~ B
153
Fig.6.6 Partculas de (Ti, Mo) C em ao inoxidvel austentico.
a) Imagem de raios X de Ti
escolha do equipamento mais adequado a cada caso: o tamanho da
regio a ser analisada, o nmero atmico e a concentrao local do
elemento de interesse . Com os equipamentos tradicionais, discuti
dos no item 6.4, s possvel analisar (sem interferncia da matriz
adjacente) micro-regies maiores de I/Im. Esta limitao exclui
importantes materiais como as ligas endurecve s por precipitao
154
b) varredura mecnica de Ti
coerente, onde o precipitado ou zona que causa o endurecimento,
na situao de dureza mxima, em geral bem menor. A limitao
do nmero atmico tambm bastante crtica, excluindo da detec
o por meio de anlise de energia dispersiva os elementos freqen
tes na natureza como C, N e O. Das trs limitaes mencionadas
acima, duas (deteco de elementos leves e baixas concentraes)
podem Ser superadas pela utilizao da microssonda inica .
155
TABELA 6.2
Resultados de anlise por comprimentos de onda (ACO) e de anlise
de energia dispersiva (AED) de ao inoxid ve!austentico ( % em peso)
ACO A ED anlise quimica (%)
Fe 66,381 0,14 1 67, 183 0,098 66,26
Ni 15,334 0,089 14,306 0, 188 15,0
Cr 14,911 0,079 14,729 0,111 14,6
Mn 1,650 0,050 1,564 0,002 1,70
Mo 1,274 0,058 1,256 0,23 8 1,25
Si 0,450 0,012 0,72 7 O, 161 0,46
BmUOGRAFIA
Referncias introdutrias
Cullit y, B. D. Elements o[ X-ray difraction , Londres, 1978, Addison
Wesley, 2 ~ ed. , capo 15.
Modin, H. e Modin, S. Metallurgical microscopy, Londres, 197 3,
Butterworths, capo 8.
Nogueira, R. A. "Determinao de heterogeneidades em UO
z-
ThO
z
por meio de microssonda eletrnica", disserta o de mestrado,
S. Paulo , 1984, IPEN-CNEN{SP.
Smallman, R. E. e Ashbee, K. H. G. Modem metallography, Oxford,
1969, Pergamon Press.
Referncias suplementares
Chandler, J . A. e Glauert, A. M. (org.). " X ray mi croana1ysis in elec
tron microprobe" , in Practical methods in electron microscopy,
Amsterdam, 1977, North-Holland.
Maur ice, F., Meny , L. e Tx er, R " Microana1ysis and scanning elec
tron microscopy", Seminrio de 11 a 16 de setembro de 1978 ,
Orsay , Frana, St, Mart n - d'Hres.
Reed, S. J. B. Electron microprobe analysis, Londres, 1975 , Cam
bridge University Press.
156
CAP(TULO 7
EXTRAO DE PRECIPITADOS
7.1 INTRODUO
A utilizao da extrao de precipitados na metalografa iniciou-se
simultaneamente com o desenvolvimento dos primeiros mtodos de
anlise elementar das ligas de ferro, por volta de 1820. Ela , por
tanto, anterior ao descobrimento dos raios X por Roentgen, em
1895, e ao entendimento da difrao por von Laue e pelos Bragg,
por volta de 19"12.
Em 1824 Karsten, na Alemanha, isolou a cementita atravs da dis
soluo qumica da matriz de ferro com cidos diludos. A decornpo
sio eletrolftica das ligas de ferro foi desenvolvida no flITI do sculo
XIX'e logo se tomou uma rot ina em muitos laboratrios.
Mais recentemente , depois da II Guerra Mundial, este mtodo,
associado difrao de raios X e anlise qumica do resduo extra
do, contribuiu decisivamente para o desenvolvimento das ligas auste
nticas base de nquel, cobalto ou ferro para aplicaes em altas
temperaturas, denominadas superligas, Este mtodo tambm desem
penhou papel importante no entendimento dos aos rnaraging, aos
rpidos e outras ligas no-ferrosas.
157
7.2 A TCNICA DE EXTRAO
Na extrao de precipitados a fase matriz dissolvida qumica ou
eletrolticamente. Os precipitados podem ser separados por centr
fugao ou filtrao. Deve-se destacar a existncia no mercado de
filtros de membrana com tamanho de poro at cerca 100 , os quais
possibilitam a filtrao de precipitados bastante finos.
O p obtido pode ser ento analisado pelo mtodo do p em uma
cmara de Debye-Scherrer ou, se uma maior preciso for necessria,
em uma cmara de preciso, como por exemplo a cmara de Guinier,
Outra situao em que se faz necessria a cmara de preciso se apre
senta quando as linhas de difrao de diferentes fases do resduo
esto muito prximas. Para anlise em qualquer das cmaras.meneio
nadas acima, 1 ou 2 mg de p j so suficientes.
O resduo extrado pode tambm ser analisado quimicamente,
dependendo do nmero e cornposlpdas fases presentes, suas com
posies podem ser determinadas cbm excelente preciso ; preciso
do mtodo qumico utilizado. \
Uma outra possibilidade da e x t r ~ [ o de precipitados a separa
lOOO
Austenlta
corrente fasa o
(mA)
1000
intervalo ideal
para extrao
da (J
potencial relativo ao eletrodo de referncia
da Celomel (Vi
- 1000
Fig. 7.1 Curvas potenciost ticas para a fase a (FeCr) e para auste
nit a (Fe25% Ni15% Cr) em soluo 45% de FeC1
3
.
158
o das fases, mediante a extrao seletiva das fases ou do posterior
ataque seletivo das fases extradas. A Figura 7.1 mostra as condi
es em que, por exemplo, a fase a pode Ser extrada de um ao
inoxidvel austentico. A dissoluo seletiva das fases ilustrada na
Tabela 7.1.
TABELA 7.1
Dissoluo seletiva de fases
fases presen tes reagentes tempo residuo insolvel
NbC, VC, M"C., 20%HCI 3h VC. NbC,
Fe,(W, Mo) Fe, (W, Mo)
Fe,Mo, TiN 37%HCI+ lO%H,SO. 2h TiC, TiN
TiC, TiB" Fe, Ti 5 a lO%H,SO. lal'/,h TiC
Ni. (Ti, AI), TiC, TiN, NiAI
5%H,SO. 1 a 2h TiC, TiN
NbC, Fe,Nb 40%HF 'I,h
NbC
Fe,W, a NHO,+ac.oxlico+
ac. Ctrico
'I. a I h
(J
Fe,W, CrN HCI+H,O, +H,O Ih CrN
M.C, M,.C., Fe, (MO, W) HCl+C,H,OH 3 a 4h M.C, Fe, (Mo, W)
Fe, W, (J HCl+C,H,OH
'/,h
Fe,W
NbC, M"C.
ac. tartrico +H,O, 2h, SOC
MuC.
M"C., TiC, "a
5%HgCl, +5% HCI 2h
MuC., TiC
,
\
\
7.3 ALGUMAS APLICAES DATCNIC DEEXTRAO
As fases presentes em um material podem ser identificadas por difra
o de raios X. Esta tcnica mais vantajosa do que a difrao de
eltrons (MET) e as tcnicas de determinao de composio de fase
in situo A determinao de parmetros de rede por difrao de raios
X mais precisa do que a realizada por difrao de eltrons. Uma
maior preciso essencial em alguns casos, como na diferenciao
entre M ~ 3 C 6 e M
6
C, possuidores de estrutura CFC e parmetros de
rede quase idnticos ocorrendo freqentemente juntos nas ligas
austenticas para altas temperaturas. Na difrao de raios X existe
159
ainda a possibilidade de registro automtico {difratmetrc) das
intensidades, facilitando sobremaneira a identificao das fases.
A identificao de fases por difrao de raios X pode ser classf
cada, experimentalmente, em duas classes:
ligas que apresentam fases grandes (> 10 11m) e em fraes
volumtricas altas (> 5%). Neste caso a identificao bastante
simples e pode ser feita em uma superfcie polida.
ligas que apresentam precipitados finos 10 11m) e/ou em
baixas fraes volumtricas 5%). Neste caso, uma anlise
na superfcie, utilizando-se um dfratrnetro, muito provavel
mente s detectar a presepa da matriz. Nestas ligas a extra
o de precipitados pela dis\oluo da matriz e posterior filtra
o ou centrifugao para separao dos precipitados, de
extrema utilidade. \.
\
Um dos autores, com auxlio da tcnica de extrao de precipita
dos, extraiu e identificou os constituintes microestruturais de vrios
aos inoxidveis, ligas de nibio, ligas de alumnio e superlgas. Em
aos inoxidveis austenticos foi possvel detectar no resduo a pre
sena de fases, tais corno TiN, Ti
4C2S2
e (Fe, CrhB, cujas fraes
em peso no ao eram da ordem de 0,05%. Para os constituintes
microestruturais presentes como fases secundrias, tais como M
23C6
,
(Fe, Cr)2Be (Ti, Mo) C, foi possvel o estudo das cinticas de preci
pitao e dissoluo, conforme ilustra a Figura 7.2.
Utilizando a extrao de precipitados e posterior difrao de
raios X em uma cmara de altas temperaturas do IPEN, o Prof. H.
Goldenstein (EPUSP) conseguiu estudar a ordenao de uma fase
dispersa em uma liga de Cu-Al,
Deve-se acentuar que a tcnica de extrao de precipitados asso
ciada difrao de raios X e anlise qumica do resduo pode ser
uma substituta eficiente e barata de outras tcnicas de microanlise.
A extrao com o auxlio de microscopia eletrnica de varredura,
por exemplo, possibilita tambm o estudo morfolgico de const
tuintes microestruturais .
160
In
~
s
s
E
~

"ai
>
c:
OI
OI
"O
c
e
...
::J
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OI
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8.
E
e
~
o
~ ~ ~
o o o
precipitados extra Idos (% em peso I
~

Fig. 7.2 Variao da quantidade total de precipitados com o t empo
de envelhecimento para amostras de ao inoxidvel auste
ntico .
161
BIBUOGRAFIA
Krchhfer, H. e outros. "Untersuchungen zum isotherrnen Aus
scheidungsverhalten von Nickelbasislegierungen mit Hilfe der
elektrochemischen Phasenisolierung", Relatrio lL- 1903, mar
o de 1984,luelich.
Koch, W. Metallkundliche Analyse, Dsseldorf', 1965, Verlag Stahl
eisen MBH.
Kriege, O. H. Phase separation as a technique for the characterization
of superalloys, 1974, American Society for Testing and Materiais,
ASTM STP 557, pg. 220.
Padlha, A. F. "Utilizao da extrao de precipitados na identifica
o de constituintes micro estruturais", Anais do 38? Congresso
Anual da ABM, 1983, vol. 3, pg. 299 .
Yung-Shin, Chen, "Preciptat on reactions in austenitic stainless
steels", tese de doutoramento, Ohio, 1978, Unversity of Cincin
nati,
162
CAP1'rULO 8
TCNICAS INDIRETAS
8.1 INTRODUO
Existem inmeras tcntcas indiretas que \1Gdem reI em
microestrutural. No entanto, quatro delas (dllatornetria, anlise tr
mica, resistvidade eltrica e microdureza) tm um espao j consa
grado nos estudos microestruturais em funo de sua utilidade para
o estudo de problemas especficos. t tpica a utilizao da dilatome
trla para determinao de Me e Ms nos aos. A determinao, por
anlise trmica, de linhas soldus e liquidus, assim como de transfor
maes invariantes envolvendo uma fase lquida, tais como euttico
e perit tlco, tambm constitui exemplo clssico. 8[0 tambm tpicos
os estudos envolvendo defeitos puntiformes pela resistividade eltri
ca e os de endurecimento por precipitao com auxlio de micro
dureza.
8.2 DILATOMETRlA
o dllatrnetro utilizado para estudar a dependncia entre a dlla
tao trmica linear e a temperatura de corpos slidos, tais como
metais, ligas, materiais cermicos, vidros, minerais, plsticos e outros.
A Figura 8.1 ilustra a variao da dilatao trmica em funo da
163
I
/

r
/
temperatura para o Fe, o Ni e suas ligas. Deve-se destacar que est e:
materiais no sofrem transformaes de fase no intervalo de tempe
ratura estudado . Praticamente a todas transformaes de fase do
estado slido nas quais ocorrem variaes de estrutura e/ou cornposi
o, esto associadas variaes de volume que podem ser medidas e,
portanto, estudadas por dilatometria.
---1 ----1---1
200 ]00 400 500 600
temperatura fe)
Fig. 8.1 Dilatao trmica em funo da temperatura Fe, Ni e de
trs ligas Fe-Ni.
A Figura 8.2 ilustra uma transformao polimrfica, onde ocor
rem apenas mudanas de estrutura.
A Figura 8.3 ilustra uma transformao invariante com mudana
de composio e estrutura.
A variao de comprimentc com o tempo numa dada tempera
tura permite tambm estudar a cintica de transformaes no estado
slido, como se pode ver na Figura 8.4 para a liga Zn-20% Al, onde
OCorre a reao {3 --+ a + {3' e conseqente contrao.
A Figura 8.5 ilustra as reaes de precipitao nas ligas AI-Si, pro
vocando aumento de volume.
164
1.6
H
1.1
- J(}
o .
*
'ro
~ 0.8
~ Q
"U
t
~
O.?
QO
Fg. 8.2
0.6
0,5
E
.s QJ
' ~
E Q2
"U
1
o.
.-
i-.
- -
-I--
AC
J
V
~ f
o : \ ~
AIj _
./
I ~
_ .
[7
./
o 100
-
f e
~ o 500 800 1000
temperatu ra (OCI
Curva dilatomtrica em funo da temperatura para o
Fe puro, ilustrando a transformao ferrita r austenita
a 910 oCo
li
j
)1/
J' J
1/
V
100 200 300
temperatu ra rCI
Fig. 8.3 Curva dilatomtrica de
aquecimento e de resfriamento
da liga Zn-20% AI, evidenciando
a transformao eutet6ide a 275
oo C (vide diagrama de equilbrio
da Fig. 8.4a).
165
......
0\
0\
700
600
~ 500
lquido (L)
~
~ 1+/3 V
V
L--
----
~ t ~
V
~
5 17.
--
3 8 t ~
/3 tl:
,II-a'l- 38,7. -
0.6 22 /3 +{3 ' 275C 68/f t-,
I
alpl
96:fF..
aos
Oi
\
\
~ _ 0, 4
'"
..l
1./00
<3 -0, 31
t; CC
O; 300
~
_ 0, 2
~ 200
...
- 0, 1
IDO
.. 0, 0
f -:
1//
Zn 20 40 60 80 A/[ %] o 30 00
'0 12 0 150 1150
-- tImin]
ia! (b)
Fig.8.4 a) Diagrama de equilbrio Al-Zn; b) cont rao linear a
20C da liga Zn-20% Al previamente homogeneizada
a 350 C e resfriada em gua. Curva 1: homogeneizada
duas horas a 350 C. Curva 2: homogeneizada 24 horas
a 350C.
"<,
--
---
--
---
1,23% 0,94% 0,80%
,.0
I---
I-
-:

-
/. ~
Iff
-
VI /
V
-
V
.0
ldO JS
1 ~ 0
1,23%
)0
O
~
X
2S 100
0,94%
~
ao I /111 I
0,80%
-
'0
,g
.0 u
U
0,58% s
.l!!
'o I
1111 /1
'6
40
0,41%
20
o
O soo 1000 1500 ':1000 :U OO lOOO '500 4000 ..
tempo de envelhecimento [rnn]
Fig. 8.5 Expanso linear devido precipitao a 216C de ligas
AI-Si previamente homogeneizadas a 577 "C e temperadas
em gua a 25C.
o
0\
-...)
I
,J0,50%
I ...d 0,41%
100 [SO 100
Normalmente pode-se variar a velocidade de aqueeimento e
resfriamento, assim como trabalhar com as mais diferentes atmos
feras, tais como ar, vcuo, argnio, hlio, hidrognio e outras. Para
muitos tipos de ensaio, a velocidade de aquecimento e de resfriamen
to afeta os resultados devido histerese e outros efeitos. A norma
ASTM E 80-63 destaca que estas velocidades devem ser reportadas
e recomenda algumas velocidades para aos. O efeito da velocidade
de aquecimento e de resfriamento ilustrado na Figura 8.6 para um
ao com 0,9% de carbono . A dilatometria tambm muito utilizada
no estudo de sinterzao, onde ocorrem considerveis variaes de
comprimento devido densificao.
Para investigao de transformaes no estado slido normal
mente suficiente registrarem-se variaes relativas de dimenses,
sendo raramente necessria uma preciso absoluta. Conseqente
mente, a grande maioria dos trabalhos realizada com dilatmetro
500 600 700 80(1
temperatura ("C)
-0.1
0,6 r---------------------,
[mm]
0,5
Fig.8.6 Curva dilato mtrica de um ao com 0,9 % de C. Veloci
dade de aque cimento: 2 K/min. Velocidade de resfria
menta : tmpera em gua a partir de 870C.
168
de tubo de quartzo. Nestes equipamentos o corpo de prova tem
entre 2 e 20 em e fica dentro de um tubo de quartzo com um termi
nal fechado, conforme ilustra a Figura 8.7. A expanso da slica fun
dida do tubo muito pequena, sendo desprezada. Este dilat metro
pode determinar coeficientes de dilatao com preciso de cerca de
2% e nestes casos fazem-se as correes devidas expanso da slica.
E
Fig. 8.7 Dilatmetro de tubo de quartzo esquemtico. E == escala;
A == amostra; T == tubo de quartzo; V == vcuo ; Es =
espelho; F == forno ; Th == termcpar; G = galvanmetro;
M = mola; B == barra de quartzo; L == ponto luminoso.
8.3 ANUSE TJ!RMICA
A utilizao da anlise trmica no estudo de ligas metlicas foi feita
pela primeira vez por Tammann em 1903. A Figura 8.8 mostra de
maneira esquemtica o equipamento utilizado neste tipo de anlise.
169
fB8

o o
o o
o
b-:-- o 3
: __ F.:._:--f
o 2
() c
00000 00000000
-1
m

11
7
..
Fig. 8.8 Equipamento para anlise trmica esquemtco. 1 = fomo
eltrico; 2 = cadinho; 3 = tubo de proteo; 4 = tubo
isolante ; 5 = termopar; 6 = ponta fria; 7 = garrafa de
Dewar; 8 = termmetro; 9 = galvanmetro.
t
Y
1 bJ
=-=-=: Qbi;i0 m
1fquido Hquldo + slido slldo
600
so:
1f00

'L.
:::! 300
a

QJ
200

t 100

2 J * 5 6
7
--tempo (rnln)
Fg. 8.9 Curva de resfriamento do chumbo. O patamar a 327C
representa a solidificao.
170
A Figura 8.9 mostra uma curva de solidificao do chumbo (pon
to de fuso = 327 C) obtida com este tipo de equipamento.
A Figura 8.10 mostra curvas de resfriamento para diversas compo
sies do sistema perittico platina-prata. Nos exemplos citados, as
transformaes abrangiam pelo menos uma fase lquida e as quanti
dades de calor envolvidas eram considerveis . Os calores envolvidos
nas transformaes de fase do estado slido so bem menores e estas
transformaes so dificilmente estudadas com o equipamento da
Figura 8.8. Nestes casos utiliza-se um mtodo, introduzido por
Austen, denominado anlise terrnodiferenclal. Este equipamento
mostrado de maneira esquemtica na Figura 8.1l.
A Figura 8.12 mostra a curva termodlferencal de aquecimento
de um ao inoxidvel, onde se pode notar um ponto de deseontinui
dade a 670 C. Esta descontinuidade representa o ponto Cur e deste
ao ; abaixo de 670 C o ao ferromagntico e acima desta tempera
tura paramagntico. Este ponto de transio no seria detectado
em uma anlise trmica comum .
1800
L = liqu idus
S = solldus
1600
u
~ 1400
e
:::J
...
!ti
[ J200
E
Ol
...
t 1000
800
2 3 5
600 L- ~
tempo
F g. 8.10 a) Curvas de resfriamento de cinco ligas Ag-Pt : 1) Ag 900/0
Pt; 2) Ag-70%Pt ; 3) Ag-55%Pt; 4) Ag40%Pt; 5) Ag-20%Pt.
171
Fig.8.1O b) Diagrama
de equilbrio Ag-Pt.
1900
I??J
1600
E
~ uoo
...
ro
S
o
~ 1200
...
t /000
800
Em
l;
r-,
I I I I I
:\ -.
liquido lU
\
<,
1"\ L ' a
,1
\
1\
-
a
12
5,\I'-...
s<:
L ~ I J
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I 1-"""'"
/
r x , ~ f J
:\
;t
13
\
i\
600Pt 10 l a 30 M 50 60 l a 80 90% Ag
Fig. 8.11 Equipamento de anlise tr
mica diferencial (ATD) esquemtico.
A = cadinho com amostra; B = cadinho
com amostra de referncia inerte ; H =
forno eltrico de resistncia ; TA e TB =
termopares; 8
1
e 8
2
:= entradas para gs
de proteo; E =.: tenso do termopar;
TA = (medida da temperatura da amos
tra); .6.E = diferena de tenso entre os
termopares TA e TB (medida da dife
rena de temperatura ,T entre a amos
tra e a amostra inerte de referncia devi
do transformao); Ar = gs argnio
de proteo.
172
400 500 600 700 800 900 1000
-- tempe ratura {Oel
Fig. 8.12 Curva de anlise trmica diferencial de um ao contendo
0,22 % de C, 17,0% de Cr e 1%de Mo. AC2 = 670C.
A Figura 8.13 apresenta uma curva similar ,r.ara um outrc ao
inoxidvel. Neste caso o ponto Curie est a 720 C. Alm disso, a ~ a .
recem duas outras descontinuidades: uma a 820 e outra a 880 C.
Neste intervalo de temperaturas ocorre uma transformao de fases:
o ao se transforma de perltico para austen tico,
~ l ~ l
coa 500 600 700 800 900 1000
- temperatura fel
Fig. 8.13 Curva de anlise trmica diferencial de um ao contendo
0,20% de C e 13% de Cr. AC2 = 725 C; ACl = 820 C
e AC3 = 880 C.
173
8.4 MEDlDAS DE RESISTIVlDADE ELTRICA
A baixa resistividade dos metais , provavelmente, a propriedade
mais caracterstica que os distingue de outros materiais. Portanto,
no surpreendente que as medidas de resistividade eltrica sejam
freqentemente utilizadas nos estudos de metais. Segundo Chalmers
e Quarrel (vide Bibliografia), as medidas eltricas podem ser classifi
cadas em trs grandes grupos. O primeiro grupo compreende as pes
quisas bsicasvisando o entendimento do comportamento eletrnico
dos diversos metais. No segundo grupo as medidas eltricas so uti
lizadas indiretamente como ferramentas para fornecer informaes
sobre fenmenos que envolvem rearranjos atmicos, os quais causam
modificaes no comportamento eletrnico. Neste grupo esto
includos estudos por medidas eltricas de reaes de ordenao,
deformao plstica e endurecimento por precipitao. O terceiro
grupo o das medidas eltricas utilizadas em ensaios no destruo
tivos. Neste caso, uma determinada propriedade eltrica utilizada
como meio de detectar material ou componentes que difiram de um
determinado produto previamente estabelecido. O teste de "Eddy
Current" um exemplo tpico do terceiro grupo. No presente texto
estamos mais interessados nas aplicaes do segundo grupo.
A resistividade de um monocristal puro e perfeito muito baixa
devido inexistncia de defeitos que espalham ou param os eltrons
em movimento no reticulado sob a influncia de uma diferena de
potencial externa. Por outro lado, nos cristais reais, existem vrios
tipos de imperfeies que espalham eltrons e portanto contribuem
para a resistividade. Estas contribuies so independentes entre si
e devidas a: vibraes trmicas da rede, p (T), espalhamento causa
do por tomos de impureza, p (C), espalhamento devido a lacunas,
p(L), espalhamento devido a discordncias, p(d) e espalhamento
devido a defeitos bidirnensiortais, com contornos de gro, falhas de
empilhamento e outras, p (b) . Todas estas contribuies so aditivas:
p = p(T) + p(C) +p(L) + p(d) + p(b) (Equao 8.1)
Em seguida, sero mostradas aplicaes tpicas de medidas de
resistvdade. Deve-se destacar que as medidas de resistividade so de
extrema valia no estudo de defeitos puntiformes, tais como lacunas,
intersticiais e tomos de soluto, Estes defeitos, em virtude de suas
174
3
~
Ql
l
2
"O
's
:E
E
Ql
pequenas dimenses e baixas energias de formao, so dificilmente
estudados por tcnicas diretas, assim como pelas indiretas. A Figura
8.14 ilustra os processos de recuperao baixa temperatura de
alguns metais previamente encruados a -183 oCo Nestas curvas
"tJ
1
E
~
Ol
E
<li
'"
- 150 -TOO -50
o 50 100
temperatura rc:
Fig. 8.14 Curvas de recuperao de fios tracionados a -I 83 "c, A
curva superior e a inferior se referem aos tempos de reco
zimento 15 e 45 minutos, respectivamente. As medidas
de resistividade tambm foram feitas a - 183 oCo
podem-se observar dois estgios de amolecimento, isto , duas quedas
de resistividade . O primeiro estgio apresentou energias de ativa
o de 0,29, 0,18 e 0,20 eV para o Cu, Ag e Au, respectivamente
e o segundo estgio apresentou energias de ativao de 0,69, 0,69 e
0,88 eV, na mesma ordem. Estes valores sugerem que o primeiro est
gio de amolecimento esteja relaconado com migrao de interstciais
e o segundo estgio esteja relaconado com migrao de lacunas.
175
A Figura 8.15 ilustra a utilizao de medidas de resistividade no
estudo de ligas endurecveis por precipitao coerente. Tambm
neste caso, estgios iniciais da precipitao podem ser bem estudados
por meio de medidas de resistividade eltrica.
1100
700 0
900
700
600
7100
1000
900
800
700
600
500
~
200C
i\v
..- - _. - -1--._-
~
,,300 c
400jC\
\
~ 3 5 0 ' C
\
~ r\
pol lcrlstals
~
--
Cu+1-9'7.Be
~
-
-
200 C
'""'\
NOC
<,
1\
<,
I---- rnonocrlstals -
.'1;'0'C
<.
1------
~ -
Cu+7'7%Be
"-
I---
---
oot 0'1 7 70 100 f 000
tempo da envelhecimento (horas)
Fig.8.15 Curvas de envelhecimento obtidas com auxilio de medi
das de resistncia eltrica de ligas monocristalinas e poli
cristalinas de Cu-Be.
De um modo geral, os processos de precipitao, coerentes ou
no, podem ser estudados com auxilio de medidas eltricas, confor
me ilustra a Figura 8.16. Considere uma liga de composio A na
temperatura TI' Sua condutividade dada pelo ponto a. : Se esta
176
----
----
A
1; - ----1
! I
. I
I I
I
_ -- ,_
f3
i I
- iB_ J..-- _ _
I I I
I I I I
I I I I
I r I I
I I I
composio
Fig. 8.16 Estudos de precipitao por meio de medidas eltricas.
Explicao no texto .
liga for resfriada para a temperatura T2, ponto B, a microestrutura
de equilbrio ser composta de uma mistura de fase {3 e a soluo
slida o: de composio C. A condutividade da liga em equilbrio a
T2 corresponde ao ponto b. Pode-se dizer ento que a diferena de
condutividade a1 a, se deve diferena de vibrao trmica e a dife
rena a2b se deve s mudanas microestruturais,
A resistividade pode ser determinada utilizando-setanto mtodos
de corrente contnua como mtodos de corrente alternada. Os mto
dos de corrente contnua mais utilizados so: mtodos de deflexo,
177
potencimetro de Diesselhorst, ponte de Wheatstone, ponte de
Metre e ponte dupla de Kelvin , Os mtodos que utilizam corrente
alternada so de dois tipos. No primeiro, a corrente alternada passa
pela amostra da mesma maneira que no de corrente contnua. No
segundo, a corrente produzida na amostra por induo.
8.5 MEDIDAS DE MICRODUREZA
A dureza uma das medidas mais utilizadas em metalurgia, em razo,
sem dvida, da facilidade e rapidez com que li medida pode ser rea
lizada . Em anlise microestrutural, principalmente em trabalhos cien
tficos, h preferncia para a utilizao de escalas de microdureza em
detrimento das escalas de dureza (vide Tabela 8. t). Duas razes con
trbuem para isto: as escalas de mcrodureza cobrem toda faixa de
durezas dos materiais, permitindo, inclusive, medir a dureza da
micro-regio de interesse. As duas principais escalas de micro dureza
so a Vickers e a Knoop. Elas diferem entre si quanto geometria
TABELA 8.1
Principais escalas de dureza
escala
apareci
mento
descrio geral do mtodo frmula
Mohs 1822
Mede a capacidade de um mate
ria! riscar o ou tr o
-
Martens 1890
Dureza por risco. Carga e ngulo
do penctrador fixos
-
Brinell
(HB)
1900
Penetrao de uma esfera de ao
de dimetro D sob ao de uma
fora F. Impresso uma calota
esfrica de dimetro d
2F
HB=
" . D ( D - ~
Rockwell 1922
Mede-se a pene trao de uma pon
ta sob ao de uma carga fixa.
Usa-se mias pontas e cargas
-
Vickers
(H V)
1925
Mede-se as diagonais da base d da
ndentao causada pela penetra
o de uma pirmide sob ao de
uma fora F
F
HV= 18544
' d'
178
do penetrador, conforme mostra a Egura 8.17. Como a impresso
K.noop mais estreita, preferencialmente utilizada no estudo de
regies [mas como as eletrodepositadas ou endurecidas. Os equipa.
mentos disponveis apresentam uma ampla faixa de cargas que vo
desde alguns gramas at dezenas de quilos.
impresso
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I
Fig.8.17 Comparao entre as escalas de dureza Vickers e Knoop.
Alguns fenmenos, como endurecimento por precipitao coe
rente, so tradicionalmente estudados com aux lio de medidas de
micro dureza (vide Fig. 8.18). Outro campo em que as med idas de
microdureza so tambm muito utilizadas o da recristalizao,
Nestes estudos pode-se tambm avaliar a cintica de recuperao das
regies no recristalizadas desde que se saiba, claro , quais indenta
es nelas incidiram.
179
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140
120
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40
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0,1 10 100
tempo de envelhecimento (dias)
Fig.8.18 Variao de dureza com o tempo para vrias ligas de
AI-Cu envelhecidas a 130C.
A Figura 8.19 ilustra a utilizao de medidas de microdureza na
caracterizao das diversas zonas (fundida , de crescimento de gro,
recristalizada e no recristalizada) que ocorrem na soldagern TIG de
um ao inoxidvel austentico previamente encruado.
Outro campo em que a microdureza pode ser de grande utilidade
o da anlise microestrutural de materiais polifsicos, Nestes casos
fundamental que se saiba previamente a dureza dos micrcconsti
tuintes e que sejam suficientemente grandes para acomodar as inden
taes. A Tabela 8.2 apresenta as microdurezas Vickers mdias de
diversos microconstituintes que podem ocorrer em aos inoxidveis
austenticos. A separao, por exemplo, entre fase a e ferrita fj pode
ser facilmente realizada com o auxlio de micrcdureza, enquanto
que com esta tcnica quase impossvel a separao entre ferrita fj
e austenita. A separao entre ferrita (ferro-magntica) e austenita
(paramagntica) facilmente feita por mtodos magnticos.
180
Fig. 8.19 Variao da microdureza Vickers com distncia da ZOna
fundida por soldagem TIG do ao inoxid vel 304 previa
mente encruado.
(Gentile za de Maurcio D. das Neves, IPEN-eNEN/SP.)
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8
m icrodureze Vekers (kg/mm')
181
TABELA 8.2
Microdureza de alguns microoonstiluintes de aos inoxidveis
au stenticos recozidos
fase dureza mdia {kglmm"}
austenita
fcrrita
fase o
CI.. C.
NbC
TiC
190 - 230
185 - 220
900 - 1100
980
2400
2900
BIBLIOGRAFIA
Referncias introdut6rias
Subbarao, E. C. e outros. Experincias de cincia dos materiais, S.
Paulo, 1973, Ed. Edgard Blcher Ltda.
Vlack, L. H. van,Princtpios de cincia dos materiais, S. Paulo, 1970,
Ed. EdgardBlcherLtda.
Wulff, J. (org.). The structure and properties 01 materiais, Nova
Iorque, 1964, John Wiley, vol . 4.
Referncias suplementares
Chalmers, B. e Quarrell, A. G. (orgs .), The physical examination 01
metais, Londres, 1960, Edward Arnold Lmited, ~ ed.
Schumann, H. Metollographie, Lepzg, 1980, VEB, 1 O ~ ed.
Souza, Srgio Augusto de. Ensaios mecnicos de materiais metlicos,
S. Paulo, 1974, Ed. Edgard Blcher Ltda., 3 ~ ed.
182
CAPr'rULO 9
SELEO DE TCNICAS EXPERIMENTAIS
9.1 INTRODUO
o estudo da microestrutura de extrema importncia visto que ela
determina em ltima anlise as propriedades dos materiais. Por outro
lado a anlise microestrutural prejudicada por algumas dificuldades
inerentes. Por exemplo, os defeitos cristalinos e constituintes micro
estruturais, como fases e incluses, tm caractersticas diferentes e
uma ampla faixa de tamanhos (de Angstrons a milmetros) exigindo
freqentemente a utilizao de numerosas tcnicas experimentais
complementares, tais como microscpios com diferentes caracters
ticas e resolues. No Brasil, numerosas instituies de ensino e pes
quisa, UFMG e CETEC em Belo Horizonte, COPPE, IME e CEPEL
no Rio de Janeiro, UNICAMP em Campinas, UFSCar em So Carlos,
CTA em So Jos dos Campos e lPT e lPEN em So Paulo, assim
como algumas indstrias nacionais, Usiminas, Aos VilIares, Eletro
metal e Metal Leve, j dispem da maiora dos equipamentos men
cionados nos captulos anteriores. Estas tcnicas (ou equipamentos)
podem ser classificados conforme sua disponibilidade no pas em:
muito freqentes: microscopia ptica, difrao de raios X,
mcrodureza e dilatometria.
183
freqentes: microscopia eletrnica de varredura, microanlise
qumica semiquantitativa, anlise trmica e resistividade el
trica.
pouco freqentes: microscopia eletrnica de transmisso (IME,
CTA, UNICAMP, USP, UFSCar e IPEN) e anlise qumica
quantitativa de micro-regies(Bosch, IPT e IPEN).
raras: espectroscopia Auger (COPPE, IPT e UNICAMP), difra
o de nutrons (IPEN) e microssonda inica (UNICAMP).
inexistente: microscopia de campo inico.
A disponibilidade varivel de cada tipo de equipamento refora a
necessidade de conhecimento e seleo de tcnicas experimentais na
formao do usurio de anlise microestrutural.
Um outro aspecto toma ainda mais difcil a anlise microestru
tural quantitativa em vista do manifesto interesse existente por par
metros volumtricos da rncroestrutura, tais como frao volum
trica, tamanho e espaamento. Na maioria dos casos, estes parme
tros so obtidos a partir de medidas realizadas em uma superfcie
opaca, exigindo freqentemente a utlzao de mtodos trabalhosos
e inexatos.
9.2 CARACfERIZAAO MICROESTRUTURAL DE PROCESSOS
E FENMENOS
A Tabela 9.1 representa uma tentativa de seleo de tcnicas por
processo ou fenmeno metalrgico. Pode-se constatar, analisando a
referida tabela, que a seleo de tcnicas por estes critrios muito
difcil e improdutiva. Tomemos como exemplo o fenmeno de
recristalzao. Para o estudo da recristalizao, praticamente todas
as tcnicas discutidas em captulos anteriores podem ser teis.
Dependendo do interesse por um determinado aspecto da recrsta
lzao, deve-se selecionar a tcnica mais adequada. No prximo item
discutiremos um problema um pouco melhor definido, o da identi
ficao das fases presentes em um material, para a qual a seleo de
tcnicas se toma bem mais fcil e produtiva.
184
Alguns exemplos de utilizao de tcnicas na caracterizao microestrutural de alguns processos e fenmenos metalrgicos
processo metalrgico fenmeno tcnica objetivo
Fundio
Solidificao Anlise trmica Determinao das temperaturas de transformao
Segregao
Anlise qumica
de micro-regies
Distribuio dos elementos qumicos na pea
Metalurgia do p Sinterizao Dilatometria Avaliao da densificaao
Conformao mecnica
Encruarnento
Micro scopia eletrnica
de transmisso
Determinao da densidade e distribuio dos defeitos
cristalinos
a frio
Orientao preferencial
Difraso de raios X
ou neutrons
Determinao da textura de deformao
Microscopia ptica
Quantificao da cintica de recristalizao com aux lio
de metalografia quantitativa
Conformao
rnecarnca
a quente e
En cruamento,
Recuperao e
Microscopia eletrnica
de transmisso
Evoluo da densidade e distribuio dos defeitos
cristalinos
Difrao de raios X
Avaliao das tenses internas por meio do alargamento
e deslocamento dos mximos de difrao
tratamentos
termomecnicos
Recrstalizao
Resist vidade eltrica
Avaliaao da evoluo dos defeitos cristalinos,
principalmente durante a recuperao
Medidas calorimtricas Evoluo da energia armazenada na deformao
Microdureza
Avaliao grosseira da cinetica de recuperao e
recristalizao
Transformaes
polirnrficas e
rnartensfticas
Dilatornetria Determinao da temperatura de transformao
Resi stividade eltrica
Principalmente os estgios iniciais: aglomerados ou
zonas de Guinier-Preston
Difrao de raios X Idem
Tratamentos
trmicos
Precipitao
no estado
slido
Microscopia eletrnica
de transmisso
Precipitados fino s; estrutura, relaes de orientao
Microscopia eletrnica
dc varredura
Precipitados mdios; tamanho, quantidade, forma e
di stribuio
Microscopia ptica
Precipitados grandes; tamanho, quantidade. forma e
distribuio
Microdureza Envelhecimento de ligas endurecveis por precipitao
Anlise qumica
de micro-regies
Composio das fases
9.3 IDENTlFICAAo DASFASES PRESENTES EM UM
MATERIAL
Embora uma srie de caractersticas e propriedades das fases, tais
como morfologia, cor, comportamento sob luz polarizada ou sob
determinado ataque metalogrfico , microdureza e. outras auxiliem
sobremaneira na identificao de uma fase, a identlficao por meio
destes mtodos geralmente passvel de dvidas. Os mtodos de
identificao mais utilizados envolvem determinao da estrutura,
geralmente por difrao de raios X ou de eltrons em rea selecio
nada crn micro scpio eletrnico de transmisso e/ou determinao
de composi o in situ (microanlise) das fases. A identificao defi
nitiva de uma fase deve ser feita por meio da determinao de sua
estrutura por difrao. A identificao por meio da estrutura facili
tada pela existncia de informaes catalogadas pelo lCPDS de cerca
de 30 000 substncias inorgnicas. O conhecimento da composio
da fase a ser identificada tambm de extrema utilidade. Todavia,
principalmente em ligas comerciais, o conhecimento da composio
da fase a Ser identificada pode ser insuficiente para sua identifica
o, devido inexistncia de meios de comparao e/ou de diagrama
de equil brio correspondente. Por exemplo, as fases intermet licas
a e x, freqentemente encontradas em aos inoxidveis austenticos,
tm composies similares tornando difcil sua identificao atravs
da composio. Por outro lado, estas fases podem ser facilmente
identificadas atravs das suas estruturas por meio de difrao de
raios X ou de eltrons.
No Captulo 1 (vide Fig. 1.28) mencionamos que do ponto de
vista experimental vantajoso classificar as micro estruturas em qua
tro tipos caract ersticos de ocorrncia. Esta classificao considera
basicamente a quantidade e o tamanho das fases. A maioria das
microestruturas encontradas no dia-a-dia do metalgrafo ou perten
cem a um destes quatro tipos ou so combinaes deles.
Veremos a seguir a identificao das fases presentes em cada urn
destes quatro tipo s.
Microestrntura tipo A (material monofsico : substncias puras e
solues slidas). Este o caso mais simples e a fase presente pode
ser facilmente identificada por difrao de raios X em superfcie
186
polida, utilizando-se um difratrnetro. conveniente eliminar-se a
camada deformada, proveniente do processamento (corte) ou do
polimento mecnico, por meio de polimento qumico ou eletrol tico
uma vez que a maior parte da intensidade do feixe difratado pro
veniente dos primeiros 2 pm e a presena de deformao acarreta
alargamento dos mximos de difrao. Em fases no-cbicas e/ou
brutas de fuso mais comum tambm a presena de textura acen
tuada. Neste caso podem-se utilizar amostras na forma de ps,
obtidos por limagem ou moagem (dependendo da plasticidade do
material), recoz-las para ocorrncia de recristalzao , podendo-se
utilizar o dfrat rnetro ou uma cmara de Debye-Scherrer ou ainda,
se uma maior preciso na determinao dos parmetros de rede for
necessria, uma cmara de Guinier. Deve-se destacar que para anlise
nas cmaras mencionadas acima, cerca de 1 mg de p j suficiente,
ao contrrio do dlfratrnetro, que exige amostras maiores.
Microestrutura tipo B (ligas duplex: frao volumtrca > 5% e
dimetro mdio 10 pm). A identificao das fases similar ao caso
anterior, sendo que os problemas de textura so mais acentuados.
Por meio de difrao de raios X podem-se determinar tambm as
fraes volumtricas das fases presentes. Exemplos tpicos so as
determinaes de austenita retida em matrizes rnartens tcas e de fer
rita ti e de martensita induzida por deformao em aos inoxidveis
austenticos. A preparao de lminas finas para eventual anlise por
microscopia eletrnica de transmisso desta classe de materiais
mais difcil que no caso anterior. A preparao por polimento eletro
Iftico levar certamente ao afinamento preferencial de urna das fases.
Nestes casos o afinamento por eroso inica de grande valia.
Microestrutura tipo C (ligas com disperses mdias de precipi
tados: frao volumtrca s; 5%e dimetro mdio entre 1 e 1Opm).
Nestas ligas a difrao de raios X muito provavelmente s detectar
mximos de difrao referentes matriz. A utilzao de microscopia
eletrnica de transmisso tambm de pouca serventia, pois precipi
tados deste tamanho so dificilmente transmissveis a eltrons e alm
disso so gerahnente destacados da amostra durante a preparao da
lmina fina por meio de polimento qumico ou eletroltico. Part
culas deste tamanho podem ser analisadas pelas tcnicas de anlise
187
qumica in situ uma vez que a regio excitada pelo feixe de eltrons
da ordem de 1 um, A tcnica mais indicada neste caso , todavia,
a extrao de precipitados por mtodo qumico ou eletroltico.
Nesta tcnica a matriz dissolvida e os preciptados so separados
por filtragem ou centrifugao e analisados por difrao de raios X.
O resduo extrado pode tambm ser analisado quimi eamente e
dependendo do nmero e da composio das fases presentes, suas
composies podem ser determinadas com excelente preciso ; pre
ciso do mtodo de anlise elementar utilizado.
Microestrutura tipo D (ligas com disperses muito finas de preci
pitados: dimetro mdio ";; l urn e frao volumtrica qualquer).
As dificuldades encontradas na identificao por difrao de raios X
das fases presentes nas microestruturas do tipo D so similares que
las encontradas nas microestruturas do tipo C. A diferena consiste
em que no t ipo C as partculas no so identificadas por apresenta
rem uma baixa frao volumtrica, e no caso D elas no o silo por
serem muito pequenas. Em micro estrutura tipo D muito utilizada
a tcnica da extrao de precipitados com posterior anlise qumica
por difrao de raios X. A determinao da composio das fases
pelos mtodos de anlise qumica in situ para precipitados menores
que 1 um altamente imprecisa devido ativao, pelo feixe de
eltrons incidentes, da matriz adjacente ao precipitado. Para esta
determinao extremamente til o emprego da microscopia eletr
nica de transmisso com difrao de eltrons em rea selecionada.
Esta tcnica tambm pode ser aplicada para a determinao de rela
es de orient ao com a fase matriz, alm da tcnica de identifica
o por meio de estrutura.
9.4 OUTROS ASPECTOS DA SELEO
Na introduo deste captulo mencionamos que um aspecto prtico
da anlise microestrutural a disponibilidade dos equipamentos.
Outro aspecto de fundamental importncia na seleo de tcnicas
o econmico.
Freqentemente as tcnicas mais avanadas e potentes so tam
bm as mais caras, seja do ponto de vista de investimento, seja do
ponto de vista de manuteno e operao. Todavia, em alguns casos
188
possvel fazer uma seleo baseada em critrios econmicos. Supo
nhamos um ao contendo 1%em volume de carbonetos de nibo de
cerca de 1 J,Lm, ou seja, uma microestrutura do tipo C, mencionada
no item anterior. Para caracterizao da segunda fase podem-se uti
lizar dois grupos independentes de medidas e tcnicas experimentais.
Grupo I: Determinao da quantidade (frao volumtrica) por
metalografia (ptica) quantitativa, determinao de
composio das partculas por micro anlise (de prefe
rncia utilizando anlise por comprimentos de onda,
uma vez que a anlise de energia dispersiva com os
detectores atuais no detecta carbono) e determinao
da estrutura por difrao (de preferncia utilizando
difrao de elt rons em rea selecionada, uma vez que
a frao volumtrica baixa para utilizao de difrao
de raios X).
Grupo II: Determinao da quantidade (frao em peso) por
extrao de precipitados, determinao da composio
das partculas por anlise qumica do resduo extrado
e determinao da estrutura crist alina por difrao de
raios X do resduo extrado.
o segundo grupo de medidas ou tcnicas alm de ser de mais fcil
utilizao mais econmico e propicia medidas mais precisas.
9.5 COMENTRIOS FINAIS
Os estudos da microestrutura geralmente exigem a utilizao de
vrias t cnicas complementares. A seleo da tcnica mais indicada
varia de caso para caso, sendo que o tamanho e quantidade das fases
presentes exercem um papel importante nesta escolha .
A utilizao de tcnicas mais sofisticadas no exclui de maneira
nenhuma tcnicas mais simples mas extremamente teis, como a
microscopia ptica. Pode-se afirmar inclusive que na maioria dos
casos a anlise microestrutural comea e termina no microscpio
ptico. Por exemplo, uma vez identificada completamente a fase
189
pelas tcnicas necessrias, a partir da esta fase pode, dependendo
do seu tamanho, ser reconhecida pela sua morfologia, cor, tama
nho e distribuio por microscopia ptica. Por outro lado a "identi
ficao" de fases exclusivamente por estas caracter st icas observ
veis por microscopia ptica no mnimo uma postura antiquada
e ineficiente.
BIBLIOGRAFIA
Referncias introdutrias
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microestruturais", Anais do 6? Congresso Brasileiro de Engenha
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Anual da ABM, 1983, vol. 3, pg. 289.
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1978, De. Riederer Verlag, capo 11.
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S. Paulo , 1974, Ed. Edgard Blcher Ltda ., 3 ~ ed.
Weinberg, F. (org.), Tools and techniques in physical metallurgy,
Nova Iorque, 1970, Mareei Dekker Inc., 2 vols,
190