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AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE

Il constitue gnralement le dernier tage d'une chane amplificatrice; il doit tre capable de fournir une charge (haut-parleur, moteur...) une certaine puissance. Celle-ci est prleve l'alimentation, et le rendement de l'tage doit tre le plus lev possible. On supposera nulle la tension de saturation des transistors; la grande amplitude des signaux n'autorise plus l'utilisation du schma quivalent des transistors.

1. CLASSE D'UN AMPLIFICATEUR 1.1 Angle d'ouverture


On appelle angle d'ouverture l'intervalle angulaire pendant lequel un transistor conduit.

1.2 Classes
Classe A : angle d'ouverture gal 2 Classe B : angle d'ouverture gal Classe C : angle d'ouverture infrieur

2. AMPLIFICATEUR EN CLASSE A 2.1 Schma, point de repos


iC Vcc Ru Vcc IC0 vs A

Rb Ce ve

Ru

Vcc Vcc v CE 2 Le point de repos A est choisi de faon obtenir aux bornes de la charge Ru une tension d'amplitude maximale.

2.2 Puissances et rendement


2.2.1 Puissance utile

Vs2 La charge tant rsistive : Pu = Ru


L'amplitude maximale de la tension de sortie ayant pour valeur Vcc /2, la puissance utile maximale a pour valeur :
2 V cc

Pu Max =

8. R u

2.2.2 Puissance absorbe


2 Vcc Vcc 1T Pa = Vcc . i c . dt = Vcc . < i c > = Vcc . = T0 2. Ru 2.Ru

En classe A, la puissance absorbe est indpendante de la puissance fournie la charge. 2.2.3 Rendement

Pu 2. Vs2 = Pa Vcc

et

Max =

PuMax Pa

= 0,25
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Le rendement maximal d'un amplificateur en classe A est de 25%.


S e r g e O N N III N S e r g e M O N N N e r g eM M O N N N S

3. AMPLIFICATEUR EN CLASSE B 3.1 Principe de fonctionnement


iC iC T1
1 1

Vcc Ru vs Ru is Vcc -v CE
2

Vcc B Vcc v CE
1

ve

T2 iC
2

- iC

iC

t iC
2

is

t
Les transistors T1 et T2 sont complmentaires, le point de repos choisi est le point B si bien qu'en l'absence de tension ve, la charge n'est parcourue par aucun courant. Les transistors T1 et T2 conduisent alternativement : pour que T1 conduise il faut que ve > VBE1 pour que T2 conduise il faut que ve < VBE2 si VBE2 < ve < VBE1 aucun transistor ne conduit d'o l'allure des courants ci dessus. On remarquera que le courant circulant dans la charge n'est pas purement sinusodal mais prsente une distorsion dite de croisement ou de recouvrement (cross-over). Cette distorsion peut tre supprime grce des montages appropris (cf 3.3).

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3.2 Puissances et rendement


3.2.1 Puissance absorbe On supposera pour les calculs suivants que la distorsion de croisement est compense. Soit Pa1 la puissance fournie par l'alimentation positive :

Vcc 1T Pa1 = Vcc . i c1. dt = T0 T

T/2

$I . sin t. dt =
c 0

Vcc . $ Ic

$ 2. Vcc . V s Pa = Pa1 + Pa2 = 2.Pa1 = .Ru


La puissance absorbe crot linairement avec la tension aux bornes de la charge. La puissance absorbe maximale vaut donc : PaMax 3.2.2 Puissance utile

2 2. Vcc .R u

Pu =

Vs2 Ru

La puissance utile est une fonction parabolique de la tension aux bornes de la charge.
2 Vcc = 2.Ru

L'amplitude maximale de la tension de sortie ayant pour valeur Vcc, la puissance utile maximale a pour valeur : Pu Max

3.2.3 Rendement

$ . Vs . V Pu s = = Pa 2. 2. Vcc 4. Vcc

et

Max =

PuMax Pa

= 0,785 4

Le rendement crot linairement avec la tension aux bornes de la charge. 3.2.4 Puissance dissipe dans les transistors La puissance dissipe dans les transistors est une $ 2. V $ V V s cc s fonction parabolique de la tension aux bornes de la PT = Pa Pu = Ru 2 charge. Cherchons la valeur de Vs pour laquelle la puissance PT est maximale, pour cela drivons cette puissance par rapport la tension de sortie et cherchons pour quelle valeur de Vs cette drive s'annule. On obtient :

$ = 2. Vcc V s
2 4. Vcc Pa = 2 .R u

et

PTMax

2 2. Vcc = 2 .R u

Pour cette valeur de la tension de sortie :


2 2. Vcc et Pu = 2 = PTMax .R u

Le rendement vaut alors 50%. La puissance dissipe dans chaque transistor reprsente,quant elle, la moiti de la puissance totale dissipe :

PT1 = PT2 = PT/2

donc

PT1Max

2 Vcc = 2 .R u

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3.3 Distorsions
3.3.1 Diminution de la distorsion de croisement 3.3.1.1 Prpolarisation des transistors

iC T1 Rv

vs Ru
2

Vcc is Vcc

ve R

T2 iC

On peut utiliser par exemple un systme diodes qui maintient entre les deux bases une tension gale la somme des tensions de seuil des jonctions base-metteur des transistors. Par raison de symtrie, le potentiel du point commun aux diodes est le mme que celui des deux metteurs, c'est dire 0 V. En augmentant la valeur de Rv, on augmente l'intensit du courant dans les diodes ce qui a pour consquence de rendre les transistors un peu plus conducteurs. Ce dispositif n'est cependant pas parfait, car lorsque la temprature des transistors augmente (avec la puissance dissipe), leur tension de seuil diminue si bien que leur point de fonctionnement est modifi, l'intensit du courant collecteur crot, entranant un chauffement encore plus grand et ainsi de suite : c'est l'emballement thermique. Pour y remdier on peut tout d'abord mettre les diodes en contact thermique avec les transistors de faon compenser toute variation de la tension base-metteur des transistors avec la temprature (pour le silicium -2,2 mV/ C) par une variation de la tension de seuil des diodes. On ajoute galement en srie avec les metteurs des rsistances r qui limitent l'emballement thermique puisque alors, une augmentation du courant collecteur se traduit par une augmentation de la chute de tension dans la rsistance r, si bien que le point de fonctionnement restera alors sensiblement le mme. Il s'agit d'une contre-raction de tension rinjection de tension, la tension de sortie tant prleve entre les deux rsistances r et la masse. On admet gnralement que la tension crte dans r doit tre voisine de 1 volt lorsqu'elle est parcourue par l'intensit crte maximale (ici Vcc/Ru). Ce montage de principe ne peut tre utilis tel quel, car l'intensit du courant dans les diodes dcrot lorsque l'amplitude de la tension d'entre augmente, en pratique on utilise un gnrateur de courant. 3.3.1.2 Utilisation de la contre-raction

R2 vs ve R1 Ru is Vcc Vcc

Pour que l'un des transistors conduise il faut que l'amplitude de la tension de sortie de l'AOP soit suprieure la valeur absolue de la tension base-metteur d'un transistor, sinon l'AOP est en boucle ouverte et son coefficient d'amplification est celui de boucle ouverte Ad. Pour que T1 ou T2 conduise il faut donc que : ve > VBE/Ad La distorsion de croisement s'en trouve considrablement rduite. Lorsque l'un des transistors conduit, le coefficient d'amplification en tension du montage a pour valeur

-R2 /R1
Le dernier tage amplifie donc galement en tension; on peut aussi utiliser un montage non inverseur, l'impdance d'entre sera alors plus leve. Si l'amplification en tension n'est pas ncessaire un montage suiveur peut convenir. La contre raction diminue donc la distorsion de croisement.
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3.3.2 Dfinition et mesure d'un taux de distorsion 3.3.2.1 Dfinition Nous avons vu que le courant dans la charge n'tait pas parfaitement sinusodal mais prsentait une distorsion de croisement; ce n'est pas la seule cause de distorsion, il existe galement des distorsions dues la non-linarit des composants et ventuellement la saturation de l'tage de sortie. La tension de sortie peut donc se mettre sous la forme :

v s ( t) = V0 + V1. 2. sin(t + 1 ) + V2 . 2.sin(2t + 2 )+...+ Vn . 2. sin(nt + n )+... V0 : valeur moyenne de vs V1 : valeur efficace du fondamental Vi : valeur efficace de l'harmonique de rang i 2 2 V2 + V3 +... Vn2 +... On appelle taux de distorsion : D = V1
On l'exprime gnralement en pourcentage : D% = 100.D 3.3.2.2 Principe d'un distorsiomtre Un distorsiomtre effectue 2 mesures : l'une de l'ondulation du signal l'autre, la sortie d'un filtre rjecteur (de frquence centrale gale celle du fondamental du signal) auquel le signal est appliqu. Le distorsiomtre effectue alors le rapport de ces deux tensions et donne donc une valeur approche par dfaut du taux de distorsion.

D' =

V22 + V32 +... Vn2 +...


2 2 2 V12 + V2 + V3 +... Vn +...

Dans la mesure o la distorsion est faible, ces deux taux sont proches car la valeur efficace des harmoniques est faible devant celle du fondamental.

4. ECHANGES THERMIQUES
La puissance dissipable dans les transistors pouvant tre leve, des problmes de dissipation thermique se posent.

4.1 Rsistance, conductance thermiques La puissance P dissipe dans le milieu ambiant s'exprime en fonction de la temprature ambiante a et de celle de jonction j par la relation : P = .(j - a) o reprsente la conductance thermique du transistor (W/K ou W/ C), inverse de la rsistance thermique RT ( C/W) 4.2 Equilibre thermique
Il y a quilibre thermique lorsque la puissance lectrique PT1 est gale la puissance dissipe dans le milieu ambiant, donc :

PT1 = .(j - a) =

j a R Tja

RTja est la rsistance thermique jonction-milieu ambiant du transistor.


Pour un transistor au silicium la temprature de jonction maximale varie entre 150 C et 200 C. Exemple :la rsistance thermique du transistor 2N 3053, en botier TO 39, vaut 175 C/W. Quelle est la puissance maximale dissipe par ce transistor une temprature ambiante de 25 C, sachant que sa temprature de jonction ne doit pas dpasser 200 C? Si PT1

P = (200 - 25)/175 = 1W > P il faudra employer un dissipateur thermique.


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4.3 Calcul d'un dissipateur thermique


4.3.1 Rsistance thermique d'un paralllpipde rectangle Considrons une plaque mtallique de conductivit thermique K, d'paisseur l, de section S, en contact avec le transistor. Sa rsistance thermique RTra a pour expression :

R Tra =

1 l KS

Cette relation est du mme type que celle donnant la rsistance ohmique d'un conducteur. Entre deux solides les changes de chaleur ont lieu uniquement par conduction; entre un solide et l'air ils se font galement par convection et rayonnement ; on simplifie toutefois en considrant une rsistance thermique entre solide et air. Lorsque la chaleur traverse plusieurs lments les rsistances thermiques proportionnelles l'paisseur des lments s'ajoutent.

4.4 Calcul
On doit faire appel maintenant la rsistance thermique jonction-botier du transistor RTjb. Celle d'un 2N 3053 vaut 35 C/W soit un cinquime d e RTja, ce qui signifie que si le botier est maintenu une temprature de 25 C, la puissance d issipable par le transistor est de 5 W. sans dissipateur on peut crire la loi d'Ohm thermique :

P=

j b R Tjb

j a b a = R Tba R Tjb + R Tba

P j

RTjb

RTra a

avec dissipateur on crira :

P=

j b R Tjb

j a b r r a = = R Tbr R Tra R Tjb + R Tbr + R Tra

P j

RTjb

RTbr r

RTra a

Or RTbr + RTra << RTba : la puissance dissipable dans le deuxime cas sera donc nettement suprieure. Pour amliorer le contact thermique entre le transistor et le dissipateur on intercalera entre les deux une graisse au silicone. En basse frquence le dissipateur thermique sera calcul en fonction de la puissance instantane maximale, en haute frquence on prendra en considration la puissance moyenne. Exemples :2N 3055 botier TO3 2N 3053 botier TO39

RTjb = 1,2 C/W RTjb = 35 C/W

RTbr = 0,2 C/W (avec graisse) R Tja = 175 C/W

Exercice : calculer la rsistance thermique du dissipateur thermique fixer sur le botier du 2N 3055 lorsque la puissance dissiper vaut 25W ? On donne jMax = 175 C et la temprature ambiante 25 C. Rponse : 4,6 C/W

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