DISPOSITIVOS PASIVOS

Tanto en electricidad como en electrnica se utilizan continuamente vocablos tales como tensin, corriente, intensidad, resistencia, potencia... El que usa estos trminos ya los tiene tan asumidos que raramente se para a pensar en su "contenido", es decir, en el concepto que encierran. Sin embargo, para los que comienzan el significado de estas, no siempre es tan claro como debiera. No puede avanzarse en la tecnologa elctrica/electrnica sin tener claro que significan palabras tales como resistencia o expresiones como cada de tensin.

CORRIENTE ELECTRICA

La corriente elctrica no es ms que el flujo de cargas elctricas (usualmente electrones) a travs del seno de un material ms o menos conductor (aunque son posibles corrientes elctricas en el vaco, por ejemplo en el interior del tubo de imagen de un televisor). Un concepto ntimamente relacionado con el de corriente elctrica es el de intensidad de la corriente elctrica, o simplemente intensidad.

El concepto de intensidad viene a cuantificar (es decir, a medir) cun grande o pequea es una determinada corriente elctrica. Cuanto ms grande sea el nmero indicado por la intensidad mayor ser la corriente elctrica, es decir, el flujo de cargas (ELECTRONES) por el conductor. La intensidad tiene su propia unidad de medida. Se trata del Amper, que se denota por A. Una intensidad de 1 A equivale a unos 625 x 1016 electrones por segundo circulando por la seccin de un conductor. La relacin entre corriente e intensidad es tan fuerte que se usa el nombre de corriente para referirse a la intensidad y viceversa, siendo en la prctica uno sinnimo del otro. As, es habitual encontrarnos expresiones del tipo "una corriente de 0.2 A", o esta otra "la intensidad que circula por el circuito es...", no siendo ninguna de ellas estrictamente correctas, pero admitidas por todos.

RESISTENCIA ELCTRICA

El nombre lo dice casi todo. La resistencia elctrica, o simplemente resistencia (ojo, el componente electrnico recibe el mismo nombre que el fenmeno fsico), es un efecto fsico que afecta a la corriente elctrica. Se trata de una oposicin o dificultad que presentan los materiales a que por ellos circule la corriente elctrica. No existe un nico mecanismo fsico que explique la resistencia, pero bsicamente podemos atribuirla a que las partculas portadoras de carga elctrica no se mueven libremente por el seno del material conductor, sino que en su recorrido van chocando con los tomos fijos que forman dicho material. As pues, las partculas son en muchos casos rebotadas o desviadas de su trayectoria original (rectilnea), cediendo parte de su energa cintica a la estructura del material y provocando por tanto un calentamiento de ste.

La resistencia elctrica puede ser ms o menos elevada en cada caso concreto. Para conocer el valor de dicha resistencia se usa la unidad de medida llamada ohmio, que se denota por la letra griega omega (). El ohmio se define como el valor de una resistencia elctrica tal que al aplicarle una tensin de 1 V se produzca una circulacin de una corriente elctrica de 1 A. Evidentemente, cuanto mayor sea la resistencia para un valor determinado de tensin, ms pequeo ser el valor de la intensidad de la corriente elctrica que circular por ella. Tambin podemos decir que para un valor concreto de resistencia, a mayor tensin aplicada en sus extremos mayor corriente circulando por ella (esto ltimo tambin parece lgico, o no?).

TENSIN ELCTRICA

De manera anloga cuando una lmina que es doblada experimenta una tensin, las cargas elctricas tambin experimentan una tensin elctrica cuando a estas se les aplica una corriente elctrica, y por ende los cuerpos cargados elctricamente. Siempre que entre dos cuerpos exista un desequilibrio elctrico estar presente una tensin de tipo elctrico (comnmente llamado voltaje). La unidad de medida de la tensin elctrica es el volt (V). As, cuanto ms grande sea la tensin elctrica (en valor absoluto) existente entre dos cuerpos, zonas, partes de un circuito, etc. mayor ser la fuerza que las cargas elctricas experimentarn, y por tanto mayor la tendencia a que se produzca una reordenacin de dichas cargas elctricas para reducir la tensin a la que estn sometidas. Ntese que para el valor de la fuerza (valor, no sentido de la fuerza) lo importante es el valor absoluto de la tensin. Realmente, la tensin elctrica puede tener signo positivo o negativo, dependiendo esto del signo de las cargas elctricas implicadas.

LA LEY DE OHM
La Ley de Ohm, postulada por el fsico y matemtico alemn Georg Simon Ohm, es una de las leyes fundamentales de la electrodinmica, estrechamente vinculada a los valores de las unidades bsicas presentes en cualquier circuito elctrico como son: 1. Tensin o voltaje "E", en volt (V). 2. Intensidad de la corriente "I ", en amper (A). 3. Resistencia "R" en ohm () de la carga o consumidor conectado al circuito.

Postulado general de la Ley de Ohm: El flujo de corriente en Amper que circula por un circuito elctrico cerrado, es directamente proporcional a la tensin o voltaje aplicado, e inversamente proporcional a la resistencia en ohm de la carga que tiene conectada.

ELEMENTOS DE CIRCUITOS BASICOS

Un circuito elctrico es una serie de elementos o componentes elctricos, tales como resistencias, inductancias, condensadores y fuentes, conectados elctricamente entre s con el propsito de generar, transportar o modificar seales elctricas. Los elementos de un circuito elctrico se pueden dividir principalmente en: Elementos pasivos - Son aquellos que absorben energa. Elementos activos - Son aquellos que suministran energa.

Un ejemplo de elemento pasivo seria el resistor y las fuentes de corriente y voltaje serian elementos activos. Los capacitores e inductores suelen estar dentro de estas dos categoras ya que absorben energa cuando se carga y as mismo suministran energa cuando se descargan. El resistor, inductor, capacitor y fuentes son los elementos bsicos y es posible ejemplificar el funcionamiento de cualquier dispositivo electrnico con diferentes combinaciones de estos elementos.

Resistores
Es un elemento pasivo. Se denomina resistor a la oposicin que encuentra la corriente elctrica para recorrerla. Su valor se mide en ohmios y se designa con la letra griega omega mayscula ( ). La materia presenta 4 estados en relacin al flujo de electrones. stos son conductores, semiconductores, resistores y dielctricos. Todos ellos se definen por el grado de oposicin a la corriente elctrica (Flujo de Electrones). Y disipa la energa en forma irreversible. La frmula que la rige de acuerdo con la ley de Ohm.

Capacitores o condensadores
Es un dispositivo formado por dos conductores o armaduras, generalmente en forma de placas o lminas separados por un material dielctrico, que, sometidos a una diferencia de potencial adquieren una determinada carga elctrica.

A esta propiedad de almacenamiento de carga se le denomina capacidad o capacitancia. En el Sistema internacional de unidades se mide en Farads (F), siendo 1 faradio la capacidad de un condensador en el que, sometidas sus armaduras a una diferencia de potencial de 1 voltio, stas adquieren una carga elctrica de 1 coulomb. La capacidad de 1 faradio es mucho ms grande que la de la mayora de los condensadores, por lo que en la prctica se suele indicar la capacidad en microfaradios F = 10 -6, nanofaradios F = 10-9 o picofaradios pF = 10-12.

Capacitancia.- es una medida de la propiedad de un dispositivo de almacenar energa en forma de cargas separadas o de un campo elctrico.

Inductor o bobina
Es un componente pasivo que, debido al fenmeno de la autoinduccin, almacena energa en forma de campo magntico. Un inductor est constituido usualmente por una bobina de material conductor, tpicamente cable de cobre. Existen inductores con ncleo de aire o con ncleo de un material ferroso, para incrementar su inductancia.

Inductancia: Medida de la capacidad de un dispositivo para almacenar energa en forma de un campo magntico.

Fuente elctrica
Es un circuito o dispositivo elctrico activo que provee una diferencia de potencial o una corriente de manera confiable para que otros circuitos puedan funcionar.

Fuentes ideales: Las fuentes ideales son elementos utilizados en la teora de circuitos para el anlisis y la creacin de modelos que permitan analizar el comportamiento de componentes electrnicos o circuitos reales. Pueden ser independientes, si sus magnitudes (tensin o corriente) son siempre constantes, o dependientes en el caso de que dependan de otra magnitud (tensin o corriente). Fuente independiente: Es un generador de voltaje o corriente que no depende de otras variables del circuito. Fuente dependiente: Es un generador de voltaje o corriente cuyos valores dependen de otra variable del circuito. Fuentes reales: A diferencia de las fuentes ideales, la diferencia de potencial que producen o la corriente que proporcionan fuentes reales, depende de la carga a la que estn conectadas.

Interruptor o conmutador

Es un elemento secundario que tiene dos estados. Abierto y cerrado. Idealmente, un interruptor es un corto circuito cuando est cerrado y un circuito abierto cuando est abierto. Se suelen utilizar para conectar diferentes ramas o elementos de un circuito elctrico.

Circuitos RLC
En los circuitos RLC se acoplan resistencias, capacitores e inductores. Existe tambin un ngulo de desfasaje entre las tensiones y corrientes (y entre las potencias), que incluso puede llegar a hacerse cero. En caso de que las reactancias capacitivas e inductivas sean de distinto valor para determinada frecuencia, tendremos desfasajes.

Dependiendo de cul de las reactancias sea mayor podremos afirmar si se trata de un circuito con caractersticas capacitivas o inductivas y por lo tanto si la tensin adelanta a la corriente (y con qu ngulo) o si la corriente adelanta a la tensin. A continuacin detallamos los valores de un circuito RLC simple en serie.

Reactancia capacitiva

= Velocidad angular = 2f C = Capacidad Xc = Reactancia capacitiva

Reactancia inductiva

= Velocidad angular = 2f L = Inductancia Xl = Impedancia inductiva

Impedancia total del circuito RLC serie

R = Resistencia Xl = Reactancia inductiva Xc = Reactancia capacitiva

Angulo de desfasaje entre tensin y corriente

Xl = Reactancia inductiva Xc = Reactancia capacitiva R = Resistencia

Corriente mxima
El mdulo de la corriente mxima que circula por el circuito es igual al mdulo de la tensin mxima sobre el mdulo de la impedancia.

ELEMENTOS ACTIVOS
CARACTERISTICAS DE LOS SEMICONDUCTORES
Un semiconductor es un elemento con propiedades elctricas entre las de un conductor y un aislante. Son materiales que ocupan una oposicin intermedia entre los aislantes y los conductores. Los primeros poseen muy pocas cargas mviles y, en consecuencia, presentan una resistencia muy alta al paso de la corriente (idealmente una resistencia infinita). La resistencia elctrica que presentan los segundos es muy baja (idealmente cero) debido a su riqueza en dichas cargas. Los semiconductores suelen ser aislantes a cero grados Kelvin, y permiten el paso de corriente a la temperatura ambiente. Esta capacidad de conducir corriente puede ser controlada mediante la introduccin en el material de tomos diferentes al del semiconductor, denominados impurezas. Cuando un semiconductor posee impurezas se dice que est dopado. Son elementos, como el germanio y el silicio, que a bajas temperaturas son aislantes. Pero a medida que se eleva la temperatura o bien por la adiccin de determinadas impurezas resulta posible su conduccin. Su importancia en electrnica es inmensa en la fabricacin de transistores, circuitos integrados, etc.

SILICIO, GERMANIO Y MATERIALES P y N

Silicio

El tomo de silicio posee catorce electrones. De stos, los cuatro ms alejados del ncleo son los electrones de valencia que participan en los enlaces con otros tomos. El silicio es, por tanto, un tomo tetravalente. El silicio que se utiliza para fabricar dispositivos electrnicos es un monocristal cuya estructura cristalina se denomina de diamante. Se utiliza en aleaciones, en la preparacin de las siliconas, en la industria de la cermica tcnica y, debido a que es un material semiconductor muy abundante, tiene un inters especial en la industria electrnica y microelectrnica como material bsico para la creacin de obleas o chips que se pueden implantar en transistores, pilas solares y una gran variedad de circuitos electrnicos. Cada tomo de silicio est unido a otros cuatro mediante enlaces covalentes. Un enlace covalente se forma entre dos tomos que comparten dos electrones. Cada uno de los electrones del enlace es aportado por un tomo diferente. Resulta muy engorroso trabajar con la representacin cristalina tridimensional. Por ello suele recurrirse a un esquema bidimensional, denominado modelo de enlaces, en el que se representa la caracterstica esencial de la estructura cristalina: cada tomo est unido a cuatro tomos vecinos mediante enlaces covalentes. En este modelo cada tomo dedica sus cuatro electrones de valencia a constituir cuatro enlaces covalentes. Germanio

El germanio pertenece a la misma familia qumica que el carbono, el silicio y el plomo; se parece a estos elementos en que todos ellos forman derivados orgnicos como el tetraetilo de germanio y el tetrafenilo de germanio. Se encuentra en pequeas cantidades en yacimientos de plata, cobre y cinc, as como en el mineral germanita, que contiene un 8% de germanio. El elemento y sus compuestos tienen numerosas aplicaciones. Los cristales de germanio convenientemente tratados tienen la propiedad de rectificar o permitir el paso de la corriente elctrica en un solo sentido. Su uso es en semiconductores y transistores. En forma de monocristales para la fabricacin de elementos pticos (lentes, prismas y ventanas) para espectroscopa infrarroja: Espectroscopios, detectores de infrarrojos.

El alto ndice de refraccin del xido de germanio lo hace til para la fabricacin de lentes gran angular de cmaras fotogrficas y objetivos de microscopio.

Materiales tipo P y N
Tipo P

Aadiendo al silicio puro una impureza trivalente, como el boro, se produce un material de tipo p. Cada tomo de impureza ocupa una posicin en la retcula cristalina y forma enlaces covalentes con tres de sus vecinos ms prximos. El tomo de impureza no tiene el cuarto electrn que se necesita para completar el enlace con su cuarto vecino. A temperaturas de trabajo normales, un electrn de un tomo de silicio cercano se puede desplazar para llenar el cuarto enlace de cada tomo de impureza. Esto crea un hueco que se mueve libremente por el cristal. Sin embargo, el electrn se enlaza con el tomo de impureza ionizado. As, la conduccin en el material de tipo p se debe mayoritariamente a los huecos. En un material de tipo p, los huecos se llaman portadores mayoritarios y, los electrones portadores, minoritarios. Desde luego, esta terminologa es la inversa a la de los materiales de tipo n. Las impurezas de valencia tres se denominan aceptadores, porque aceptan un electrn extra. Con cada tomo aceptador ionizado, se asocia una carga negativa: hay presentes cuatro electrones enlazados, pero slo hay la suficiente carga positiva en el ncleo inico como para equilibrar la carga de tres electrones.

Tipo N

Aadir al cristal pequeas cantidades de las impurezas apropiadas, afecta de manera espectacular a la concentracin relativa de huecos y electrones. Se tiene as un semiconductor extrnseco. Por ejemplo, si se aade fsforo, que tiene cinco electrones de valencia, los tomos de fsforo se posicionan en la estructura cristalina y forman enlaces covalentes con sus cuatro vecinos. El quinto electrn de valencia slo est dbilmente unido al tomo de fsforo. A temperaturas de trabajo normales, este electrn extra rompe su enlace con el tomo de impureza, y se convierte en un electrn libre. Sin embargo, el

tomo de impurezas no crea un hueco; la carga positiva que equilibra al electrn libre est bloqueada en el ncleo inico del tomo de impureza. As, podemos crear electrones libres aadiendo al silicio impurezas pentavalentes, llamadas donantes. Al material resultante, se le conoce como material de tipo n. En un material de tipo n, la conduccin se debe principalmente a los numerosos electrones libres. As, a los electrones libres se les llama portadores mayoritarios, mientras que a los huecos se les llama portadores minoritarios. A temperaturas de trabajo normales, casi todos los tomos donantes aportan su quinto electrn. Decimos entonces que los donantes se han ionizado. Cada tomo donante ionizado tiene asociada una carga positiva. Desde luego, la concentracin de carga neta en el material es cero. La carga positiva de los donantes ionizados (y huecos) se equilibra con la carga negativa de los electrones libres.

DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
Son dispositivos fabricados a partir de los materiales descritos en la seccin anterior, existe una gran variedad de ellos, a continuacin veremos los ms significativos en la electrnica analgica.

DIODOS, TRANSISTORES y TIRISTORES

El diodo es un dispositivo de dos terminales cuyo comportamiento no es lineal: deja pasar corriente en un sentido y la bloquea en sentido contrario. Este carcter no lineal hace que los circuitos que contienen diodos no sean lineales, por lo que no pueden ser analizados aplicando el mtodo de superposicin, ni reducirse a equivalentes de Thvenin ni de Norton. El comportamiento del diodo puede ser aproximado por un elemento de circuito denominado diodo ideal, si bien algunas aplicaciones requieren el uso de modelos ms complejos. El diodo ideal es un elemento de circuito de dos terminales. Uno de los terminales se denomina nodo y el otro ctodo. Cuando el diodo conduce, la corriente circula en el sentido de nodo a ctodo, sin cada de tensin entre ambos terminales. Se dice que est polarizado en directa y equivale a un cortocircuito. Cuando el nodo es negativo respecto al ctodo el diodo bloquea la corriente y equivale a un circuito abierto. Se dice, en este caso, que el diodo est polarizado en inversa.

Diodo Real Prcticamente todos los diodos que se usan actualmente en circuitos electrnicos estn fabricados con semiconductores. Consisten en la "unin" de un semiconductor P y un semiconductor N (diodo de unin PN). Los semiconductores contienen cargas mviles positivas y negativas. Un semiconductor P es un semiconductor que tiene ms cargas mviles positivas que negativas, mientras que el N tiene ms cargas negativas que positivas. Cuando se aplica una tensin positiva al P respecto al N circula una corriente de valor elevado en el sentido de P a N, mientras que cuando la polaridad de la tensin se invierte, la corriente cambia de sentido y es casi nula. El semiconductor P constituye el nodo del diodo y el N el ctodo.

Diodo Zener
Los diodos que trabajan en la zona de ruptura se denominan diodos zner o diodos de avalancha. Los diodos zner se usan en aplicaciones para las que se necesita una tensin constante en la regin de ruptura. Por tanto, los fabricantes intentan optimizar los diodos zner para obtener una curva caracterstica prcticamente vertical en la regin de ruptura. El smbolo modificado del diodo que se muestra en la figura, es el que se usa para los diodos zner. Hay disponibles diodos zner discretos con tensiones de ruptura especificadas con una tolerancia de u5%. En la prctica, existen dos mecanismos que pueden causar la ruptura inversa. Para diodos con una tensin de ruptura superior a 6 V, el responsable es un efecto conocido como avalancha. Por ello, los diodos con tensiones de disrupcin ms elevadas se llaman, consecuentemente, diodos de avalancha. Por debajo de los 6 V, un fenmeno de la mecnica cuntica, conocido como efecto tnel, es el responsable de la ruptura. Hablando estrictamente, los diodos zner son aqullos que se encuentran en el margen inferior de valores de ruptura. Sin embargo, en la prctica, ambos trminos se utilizan de manera indistinta para todos los diodos de ruptura.

Transistores
Los diversos tipos de transistores son los elementos clave de los sistemas electrnicos modernos. Se construyen mediante el dopado de un semiconductor, como por ejemplo un cristal de silicio, introduciendo impurezas cuidadosamente seleccionadas y controladas. Determinadas impurezas producen materiales de tipo n, en los que la conduccin se debe principalmente a los electrones libres. Otros tipos de impurezas producen materiales de tipo p, en los que la conduccin se debe, en realidad, a partculas positivas llamadas huecos. Un dispositivo electrnico de gran importancia es el transistor bipolar o BJT (bipolar junction transistor), que est compuesto por una serie de capas de semiconductor dopado. La figura muestra un transistor npn que tiene una capa de material de tipo p entre dos capas de tipo n, aunque tambin es posible construir un transistor bipolar pnp.

MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effecttransistor: transistor de efecto de campo de metal-xido-semiconductor)

Este dispositivo contiene una puerta metlica (G) aislada de un canal de semiconductor de tipo n mediante una capa de dixido de silicio (se pueden construir dispositivos de similar utilidad empleando un canal de material de tipo p). Los terminales llamados drenador (D) y fuente (S) estn conectados a los extremos opuestos del canal. Un MOSFET puede funcionar como un interruptor que conecta y desconecta los terminales del drenador y la fuente segn la tensin aplicada a la puerta. Para determinados mrgenes de la tensin aplicada, el interruptor estar abierto, y no pasar corriente entre el drenador y la fuente.

Tiristores
Tiristor viene del griego y significa puerta, puesto que se comporta como una puerta que se abre y permite el paso de corriente a travs de ella. Un tiristor es un dispositivo semiconductor que utiliza realimentacin interna para producir un nuevo tipo de conmutacin. Los tiristores ms importantes son los rectificadores controlados de silicio (SCR: Silicon Controlled Rectifier) y el triac. Al igual que los FET de potencia, el SCR y el triac pueden conmutar grandes corrientes. Por ello, la principal aplicacin de estos dispositivos es el control de grandes corrientes de carga para motores, calentadores, sistemas de iluminaci6n y otras cargas semejantes. Rectificador Controlado de Silicio (SCR) El SCR es el miembro ms conocido de la familia de los tiristores, y a veces se le llama tiristor. Puede conmutar corrientes muy elevadas y, por ello, se emplea en control de motores, como, sistemas de aire acondicionado y calentadores de induccin.

Smbolo del SCR.

Estructura fsica simplificada.

Curvas caractersticas

Como puede observarse en las curvas caractersticas, el SCR impide el paso de corriente cuando VAK es negativa, a no ser que sta supere la tensin de ruptura inversa VRM. Cuando se aplica una tensin VAK positiva y la corriente de puerta IG es nula, el SCR tambin impide el paso de corriente hasta que vAK alcanza la tensin de ruptura directa VDM. Cuando se llega a esta tensin el SCR hace una transicin al estado de conduccin en el que permite el paso de una corriente elevada en el sentido de nodo a ctodo, manteniendo entre sus terminales una cada de tensin pequea, del orden de 1V.

Tiristores Bidireccionales
El diodo de cuatro capas y el SCR, son unidireccionales porque la corriente se puede circular en un sentido. El diac y el triac son tiristores bidireccionales. Estos dispositivos pueden conducir en cualquier direccin.

Diac
El diac puede tener corriente en cualquier direccin. Consiste en una estructura de tres capas, similar a la del transistor bipolar aunque sin terminal de base. La tensin a la que se produce la transicin al estado de conduccin suele ser de unos 25 a 40 V, siendo la disminucin de la tensin entre sus terminales, al pasar al estado de conduccin, de unos 10 V. El diac no conduce hasta que la tensin en sus extremos intenta exceder la tensin de cebado en cualquier direccin. Suele utilizarse fundamentalmente en los circuitos de disparo de los triacs.

a) Smbolo del diac.

b) Caracterstica i-v del diac

Triac
El triac es un tiristor bidireccional de tres terminales. Permite el paso de corriente del terminal A1 al A2 y al revs, y puede ser disparado con tensiones de puerta de ambos signos. Bsicamente equivale a dos SCR opuestos y acoplados lateralmente, con una regin de puerta prxima a uno de los dos terminales. Su estructura esquemtica se representa en la siguiente figura:

a) Smbolo. b) Estructura fsica simplificada de un triac.

c) Caracterstica i-v del triac

Su caracterstica i-v, como puede observarse, equivale a dos SCR conectados en paralelo y con el ctodo y el nodo invertidos el uno respecto al otro. Presenta estado de conduccin tanto para i positivo como negativo, y puede ser disparado desde el estado de corte al de conduccin tanto para V positiva como negativa. Adems, la corriente de puerta que fuerza la transicin del estado de corte al de conduccin puede ser tanto positiva como negativa. En general, sin embargo, las tensiones y corrientes necesarias para producir la transicin del triac son distintas segn sean las polaridades de las tensiones aplicadas.

APLICACIONES CON SEMICONDUCTORES

Es basta la cantidad de aplicaciones en las que los dispositivos antes descritos se incluyen o en su defecto son la base para dicha aplicacin. A continuacin veremos las que ms usuales y bsicas en el diseo elaboran.

RECTIFICADORES, AMPLIFICADORES Y CONMUTADORES

Rectificadores

Un rectificador es un circuito que convierte una seal de corriente alterna en una seal unidireccional. Los diodos se utilizan extensamente en los rectificadores. Rectificador de Media Onda La fuente de corriente alterna produce una tensin sinusoidal. Suponiendo un diodo ideal, la mitad positiva del ciclo de la tensin de fuente polarizar el diodo en directa. Como el interruptor est cerrado, la mitad positiva del ciclo de la tensin de fuente aparecer a travs de la resistencia de carga. En la mitad negativa del ciclo, el diodo est polarizado en inversa. En este caso el diodo ideal aparecer como un interruptor abierto y no hay tensin a travs de la resistencia de carga. En el rectificador de media onda, el diodo esta conduciendo durante las mitades positivas de los ciclos pero no esta conduciendo durante las mitades negativas. A causa de esto, el circuito recorta las mitades negativas de los ciclos. Denominamos a una forma de onda como sta una seal de media onda. Esta tensin de media onda produce una corriente por la carga unidireccional. Esto significa que circula en una direccin.

Entrada a un rectificador de media onda; Circuito; Salida de un rectificador de media onda.

Rectificador de Onda Completa El rectificador de onda completa acta como dos rectificadores de media onda superpuestos. El circuito se denomina un rectificador de onda completa porque ha cambiado la tensin alterna de entrada a una tensin de salida pulsante continua. En la siguiente figura se aprecia la conexin intermedia llevada a masa en el arrollamiento secundario. Debido a esta conexin central el circuito es equivalente a dos rectificadores de media onda. Cada uno de estos rectificadores tiene una tensin de entrada igual a la mitad de la tensin del secundario.

Amplificadores
Uno de los bloques funcionales ms importantes de los sistemas electrnicos es el amplificador. Idealmente, un amplificador de tensin produce una seal de salida con la misma forma de onda que la seal de entrada, pero con mayor amplitud. La fuente de seal produce una seal vi(t), que se aplica a los terminales de entrada del amplificador, el cual genera una seal de salida A travs de una resistencia de carga RL conectada a los terminales de salida. La constante Av es la ganancia de tensin del amplificador. La magnitud de la ganancia de tensin suele ser mucho mayor que su unidad.

Fuentes de Poder
La fuente de poder es una fuente elctrica, un artefacto activo que puede proporcionar corriente elctrica gracias a la generacin de una diferencia de potencial entre sus bornes. Se disea a partir de una fuente ideal, que es un concepto utilizado en la teora de circuitos para analizar el comportamiento de los componentes electrnicos y los circuitos reales. La fuente de alimentacin se encarga de convertir la tensin alterna de la red industrial en una tensin casi continua. Para esto consta de un rectificador, fusibles y otros componentes que le permiten recibir la electricidad, regularla, filtrarla y adaptarla a las necesidades de la computadora.