Curso de Engenharia Eltrica Disciplina: Materiais Eltricos ( ENGV20 )

RESUMO COMPONENTES SEMICONDUTORES TPICOS

Docente: Kenedy Marconi Discentes: Luana Vieira Ferreira

Vitria da Conquista Ba 2013

COMPONENTES SEMICONDUTORES TPICOS As caractersticas de funcionamento de um semicondutor variam de acordo com a presena de diversos tipos de energia. Como eltrica, magntica, luminosa, etc. Resultando assim em diversos componentes que, apesar de serem todos da famlia dos semicondutores, tm comportamento fundamentalmente diferente. Diodos semicondutores e suas caractersticas So diversos os tipos de diodos semicondutores, os mais antigos so os de selnio e dixido de cobre, os mais recentes de germnio e silcio. Os materiais semicondutores usados, na forma de pares np diferem acentuadamente entre si, dando origem a propriedades retificadoras particulares. Estruturalmente, so formados por mono ou policristais. Sendo que as polaridades n e p so obtidas mediante dopagens com elementos de valncia III (p) ou V (n). Tipos de Diodos: a) Germnio dopado com ndio durante a fase de dopagem e na subsequente cristalizao, os tomos de ndio penetram na zona de borda do cristal de Germnio, formando um semicondutor do tipo p, enquanto a parte inalterada do cristal de Germnio mantm a polaridade de n. Assim a juno determina a caracterstica de condutividade em um s sentido, o de conduo do diodo, no que se baseia seu efeito retificante. b) Silcio dopado com Alumnio uma conduo do tipo p formada quando tomos de Alumnio penetram na borda do corpo de Silcio, enquanto a parte de Silcio livre de difuso mantm sua condutividade n. c) Selnio dopado com Cdmio o Selnio cristalino obtido por processo trmico em estado amorfo depositado sobre uma placa de Alumnio, onde o corpo de polaridade n obtida pela difuso de tomos de Cdmio para dentro de estruturas de Selnio que possui polaridade p. d) Diodo de Dixido de Cobre este tipo de diodo obtido num processo trmico onde o condutor n o dixido de cobre com certa falta de oxignio, enquanto que o componente p formado por xido de cobre com adequado excesso de oxignio. Nesses diodos, a condutividade num s sentido baseada no comportamento de dois elementos bsicos com polaridade ou condutividade p e n, em contato direto, valendo-se de ligaes de juno ou difuso nos quais uma carga espacial d origem a um campo eltrico. Pois o campo eltrico na juno representa uma barreira de potencial. Esta barreira evita uma excessiva passagem de lacunas do elemento p para o n e eltrons na direo oposta. Assim, mesmo que o campo deixe de existir, no

cessa completamente a passagem de eltrons pela juno. Onde, as lacunas passam por difuso e pela ao do campo, do elemento p para n, e no sentido contrrio e os eltrons passam por difuso do elemento n para p na direo oposta, pela ao do campo. Assim a barreira na juno p-n se eleva quando o fluxo em oposio de lacunas e de eltrons se torna igual, o que corresponde corrente zero na juno.