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UNIVERSIDAD POLITCNICA DE MADRID

Escuela Tcnica Superior De Ingenieros De Telecomunicacin

Una Contribucin a las Tcnicas de Diseo Asistido por Ordenador para Antenas y Dispositivos Pasivos de Microondas Basadas en el Mtodo de los Elementos Finitos

TESIS DOCTORAL

Fco. Javier Monge Alonso


Ingeniero de Telecomunicacin Madrid, 2006

DEPARTAMENTO DE ELECTROMAGNETISMO Y TEORA DE CIRCUITOS


Escuela Tcnica Superior De Ingenieros De Telecomunicacin

Una Contribucin a las Tcnicas de Diseo Asistido por Ordenador para Antenas y Dispositivos Pasivos de Microondas Basadas en el Mtodo de los Elementos Finitos

Ingeniero de Telecomunicacin Director:

Fco. Javier Monge Alonso

Autor:

Doctor Ingeniero de Telecomunicacin Catedrtico de Universidad

Juan Zapata Ferrer

Tribunal nombrado por el Mgfco. y Excmo. Sr. Rector de la Universidad Politcnica de Madrid, el da ..... de .............. de 20..... Presidente: Vocal: Vocal: Vocal: Secretario: Realizado el acto de defensa y lectura de la Tesis el da ..... de .............. de 20..... en .............. Calicacin:

EL PRESIDENTE

LOS VOCALES

EL SECRETARIO

Es voluntad del autor la no utilizacin de las aportaciones cientcas propias vertidas en este documento, ni derivaciones de las mismas, con nes militares o en cualquier otra expresin de la violencia.

Agradecimientos
Una buena parte del material presentado en este documento se nutre directamente de la experiencia acumulada durante ms de quince aos por el grupo de trabajo sobre el Mtodo de los Elementos Finitos del departamento de Electromagnetismo y Teora de Circuitos de la Universidad Politcnica de Madrid. Son muchas las personas que a travs de sus proyectos n de carrera, tesis doctorales y labores de investigacin han permitido crear una base de conocimiento sobre la cual se sostiene esta contribucin. Es justo agradecerles a todos ellos su fructfero esfuerzo. De la misma manera, es justo resaltar el inmenso esfuerzo que, de forma perenne, lleva a cabo el doctor Juan Zapata Ferrer al frente de este grupo, gestionando y elaborando todos los trabajos. A lo largo de estos aos, he podido darme cuenta de la na intuicin y la profunda vocacin que esta persona atesora, y que hacen posible el avance a pesar de los muchos obstaculos que rodean a la actividad investigadora. Tan notables son sus cualidades acadmicas como lo son las personales, consiguiendo motivarme positivamente durante toda la direccin de esta tesis. Sin menosprecio de nadie, quiero resaltar tambin la labor de los doctores Jose Mara Gil Gil y Jess Rubio Ruiz por todas sus recomendaciones, en especial las concienzudas correcciones del material publicado y los ejemplos de antenas incorporados en este documento del primero, y la herramienta de translacin de puertas esfricas del segundo. Las medidas sobre el prototipo construido y otras oportunas indicaciones acerca del anlisis de sensibilidad de los diseos se las debo al doctor Jose Ramn Montejo Garai. El trabajo de investigacin es en muchas ocasiones tedioso e ingrato. Es entonces cuando ms aprecias la compaa, amistad y consejo de todos los compaeros de faena reunidos en la sala de doctorandos (G.U.E.T.O.). Esto incluye a todos los doctorandos, amigos y personal del departamento que en alguna ocasin han querido compartir ese espacio con nosotros. Sin duda a todos ellos tambien hay que agradecerles su buena voluntad. Parte de esta tesis se ha llevado a cabo en la Universit degli Studi di Perugia bajo la direccin del Professor Mauro Mongiardo. Quiero agradecerle todo su esfuerzo durante aquellos meses. El mrito por mi inters hacia las matemticas y la fsica corresponde fundamentalmente a mi abuelo Raimundo y a mi profesora de fsica Pilar. Estas dos personas, tan importantes para m, consiguieron inculcarme su aprecio por la ciencia. Muchsimas gracias a los dos. Pero los que realmente me han sufrido, los que pacientemente han tolerado las exigencias que egoistamente les he transmitido debido a la dedicacin que a su vez exige este trabajo, son mis padres, mi hermana y mi novia. A mi padre,

mi madre, Diana y Victoria

: muchas gracias por quererme.

Resumen
En esta tesis doctoral desarrollamos una nueva metodologa de diseo que permite la obtencin de circuitos pasivos de microondas tipo plano-H o con simetra de revolucin con perles arbitrarios. El proceso de diseo culmina con un resultado ptimo independiente del punto de partida. Para obtener una respuesta elctrica con suente eciencia como para ser utilizada en un ciclo iterativo, hemos desarrollado un mtodo de onda completa basado en el Mtodo de los Elementos Finitos (M.E.F.). ste, analiza en dos dimensiones (2-D) estas estructuras, agilizando enormemente el proceso de clculo respecto al caso 3-D. Hemos combinado la segmentacin de circuitos, el barrido en frecuencia (a travs de mtodo de Pad via Lanczos) y el M.E.F. en 2-D, y lo hemos bautizado con sus siglas en ingls como S.F.E.L.P. 2-D. La versin de S.F.E.L.P. 2-D para circuitos plano-H permite analizar estructuras en guaonda como desfasadores, codos, divisores de potencia, dipleores, etc... . Adems, pueden incluirse materiales dielctricos mientras preserven la simetra de la estructura. Los accesos a estos circuitos se hace a travs de puertas planas rectangulares y/o puertas radiales. Incluyendo el nmero de modos preciso en cada puerta, S.F.E.L.P. obtiene la Matriz de Dispersin Generalizada (M.D.G.). A partir de esta matriz conocemos todos los parmetros de inters del dispositivo como las prdidads de retorno, desfases, etc... . La versin de S.F.E.L.P. 2-D para circuitos con simetra de revolucin permite analizar resonadores y diversos tipos de antenas como monopolos, reectores y bocinas (incluidas aquellas cargadas con dilectrico o corrugadas). Cerramos el dominio de anlisis con una puerta esfrica sobre la que se imprime una expansin modal. De la misma manera que antes, obtenemos una M.D.G. que nos proporciona directamente el coecientede reexin y, a travs de la propagacin de modos esfricos, el diagrama de radiacin y la directividad. Hemos desarrollado una tcnica que permite desplazar puertas esfricas que, utilizada junto con la tcnica de segmentacin, permite el anlisis eciente de reectores con S.F.E.L.P. 2-D. Tambin hemos desarrollado un algoritmo de optimizacin que permite encontrar una solucin globalmente ptima al problema electromagntico, teniendo en cuenta las restricciones tecnolgicas de la tcnica de fabricacin con la que vayamos a construir el dispositivo. Empleamos una versin de Simulated Annealing (S.A.) que modica todos sus parmetros de control a travs del muestreo de algunos valores estadsticos. Hemos establecido una condicin de parada que detiene el proceso en el menor nmero de iteraciones y, a la vez, permite obtener un diseo robusto frente a errores en su fabricacin. Con esta herramienta hemos diseado y fabricado un codo de 90 grados de longitud mnima y bajo coeciente de reexin en banda ancha. Adems,

hemos diseado otros circuitos plano-H como desfasadores, divisores de potencia y un diplexor. Por ltimo, hemos diseado bocinas cargadas con dielctrico con simetra de revolucin en diferentes conguraciones, una bocina corrugada y un reector parablico. Todo esto para demostrar la bondad de este mtodo de diseo constituido por S.F.E.L.P. 2-D y S.A..

Abstract
This work addresses the development of a new design methodology which allows us to obtain H-plane or axisymmetric passive microwave circuits with arbitrary prole. The design process ends with an optimised result that is independent of the starting point. We have developed a fullwave method based on the Finite Element Method (F.E.M.) which is able to obtain an electrical response in an enough ecient way to be employed in an iterative loop. This two dimensional (2-D) technique improves the eciency of 3-D ones for certain symmetries. We have mixed the segmentation technique, the fast frequency sweep (through the Pad Via Lanczos method) and the 2-D F.E.M., and we have named it S.F.E.L.P. 2-D. The branch of S.F.E.L.P. 2-D for H-plane circuits can analyse waveguide devices such as phase-shifters, bends, power divider, diplexers, . . . The devices can contain dielectric materials if they keep the symmetry. The accesses to these circuits are implemented with electrical rectangular and/or radial ports. Once the number of modes are established for each port, S.F.E.L.P. obtains the Generalised Scattering Matrix (G.S.M.). This matrix contains all the electrical information of interest such as return loss, phases,. . . The branch of S.F.E.L.P. 2-D for axisymmetric devices can analyse resonators and several types of antennas as monopoles, reectors or horns (also corrugated or loaded with dielectrics). We enclose the domain with a spherical port where a modal expansion is dened. As in the previous case, we obtain the G.S.M. that gives us directly the reection coecient and the radiation pattern through the propagation of the spherical modes. We have developed a technique that moves spherical ports. This technique combined with the segmentation technique allows an ecient analysis of reectors with S.F.E.L.P. 2-D. We have developed an optimisation algorithm that can nd a global solution to the electromagnetic problem taking into account technological constrains. These constrains are imposed by the manufacturing process used for the implementation of the device. We use a version of Simulated Annealing (S.A.) that modify all its control parameters depending on the measure of some other statistical values. We have established a new stop criterion that stops the process with the lowest number of iterations that ensure a global optimum taking into account the sensibility of the device to mechanical tolerances. We have designed and implemented a 90 degrees bend with the lowest length and return losses in wideband by using the previous method (S.F.E.L.P. 2-D + S.A.). We have also designed other H-plane circuits as phase shifters, power dividers and diplexers. Finally we have designed loaded axisymmetric horns in dierent congurations, one corrugated horn and a parabolic reector. All of this has been done to proof the goodness of this design methodology integrated

14 by S.F.E.L.P. 2-D and SA.

ndice general
Glosario 1. Motivacin.
1.1. Estado del arte. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2. Propsito. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.1. State of the art. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2. Objectives. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
iii

1
1 5

1. Motivations.

9 13

I Teora
2. Puertas elctricas.
2.1. Clasicacin. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2. Descripcin. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.1. Denicin de lineas curvas. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2. Mallado de circuitos. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.1. Formulacin del M.E.F.. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.2. Segmentacin elctrica. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.3. Tcnicas de barrido en frecuencia. . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.1. Simulated annealing. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.2. Simplex. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

17
19
20 20 35 42 51 62 62 68 79

3. Mallados en 2D

35

4. Anlisis: S.F.E.L.P. en 2D.

51

5. Diseo: Optimizacin global.

67

II Aplicaciones
6. Circuitos plano-H.
6.1. 6.2. 6.3. 6.4. 6.5. Vericacin del mtodo S.F.E.L.P. en circuitos plano-H. Codo de 90o . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Diseo de desfasadores basados en dielctrico. . . . . . . Divisores de potencia simtricos. . . . . . . . . . . . . . Diplexor. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
i

81
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84 . 86 . 93 . 99 . 104

83

ii

NDICE GENERAL

7. Aproximaciones racionales: Aplicacin. 8. Bocinas cargadas de dielctrico.


8.1. 8.2. 8.3. 8.4. 8.5. Vericacin del mtodo. . . . . . . . Bocina vaca. . . . . . . . . . . . . . Bocina con dielctrico en el centro. . Bocina con dielctrico en los bordes. Bocina con dos dielctricos. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

107 111
112 116 119 121 123

9. Bocinas corrugadas.

9.1. Diseo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 131 9.2. Anlisis de tolerancias. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 132 10.1. Vericacin. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 134 10.2. Diseo y efecto del bloqueo del alimentador. . . . . . . . . . . . . 135

129

10.Antenas reectoras.

133

III

Conclusiones
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

139
141
141 142 143 143 145 146 146 147

11.Consideraciones nales.

11.1. Aportaciones de este trabajo. 11.2. Lineas futuras. . . . . . . . . 11.3. Proyectos de investigacin. . . 11.4. Publicaciones. . . . . . . . . . 11.1. Main contributions. . . 11.2. Further research work. 11.3. Research projects. . . 11.4. Publications. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

11.Final considerations.

145

Bibliografa

149

Glosario
Acrnimos.
2-D 3-D A.G. E.A. G.P.S. M.A.G. M.D.G. M.I.T. N.L.S. P.N. S.A.
Dos Dimensiones, pg. 4. Tres Dimensiones, pg. 4. Algoritmo Gentico, pg. 4. Eciencia de apertura, pg. 31. Global Posisitioning System, pg. 1.

GLO.NA.S.S. Global Navigation Satellite System, pg. 1.


Matriz de Admitancia Generalizada, pg. 2. Matriz de Dispersin Generalizada, pg. 3. Massachussets Institute of Technology, pg. 2. Nivel del primer Lbulo Secundario, pg. 116. Posicion del Primer Nulo de radiacin, pg. 116. Simulated Annealing, pg. 4.

Mtodos numricos.
A.B.C. A.M. A.W.E. B.E.M. D.F.D.F. D.F.D.T.
Absorbing Boundary Condition, pg. 6. Ajuste Modal, pg. 2. Asymptotic Waveform Evaluation, pg. 3.

B.C.M.M. Boundary Contour Mode-Maching, pg. 2.


Boundary Element Method, pg. 3.

B.I.R.M.E. Boundary Integral Resonant-Mode Expansion, pg. 2.


Diferencias Finitas en el Dominio de la Frecuencia, pg. 3. Diferencias Finitas en el Dominio del Tiempo, pg. 3. normal, pg. 56.

L.T./Q.N. Lineal en la componente trangencial y cuadrtico en la componente


iii

iv

GLOSARIO Mtodo de los Elementos Finitos, pg. i. Perfectly-Matched Layer, pg. 6. Pad Via Lanczos, pg. 3. Segmentation technique Finite-Element method and matrix LanczosPad algorithm, pg. i. Transmision Line Matrix, pg. 3.

M.E.F. P.M.L. P.V.L. S.F.E.L.P. T.L.M.

Nomenclatura.
T EM TM TE E H
Frecuencia angular. Constante de propagacin, pg. 23. Modo transversal electromagntico, pg. 24. Modo transversal magntico, pg. 24. Modo transversal elctrico, pg. 24. Impedancia intrnseca: = Campo elctrico, pg. 56. Campo magntico, pg. 56. Permitividad elctrica, pg. 56. Permeabilidad magntica, pg. 56. Longitud de onda, pg. 83.
.

Captulo 1

Motivacin.
En la sociedad actual se han creado ciertas necesidades que vienen satisfechas a travs de servicios de telecomunicaciones. Estas tecnologas permiten ampliar la capacidad de comunicacin entre fuentes y receptores de informacin. Este aumento de la capacidad de comunicacin ha pasado a ser, en algunos casos, una cualidad indispensable. La telefona, televisin e Internet son casos evidentes pero existen muchos ms que operan de forma ms discreta. Sistemas de control de trco areo, martimo o terrestre, sistemas de geolocalizacin como el G.P.S. [1], GLO.NA.S.S. [2] o Galileo [3], radares, instrumentacin mdica [4] tanto para la obtencin de imgenes como para el cuidado de pacientes, almacenamiento y procesado de grandes volmenes de informacin son variopintas aplicaciones de tecnologas de la informacin. Pero detrs de la descripcin del servicio de telecomunicacin deben existir soportes fsicos que efectivamente realicen la funcin. Dentro de los servicios aeroespaciales de telecomunicaciones, encontramos aplicaciones que hacen necesarios dispositivos electrnicos de microondas que cumplan requisitos muy exigentes. Deben permitir el transporte de seales de alta potencia, tener bajas prdidas, buenas cualidades elctricas y robustez mecnica. Con estos condicionantes los dispositivos en guaonda se hacen indispensables [5]. Las herramientas de anlisis electromagntico y optimizacin facilitan el diseo de estos dispositivos. Por este motivo, se est haciendo un gran esfuerzo en mejorar la eciencia y exibilidad del anlisis, adems de la correcta eleccin de la estrategia de optimizacin [6]. As, podremos reducir el coste del diseo de estos dispositivos producido por los repetidos ciclos de fabricacin y medida que tradicionalmente se realizan hasta obtener el diseo nal.

1.1. Estado del arte.


Podemos emplear diferentes estrategias para disear un circuito de microondas. Cada estrategia consiste en diversas combinaciones de mtodos de anlisis y algoritmos optimizadores. Veremos en los puntos siguientes una posible clasicacin de todos estos elementos. 1

CAPTULO 1. MOTIVACIN.

1.1.1. Mtodos de anlisis.


En el anlisis de circuitos pasivos de microondas, tratamos de resolver un problema electromagntico compuesto por las ecuaciones de Maxwell y unas condiciones de contorno [7]. Dependiendo del grado de utilizacin a priori de las condiciones de contorno en la descripcin bsica del mtodo tenemos distintos tipos [8]. As, conforme ms utilicemos esta informacin, menos exible ser nuestro mtodo, pero ms eciente en tiempo de clculo.

1.1.1.1.

Mtodos analticos.

Los constituyen todos los mtodos matemticos de resolucin de ecuaciones diferenciales. Solamente es til para determinadas condiciones de contorno. Algunas geometras permiten la obtencin exacta del valor de los campos electromagnticos. Es habitual el uso de diferentes sistemas de referencia, como cartesianas, esfricas o cilndricas, para el anlisis de formas basadas en rectngulos, cilindros o esferas. Fruto de este mtodo, tenemos la descripcin modal de las guaondas y teora de lineas de transmisin [9]. Tambin se incluye en este apartado el mtodo de aproximacin circuital. ste, es el mtodo tradicionalmente empleado para el diseo de circuitos en guaonda [10]. Fue desarrollado en el M.I.T. Radiation Laboratory y trata de aproximar, en un determinado rango de frecuencias, el comportamiento elctrico del dispositivo. Se vale para ello de la identicacin, a travs de elementos concentrados, de discontinuidades y efectos dispersivos de la energa en la guaonda, y de lineas de transmisin para la conexin de discontinuidades [11]. El mayor problema de esta aproximacin es que slo contempla la transmisin del modo dominante. Conforme las discontinuidades estn ms juntas, la aproximacin ser peor debido a la interaccin de los modos superiores. Estos errores en el anlisis hacen necesario un ajuste mecnico posterior a la construccin del dispositivo. Generalmente, una aproximacin circuital con elementos concentrados permite un prediseo que constituye un punto de partida para la siguiente etapa.

1.1.1.2.

Mtodos semianalticos.

Los mtodos de ajuste modal (A.M.) [12] se basan en el conocimiento de todas las posibles conguraciones electromagnticas, como sumatorios de modos, de las guaondas en estudio. Este conocimiento permite analizar de una forma muy eciente cualquier unin entre guaondas de las que poseamos descripcin modal. Como contrapartida, este tipo de anlisis se restringe al conjunto de dispositivos con geometras resolubles. Existe la posibilidad de obtener la descripcin modal a travs de algn mtodo numrico como el M.E.F. [13, 14, 15] y despus aplicar A.M.. Recientemente, se han propuesto formulaciones que permiten aplicar A.M. a uniones diferentes de las habituales. El B.C.M.M. [16] aproxima el campo a travs de una expansin modal en ondas cilndricas. Incluimos en este apartado el mtodo B.I.R.M.E., que evala los polos y ceros de la M.A.G. de estructuras plano-E y plano-H [17, 18]. As, se consigue una respuesta en toda la banda con slo un anlisis. En [19] se describe tambin una forma ecaz de concatenar matrices obtenidas de este modo.

1.1. ESTADO DEL ARTE.

1.1.1.3. Mtodos numricos generales (de onda completa).


Son formulaciones que permiten el anlisis de casi cualquier estructura a cambio de un mayor coste computacional. La precisin del anlisis incide de forma directa en el tiempo de clculo. Son mtodos como el de D.F.D.T. y D.F.D.F. [20], B.E.M. [21], el T.L.M. o el M.E.F. [22]. Actualmente, se trabaja en la mejora de la eciencia de estos mtodos a travs del empleo de modelos de orden reducido como el A.W.E. o P.V.L. [23, 24]. Se pretende aproximar la respuesta elctrica reduciendo el tamao de las matrices que describen el problema. Paralelamente, se han realizado trabajos con redes neuronales que agilizan enormemente el anlisis [25]. Existen trabajos acerca de mtodos de aprendizaje adecuados para los problemas electromagnticos [26] y la creacin de bibliotecas [27]. Dentro del M.E.F., se ha ensayado con elementos derivados cuyas funciones de forma son combinaciones lineales de funciones de forma del elemento originario, involucrando as matrices con mejores propiedades numricas [28]. Tambin, dentro del M.E.F., se contempla la posibilidad de extraer la informacin redundante de las matrices a travs de conceptos como tree y cotree [29]. Otros mtodos, como la segmentacin tratan de dividir el dominio en otros que, o bien son analizables de forma exacta, o bien son de menor tamao, y adems se les puede aplicar el mtodo numrico mas conveniente [30]. Finalmente, podemos obtener la respuesta completa a travs de la interconexin de las M.D.G.. Muchos de estos mtodos han dado lugar a paquetes informticos comerciales como el MEFiSTo, basado en T.L.M., o el HFSS de Ansoft, basado en el M.E.F., o C.S.T. de Microwave Studio. Todos estos paquetes incluyen una potente herramienta grca que facilita enormemente la introduccin de los datos geomtricos y elctricos del dispositivo.

1.1.2. Mtodos de optimizacin multivariable.


Existen dos estrategias fundamentales. Optimizadores locales y globales. Esta distincin obedece a la dependencia o no del resultado nal del punto de partida. Los optimizadores locales son utilizados de forma habitual para el diseo de dispositivos, porque ofrecen resultados relativamente buenos en pocas decenas de iteraciones. Se pueden clasicar segn qu informacin utilicen para guiar el algoritmo. As, tenemos: [31] Los que no usan derivadas como el Simplex y los mtodos basados en conjuntos de direcciones como el de Powell. Los que usan la informacin del Jacobiano de la funcin de coste, tambin nombrados mtodos de gradientes conjugados. Estn en este grupo el algoritmo de Fletcher-Revees y el de Polak-Ribiere. Los que usan informacin del Hessiano o aproximaciones del mismo, tambin llamados mtodos quasi-Newton, como el Davindon-Flectcher-Powell o el Broyden-Fletcher-Goldfarb-Shanno. Conforme los mtodos de anlisis son ms ecaces, los algoritmos de optimizacin global cobran mayor importancia. Estos, precisan de algunos miles de

CAPTULO 1. MOTIVACIN.

iteraciones para devolver un resultado. Dentro de este grupo estn los Algoritmos Genticos (A.G.) [32] que se inspira en la evolucin de los seres vivos, Simulated Annealing (S.A.) [33] inspirado en el enfriamiento lento de cristales y Ant Colony Optimisation [34] inspirado en el comportamiento de las hormigas. El mtodo Tabu Search [35] explora el espacio de soluciones prohibiendo de forma sistemtica ciertos estados para impedir ciclos y caer en mnimos locales. Existen en la literatura numerosos esfuerzos por disminuir el nmero de iteraciones precisas para alcanzar un resultado. Algunos emplean modelos racionales y tcnicas de identicacin de sistemas que describan mejor el dispositivo elctrico [36]. Otros calculan a la vez el valor de la funcin de coste y su gradiente [37]. Tambin se emplean tcnicas hbridas combinando mtodos de optimizacin y de anlisis. Estos conceptos son utilizados profusamente en Space Maping, donde se contempla la utilizacin de un anlisis rpido e inexacto corregido por otro ms lento y preciso [38]. En [39], se combina el A.G. y el muestreo en frecuencia acelerando el proceso de optimizacin estimando la respuesta en toda la banda con fracciones polinmicas. Se describen en [40] otros mtodos hbridos con redes neuronales con precisin suciente para disear.

1.1.3. Herramientas de diseo.


Actualmente los mtodos ms ecaces para el diseo de ltros incluyen el prototipado [41]. De forma analtica o a travs de datos tabulados, obtenemos unas dimensiones de nuestro dispositivo partiendo de un modelo paso bajo predenido con respuestas tipo Buterworth, Chevichev, etc... . Pero no todos los circuitos de microondas permiten este tipo de estrategias. Ni siquiera el prototipado garantiza la mejor geometra posible. Por este motivo, se sigue investigando en diferentes estrategias de diseo. Estas herramientas son obtenidas como combinacin de los mtodos de anlisis y optimizacin anteriores. El inters por estos mtodos radica en la posibilidad de reducir drsticamente los costes de desarrollo de dispositivos. Tanto la exibilidad y la eciencia numrica del analizador, como la correcta eleccin del optimizador, son parmetros esenciales en la construccin de la herramienta. En [42], se emplea el mtodo B.I.R.M.E. y un algoritmo de optimizacin basado en gradiente para disear guaondas plano-H/E con formas irregulares cuyo perl es denido por lineas poligonales. En [43] se emplea el M.E.F. 3D, el mtodo de la variable adjunta y un algoritmo de mximo descenso para disear una transicin entre guaonda y microstrip. En [44], se describe una versin modicada del mtodo de la variable adjunta, que no requiere el clculo de campos adicionales, aplicado al diseo de un dispositivo en guaonda en 2-D con un optimizador quasi-Newton. En [37], encontramos una tcnica de optimizacin basada en gradiente con el M.E.F. para el diseo componentes en guaondas en 2-D. A pesar de que las tcnicas de optimizacin global pueden evitar caer en mnimos locales, stas no suelen ser empleadas con el M.E.F.. Sin embargo las ltimas mejoras en este mtodo permiten su uso al reducir el tiempo de anlisis en toda la banda a unos pocos segundos. En [45], se sugiere una versin 2-D del mtodo de segmentacin y el M.E.F. expuesto en [46] para el diseo de una carga adaptada en banda ancha denida por lineas poligonales con algoritmo gentico.

1.2. PROPSITO.

1.2. Propsito.
El objetivo de este trabajo es desarrollar un mtodo de diseo de dispositivos en guaonda, antenas de bocina y reectores de perl arbitrario basado en tcnicas de anlisis de onda completa y algoritmos optimizadores globales. La denicin del perl es absolutamente libre, nicamente sujeta a restricciones que posibiliten la fabricacin con la tecnologa seleccionada. Se ha desarrollado una particularizacin en 2-D del mtodo S.F.E.L.P. descrito en [47] y una versin del algoritmo S.A. adaptativa descrita en [33]. Se han seleccionado circuitos plano-H que comprenden dispositivos como codos, divisores de potencia, desfasadores, ltros, diplexores etc ... que adems pueden contener dielctricos. Estos anlisis podran extenderse sencillamente a casos de circuitos plano-E. Las antenas de bocina con simetra de revolucin pueden estar completamente o slo parcialmente rellenas de dielctrico y presentar, ste tambin, un perl denido por curvas. Tambin, disearemos una bocina corrugada y una antena reectora.

1.2.1. Malladores y Simulated Annealing.


El algoritmo optimizador S.A. encuentra un mnimo global de una funcin de coste multivariable a travs de sucesivas evaluaciones de sta. El resultado nal es independiente del punto de partida. Para no quedar atrapado en un mnimo local, se contempla la posibilidad de saltar eventualmente a conguraciones de peor evaluacin. Este comportamiento viene matizado por unos parmetros que a su vez van siendo adaptados conforme a ciertos datos estadsticos del problema en estudio. El algoritmo S.A. precisa de un nmero elevado de ciclos (alrededor de 13.000 evaluaciones de la funcin de coste en nuestros ejemplos) para producir un resultado. Una estrategia para reducir este nmero, consiste en parar S.A. cuando el algoritmo ya no salga de la regin en la que ha detectado mayor probabilidad de encontrar el mnimo global, y dejar que sea un optimizador local como el Simplex quin termine el trabajo. Todas estas decisiones se toman, como hemos dicho, de forma automtica sin intervencin humana y conforme a datos estadsticos. Utilizamos el M.E.F. para la evaluacin de la funcin de coste, por tanto tenemos que mallar el dispositivo. El software mallador debe permitir acometer este trabajo de forma robusta, incluso ante la presencia de perles curvilneos. Utilizaremos una concatenacin de funciones polinmicas de segundo grado para denir las curvas. Esta eleccin ha sido preferible al empleo de splines cbicas por cuestiones geomtricas por un lado y conveniencia con el elemento empleado en el M.E.F., como veremos posteriormente.

1.2.2. Circuitos plano-H.


El mtodo S.F.E.L.P. permite obtener de forma eciente la respuesta elctrica en banda ancha de un circuito de forma arbitraria en 3-D. Sin embargo, el elevado nmero de iteraciones hace necesario que el tiempo de anlisis sea de unos pocos segundo. El S.F.E.L.P. restringido a 2-D permite obtener resultados con esta eciencia.

CAPTULO 1. MOTIVACIN.

Figura 1.1: Dispositivo genrico de tres puertas en guaonda plano-H.

Figura 1.2: Circuito genrico con simetra de revolucin.

1.2.3. Circuitos con simetra de revolucin.


Los circuitos con simetra de revolucin pueden ser analizados igualmente con el S.F.E.L.P.. Se aplica la reduccin de dimensin aumentando, as, la ecacia del mtodo. En el caso de las antenas, debemos cerrar el dominio de alguna forma. En la literatura se encuentran tcnicas como el P.M.L. [48], A.B.C. o una expansin de modos esfricos [49] sobre una supercie esfrica que limita el domino que debemos mallar. En este trabajo, empleamos la expansin modal que permite resolver el problema en trminos de M.D.G. y calcular el campo radiado como superposicin de los modos esfricos. As, podemos obtener fcilmente datos como las perdidas de retorno, directividad y diagrama de radiacin. Presentaremos diseos de antenas de bocina cargadas con uno o ms dielctricos, bocinas corrugadas y reectores.

1.2.4. Organizacin del texto.


Dividimos la exposicin de este trabajo en tres partes:

1.2. PROPSITO.

1. Teora: Describimos los fundamentos fsicos y matemticos sobre los que se apoya esta herramienta de diseo de circuitos. En el segundo captulo, exponemos el concepto de puerta elctrica y desarrollamos aquellas que empleamos en esta tesis. Hacemos especial nfasis en el desarrollo de la puerta esfrica, que nos permite analizar antenas, y la translacin de segn el eje z de estas puerta, imprescindible para el anlisis de reectores. En el tercer captulo, abordamos los problemas relacionados con el mallado de estructuras en 2-D. Desarrollamos un mtodo de descripcin de perles curvos, robusto frente a errores numricos, que pueda utilizarse en un ciclo optimizador. Tambin estudiamos las caractersticas que debe satisfacer el mallado de un dispositivo para cumplir con las restricciones tecnolgicas del proceso de fabricacin posterior. En el cuarto captulo, desarrollamos el mtodo S.F.E.L.P. 2-D. Lo describimos en detalle para el caso plano-H y el de simetra de revolucin. Se explica el fundamento de la tcnica de segmentacin y se exponen dos tcnicas de barrido en frecuencia: una es la que se integra en S.F.E.L.P. (Pad Via Lanczos ) y la otra est basada en las aproximaciones racionales de los elementos de la M.D.G.. En el quinto captulo, desarrollamos un algoritmo optimizador basado en S.A. que adaptamos al problema electromagntico. Este mtodo modica sus parmetros de control conforme al valor estimado de ciertas magnitudes estadsticas durante el proceso de optimizacin. Se ha establecido una condicin de parada que detiene el proceso en el menor nmero de iteraciones y que, a la vez, permite obtener un diseo robusto frente a errores de fabricacin. 2. Aplicaciones: Vericamos el buen funcionamiento de la herramienta descrita en el punto anterior. En el sexto captulo, vericamos el correcto funcionamiento de S.F.E.L.P. 2-D para circuitos plano-H + S.A., diseando, construyendo y midiendo un codo de 90 grados con 7 tramos curvos. Adems, reproducimos ejemplos tomados de la literatuta y diseamos otros dispositivos plano-H con perl arbitrario. En el sptimo captulo, empleamos la tcnica de expansin en frecuencia a travs de aproximaciones racionales para analizar un ltro en cavidades rectangulares. En el octavo y noveno captulo, vericamos el correcto funcionamiento de S.F.E.L.P. 2-D para circuitos con simetra de revolucin + S.A., reproduciendo dos bocinas tomadas de la literarura y diseando una bocina corrugada y varias antenas de bocina cargadas con dielctricos en diferentes conguraciones. Todo con perles curvos. En el dcimo captulo, aplicamos la tcnica de segmentacin, desplazamientos de puertas esfricas y S.F.E.L.P. 2-D para circuitos con simetra de revolucin para disear un reector parablico alimentado con una bocina cnica.

CAPTULO 1. MOTIVACIN. 3. Conclusiones: Resumimos los principales logros esta tesis doctoral y apuntamos algunas lineas para futuras investigaciones.

Chapter 1

Motivations.
Nowadays, many needs have been created and some of them come satised through telecommunication services. These technologies allow to extend the capacity of communication between information sources and receivers. This increase of communication capacity has become essential for many activities. Telephony, television or Internet are some evidences. But there are others that operate in a more discreet way. Control systems of aerial trac, marine or terrestrial geolocalization systems like G.P.S. [1], GLO.NA.S.S. [2] or Galileo [3], radars, storage and processing of great volumes of information and medical instrumentation [4] for obtaining images and for the assistance of patients, are examples of information technology applications. But behind the description of a communication service must be a physical support that indeed implements electrical functions. Within the aerospace communication services, we nd applications that do necessary involve microwave devices to fulll very demanding requirements. Microwave devices must guide high power signals with low losses, good electrical qualities and mechanical robustness. Under these requirements, the waveguide devices become essentials [5]. The analysis and optimisation tools for electromagnetic devices can help us in the the design of these devices. For this reason the community is working towards a more ecient and exible analysis algorithms in connection with a suitable optimisation strategy [6]. In this way, we will be able to reduce the design cost of these devices that in other way should be designed by repeated cycles of implementation and measurement until obtaining the nal design.

1.1. State of the art.


We can use dierent strategies for the design of microwaves devices. Each strategy consists of diverse combinations of analysis methods and optimisation algorithms. We will see a possible classication of all these elements in the following points. 9

10

CHAPTER 1. MOTIVATIONS.

1.1.1. Analysis methods.


In the analysis of microwave passive circuits we solve a Maxwell electromagnetic problem with boundary conditions [7]. We can classify the analysis method based on the use in advance of the information contained in the boundary conditions [8]. In this way, the more we use this information the less exible the method is but more ecient.

1.1.1.1.

Analytic methods.

The set of analytic analysis method consist of all the mathematical methods of resolution of dierential equations. They are only useful for some boundary conditions. Some geometries allow the exact evaluation of the electromagnetic elds contained in them. The use of dierent reference systems like cartesians, spherical or cylindrical for the analysis of devices based on rectangles, cylinders or spheres are commonly used. As a result of this technique, we have the electromagnetic modal solutions of waveguides and the transmission line theory [9]. The method of circuital approximations is also included in this set. This method is usually employed for the design of waveguide devices [10]. It was developed in the M.I.T. Radiation Laboratory and it tries to approximate, in a certain band of frequencies, the electrical behavior of the device. It replaces the discontinuities by concentrated elements and uses transmission lines for theirs connection [11]. The main problem of this approach is that it only contemplates the transmission of the dominant mode. As the closer are the discontinuities the higher will be the interaction between superior modes and worse will be the approach. These errors make necessary a manual adjust of the device after its implementation. The method of circuit approximation usually gives a good starting point for the next design stage.

1.1.1.2.

Semi-analytic methods.

The Mode Matching methods (M.M.) [12] are based on knowledge of all possible electromagnetic congurations, like a sum of modes, of the waveguide under study. This knowledge allow us to analyze, in a very ecient way, any union between waveguides through their modal expansion. Its counterpart is that this type of analysis is restricted to the set of devices with resolvable geometries. On the other hand, the modal expansion of many devices can be obtained through numerical method like the Finite Element Method (F.E.M.) [13, 14, 15] and then it is possible the application of M.M.. Recently, new formulations have been proposed to apply M.M. into not standard unions. For example, B.C.M.M. [16] approximates the eld through a modal expansion in cylindrical waves. We have included in this section the B.I.R.M.E. method that evaluates poles and zeros of the M.A.G. of H-plane and E-plane devices [17, 18]. In this way it is possible to obtain a fullband response with only one analysis. It is also described in [19] an eective way to concatenate the matrices obtained by the previous method.

1.1. STATE OF THE ART.

11

1.1.1.3. Full wave methods.


These methods can analyze almost every structure but with a high computational cost. The computational time grows with analysis accuracy. We are speaking about methods like D.F.D.T. and D.F.D.F. [20], B.E.M. [21], the T.L.M. or the F.E.M. [22]. One way to improve the eciency of these methods is the use of reduced order models like A.W.E. or P.V.L. [23, 24]. They approximate the electrical response by reducing the size of matrices involved in the problem. At the same time, techniques with neuronal networks have been proposed with the same objective [25]. Learning methods adapted to electromagnetic problems [26] and the denition of libraries [27] have been also proposed as solutions to speed up analysis process. In the F.E.M. environment, it has been proposed techniques that employs derived elements whose form functions combinations linear of form functions of form of the original element generating matrices with better numerical properties [28]. It has been proposed the possibility of removing the redundant information of matrices through concepts like tree and cotree [29]. Other speed up methods like the segmentation, splits the problem in a sum of subproblem that can be solved separately with the most suitable technique and rebuild the global response from those of each region in a faster way than with a single analysis [30]. Many of these methods have been commercialised as computer programs like the MEFiSTo, based onT.L.M., or the HFSS of Ansoft, based on F.E.M., or the C.S.T of Microwave Studio. All these packages include a powerful graphical interface that help the introduction of the geometric and electrical data of the device under study.

1.1.2. Multivariate optimisation methods.


There are two main strategies: global and local optimisation. This classication is based on the dependence of the nal result on the starting point or not. Local optimisers are commonly used for designing because they oer relatively good results in a few hundreds of iterations. They can be classied according to what information they use to guide the algorithm. So we have: [31] Algorithms that do not use derivatives like the Simplex and methods based on sets of directions like the method of Powell. Algorithms that use the Jacobean information of the cost function, also named methods of conjugated gradients. There are inside this group algorithms like Fletcher-Revees and Polak-Ribiere. Algorithms that use information of the Hessian or its approaches also named Quasi-Newton methods. There are inside this group algorithms like Davindon-Flectcher-Powell or Broyden-Fletcher-Goldfarb-Shanno. As the analysis methods are getting more eective, global optimisers become more interesting. These methods need some thousands iterations to give back a result. Inside this group we can nd techniques such as Genetic Algorithms

12

CHAPTER 1. MOTIVATIONS.

(G.A.) [32], inspired with the evolution of the life, Simulated Annealing (S.A.) [33], inspired in the slow crystal cooling, and Ant Colony Optimisation [34], inspired in the ants behavior. The method called Taboo Search [35] explores the solutions space forbidding systematically some states to prevent cycles and not to fall in local minimums. There is a big eort in the literature to reduce the number of iterations needed to nd a global minimum. The use of rational models and system identication have been proposed to improve the electrical description of the device [36]. Other authors simultaneously calculate the value of the cost function and its gradient [37]. Hybrid techniques have been also proposed combining dierent optimization and analysis methods. All these concepts are profusely used in the Space Mapping technique where slow and fast analysis methods are used guaranteeing a good accuracy [38]. In [39] the G.A. is combined with a frequency sampling technique increasing the speed of the optimization process thanks to rational interpolation technique. There are other speed up methods based on neural networks [40] ready to be included in a optimisation loop.

1.1.3. Design tools.


At the moment, the most eective methods for the design of lters include prototypes [41]. Starting with a baseband model like Buterworth type, Chevichev, etc... this technique analytically or through tabulated data obtains the dimensions of the design. But not all microwave devices allow theses strategies. In addition, this technique does not guarante the best possible geometry. For this reason there is a big eort in the improvement of other design strategies. Many of the new proposals come from the combination of the previously mentioned analysis and optimisation techniques. The interest on these methods are focused in the development costs reduction of microwave circuits. The exibility and the eciency of the analysis method and the correct choice of the optimizer are essential parameters in the denition of the design tool. In [42], B.I.R.M.E. and a gradient based algorithm has been proposed for the design H/E-plane waveguide devices with irregular forms whose prole is dened by polygonal lines. In [43], a F.E.M. 3-D analyzer, the adjoint variable method and a climb optimizer are proposed for the design of a transition between a waveguide and a microstrip. In [44] it is described a modied version of the adjoint variable method that does not require the additional evaluations of elds applied to the design of a waveguide device in 2-D with a quasi-Newton optimizer . In [37] we nd a gradient based optimisation technique with F.E.M. for the design of waveguide components in 2-D. Although global optimization techniques can avoid to fall in local minimums, they are not commonly combined with F.E.M.. Nevertheless, the last improvements in this method allow its use because of the broadband analysis evaluation time improvement to a few seconds. In [45] it is suggested a 2-D version of the segmentation method and the F.E.M. exposed in [46] for the design with a G.A. of a dielectric loaded matched load in broadband whose prole is dened by polygonal lines.

1.2. OBJECTIVES.

13

1.2. Objectives.
The objective of this work is the development of a design method for waveguide devices, horn antennas and reectors with arbitrary prole based on fullwave analysis techniques and global optimizers. The denition of the prole is absolutely free. Only technological restrictions are imposed to the designed prole to allow its manufacture with the preselected technology. In this work, we have developed a 2-D version of S.F.E.L.P. whose general case is described in [47] and a modication of the version of the adaptive S.A. algorithm described in [33]. We have studied H-plane circuits such as bends, power dividers, phase shifters or diplexers. All of them can contain dielectrics. This technique can be easily translated to E-plane circuits. Axisymetric horns can be completely or partially loaded with dielectrics with arbitrary shape too. We will also design a corrugated horn and a parabolic reector.

1.2.1. Meshers and Simulated Annealing.


The S.A. optimiser nds the minimum value of the cost function across several iterations. The nal result is independent of the starting point. In order to not fall into a local minimum, it is possible to jump to worse states under some circumstances. The behaviour of the algorithm is driven by some statistical measurements that are calculated while the optimization is been excuted. The S.A. algorithm need a high number of iteration to be completed (around 13.000 evaluations of the cost function, in our experience). A strategy to reduce this number consists of stopping the process near the global minimum and let Simplex (local optimiser) to nish the job. All these things are automatically done thanks to a suitable stop condition developed for the special case of electromagnetic problems. We employ F.E.M. for the evaluation of the cost function, so we need to make a mesh for each device. The mesher software should do its work under problematic circumstances, even when curved proles are present. We employ a chain of second degree polynomial functions to dene these curves. We prefer this choice against the use of cubic splines because of geometric reason, robustness, and opportunity. That is: the reference element are mapped with the same type of polynomial functions, as we will see later.

1.2.2. H-plane circuits.


The S.F.E.L.P. method can nd eciently the electrical response in broadband of arbitrary shape circuits in 3-D. But the high number of iterations needed for global optimization demands a more ecient technique. The 2-D S.F.E.L.P. developed in this work, allows us to obtain an electrical response in broadband in a faster way, enough for designing.

1.2.3. Axisymmetric circuits.


The axisymmetric circuits can be also analysed by S.F.E.L.P.. We reduce the problem to 2-D to increase the eciency. In any case, antennas must be

14

CHAPTER 1. MOTIVATIONS.

Figure 1.1: Generic three port H-plane device.

Figure 1.2: Generic axisymmetric device. enclosed in a domain to be able to apply F.E.M.. In the literature we can nd several techniques such as P.M.L. [48], A.B.C. or an expansion spherical modes [49] over a spherical surface where the device is contained, to face this problem. In this work we use the modal expansion to solve the problem in terms of G.A.M.s and the radiated eld is evaluated as a sum of spherical modes in far eld. In this way we can easily obtain the directivity, radiation patters and the reection coecient. We will show designs of dielectric loaded horns, corrugated horns and reectors

1.2.4. Text organization.


We divide the exposition of this work in three parts: 1. Theory: Here we describe physical and mathematical ideals under the design method. In the second chapter, we explain the electrical port concept and

1.2. OBJECTIVES.

15

we develop those ports used in this PhD Thesis. We make especial emphasis in the development of the spherical port, that allows us the analysis of antennas. We also explain here the z translation of this port which is essential for the analysis of reectors. In the third chapter, we expose the problem related to the mesh of circuits in 2-D. We develop a particular way of denition of curved proles which are robust against numerical errors and can be used in a optimisation loop. We also study the geometrical condition that a mesh should complain to satisfy the constrains of the following implementation process. In the chapter number four, we develop the S.F.E.L.P. in 2-D. A description of the mathematical details of this formulation for H-plane and axisymmetric circuits is done. We expose the fundamentals of the segmentation technique and two fast frequency sweep algorithms: the rst algorithm is Pad Via Lanczos which is integrated in S.F.E.L.P., and the second is a rational approximation technique. In the chapter number ve, we develop an optimisation algorithm based on S.A. adapted to electromagnetic problems. This algorithm modify its control parameters according to some statistical values measured during the process. We have established a new stop criterion that stops the process with the lowest number of iterations that ensure a global optimum taking into account the sensibility of the device to mechanical tolerances. 2. Applications: We verify the functionality of the design tool previously exposed. In the chapter number six, we verify the functionality of S.F.E.L.P. 2D for H-plane circuits + S.A.. We design, manufacture and measure a 90 degrees bend with 7 curved segments. We also analyse examples taken from the literature and design other H-plane circuits with arbitrary prole such as phase shifters, power divider and diplexers. In the chapter number seven, we use the rational approximation of the Generalised Scattering Matrix (G.S.M.) elements technique for the analysis of a rectangular cavity lter. In the chapters number eight and nine, we verify the functionality of S.F.E.L.P. 2-D for axisymmetric circuits + S.A.. We analyse two horns taken from the literature and we design a corrugated horn and several dielectric loaded horns with dierent congurations. All of them with curved proles. In the chapter number ten, we apply the segmentation technique and the spherical port shift technique with S.F.E.L.P. 2-D for axisymmetric devices for the design of a parabolic reector. 3. Conclusions: We will summarise the main contributions of this work and some future lines still opened for further researches.

16

CHAPTER 1. MOTIVATIONS.

Parte I

Teora

17

Captulo 2

Puertas elctricas.
La descripcin elctrica de un dispositivo que ocupa un dominio V queda unvocamente determinada si en toda su frontera V se especica la componente tangencial del campo magntico o la componente tangencial del campo elctrico o parte de la frontera con la componente tangencial de un campo y el resto con la otra [50]. Estos datos constituyen las condiciones de contorno del problema electromagntico. Habitualmente, nuestro circuito est casi completamente limitado por un material conductor, que consideramos perfecto, salvo en ciertas regiones que denominaremos puertas elctricas. El conductor perfecto impone una componente tangencial nula del campo elctrico y en las puertas queda determinado de forma paramtrica de modo que se cumplan las condiciones de unicidad de la solucin de las ecuaciones de Maxwell. Las puertas son entendidas, generalmente, como zonas de acceso al dispositivo. La funcionalidad del circuito queda sujeta a la relacin entre los campos de la misma o distintas puertas. Estos campos son parametrizados a travs de modos electromagnticos o distribuciones particulares de campo admisibles en cada geometra. En el caso de que en el volumen V tengamos medios con comportamiento lineal, esta dependencia se expresa a travs de matrices como la M.A.G. o la M.D.G. [51]. Para resolver un problema electromagntico empleando un mtodo numrico, debemos mallar el dominio. En todo caso, el tiempo de clculo est relacionado con el nmero de elementos del mallado. Las puertas limitan el alcance del dominio que tenemos que mallar. En algunos dispositivos, como las antenas, esta circunstancia es crtica. En principio, para conocer el campo radiado deberamos contemplar todo el espacio en nuestro problema. Esto hara inservible el mtodo en la prctica. Si encerramos la antena en una puerta esfrica, slo tenemos que mallar el interior de sta y obtenemos el campo radiado como propagacin de los modos esfricos. La sosticacin geomtrica y el tamao de los dispositivos nos lleva al empleo de mallados muy tupidos. En ocasiones, es preferible dividir el dominio en secciones que puedan ser analizadas separadamente. Como la relacin entre el nmero de grados de libertad y el tiempo de clculo es del orden de N 1,8 , la suma del tiempo de anlisis de las secciones es inferior al del anlisis en bloque. Adems, algunas de las secciones podra permitir un estudio analtico. La conexin de las partes se hace a travs de las puertas. Por tanto, una correcta 19

20

CAPTULO 2. PUERTAS ELCTRICAS.

disposicin de stas puede mejorar la eciencia del anlisis. Otro punto importante, donde la eleccin de una puerta es decisiva, es el aprovechamiento de las simetras del problema. En circuitos plano-H/E las puertas rectangulares y radiales permiten la reduccin del problema a otro de dos dimensiones. Lo mismo pasa con las puertas circulares, coaxiales y esfricas en dispositivos con simetra de revolucin. En todo caso, este captulo no trata de dar una descripcin exhaustiva del asunto, sino ms bien, una visin estructurada de la construccin de tensiones y corrientes equivalentes denidas a partir de la expansin modal de cada tipo de puerta. En cada apartado se darn referencias bibliogrcas donde podr encontrarse una informacin ms exahustiva.

2.1. Clasicacin.
Las guras 2.2, 2.4, 2.6, 2.8 y 2.10, muestran dispositivos que emplean puertas rectangulares, circulares, coaxiales, radiales y esfricas respectivamente. stas son las ms utilizadas porque los modos en ellas son obtenidos analticamente. Es posible, en cualquier caso, emplear puertas planas de seccin arbitraria cuyos modos sean obtenidos numricamente. Debemos especicar para cada puerta una expresin del campo tangencial de la forma:

Et = Ht =
siendo:

i=1 Vi (u1 ) eti (u2 , u3 ) i=1 Ii (u1 ) hti (u2 , u3 )

Et y Ht las componentes tangenciales del campo elctrico y magntico en una puerta. eti (u2 , u3 ) la parte de la componente tangencial del campo elctrico del modo i que depende de las coordenadas transversales. hti (u2 , u3 ) la parte de la componente tangencial del campo magntico del modo i que depende de las coordenadas transversales. Vi (u1 ) parmetros de ponderacin del campo elctrico del modo i. Ii (u1 ) parmetros de ponderacin del campo magntico del modo i.
Las puertas rectangulares, circulares y coaxiales suelen emplearse como accesos al circuito que se identican con los accesos fsicos. La puerta radial es til para la segmentacin de secciones en el seno de un circuito plano-H/E como se muestra en la gura 2.8. La puerta esfrica es de vital importancia en el caso de las antenas como ya hemos advertido en la seccin anterior.

2.2. Descripcin.
Presentamos a continuacin la denicin de los modos electromagnticos para cada puerta con sus tensiones y corrientes equivalentes asociadas utilizadas en este trabajo.

2.2. DESCRIPCIN.
y b

21

1 0 0 1

Figura 2.1: Denicin de los ejes coordenados en la puerta rectangular.

2.2.1. Puerta rectangular.


La componente transversal de los modos en una guaonda rectangular tiene la forma siguiente: 1. Modos T Mmn :
ex = kx cos(kx x)sen(ky y ) 2
c

ey = ky sen(kx x)cos(ky y ) 2
c

hx =

k j y 2 c

sen(kx x)cos(ky y )
c

x hy = j k 2 cos(kx x)sen(ky y )

con m y n enteros positivos distintos de cero. 2. Modos T Emn :

ex = j y cos(kx x)sen(ky y ) 2
c x ey = j k 2 sen(kx x)cos(ky y ) c

hx = k x sen(kx x)cos(ky y ) 2
c

hy = k y cos(kx x)sen(ky y ) 2
c

con m y n enteros positivos incluido el cero, pero no ambos a la vez. donde

kx = ky =

m a n b

2 2 2 c = ky kx 2 2 2 = 2 + ky + kx

Las tensiones y corrientes equivalentes quedan denidas as:

22

CAPTULO 2. PUERTAS ELCTRICAS.

Figura 2.2: Localizacin de la puerta rectangular en codo de 90 circular.


V + (z ) V (z )

V (z ) =V + ez + V ez
I + (z ) I (z )

I (z ) =V + ez V ez
Este modo de denir las tensiones y corrientes equivalentes es general para todas las puertas planas. Una descripcin completa de los campos en gua rectangular puede encontrarse en [50].

2.2.2. Puertas con simetra cilndrica.


El campo en el seno de una estructura en el que las condiciones de contorno sean constantes en algn plano coordenado del sistema cilndrico [52, 50] es de la forma:

ez hz
donde

modos T M modos T E

= R () F () Z (z )

R () = A Jn (kc ) + B Nn (kc ) F () = C cos (n) + D sin (n) Z (z ) = E ez

e = e = h =

1 2 kc 1 2 kc 1 2 kc

z e +

j hz

ez hz + j j ez
z h

2.2. DESCRIPCIN.

23

a x

Figura 2.3: Denicin de los ejes coordenados en la puerta circular.

h =

1 2 kc

z j e +

hz

donde
2 2 = 2 + kc

Jn (kc ) y Nn (kc ) son las funcin de Bessel de primera y segunda 2 f 1 df especie de orden n solucin de la ecuacin diferencial d d2 + d +
2 kc n2 2

f =0

Estas expresiones describen una onda incidente segn z. La onda regresiva tiene la misma expresin que sta salvo por la sustitucin de por . A este conjunto de expresiones se les aplica las condiciones de contorno de gua circular, radial y coaxial. A partir de la expresin del campo, se denen las tensiones y corrientes equivalentes.

2.2.2.1. Puerta circular.


La componente transversal del campo de la guaonda circular tiene la forma siguiente: 1. Modos T Mnl :

e = e =

kc Jn (kc ) cos (n + 0 ) n 2 Jn (kc ) sen (n + 0 ) kc j0 r n Jn 2 kc

h =

(kc ) sen (n + 0 )

24

CAPTULO 2. PUERTAS ELCTRICAS.

Figura 2.4: Localizacin de la puerta circular en una bocina.

h = donde:

j0 r kc Jn

(kc ) cos (n + 0 )

m es entero positivo distinto de cero y l es entero positivo. 2 2 = 2 + kc Pnl kc = a Pnl es la raz l-sima de Jn = 0

2. Modos T Enl :

e = e = h =

jn 2 Jn kc j kc Jn

(kc ) sen (n + 0 )

(kc ) cos (n + 0 ) (kc ) sen (n + 0 )

h = k J (kc ) cos (n + 0 ) c n

donde:

n 2 Jn kc

m es entero positivo distinto de cero y l es entero positivo. 2 2 = 2 + kc kc =


Pnl a

Pnl es la raz l-sima de Jn = 0 En esta geometra tenemos al menos un modo degenerado que llamaremos horizontal (0 = 90) por cada modo vertical (0 = 0). Las tensiones y corrientes equivalentes se denen de la misma forma que en el caso de cualquier puerta plana. En la referencia [50], se describe los detalles de esta guaonda.

2.2.2.2.

Puerta coaxial.

Esta estructura soporta un modo T EM adems de los modos superiores T M y T E.

2.2. DESCRIPCIN.

25

1111111 0000000 0000000 1111111 0000000 1111111 0000000 1111111 0000000 1111111 0000000 1111111 0000000 1111111
2

Figura 2.5: Denicin de los ejes coordenados en la puerta coaxial. 1. Modo TEM

e = h =
donde =

1 ln 1
2

1 ln
1 2

2. Modos TM y TE Las expresiones de los campos son de la forma expuesta en 2.2.2, cumpliendo las condiciones de contorno de conductor perfecto en 1 y 2 . La constante kc se debe satisfacer para modos TM la siguiente condicin:
Nn (kc 1 ) Jn (kc 1 )

Nn (kc 2 ) Jn (kc 2 )

y para modos TE:


Nn (kc 1 ) Jn (kc 1 )

Nn (kc 2 ) Jn (kc 2 )

La denicin de las tensiones y corrientes equivalentes es como en las dems puertas planas.

2.2.2.3. Puerta radial.


La denicin de tensiones y corrientes equivalentes en guaondas nos es til para poder aplicar el tratamiento matricial desarrollado en teora de circuitos

26

CAPTULO 2. PUERTAS ELCTRICAS.

Figura 2.6: Localizacin de la puerta coaxial en una antena de parche. en los dispositivos de microondas. Estas tensiones y corrientes deben contener la informacin de la potencia transportada por las ondas progresivas y regresivas, si lo que deseamos es que los parmetros de dispersin tengan relacin con la distribucin de potencia en el dispositivo. En los casos anteriores (puertas planas), la tensin equivalente estaba directamente relacionada con la amplitud de la componente transversal de los campos. En el caso la puerta radial, la relacin en diferente. Debe tenerse en cuenta la curvatura de la puerta aadiendo un factor de correccin en la relacin entre tensin y amplitud de campo.

E,z = Hz, =

i=1 i=1

Vi () Ii ()

ei ,zi (z, ) hzi ,i (z, )

Adems, en virtud de la ortogonalidad entre modos, slo necesitamos considerar las componentes de campo que transportan potencia. As, denimos nicamente: 1. Modos T Mmn :

a ) Campos:
2 kc n 0 r cos (m + 0 ) cos h z kc h = cos (m + 0 ) sin n h z

ez =

b ) Tensiones y corrientes:
V + () (2) (kc ) V () =V + jHm I + () (2) (kc ) I () =V + Hm V ()

(1) (kc ) + V jHm I ()

(1) V Hm (kc )

2. Modos T Emn :

a ) Campos:

2.2. DESCRIPCIN.
z a

27

z y

Figura 2.7: Denicin de los ejes coordenados en la puerta radial.

e = hz =

kc 0 r cos (m + 2 kc 0 r cos (m V + ()

0 ) sin

n h z n h z

+ 0 ) sin

b ) Tensiones y corrientes:
V () (2) V () =V + Hm (kc ) I () (2) I () =V + jHm (kc )
+

(1) + V Hm (kc )

I ()

(1) V jHm (kc )

donde

Hm (x) = Jm (x) + jNm (x) es la funcin de Hankel de orden m que describe la onda propagante en el sentido de decreciente. Hm (x) = Jm (x) jNm (x) es la funcin de Hankel de orden m que describe la onda propagante en el sentido de creciente.
2 kc = 2 n 2 h (2)

(1)

En esta geometra tambin tenemos al menos un modo degenerado horizontal (0 = 90) por cada modo vertical (0 = 0). La potencia de la onda incidente de cualquier modo TE propagante (para TM es similar) en la guia radial es:

P+ = = Cte (m, n)

h 2 e+ h+ 0 0 (2) 1 V + Hm (kc ) V + 2 1 = Cte (m, n) 2 V + ()

1 2

ddz = jHm (kc ) I


+ (2)

()

28

CAPTULO 2. PUERTAS ELCTRICAS.

Figura 2.8: Localizacin de una puerta radial rodeando un poste en una T. El clculo de la potencia transportada por la onda incidente calculada como lnea de transmisin con tensiones y corrientes equivalentes es proporcional a la evaluada a travs del vector de Poynting gracias al factor de correccin indicado anteriormente. Las deniciones de los campos, tensiones y corrientes adoptados en este trabajo denen un vector de Poynting en la direccin . Dependiendo de que queramos denir una puerta concava o convexa, tendremos que modicar el signo de las corrientes. En [30] y [52], se advierte tambin sobre el comportamiento de los modos respecto a la frecuencia de corte. No existe una distincin tan clara como en las puertas planas. Por encima de la frecuencia de corte algunos modos pueden seguir no transportando potencia. Esto es debido al comportamiento de las funciones de Hankel con el radio .

2.2.3. Puerta esfrica.


La puerta esfrica [52, 53, 7] se emplea en el anlisis de antenas. Permite obtener el diagrama de radiacin y la directividad. Para preservar la relacin habitual entre tensiones, corrientes y potencia transportada, debemos hacer estas deniciones.

Et = Ht =
1. Modos T Mmn :

Vi (r ) i=1 r Ii (r ) i=1 r

eti (, ) hti (, )

(2.1)

a ) Campos:
e = e = h = h =

cte(m,n) cte(m,n)

m dPn (cos( )) cos (m 0 ) d m mPn (cos()) sin (m 0 ) sin() m mP (cos( )) 1 n sin (m 0 ) cte(m,n) sin( )

1 cte(m,n)

m dPn (cos( )) d

cos (m 0 )

2.2. DESCRIPCIN.

29

a x

Figura 2.9: Denicin de los ejes coordenados en la puerta esfrica.

b ) Tensiones y corrientes:
V + (r ) V (r ) V (r) =V + jh(2) jh(1) n (kr ) + V n (kr ) I + (r ) I (r )

I (r) =V + h(2) h(1) n (kr ) V n (kr )

2. Modos T Emn :

a ) Campos:
e =

m mPn (cos( )) sin (m 0 ) sin( ) m dPn (cos( )) e = cos (m 0 ) d m dPn (cos( )) 1 h = cte(m,n) cos (m 0 ) d m mPn (cos( )) 1 h = cte(m,n sin (m 0 ) ) sin( )

cte(m,n) cte(m,n)

b ) Tensiones y corrientes:
V + (r ) V (r ) V (r) =V + h(2) h(1) n (kr ) + V n (kr ) I + (r ) I (r )

I (r) =V + jh(2) jh(1) n (kr ) V n (kr )

donde: n= 1, 2, 3,... ; m= 0, 1, 2 , ..., n;

30

CAPTULO 2. PUERTAS ELCTRICAS.

Figura 2.10: Localizacin de la puerta esfrica en una antena de parche.

hn (x) son las funciones de Hankel denidas segn Schelkuno [54], cuya ( ) () relacin con las de la gua radial es: hn (x) = x 2 Hn+ 1 (x) . k = =
2n(n+1)(n+m)! (2n+1)(nm)!

()

cte (m, n) =

m (cos ()) es el polinomio asociado de Legendre de grado n y orden m. Pn

Como en el caso radial, las deniciones de los campos, tensiones y corrientes adoptados denen un vector de Poynting en la direccin r. Dependiendo de que queramos denir una puerta concava o convexa, tendremos que modicar el signo de las corrientes. Con esta notacin podemos obtener sencillamente el diagrama de radiacin propagando cada modo. La variacin del campo con el radio tiende a ser de la jkr forma 1 conforme nos alejamos de la antena. Tal y como hemos denido r e las tensiones y corrientes, podemos extraer fcilmente la dependencia 1 r de su valor asinttico (r ). 1. Para modos TM:
V + (r ) V (r )

V (r) =V + j n+1 ejkr + V j 3n+1 ejkr


I + (r ) I (r )

I (r) =V + j n+1 ejkr V j 3(n+1) ejkr


2. Para modos TE:
V + (r ) V (r )

V (r) =V + j n+1 ejkr + V j 3(n+1) ejkr

2.2. DESCRIPCIN.
I + (r ) I (r )

31

I (r) =V + j n+1 ejkr V j 3n+1 ejkr


Todos los diagramas de radiacin se obtienen por sustitucin de los valores asintticos de las tensiones y corrientes en la expresin 2.1.

2.2.3.1. Directividad.
La directividad se dene en [55] como:

4U (, ) P otencia radiada siendo U la intensidad de radiacin entendida como: D (, ) = U (, ) = r2 Wrad (r, , )


La densidad de potencia radiada, Wrad (r, , ), es en cuenta que: 1. Para modos TM:
1 2

E H r. Teniendo

h = h =

2. Para modos TE:

h = h =

y que slo tenemos ondas progresivas podemos escribir:

D (, ) =

Vi+ ei (, )

+ Vi+
2

Vi+ ei (, )

2.2.3.2. Eciencia de apertura (E.A.).


Un parmetro indicativo del buen funcionamiento de una antena en recepcin es la E.A.. En [55], se dene el concepto de rea efectiva en una direccin dada como el cociente entre la potencia disponible a la entrada de la antena de recepcin y la densidad de potencia de la onda plana incidente sobre ella en aquella direccin. Con estos conceptos se dene E.A. como:

E.A. (, ) =

Aef ectiva (, ) Af isica

Este concepto est directamente relacionado con la directividad a travs de la expresin: 2 D (, ) E.A. (, ) = 4Af isica En antenas de apertura como las bocinas, la E.A. siempre se encuentra en el rango [0, 1].

32

CAPTULO 2. PUERTAS ELCTRICAS.

Rint Rbocina Rext


O O

Figura 2.11: Tpica disposicin de las puertas esfricas en el anlisis de reectores.

2.2.3.3.

Desplazamiento de la puerta esfrica segn z .

En la gura 2.11, mostramos la disposicin de tres puertas esfricas que delimitan dos subdominios de anlisis (el de la bocina y el del paraboloide). Como veremos ms adelante, esta estrategia nos permite ser ecientes en el anlisis de estas estructuras porque estamos segmentando el problema. Sin embargo, para poder conectar dos puertas esfricas a travs de modos esfricos es necesario que estn referidos al mismo sistema de referencia. Vamos a deducir unas expresiones matriciales que transformarn una M.D.G. con una puerta esfrica, referida a un sistema de coordenadas o, a otra M.D.G., referida a un sistema de coordenadas o , desplazado una distancia o o en el eje z . En la pag 356 de la referencia [53] y en [56, 57], se detalla el valor de los coecientes Cij que verican:

E tj (r, , ) =
i

Cij f, o o E ti (r , , )

Esta expresin asegura que cualquier modo esfrico referido a o puede expresarse como un sumatorio de modos esfricos referidos a o . Entonces, podemos armar que para cada vector de coecientes de ondas esfricas incidentes a , podemos encontrar otro equivalente referido a o sin ms que hacer:
C {n
n

a {n 1}

C11 . = . . Cn 1

.. .

Cn n

C1n . . .

a {n1} 0

{n 1}

2.2. DESCRIPCIN.

33

Para el vector de coecientes de ondas esfricas reejadas b, se satisface la misma condicin. Sin embargo, para desplazar puertas esfricas, trabajaremos con los coecientes de los modos dispersados bs , en lugar de los reejados b, donde bs = ba , por producir estos resultados ms precisos. El desplazamiento del verctor de onda dispersada bs , sigue la misma ley que bya . Adems, la matriz C f, o o cumple:

C 1 f, o o = C H f, o o
siendo C H la matriz hermtica de C . Los valores n y n vienen determinados por la frecuencia y el radio de la puerta esfrica. En el captulo 8 apuntamos una expresin para este nmero. Habitualmente, en una antena tenemos dos puertas: 1. una plana por donde aplicamos la excitacin y 2. otra esfrica que nos permite obtener el diagrama de radiacin. Los modos de cada puerta se sitan consecutivamente en los vectores de coecientes. Esta ordenacin permite segmentar la M.D.G. de la siguiente manera:

M.D.G. =
siendo:

R S

una submatriz con informacin sobre la interaccin entre modos de la puerta plana. S una submatriz con informacin sobre la interaccin entre modos de la puerta plana esfrica. R y T son submatrices con informacin sobre la interaccin de los modos de la puerta plana con los de la puerta esfrica.
Con esta notacin podemos escribir la M.D.G. referida a o respecto a las submatrices de la M.D.G. referida a o:

M.D.G. =

C{n n} T

H R C{ nn } H C{n n} (S 1) C{ nn } + 1

34

CAPTULO 2. PUERTAS ELCTRICAS.

Captulo 3

Mallados en 2D
El algoritmo mallador es una pieza estratgica dentro de las herramientas para C.A.D. por los siguientes motivos: El M.E.F. puede estar previsto para analizar formas curvas pero nuestro mallador debe ser capaz de denir stas correctamente. En el bucle de optimizacin, se ensayan distintas conguraciones geomtricas que propician errores en este mdulo, que pueden interrumpir el ciclo. La precisin del anlisis depende del grado de deformacin de los elementos en que queda segmentado el dispositivo. Las zonas mas abruptas deben mallarse dnsamente para poder describir correctamente all los campos (convergencia h). Un punto clave en esta etapa es la denicin de las lineas curvas, es decir, qu datos debemos guardar que mejor representen la curva y mejor sirvan para operar con ella. En general, las estrategias que pretenden abordar gran variedad de curvas no ofrecen suciente robustez. En este captulo, describiremos las tcnicas ensayadas en nuestro trabajo, y criticaremos su validez para ser empleadas en un proceso de diseo iterativo. Ciertas formas geomtricas son especialmente problemticas: estrechamientos, ngulos muy agudos, etctera. . . provocan mallados defectuosos o incluso el fracaso del proceso mallador. Veremos un par de casos. En esta tesis, nos hemos centrado en el diseo de circuitos plano H, bocinas dielctricas, corrugadas y reectores. Cada uno de estos grupos presenta peculiaridades respecto al mallado, que sern objeto de discusin en el ltimo apartado.

3.1. Denicin de lineas curvas.


La geometra del dispositivo queda denida a travs de una concatenacin de lineas rectas y tramos curvos. Tal y como advertamos anteriormente, el tratamiento de estos ltimos es problemtico . En concreto, es la forma que empleemos para segmentar la curva, la que constituye el mayor problema, ya 35

36

CAPTULO 3. MALLADOS EN 2D

que es ah donde se nos presentan las limitaciones de precisin numrica de la estructura de datos que utilicemos.

3.1.1. Mtodo iterativo.


Este mtodo segmenta las curvas de forma numrica. Esto le permite no imponer severas restricciones a las curvas admisibles.

3.1.1.1.

Descripcin.

Se dene la curva a travs de su expresin analtica dada en forma implcita. Hacindolo de esta forma, solventamos el problema de la doble evaluacin de 2 2 funciones. Por ejemplo, una circunferencia f (x, y ) = (x x0 ) + (y y0 ) r2 tiene para cada x1 dos valores y1 e y2 que hacen f (x1 , y1 ) = 0 y f (x1 , y2 ) = 0. Una descripcin explicita de esta curva precisara de dos expresiones independientes, constituyendo una fuente de error a la hora de concatenar los tramos debido a las imprecisiones numricas. Seguidamente tenemos que segmentar el tramo curvo: 1. Dividimos el segmento recto que une los extremos de la curva en tantos tramos como queramos segmentar la curva. 2. Proyectamos perpendicularmente estos puntos sobre la curva.

a ) Colocamos dos puntos iniciales a1 y b1 a cada lado de la curva sobre la recta perpendicular a IF sobre el punto de segmentacin. b ) Encontramos an+1 =
an +bn 2

y evaluamos f (an ).

c ) Asignamos a bn+1 el valor de an o bn de forma que f (an+1 )f (bn+1 ) 0. d ) Si |an+1 bn+1 | < umbral o f (an+1 ) = 0 terminamos, si no, volver al punto 2b.
Este algoritmo aprovecha el cambio de signo entre los espacios en que queda dividido el dominio por la curva f (x, y ) = 0. Pivota dos puntos en cada espacio hasta que atrapa a la curva.

3.1.1.2.

Crtica.

Cualquier curva de la que poseamos descripcin a travs de una funcin implcita puede denir la geometra del dispositivo. Sin embargo, no es un mtodo robusto porque: 1. La colocacin de los dos puntos iniciales a1 y b1 es, a su vez, un proceso iterativo que puede fracasar fundamentalmente porque: Saltemos a una zona (subdominio en el que f (x, y ) tiene signo constante) delimitada por una rama de la funcin que no nos interesa (ver la gura 3.2). El proceso de tanteo iterativo agote el nmero de ciclos mximo sin encontrar dos zonas de distinto signo.

3.1. DEFINICIN DE LINEAS CURVAS.


an + + + + + + + + + + I + + + + bn bn+1 F + + a n+1 + + + + + + +

37

Figura 3.1: Mtodo iterativo. Proyeccin perpendicular respecto al segmento recto que une los extremos de la curva. 2. Es un algoritmo iterativo que puede agotar su mximo nmero de ciclos sin satisfacer la condicin de parada. Esto puede suceder si los puntos iniciales estn muy lejos de la solucin. 3. Errores en la precisin de la mquina al evaluar f (x, y ) cuando su valor es prximo a cero pueden desestabilizar el algoritmo. Todos estos inconvenientes pueden ser mitigados, en parte, eligiendo bien los umbrales que, a su vez, dependen de la clase de funciones que manejemos, y de la precisin del tipo de datos utilizado. Adems, una correcta programacin puede evitar ciertas inestabilidades provenientes de las falsas evaluaciones de f (x, y ) que antes comentbamos. Aun as, es posible el fracaso del algoritmo. Por este motivo, nos planteamos seguir otra estrategia.

3.1.2.

Splines cbicos.

En esta ocasin, evitamos los errores debidos a los procesos iterativos hallando los cortes con la curva de forma analtica. Perdemos la generalidad que nos daba la representacin a travs de la funcin implcita de las curvas a cambio de la interpolacin polinmica de puntos sobre el perl del dispositivo.

3.1.2.1. Descripcin.
El proceso es semejante al del caso anterior. Para denir la curva empleamos splines, que son concatenaciones de funciones polinmicas de tercer grado. Cada uno de estos tramos es segmentado trazando la recta que une sus extremos y proyectando puntos de la recta sobre la curva, pero ahora con mtodos analticos. 1. La denicin exacta de este objeto matemtico es [31]: Sea := {a = x0 < x1 < . . . < xn = b} una particin del intervalo [a, b].

38

CAPTULO 3. MALLADOS EN 2D

+ + + + + + + + +

+ +

a2 a1

+ +

+ + +

b1

Figura 3.2: El punto bn busca la zona de signo negativo en la direccin incorrecta porque en la primera iteracin salto la regin con signo negativo. Un spline cbico S en es una funcin real:

S : [a, b] R
con las siguientes propiedades:

a ) S C 2 [a, b] , es decir, S es dos veces diferenciable con continuidad en [a, b]. b ) S coincide en cada intervalo [xi , xi+1 ] i=0,1,...,n-1 con un polinomio de tercer grado.
Dado un intervalo y una particin , existe ms de una funcin S que cumple las condiciones anteriores. Para obtener una nica solucin, debemos conocer adems alguna caracterstica del spline en los extremos del intervalo. stas comnmente son:

y (a) = y (b) = 0 y (a) = y (b) = 0 y k (a) = y k (b) k=1,2,3... y k (a) = cte1 ; y k (b) = cte2 .
2. Segmentamos la recta IF de cada tramo de spline y proyectamos perpendicularmente a la recta sobre la curva. Este corte se resuelve de forma analtica a travs de mtodos de resolucin de polinomios de tercer grado [58].

3.1. DEFINICIN DE LINEAS CURVAS.

39

y3

y2

y1

Figura 3.3: Anomalas que las splines no pueden solventar. Multievaluacin. Errores numricos. Puntos de inexin.

3.1.2.2. Crtica.
Con este mtodo evitamos todos los errores debidos a procesos iterativos, pero seguimos teniendo ciertos problemas que impiden el uso se esta tcnica de forma robusta: La spline dene todos sus segmentos respecto a un nico sistema de referencia. Esto implica lo siguiente: 1. Es imposible denir con usa sola de estas curvas perles que impliquen funciones multievaluadas, como la representada en la gura 3.3. 2. Geometras con perles casi verticales condicionan mal las matrices porque las derivadas en esos puntos son grandes. Los errores de precisin provocan inexactitudes en la concatenacin de tramos. 3. Al ser las splines funciones de tercer grado pueden colocar un punto de inexin entre los extremos del tramo y no proporcionar un perl sucientemente suave. A la vista de todo esto nos planteamos una tercera opcin que solvente todos los inconvenientes.

3.1.3. Polinomios de segundo grado con sistemas de referencia independientes.


Las experiencias con los mtodos anteriores nos han enseado que para construir un perl curvo de forma robusta tenemos que evitar cualquier algoritmo iterativo y manejar nmeros dentro de la precisin numrica de las estructuras de datos disponibles. Adems, no debemos utilizar funciones interpoladoras complejas difciles de manejar y que no producen curvas sucientemente suaves. Nos interesa poder unir puntos cualesquiera, incluidos los casos extremos de la gura 3.3. Por estos motivos, ensayamos con polinomios de segundo orden denidos en sistemas de referencia asociados a cada tramo.

40

CAPTULO 3. MALLADOS EN 2D

yt1

xt1 x0 y0 x1 y1 x2 y2

Figura 3.4: Sistemas de referencia locales referidos a cada tramo de la curva.

3.1.3.1.

Descripcin.

Tenemos n+1 puntos (xi , yi ) | i [0, n], que denen n tramos y n sistemas de referencia, como se indica en la gura 3.4 y la derivada de la curva en el df extremo inicial del primer tramo dx =y. Debemos encontrar para cada tramo los coecientes ai , bi | i [1, n] tales que:
x=x0

fti (xti ) = ai x2 ti + bi xti fi (xi ) = yi , i [1, n]


dfi (x) dx x=xi

dfi (x) dx

x=xi

, i [1, n]

siendo fi (x) la funcin interpoladora del tramo i referida al sistema de referencia global correspondiente a la funcin parablica desplazada y girada fti (xti ). Planteamos el siguiente algoritmo de resolucin: 1. Referimos la derivada inicial respecto al primer sistema de referencia.

yt1 =
2. Para cada seccin i:

(x1 x0 ) y (y1 y0 ) (x1 x0 ) + (y1 y0 ) y

b i = y ti ai = yti+1 =
bi (xi xi1 )2 +(yi yi1 )2 (xi+1 xi )aux(yi+1 yi ) (xi+1 xi )+aux(yi+1 yi ) ;

siendo aux =

(xi xi1 )(yt

(xi xi1 )(yt

)+(yi yi1 ) )(yi yi1 ) i

Una vez tenemos los coecientes de los polinomios referidos a cada sistema de referencia, es sencillo proyectar perpendiculares a la recta que une los puntos extremos de cada tramo.

3.1. DEFINICIN DE LINEAS CURVAS.


yti y P

41

xti xi yi

xi1yi1

Figura 3.5: Proyeccin de puntos sobre la parbola del segmento y translacin de estos al sistema de referencia global. Finalmente tenemos que referir todos los datos geomtricos respecto a un solo sistema de referencia. As cada punto (xti , yti ) se corresponde con:

x = xti cos () + yti (sen ()) + xi1 y = xti sen () + yti cos () + yi1
siendo cos () =
xi xi1 (xi xi1 )2 +(yi yi1 )2

y sen () =

yi yi1 (xi xi1 )2 +(yi yi1 )2

se-

gn la gura 3.5. Existen disposiciones de puntos (xi , yi ) | i [0, n] que no permiten una interpolacin de este tipo. En la gura 3.6, se muestra un caso en el que la derivada del extremo nal de un tramo es trasladada al sistema de referencia del tramo siguiente que no puede ser continuado por una parbola. La condicin que debemos supervisar para saber si el punto i+1 es interpolable es: Trasladamos el vector 1, yti al sistema de referencia global:

xderi = cos () + yti (sen ()) yderi = sen () + yti cos ()


Condicin de interpolabilidad:

(xderi , yderi ) (xi+1 xi , yi+1 yi ) > 0

3.1.3.2. Crtica.
1. Este es un mtodo de denicin de curvas analtico que permite segmentar de forma muy sencilla y exacta cada tramo. 2. Los valores de los coecientes permanecen dentro del grado de representacin de las estructuras de datos ms normales porque modicamos la posicin de los ejes de referencia en cada tramo de forma conveniente.

42
yti

CAPTULO 3. MALLADOS EN 2D
yti+1 xti+1

xi+1 yi+1 xti xi yi (xderi ,yderi )

xi1yi1

Figura 3.6: La parbola del tramo i+1 debe poder tener la misma pendiente en el extremo inicial que la parbola del tramo i en el extremo nal. 3. Las operaciones involucradas son pocas y sencillas, no provocan mucha carga computacional, ni inestabilidades numricas. 4. Este mtodo es muy exible y robusto a pesar de que no todas las combinaciones de puntos sean interpolables.

3.1.4. Arcos de circunferencia.


En este trabajo, empleamos puertas esfricas para utilizar el M.E.F. en antenas [59]. La denicin de este tipo de curvas, podra aproximarse a travs del mtodo descrito anteriormente, pero siendo esta puerta de uso tan frecuente, hemos establecido un mtodo exclusivo para su correcta y exacta segmentacin.

3.1.4.1.

Descripcin.

La situacin ms comn de utilizacin de la puerta esfrica en este trabajo es para cerrar el extremo radiante de bocinas. La simetra de rotacin permite reducir la esfera a circunferencia, como indica la gura 3.7. Los datos de entrada son: el radio R, ngulo inicial inicial , ngulo nal f inal , centro (xc , yc ) y el nmero se segmentos n. As, de forma analtica segmentamos el arco de circunferencia:
i xi = xc + R cos inicial + (f inal inicial ) n i yi = yc + R sin inicial + (f inal inicial ) n

3.2. Mallado de circuitos.


Una vez denido un mtodo robusto que describe el perl del dispositivo, podemos encontrarnos con el problema de ser capaces de analizar geometras que luego no podamos fabricar. En el proceso de diseo no queremos considerar toda la exibilidad del mallador, sino asumir las restricciones debidas a la tecnologa de fabricacin que vayamos a utilizar.

3.2. MALLADO DE CIRCUITOS.

43

final inicial x centro ycentro x

Figura 3.7: Descripcin geomtrica de una puerta esfrica. En este apartado, tambin comentaremos distintas opciones que se nos pueden plantear a la hora de mallar ciertas estructuras. Esta eleccin repercute directamente en el tiempo de anlisis y en su precisin.

3.2.1. Mallados de circuitos plano H.


Este tipo de circuitos suelen fabricarse en una estacin de mecanizado que practica una erosin mecnica sobre un bloque de metal. Slo se precisa control numrico a lo largo de dos dimensiones ya que la profundidad es constante.

3.2.1.1. Radio de curvatura mnimo.


La estacin de mecanizado emplea una fresa que permite erosionar con un radio de curvatura mnimo Rmin . Este radio tiene un valor ligeramente mayor al radio de la fresa ms na (ver gura 3.8). Las caractersticas mecnicas que limitan este radio son: la resistencia a las vibraciones de la fresadora y la dureza del metal que se erosiona. Por lo tanto, debemos ser capaces de proporcionar perles con radios de curvatura superiores al de la fresa mnima. La expresin del radio de curvatura de una funcin f (x) en x0 es [60]:
2
3 2

1+ R=

df dx d2 f dx2

x0

x0

En el caso de que f (x) sea una parbola como la utilizada en 3.1.3 de la forma f (x) = ax2 + bx, el radio queda:

Rparb (x) =

1 + (2ax + b) 2a

3 2

(3.1)

En este trabajo, todas los diseos plano H se han obtenido aplicando la restriccin Rparab > Rmin .

44

CAPTULO 3. MALLADOS EN 2D

Figura 3.8: Fabricacin de circuitos plano H.

3.2.1.2.

Picos salientes.

La fresa de una estacin de mecanizado no puede erosionar picos salientes, como el mostrado en la gura 3.9. La partes del circuito que tuvieran estos salientes, tendran que ser abordados con otra tcnica, como la electroerosin por hilo. Esta segmentacin del ciclo de fabricacin encarecera el proceso. Por esto, restringimos tambin nuestro espacio de diseo a aquellas estructuras sin salientes. Sin embargo, no hay ningn problema con los picos entrantes. Como se muestra en la gura 3.9, la fresa puede practicar estas formas.

3.2.2. Bocinas dielctricas.


Estas estructuras pueden entenderse como transiciones entre dos medios; uno guiado con dimensiones pequeas comparadas a las del segundo medio, el espacio abierto. Este hecho condiciona la geometra del dispositivo y acarrea la siguiente problemtica.

3.2.2.1.

Cambios de anchura.

Tenemos que mallar con elementos de un tamao diez veces menor que la longitud de onda una estructura de gran longitud elctrica. La diferencia de anchura entre la boca de entrada y la radiante propicia el fracaso de los algoritmos de posicionamiento de nodos. La manera de afrontar este problema es segmentando el mallado en secciones de dimensiones uniformes que luego unimos. No debemos confundir esta segmentacin geomtrica con la segmentacin elctrica de S.F.E.L.P., que implicara una expansin modal para unir las partes. Aqu hablamos de yuxtaposicin de mallados.

3.2. MALLADO DE CIRCUITOS.

45

Figura 3.9: Perl con picos entrante y saliente.

MODULEF : APNKK 09/12/05

ETSITM-G.E

NOPO

1889 24796 3448 3448 1

POINTS NODES ELEMENTS TRIANGLES HOLE(S)

LEFT DOWN LOCATION : -47.81 11.85

RIGHT TOP LOCATION : 67.81 125.2

Figura 3.10: Mallado de una estructura grande constituido como yuxtaposicin de otros mallados ms pequeos.

46

CAPTULO 3. MALLADOS EN 2D
p A A B F F C E D C D E q B

Figura 3.11: Elemento muy deformado y su relacin con el de referencia.

3.2.2.2.

Vrtices agudos.

El inconveniente de los elementos posicionados en estas zonas es que el M.E.F. opera sobre el de referencia. Estos clculos son trasladados a cada elemento a travs del Jacobiano de la transformacin geomtrica. Elementos muy deformados respecto al de referencia, como el mostrado en la gura 3.11, provocan errores en los clculos. En este caso, la segmentacin puede paliar el problema, pero slo en parte. En regiones como sta, la variacin del campo puede ser grande y el uso de elementos especcamente diseados puede estar recomendado. En [61], puede encontrarse informacin ms completa.

3.2.2.3.

Bloques encajables.

El mtodo de fabricacin ms apropiado para bocinas con simetra de revolucin es el torno. Si nuestro diseo incluye dielctricos estos deben ser encajables. As, podremos fabricar cada parte independientemente. Para lograr esto, las curvas que limitan las regiones deben ser crecientes respecto al eje de rotacin. En la gura 3.12, se muestra una bocina de tres piezas (metal y dos dielctricos) encajables.

3.2.3. Reectores.
Para analizar reectores con el M.E.F. cabra la posibilidad de seguir la misma estrategia que con la bocinas, y encerrar la antena en una puerta esfrica. El problema inmediato es que el dimetro de un reector compacto es de alrededor de treinta longitudes de onda. El nmero de elementos sera demasiado grande. Para estas antenas proponemos una segmentacin (elctrica ahora) que nos permita analizar por separado el alimentador y el reector. El reector quedara encajado entre dos puertas esfricas, de modo que el mallado sea mnimo. La manera de disponer estas puertas depende de la forma del reector (ver gura 3.13). Ensayaremos todas las disposiciones de puertas esfricas posibles y nos quedaremos con la que menor nmero de elementos necesite. Las caractersticas del reector parablico de referencia son:
f D

= 0,25

3.2. MALLADO DE CIRCUITOS.

47

Figura 3.12: Diseo de piezas encajables.

D f

Figura 3.13: Parmetros geomtricos de un reector parablico.

48

CAPTULO 3. MALLADOS EN 2D

Rext

Rint

Figura 3.14: Primera disposicin de las puertas esfricas.

f =1 = 90

3.2.3.1.

Primera disposicin.

La circunferencia interior es tangente a la parbola en los extremos y la circunferencia exterior tiene el mismo centro que la primera pasando por el vrtice de la parbola. En general, la expresin del radio y del centro de una circunferencia tangente a las ramas de una parbola y = ax2 ; a = 41 tiene la expresin: f

Rt =

x2 0+

1 2 2a

2 Centro 0, 21 a + ax0

Punto de tangencia (dato): x0 , ax2 0 Esta circunferencia es siempre inscrita a la parbola. Para ver esto utilizamos la expresin de la curvatura que ya encontramos en 3.1 y hacemos:

RP arb = Rt

(1+(2ax)2 ) 2
2a

x2

1 2 2a

= 1 + (2ax) > 1

Seguros ya de que la parbola queda encajada dentro de las circunferencia, calculamos: Rinterior = 8

Rexterior = 3 Superf icie =

3.2. MALLADO DE CIRCUITOS.

49

Rint Rext

Figura 3.15: Segunda disposicin de las puertas esfricas.

3.2.3.2. Segunda disposicin.


La circunferencia exterior pasa por el vrtice y los extremos de la parbola. La interior tiene el mismo centro y es tangente a la parbola. Rinterior = 6

Rexterior =

5 2 4

Superf icie =

3.2.3.3. Tercera disposicin.


La circunferencia interior tiene un radio igual al radio de curvatura de la parbola en el vrtice y pasa por ese mismo punto. La circunferencia exterior tiene el mismo centro que la anterior y pasa por los extremos de las ramas de la parbola.

Rinterior = 2 Rexterior = 5 Superf icie =

3.2.3.4. Cuarta disposicin.


Como caso intermedio a las dos disposiciones anteriores, podemos situar la circunferencia interior tangente a la parbola en un punto arbitrario x0 , y0 = ax2 0 y la exterior con el mismo centro pasando por los extremos de las ramas. As, el centro, radios y rea quedan en funcin de x0 que varia ente 0 y 2 en este ejemplo. Los extremos se corresponden con la disposicin tercera y segunda respectivamente.

Rinterior (x0 ) =

x2 0+4

50

CAPTULO 3. MALLADOS EN 2D

Rext Rint o

Figura 3.16: Tercera disposicin de las puertas esfricas.

Rexterior (x0 ) =

1 2 4 x0

+1 +4
1 4 16 x0

2 Superf icie (x0 ) = 1 1 2 x0 +

Haciendo

dSuperf icie(x0 ) dx0

= 0 tenemos:

x0 = 2 es un mnimo fuera del dominio. x0 = 0 es un mximo.


Luego la segunda disposicin es la ms ventajosa. Adems, en todas las disposiciones, el foco, donde se situara el alimentador, queda fuera del subdominio comprendido por las puertas esfricas. As podemos encerrar el alimentador en otra puerta esfrica constituyendo otro subdominio. De todos modos a la hora de mallar el reector no se ajustan las circunferencias al dispositivo sino que se deja un margen que aleja la discontinuidad de las puertas. Esto hace que el nmero de modos sobre los que proyectamos el campo en las puertas pueda ser menor.

Captulo 4

Anlisis: S.F.E.L.P. en 2D.


El M.E.F. es una herramienta muy exible y adecuada para el diseo. Prcticamente no existe limitacin en las formas geomtricas analizables, y puede ser aplicado en dispositivos pasivos y antenas, si hacemos uso de las puertas adecuadas. Resulta, adems, un mtodo eciente si: utilizamos un elemento que proporcione precisin en el anlisis, segmentamos convenientemente el circuito, adecuamos la formulacin a las geometras del dispositivo, empleamos tcnicas de barrido en frecuencia. En este captulo, mostraremos la formulacin empleada en esta tesis. El desarrollo del mtodo S.F.E.L.P. en 3-D est descrito en [47]. Reproduciremos ese desarrollo, y lo particularizaremos para dos geometras concretas: Estructuras plano-H. Estructuras con simetra de revolucin. Por ltimo, veremos como encontramos la respuesta en banda a travs del mtodo de Lanczos y del mtodo de las aproximaciones racionales.

4.1. Formulacin del M.E.F..


Empleamos la expresin para el campo magntico en un dominio V libre de cargas, lineal (incluyendo los casos de anisotropa y heterogeneidad), limitado por puertas y conductor perfecto:

4.1.1. Desde las ecuaciones de Maxwell.


El planteamiento del problema en el dominio de la frecuencia es: 51

52

CAPTULO 4. ANLISIS: S.F.E.L.P. EN 2D.

E = j B H = j D D =0 B =0 B =H D = E (x, y, z ) V R3

(4.1) (4.2) (4.3) (4.4) (4.5) (4.6)

con las condiciones de contorno: 1 1 1. n 0 E = 0 n 0 0 = 0, siendo n 0 r D = 0 n r H un vector unitario normal y de sentido saliente al volumen V sobre la supercie conductora. 2. Excitaciones en las puertas.

Operamos para obtener una expresin que gobierne el comportamiento de H :


De 4.1 y 4.6 :

1 D = j H H j

(4.7)

De 4.7 y 4.2:

Obteniendo nalmente:

= j H

1 H r

2 0 0 r H = 0

(4.8)

El dominio al que pertenece H es el de las funciones R3 C3 que cumplen las condiciones de contorno 1 y 2 con las propiedades necesarias para que todas las operaciones realizadas hasta ahora y las que siguen sean aplicables. Llamaremos a este conjunto . El conjunto formado por todas las funciones que satisfacen 4.8 est contenido en el conjunto de soluciones que satisfacen:
Z n n o o 1 W H 2 0 0 r H dV = 0 r
V

W , H (4.9)

A su vez las funciones H que cumplen 4.9 estn contenidas en el conjunto de soluciones de:
Z n
V

1 o 2 W dV r H k 0 W r H Z n o 1 W n 0 dS = 0 r H
S

W , H (4.10)

siendo:

4.1. FORMULACIN DEL M.E.F.. S la supercie que limita V.


2 k0 = 2 0 0

53

La expresin 4.10 fue obtenida aplicando: la identidad vectorial: f g = f g f ( g) y el teorema de Gauss: (4.11)

f dV =
V S

f n 0 dS

(4.12)

Usando 4.11 y 4.12 tenemos la identidad vectorial:

n R n oo 1 W H dV = r V R n R n o o 1 1 2 dV S W n 0 dS W r H k0 W r H r H V

(4.13)

que aplicado a 4.9 conduce a 4.10. Recordamos que W satiface las condiciones de contorno. Aplicando la propiedad vectorial A B C = C A B , las relaciones 4.2 y 4.6 y considerando P puertas tenemos:

1 W r H = j0

n 0 dS =
P i=1 Si

1 n 0 r H

W dS =
(4.14)

W n i E i t dSi

siendo n i un vector unitario entrante al volumen denido por V y perpendicular al acceso i. Como vimos en el captulo 2, el campo tangencial en las puertas es de la forma:

i Et = i Ht =

i i k=1 Vk (u3i ) e tk (u1i , u2i ) i i k=1 Ik (u3i ) h tk (u1i , u2i )

(4.15) (4.16)

En la prctica, estas sumas no se consideran sobre todos los modos, sino slo sobre una cantidad de ellos que asegure un grado razonable de convergencia de la solucin nal a la solucin real. Con 4.10, 4.14 y 4.15 obtenemos la siguiente expresin:
Z
V

1 o 2 W r H k0 W r H dV Z
i

j0

P X X i=1 k=1

Vk (u3i )

Si

i W u 3i e t (u1i , u2i ) dSi = 0


k

W , H (4.17)

Llegando a este punto, podemos decir que si encontramos las soluciones de 4.17, tenemos un conjunto que contiene la solucin del problema denido por las ecuaciones 4.1 a 4.6. Si este conjunto contiene un nico elemento, entonces ste es la solucin de nuestro problema original.

54

CAPTULO 4. ANLISIS: S.F.E.L.P. EN 2D.

4.1.2. Discretizacin. Mtodo de Galerking.


Pero no vamos a resolver el problema 4.17 en el espacio de funciones , sino que lo haremos en un subconjunto de , que llamaremos , con estructura de espacio vectorial de dimensin nita (dim()=N ), de tal manera que podamos denir en el una base {T }.
Z n
V

1 o 2 W dV r H k0 W r H Z
i Vk (u3i ) Si

j0

P X X i=1 k=1

ei W u3i tk (xi , yi ) dSi = 0

W , H (4.18)

En todo momento asumimos que la solucin al problema 4.18 es nica. Lo mismo decimos del problema 4.17, y que conforme el espacio de funciones aproxime mejor al espacio , ms prximas sern las soluciones de los distin tos problemas respecto de alguna norma (e = u u , siendo u solucin de 4.17 y u solucin de 4.18; sobre la convergencia del mtodo existen algunos resultados en [22] pero no para espacios de funciones complejas como las nuestras). Podemos llegar a una formulacin ms compacta del problema 4.18 haciendo uso de las propiedades de los espacios vectoriales. As podemos expresar las funciones H y W como: H = {T } {Hc } {Hc } C N W = {T } {Wc } {Wc } C N Quedando:

{Wc } [G {Hc } j0 (B ) {V }] = 0
siendo:

{W c } C N

(4.19)

P i 1 C Q , siendo Vk la amplitud del campo . . . V1P . . . Vk {V } = V11 . . . Vk 1 P transversal del modo k en la puerta i a una distancia ja u0 3i . Q es el P nmero total de modos considerando todas las puertas= i=1 ki .

Q ser un nmero natural y no un lmite innito como en 4.18, porque hemos truncado el nmero de modos ki en cada puerta a un valor nito que, no obstante, asegure una buena convergencia de la solucin.

(B ) es una matriz de dimensin NxQ T1 u 31 e1 t1 (u11 , u21 ) dS1 S 1 . . . T z 31 e 1 t1 (u11 , u21 ) dS1 S1 N

obtenida segn:

.. .

T u 3P eP tkP (u1P , u2P ) dSP SP 1 . . . T u 3P e P tk (u1P , u2P ) dSP SP N


P

G es una matriz NxN cuya posicin ij se obtiene segn:


V

1 2 Tj r Ti k0 Tj r Ti

dV

4.1. FORMULACIN DEL M.E.F.. El problema 4.19 es equivalente a:

55

[G {Hc } = j0 (B ) {V }]

{Hc } C N

(4.20)

Con esta formulacin, ya podramos conocer el campo H dadas unas condiciones de contorno V en las puertas sin ms que resolver el sistema lineal planteado en 4.20. Pero, realmente estamos interesados en los parmetros S, de modo que para deducirlos nos jaremos en las siguientes circunstancias. Sabemos que en virtud de la ortogonalidad de los modos en cada puerta: hi 3i ei tk u tk (u1i , u2i ) dSi = 0 k1 = k2
1 2

Si

As podemos escribir

con i k =

Si

i hi tk zi e tk (xi , yi ) dSi

Si

i i H zi ei tk (xi , yi ) dSi = Ik k

(4.21)

El primer trmino de la igualdad 4.21 puede escribirse como Sustituyendo este trmino en 4.21 nos queda
N i i Hcj bi kj = Ik k j =1

N j =1

Hcj bi kj .

que se puede expresar expresar as

() {I } = (B ) {Hc }
siendo:
P 1 P () = diag (1 1 . . . k1 . . . 1 . . . kP ) una matriz QxQ. P 1 P 1 . . . Ik {I } = I1 1 . . . I1 . . . IkP T

(4.22)

Con 4.22 y 4.20 podemos escribir:

() {I } = j0 (B ) G1 (B ) {V }
Esta ecuacin nos permite conocer los parmetros Y a falta de invertir la matriz (). Esta operacin no es tan costosa como podra parecer ya que se trata de una matriz diagonal, siendo su inversa otra matriz diagonal con elementos 1 ii . Aun teniendo esta posibilidad existe otra equivalente. Podemos elegir los i valores de ei tk y h tk de modo que () sea igual a la matriz identidad. De este modo tambin conseguimos que los valores {I } y {V } se correspondan con las tensiones y corrientes equivalentes para una Z0 = 1. Los nuevos modos en las puertas seran:
e tki ei N tk = i i h h N tk = tki i

56

CAPTULO 4. ANLISIS: S.F.E.L.P. EN 2D.

Con este convenio para la seleccin de la amplitud de los campos, la matriz Y nalmente queda:

M.A.G. (k ) = j
siendo:
2 G0 = K k0 M.

k T 2 B (k ) G0 k 2 k0 M 0 N

BN (k )

(4.23)

K y M son las matrices de masa y rigidez complejas, dispersas y simtricas de dimensin N .


Tenemos que mallar todo el volumen, y lo hacemos con el elemento descrito por Webb en [62] con variacin lineal en la componente tangencial y cuadrtica en la normal (L.T./Q.N.).

4.1.3. Obtencin de los parmetros S


Todas las operaciones realizadas hasta ahora nos permiten obtener la matriz de admitancia de cualquier estructura limitada por conductor perfecto con accesos planos. Para transformar esta matriz en la de dispersin multimodo y multipuerta, hacemos uso de las relaciones que tienen las tensiones y corrientes equivalentes con los vectores de onda incidente y regresiva para una Zref = Z0 = 1.

{a} = {b} =

{V }+{I } 8 {V }{I } 8

S {a} = {b} S = [Id + Y ] Id


1

[Id Y ] = [Id + Y ]

[Id + Y ]

[[Id + Y ] Id] = 2 [Id + Y ]

4.1.4. Estructuras plano-H.


Una estructura plano-H es aquella que presenta una geometra con simetra de translacin en el eje y y las normales a los accesos planos son perpendiculares al mismo eje. Podemos encontrar divisores de potencia en T, codos, desfasadores, etc... dentro de este grupo. En la gura 4.1, mostramos una estructura con esta simetra. Inspirndonos en la dependencia con la variable y de la expresin de los modos en las puertas rectangulares (vistas en 2.2.1), expresamos los campos E y H como una serie innita de funciones trigonomtricas. As, para medios cuya y sean matrices diagonales independientes de la variable y los campos elctricos y magnticos quedan:
P E (x, y, z ) = E (x, z ) sen(ky y ) x + Ey (x, z ) cos(ky y ) y + Ez (x, z ) sen(ky y ) z Pn=0 x H (x, y, z ) = n=0 Hx (x, z ) cos(ky y ) x + Hy (x, z ) sen(ky y ) y + Hz (x, z ) cos(ky y ) z (4.24)

Si sustituimos las expresiones 4.24 en las ecuaciones de Maxwell para espacios sin fuentes encontramos que las relaciones entre las funciones deben satisfacerse

4.1. FORMULACIN DEL M.E.F..

57

Figura 4.1: Dispositivo de tres puertas en guaonda plano-H. para cada componente del sumatorio de forma independiente. De esta forma, se puede resolver el problema electromagntico separadamente para cada valor de n, y eliminar la variable y de las ecuaciones:
(x,z ) (x,z ) ky Ez (x, z ) y , Ez Ex , z z x = j (Hx (x, z ) , Hy (x, z ) , Hz (x, z )) (x,z ) ky Hz (x, z ) y , Hz z z = j (Ex (x, z ) , Ey (x, z ) , Ez (x, z )) (xx (x,z )Ex (x,z )) , ky x (xx (x,z )Hx (x,z )) , ky x H (x,z ) E (x,z ) Ey (x,z ) x

ky Ex (x, z ) =

Hx (x,z ) Hy (x,z ) , x x

+ ky Hx (x, z ) =

)Ez (x,z )) yy (x, z ) Ey (x, z ) , (zz (x,z =0 z

)Hz (x,z )) yy (x, z ) Hy (x, z ) , (zz (x,z =0 z

4.1.4.1. S.F.E.L.P. 2-D en dispositivos plano-H.


Sustituimos en la ecuacin 4.17 los campos anteriormente descritos: El primer sumando1
1 W r H dV = Z Wx Wz Wy Wy + = sen(ky y ), cos(ky y ), Wx ky + sen(ky y ) Wz ky z x z x V Hx Hz Hy Hy 1 + r sen(ky y ), cos(ky y ), Hx ky + sen(ky y ) dV = Hz ky z x z x Z Wz Hx Wx Hz Wx Hx b Wz Hz + = dS n = 0 r S x x x z z x z z Z Yy Wy Hy b Hy 2 + Hz + Hx + Wx = ky [Wz Hz + Wx Hx ] + ky Wz + 2r S z z x x Wy Hy Wz Hz Wz Hx Wx Hz Wx Hx Wy Hy + + + dS n > 0 z z x x x z z x z z x x
V

1 b es la longitud del circuito en la direccin y.

58 El segundo:
V

CAPTULO 4. ANLISIS: S.F.E.L.P. EN 2D.

2 k0 W [r ] H dV = [Wx Hx + Wz Hz ] dS n = 0
S

2 = bk0 r

2 bk0 r 2

[Wx Hx + Wy Hy + Wz Hz ] dS n > 0
S

Las excitaciones. Tenemos dos situaciones: n=0


P i Vk (zi ) i=1 k=1 P i Vk (zi ) i=1 k=1 Si

j0 = bj0
n>0
P

W zi ei tk (xi , yi ) dSi = (Wx (x, z ) x) zi ei ytk y dxi

j0
i=1 k=1 P

i Vk (zi )

Si

W zi ei tk (xi , yi ) dSi = (Wx (x, z )cos(ky y ) x + Wy (x, z )sen(ky y ) y + dSi =

= j0
i=1 k=1

i Vk (zi )

i +Wz (x, z )cos(ky y ) z ) zi ei xtk sen(ky y ) x + eytk cos(ky y ) y = b j0 2 i=1


P i Vk (zi ) k=1 Si

W (xi , zi ) zi ei tk (xi ) dxi

Hemos pasado de tener un problema de tres dimensiones a otro de dos. El siguiente paso, siguiendo el proceso llevado para el caso de tres dimensiones, consiste en restringir los espacios de funciones prueba y solucin a un espacio vectorial de dimensin nita y concluir la expresion 4.23 En el anlisis de dispositivos tipo plano-H mallamos la seccin x-z.

4.1.5. Estructuras con simetra de revolucin.


Dentro de las estructuras con simetra de revolucin encontramos resonadores, antenas de bocina, monopolos, etc... Como antes, pero ahora inspirndonos en los modos de la puerta circular, y tambin para medios cuya y sean matrices diagonales independientes de la variable , expresamos los campos electromagnticos de la siguiente forma:
P E (, , z ) = n=0 (E (, z ) + Ez (, z ) z ) sen(n + 0 ) + P H (, , z ) = n=0 (H (, z ) + Hz (, z ) z ) cos(n + 0 ) +
1 1

Introducimos estas expresiones en las ecuaciones de Maxwell, y constatamos que las condiciones se verican tambin de forma independiente para cada valor de n.

E (, z ) cos(n + 0 ) H (, z ) sin(n + 0 ) (4.25)

4.1. FORMULACIN DEL M.E.F..

59

Figura 4.2: Dispositivo con simetra de revolucin.


1

n Ez (, z )

E (,z ) E (,z ) , z z

Ez (,z ) 1 ,

E (,z )

n E (, z ) =

= j H (, z ) ,

H (, z ) , Hz (, z )
H (,z ) H (,z ) , z z

1 n Hz (, z )

Hz (,z ) 1 ,

H (,z )

n H (, z ) =

1 E (, z ) , Ez (, z ) = j E (, z ) , 1

( (,z )E (,z )) , n

1 2

)Ez (,z )) (, z ) E (, z ) , (zz (,z z

0
1 ( (,z )H (,z )) ,n

1 2

)Hz (,z )) (, z ) H (, z ) , (zz (,z =0 z

En contraste con el caso anterior, aqu debemos prestar atencin a tres particularidades: 1. Para cada valor de n tenemos dos modos degenerados. 2. Aproximamos la componente a travs de E (, z ) = E (, z ) y H (, z ) = H (, z ) para evaluar de forma precisa las soluciones estticas. 3. Debemos preservar la continuidad de los campos en el origen. Esta condicin aparece ahora porque el sistema de coordenadas cilndrico no es biunvoco en el origen (r = 0). Los vectores unitarios del sistema cilndrico depende de la posicin del espacio en que se apliquen. Su correspondencia con los vectores cartesianos es:

60

CAPTULO 4. ANLISIS: S.F.E.L.P. EN 2D.

(, , z ) = cos() x + sen() y (, , z ) = sen() x + sen() y z (, , z ) = z


Sustituimos en la expresin del campo elctrico los vectores cilndricos por los cartesianos y particularizamos para (r = 0):

(E (0, z ) sen(n + 0 ) cos() E (0, z ) cos(n + 0 ) sen()) x (E (0, z ) sen(n + 0 ) sen() E (0, z ) cos(n + 0 ) cos()) y Ez (0, z ) sen(n + 0 ) z = E (0, , z )
Para el magntico:

(H (0, z ) cos(n + 0 ) cos() H (0, z ) sen(n + 0 ) sen()) x (H (0, z ) cos(n + 0 ) sen() H (0, z ) sen(n + 0 ) cos()) y Hz (0, z ) cos(n + 0 ) z = H (0, , z )
Estas expresiones deben ser constantes para cualquier valor de . Por tanto tenemos: Para n = 0: E (0, z ) = 0, E (0, z ) = 0. H (0, z ) = 0, H (0, z ) = 0. Para n = 1: Ez (0, z ) = 0, E (0, z ) = E (0, z ) Hz (0, z ) = 0, H (0, z ) = H (0, z ) Para n > 1: E (0, , z ) = 0. H (0, , z ) = 0.

4.1.5.1.

S.F.E.L.P. 2-D en dispositivos con simetra de revolucin.

Sustituimos en la ecuacin 4.17 los campos anteriormente descritos: El primer trmino del primer miembro: Para n>0
1 W r H dV = V Z n W n W 1 Wz Wz sen2 (n + 0 ) + = r V r z r z Wr Wz Wr Wz cos2 (n + 0 ) + z r z r 1 W H + 2 r nWr r nHr sen2 (n + 0 ) rdrdzd = r r r Z W z Hz 1 H W H W = n2 + W H + n W + H + W + H + r r z z r r r S r2 r z z r r W H 1 W H Wr Hr Wr Hz Wz Hr Wz Hz + + 2 + + rdrdz z z r r z z z z r r z r r Z

4.1. FORMULACIN DEL M.E.F.. Para n=0


V

61

1 W r H dV = Wr Hr Wr Hz Wz Hr Wz Hz rdrdz + z z z r r z r r

2 r

El segundo trmino del primer miembro: Para n>0


V

2 k0 W [r ] H dV = {Hr Wr + Hz Wz + H W } rdrdz

2 = r k0

Para n=0
V

2 k0 W [r ] H dV = {Hr Wr + Hz Wz } rdrdz

2 = r 2k0

El segundo miembro: Para n>1


j0
P X X i=1 k=1

Z
i Vk (zi ) Si

W zi ei tk (xi , yi ) dSi = (Wz (r, z )cos(n + 0 ) z + Wr (r, z )cos(n + 0 ) r +

= j0

P X X i=1 k=1

Z
i Vk (zi )

dS = i +W (r, z )sen(n + 0 ) ) zi ei i rtk sen(n + 0 ) r + etk cos(n + 0 ) = j0


P X X i=1 k=1

Z
i Vk (zi ) li

W (ri , zi ) zi ei tk (ri ) rdri

Para n=0
P i Vk (zi ) i=1 k=1 P i Vk (zi ) i=1 k=1 li Si

j0 = 2j0

W zi ei tk (xi , yi ) dSi = W (ri , zi ) zi ei tk (ri ) rdri

Hemos pasado de tener un problema de tres dimensiones a otro de dos. Procederamos a continuacin como en el caso anterior. Tendremos que mallar nicamente el plano z y forzar las condiciones de continuidad en el eje. El elemento utilizado es vectorial triangular curvo correspondiente a una de las caras del tetraedro de Webb con variacion L.T./Q.N. para la componente tranversal z y un elemento escalar curvo de Lagrange de segundo orden para la componente .

62

CAPTULO 4. ANLISIS: S.F.E.L.P. EN 2D.

Figura 4.3: Escenario tpico. Conexin a travs de puerta radial, rectangular y circular. Se puede combinar anlisis plano-H, revolucin y 3-D.

4.2. Segmentacin elctrica.


La segmentacin elctrica consiste en la parcelacin de un circuito en partes limitadas bien por puertas, bien por conductor perfecto. En cada puerta, se incluyen el nmero de modos suciente para la correcta representacin del campo. Esta tcnica mejora la ecacia del anlisis, ya que el tiempo de anlisis depende del nmero de grados de libertad como N 1,8 para el S.F.E.L.P.. Para valores grandes de N , es preferible segmentar y analizar por separado cada parte. Tambin mejora la ecacia porque independiza el anlisis de cada segmento y podemos utilizar la tcnica ms adecuada para cada uno. En la gura 4.3, observamos un escenario tpico para la segmentacin elctrica.

4.3. Tcnicas de barrido en frecuencia.


Todo lo descrito hasta este punto permite analizar circuitos o bien de forma arbitraria en 3-D o respetando simetras de translacin o revolucin en 2-D. Podemos segmentar el dispositivo a travs de puertas elctricas y analizar de la forma ms eciente cada segmento. Ahora estudiaremos dos tcnicas de barrido en frecuencia que mejoran la eciencia al obtener, en un slo anlisis, la respuesta

4.3. TCNICAS DE BARRIDO EN FRECUENCIA.

63

en banda. La unin de esta formulacin del M.E.F., la segmentacin elctrica y la tcnica P.V.L. constituyen el mtodo S.F.E.L.P..

4.3.1. Mtodo de Lanczos y las aproximaciones de Pad (P.V.L.).


Denicin Dada una secuencia nita de matrices,
Mi Cpm , i = 0, 1, . . . , r 1,
se dene realizacin en partes al conjunto de tres matrices

An Cnn , Bn Cnm , Cn Cnp


tales que
T Mi = Cn Ai n Bn , i = 0, 1, . . . , r 1.

La expresin de la M.A.G. 4.23 puede escribirse como:

M.A.G. (k ) = j
siendo:
2 . s = k 2 k0

k T 1 J (k ) (D R) (IdN + sA) R J (k ) 0

(4.26)

BN (k ) = BN J (k ). G0 = L D LT . A = D1 L1 M LT . R = D1 L1 BN .
2 de 4.26 es: El desarrollo en serie en torno al punto k0

M.A.G. (k ) = j
T

k 2 J (k ) Mi k 2 k0 J (k ) 0 i=0

(4.27)

siendo Mi = (D R) Ai R con i = 0, 1, . . . Por otro lado, a partir de las matrices

LA CN N , LD CN m , LI CN p
el algoritmo de Lanczos genera otro conjunto de matrices

LT Cnn , L Cnm , L Cnp , LD Cnn


Los enteros mj y pk se denen a travs de las matrices

LDj CN mj , LIk CN pk
donde LDj y LIk son las matrices resultado del descarte en la generacin de los espacios de Krylov. Para cada n con m ax {m1 , p1 } n N se dene j = j (n) y k = k (n) como los mayores enteros tales que

m1 + m2 + + mj n p1 + p2 + + pk n
Hechas estas deniciones, podemos enunciar el siguiente teorema

(4.28)

64

CAPTULO 4. ANLISIS: S.F.E.L.P. EN 2D.

Teorema: Dado un n, m ax {m1 , p1 } n N , el conjunto de matrices


LTn Cnn , Ln = L 0(nm1 )m , Ln = L 0(np1 )p
(4.29)

es una realizacin en partes de la secuencia de matrices


r 1 LT LD , r = j (n) + k (n) I LA T i i es decir: LT n LT Ln = LI LA LD para i = 0, 1, . . . , r 1. Si adems en 4.28 alguna de la relaciones de orden es igualdad, entonces la realizacin 4.29 es mnima.

La demostracin de este ltimo teorema, junto con la descripcin del algoritmo de Lanczos, pueden encontrarse en [63]. Sustituyendo la secuencia Mi de 4.27 por su realizacin en partes 4.29, podemos aproximar la M.A.G. por su aproximante de Pad ensimo:

M.A.G. (k )

Yn (k ) = j

k 1 J (k ) LT L n J ( k ) n (Idn + sLTn ) 0 N para que las operaciones matriciales siguien-

Generalmente elegimos n tes sean ms rpidas.

4.3.2. Aproximacin racional de los elementos de la M.D.G..


sta es otra tcnica de barrido en frecuencia que aprovecha la menor dependencia con la frecuencia de segmentos elctricamente pequeos en los cuales podemos segmentar algunos circuitos. Hace uso por tanto de la tcnica de segmentacin descrita en 4.2. A travs de la evaluacin de unos pocos puntos, extrapola, por medio de aproximaciones racionales de bajo orden, la respuesta para cada elemento de la matriz M.D.G. en toda la banda de inters. Seguidamente, procedemos al ensamblado de las matrices que nos proporciona la respuesta global del dispositivo en banda ancha. Las ventajas de este mtodo son: Evaluamos el circuito en pocos puntos de frecuencia, pero sucientes para describir cada uno de los pequeos segmentos. Se emplea el mtodo de anlisis ms adecuado (M.E.F., A.M., B.I.R.M.E., analtico, etc...) en cada segmento. El mtodo obtiene resultados bastante precisos en toda la banda tras la reconstruccin de la M.D.G. a partir de las M.D.G. de los segmentos.

4.3.2.1.

Identicacin del sistema.

Aproximamos los elementos de la M.D.G. porque son ms estables que los elementos de la M.A.G.. Para cada componente de la M.D.G. de cada segmento hacemos:

M.D.G.ij (f )

Cte

n i=1 (s zi ) m i=1 (s pi ) s=j 2f

; f (fmin , fmax )

Los polos y ceros de cada identicacin deben satisfacer:

4.3. TCNICAS DE BARRIDO EN FRECUENCIA.

65

Los polos deben situarse en el semiplano-z izquierdo para garantizar la estabilidad del sistema. [64] Todos los polos y ceros deben presentarse con sus parejas conjugadas o estar sobre el eje real. [64] El grado del numerador n es igual o menor que el grado de denominador m:

sj

l m |M.D.G.ij (f )| =

sj

l m

Cte

n i=1 (s zi ) m i=1 (s pi ) s=j 2f

[0, 1] m n

La forma racional de una funcin g (f ) : (fmin , fmax ) R+ C es otra funcin bn sn + bn1 sn1 + + b0 h (s) = am sm + am1 sm1 + + a0 s=j 2f Encontramos los valores de am y bn minimizando la siguiente expresin:
k {ai },{bi }

m n

|g (fi ) a (si ) b (si )| ; si = j 2fi


i=1

(4.30)

Los valores de m y n no son conocidos a priori. Fijamos sus valores a travs del siguiente algoritmo iterativo: 1. Ejecutar 4.30 para m = 1 y n = 1. 2. Comprobar si el error est por debajo del umbral permitido. Si no, hacer n = n + 1 y m = m + 1. 3. Decrementar m dejando n jo. Ejecutar 4.30 y evaluar de nuevo el error. 4. Repetir 3 hasta que el error vuelva a aumentar.

4.3.2.2. Respuesta global.


Una vez tenemos las aproximaciones racionales de cada uno de los elementos de todas las secciones, podemos obtener la respuesta global del circuito en banda ancha de forma sencilla. En el apartado 7, mostraremos un ejemplo de esta tcnica.

66

CAPTULO 4. ANLISIS: S.F.E.L.P. EN 2D.

Captulo 5

Diseo: Optimizacin global.


El coste del diseo y la fabricacin de dispositivos de microondas puede llegar a ser tan elevado, que resulta prohibitivo para la mayora de los mercados. Slo un pequeo subconjunto de stos tiene cierta penetracin en la sociedad de consumo. Los telfonos mviles y las antenas parablicas para televisin va satlite son algunos de estos escasos ejemplos. Ortomodos, circuladores, diplexores, antenas de doble polarizacin, bocinas corrugadas, etc... son absolutos desconocidos. Adems, dentro de los mercados especializados, los requisitos demandados son cada vez ms exigentes. Por estos motivos, existe un esfuerzo continuo para mejorar las estrategias de diseo tradicionales, las cuales, se centran en el modelado circuital que precede a la fabricacin del prototipo. Despus, se observa la bondad del circuito y se repite el ciclo en caso necesario hasta alcanzar las especicaciones. Uno de los inconvenientes de esta estrategia de diseo, es que no todos los dispositivos admiten un modelo circuital. Estamos limitando el espacio de soluciones dejando fuera, quizs, el diseo ptimo. Adems, los repetidos ciclos de fabricacin de prototipos encarecen el proceso. En todo caso, el modelado circuital ser imprescindible para todas aquellas situaciones en las que la alternativa implique un coste computacional muy alto, ya que el del modelo circuital es muy bajo. Tambin existen prototipos circuitales muy bien descritos y tabulados que ofrecen un punto de partida muy bueno para posteriores renamientos con modelos de onda completa. Como comentbamos en 1.1.2, se han ensayado estrategias diferentes a la tradicional basadas en redes neuronales en combinacin con optimizadores globales [65]. Si la eciencia del anlisis no es suciente para ser usado en un bucle optimizador, las tcnicas de space mapping [66] solventan la situacin en algunos casos. Generalmente, debido al gran coste computacional de los modelos de onda completa, empleamos algoritmos optimizadores locales que precisan de de una pocas decenas de iteraciones para ofrecer un resultado. Sin embargo, el S.F.E.L.P. presentado en el captulo 4, posee una eciencia suciente para ser ejecutado las 13000 o hasta 40000 iteraciones precisas por S.A. o el A.G.. En este trabajo adaptamos el algoritmo S.A. para la resolucin de problemas electromagnticos con S.F.E.L.P.. En concreto adaptamos los modelos matemticos expuestos con todo rigor en [33], que controlan el proceso a travs del clculo de ciertos estadsticos como el valor medio, la desviacin tpica o la entropa, 67

68

CAPTULO 5. DISEO: OPTIMIZACIN GLOBAL.

Figura 5.1: Mltiples mnimos locales de una funcin de coste con dos variables. para lograr en el menor nmero de iteraciones posibles el mnimo global de la funcin de coste. Describiremos adems cmo estos estadsticos nos ayudan en nuestro estudio de tolerancias mecnicas. Aunque la teora descrita en [33] incluye un criterio de parada vlido para cualquier tipo de problema, nosotros usamos otro especco para nuestros problemas, en conexin con el estudio de tolerancias citado anteriormente y que reduce signicativamente el nmero total de iteraciones. Tambin describimos brevemente el mtodo Simplex, que hemos escogido para renar resultados intermedios ofrecidos por S.A.. Este mtodo es muy rpido y no necesita informacin del gradiente de la funcin de coste para ejecutarse. La combinacin de S.F.E.L.P. en 2-D, S.A. y Simplex constituye la eciente y econmica estrategia de diseo presentada en esta tesis.

5.1.

Simulated annealing.

Describimos someramente el aparato matemtico que controla el curso del optimizador, para poder exponer las modicaciones que adaptan el algoritmo al tipo de problema electromagntico que nos interesa.

5.1.1. Problema electromagntico: Funcin de coste f (x).


Estamos interesados en la mejora conjunta de los parmetros de mrito de circuitos de microondas en guaonda de una o ms puertas y de antenas a travs de la modicacin de: la geometra del dispositivo. las propiedades elctricas de los materiales que lo constituyen.

5.1. SIMULATED ANNEALING.

69

Generalmente, los parmetros que denen estas formas pasan a ser variables de optimizacin x de una funcin coste f (x), que a travs del anlisis del dispositivo, evala su bondad. Normalmente estas variables son nmeros reales que pueden ser escogidos dentro de un rango y que deben satisfacer alguna restriccin: X = {x Rn | xi (ai , bi ) Cond (x) = 0} El conjunto de elementos x que satisfacen las condiciones anteriores se denomina espacio de estados X .

5.1.1.1. Discretizacin del espacio de estados.


La funcin de coste debe satisfacer las siguientes condiciones para poder ser utilizada con esta versin de S.A.:

f D1 (s) 0 s Nn | si [0, pi ]
El espacio de estados S donde el algoritmo puede encontrar la menor evaluacin (mejores propiedades) de la funcin de coste debe ser discreto. Denimos la relacin D : X Rn S Nn entre ambos espacios teniendo en cuenta los niveles de tolerancia toli asociados a los parmetros que controlan las variables de optimizacin: Si sta es geomtrica, la tolerancia viene dada por la precisin de la tcnica de fabricacin: estacin de mecanizado, electroformacin, etc... Si sta controla el valor de la constante dielctrica de algn material, la tolerancia queda denida por el suministrador del material. As nos queda:

si = Di (x) = M enorEntero

xi ai toli

(5.1)

La evaluacin de la funcin de coste sobre un estado ser escrita como vs .

5.1.1.2. Construccin de f (x).


Como veremos posteriormente, esta versin de S.A. calcula ciertos estadsticos que controlan el funcionamiento de la optimizacin. La funcin de coste debe facilitar la convergencia del clculo de estos nmeros en el menor nmero de iteraciones posible. Este requisito nos conduce al planteamiento de funciones de coste poco sensibles respecto a las variables de optimizacin. Pero, por otro lado, la velocidad de convergencia del algoritmo depender tambin de lo distinguido que presente la funcin de coste al mejor estado. Este otro requisito precisa de funciones muy sensibles. Debemos, entonces, elegir un trmino medio. El tipo de funcin de coste que mejores resultados nos ha ofrecido es la constituida como sumatorio ponderado de los factores de mrito normalizados.

f (x) =
k

Ctek

Me ritok (x) m n (M e ritok (x))

70

CAPTULO 5. DISEO: OPTIMIZACIN GLOBAL.

5.1.2. Deniciones y algoritmo.


Denimos ciertos objetos matemticos que nos ayudan a describir con precisin el algoritmo. Estas funciones son, adems, el objeto de estudio de los siguientes apartados.

5.1.2.1.

Deniciones.

Relacin de vecindad S S : describe al conjunto de pares de estados conectados por un solo movimiento. Los estados s ys estn conectados por k movimientos:( s, s ) k Dimetro (S, ) del espacio de estados S dada una relacin de vecindad : mide el tamao del espacio de estados.

( s, s ) k s,s )S S k(S, ) (
El conjunto de estados conectados con s se denomina s . La relacin debe:

Conectar todos los elementos: k=1 k = S S . Ser simtrica: s s, s ) ( s ,s ) ]. S s S [( Ser reexiva s s, s ) ]. S [(


Probabilidad de seleccin : S S [0, 1] R: indica la probabilidad de seleccionar (no implica aceptacin) un estado s partiendo de un estado s . Esta funcin debe satisfacer:

( s, s ) = 0]. s,s ) / [ ( ( [ ( s , s ) = 0]. s,s ) s S


s s

( s, s ) = 1 .

Simetra: ( s, s ) = ( s ,s )]. s,s ) / [ (


Funcin de aceptacin : (vs , vs , t) R+ (0, 1] R: indica la probabilidad de aceptar el nuevo estado seleccionado s como estado actual en funcin del parmetro de control. Esta funcin debe satisfacer:
3

Aceptar siempre los estados mejores: vs vs (vs , vs , t) = 1. vs > vs > vs (vs , vs , t) (vs , vs , t) = (vs , vs , t). Al nal no se aceptan estados peores: vs vs l mt0 (vs , vs , t) = 0.
Probabilidad de transicin de un estado s a otro s :

: (s, s , t) S S R+ [0, 1] R = ( s, s ) (vs , vs , t)

5.1. SIMULATED ANNEALING.

71

5.1.2.2. Algoritmo.
1. Seleccionamos un estado aleatorio inicial s y una temperatura inicial t. 2. Durante m (t) ciclos:

a ) Seleccionamos un estado siguiente s s s, s ). con una probabilidad ( b ) Aceptamos s como nuevo estado actual con una probabilidad (vs , vs , t).
3. Si se cumple la condicin de parada terminamos, y si no, decrementamos t y volvemos al punto 2.

5.1.3. Cadenas de Markov.


El bucle interno del algoritmo 5.1.2.2 describe una cadena. Como cada nuevo estado slo depende del estado anterior, es una cadena de Markov. Adems, el parmetro de control t no vara en el bucle, por tanto tenemos una cadena de Markov homognea.

5.1.3.1. Equilibrio.
Se puede demostrar que tras un nmero sucientemente grande de iteraciones estas cadenas satisfacen unas caractersticas de equilibrio que son independientes del estado inicial. De este modo, podemos encontrar una funcin de distribucin de estados (s, t), que describa la probabilidad de encontrarse en un estado s cuando el parmetro de control vale t. Esta funcin se calcula as:

(s, t) =
s S

(s , t) (s , s, t)

cumpliendo

sS

(s, t) = 1.

5.1.3.2. Funciones de transicin reversibles.


Las cadenas quedan completamente denidas una vez dadas la funcin de s, s ) y la funcin de aceptacin (vs , vs , t). coste f (x), la probabilidad seleccin ( Si se satisface la condicin:

s S s S [ (s , t) (s , s, t) = (s, t) (s, s , t)]


la cadena recibe el apellido de reversible. Como la probabilidad de seleccin satisface las condiciones expuestas en 5.1.2.1, podemos concluir que la funcin de distribucin de estados es independiente de dicha probabilidad. Es decir:

( s,s )

(s , t) (vs , vs , t) = (s, t) (vs , vs , t)

(5.2)

72

CAPTULO 5. DISEO: OPTIMIZACIN GLOBAL.

5.1.3.3.

Mejora de la velocidad de convergencia.

En nuestros problemas, construiremos el espacio de estados y las relaciones de vecindad de tal modo que sea inmediato denir algoritmos de cambio de estado que cumplan con las condiciones 5.1.2.1 de la probabilidad de seleccin. Tambin escogeremos una funcin de aceptacin que har la cadena reversible y por tanto independiente de ( s, s ). Podemos aprovechar esta independencia para acelerar la velocidad de convergencia de la optimizacin. Uno de los problemas ms habituales dentro del bucle interno de S.A. (parmetro de control constante), es la posibilidad de quedarse atrapado, un nmero de iteraciones indenido, en alguna zona del conjunto S . Este problema es ms acuciante cuanto mayor sea el dimetro del espacio (S, ). Sabemos que en virtud de 5.1.3.1, tarde o temprano llegaremos al equilibrio predicho. Pero esa situacin de equilibrio puede anticiparse seleccionando la funcin de cambio de estado adecuada. Seleccionar la funcin de cambio de estado equivale a denir ( s, s ). Denimos la siguiente: 1. Denimos un paso:

P aso (tj ) Nn P asoi (tj ) = m ax

P asoi (tj 1 ) + 2

pi 100

,3

siendo P asoi (t0 ) = m ax


2. Hacemos s aux = s actual

pi 10 , 3

3. Dado un estado actual s actual S el estado siguiente s siguiente se calcula a travs de la suma cclica mdulo pi para cada una de las n componentes:

Aleatorio [0,5, 0,5] P asoi (tj ) veces:


sauxi = sauxi 1 Si s aux / S vuelvo al punto anterior. 4. s siguiente = s aux Conforme avanza el algoritmo hacemos menos probable hacer saltos tan largos como al principio. Decrecemos paulatinamente hasta el 10 % del valor inicial para cada componente. Esta eleccin es coherente con el hecho de que al principio el algoritmo explora todo el espacio y poco a poco se va centrando en la regin que contiene al estado que proporciona la menor evaluacin de la funcin de coste.

5.1.4. La funcin de aceptacin.


Veremos cmo observando esa funcin desde dos puntos de vista distintos, concluimos para ella una expresin ptima en todos los sentidos.

5.1.4.1.

Valor medio de la funcin de coste.

Hasta ahora nos hemos centrado en el bucle interno de S.A., y hemos descrito los parmetros que lo controlan. Pero el n del algoritmo no es solamente

5.1. SIMULATED ANNEALING.

73

encontrar una cadena en equilibrio sino ser capaz de introducir cambios progresivos que lleven ese equilibrio a una situacin que nos permita encontrar el mnimo global. Se puede demostrar que con la denicin del algoritmo S.A. de 5.1.2.2 la dependencia con el parmetro de control t de la funcin de aceptacin , puede modicar la distribucin de estados de modo que:

s n (vs ) l m (s, t) = 0 S vs = m
s S t0

Cuanto menor sea la temperatura ms frecuentaremos estados con evaluacin baja. Si aceptamos que vare con la diferencia de las evaluaciones de los dos estados bajo consideracin podemos escribir:

(vs , vs + vs , t) (vs , vs , t) Si derivamos respecto de la segunda variable tenemos que: g (vs , t) = (vs , vs , t) = (vs , vs , t) c1 (t) vs
con c1 (t) negativa, continua, monotnica y l mt0 c1 (t) = . Esta ecuacin diferencial dene una funcin del tipo:

(vs , vs , t) = m n 1, e(vs

vs )c1 (t)

5.1.4.2. Entropa.
La entropa del espacio de estados S se dene como HS = s S (s, t) ln ( (s, t)). Da una idea del tamao del subespacio de los estados ms probables. Los estados ms deseables, para un determinado valor de t, vienen determinados por su evaluacin vs . Nos interesa que durante la ejecucin del bloque interno del S.A., tengamos el conjunto de estados ms deseables ms amplio posible. Esto puede formularse de forma ms rigurosa as: Encontrar que maximice la entropa HS cumpliendo tambin: Controlamos el valor medio de la cadena: vs (t) = es una probabilidad: s S (s, t) = 1.
s S

vs (s, t).

Si empleamos la tcnica de multiplicadores de Lagrange se puede concluir:

(s, t) =
cumpliendo c2 (t):

evs c2 (t) vs c2 (t) s S e

vs evs c2 (t) vs c2 (t) s S e Si la cadena es reversible, entonces la funcin de aceptacin tiene que ser de la forma: vs (t) =
s S

(vs , vs , t) = m n 1, e(vs

vs )c2 (t)

74

CAPTULO 5. DISEO: OPTIMIZACIN GLOBAL.

5.1.4.3.

Compatibilidad de criterios.

Las funciones de aceptacin concluidas en los dos apartados anteriores son idnticas y las condiciones impuestas para c1 (t) y c2 (t) son compatibles. La eleccin de esta funcin es nuestra, y de ella depender la relacin entre t y vs (t). Si elegimos c (t) = 1 t forzaremos una relacin sencilla entre la entropa y el valor medio de la funcin de coste. Operando:

d vs (t) dHS (t) 2 (t) =t = dt dt t2

(5.3)

Esta expresin nos facilitar el clculo de estos estadsticos a partir de sus valores iniciales durante la ejecucin de optimizador.

5.1.5. Plan de accin.


Una vez hemos decidido cul es la mejor funcin de aceptacin , construido el espacio de estados S y elaborado un algoritmo de estado siguiente que dene la funcin de aceptacin , tenemos que determinar cul es el valor del parmetro de control al inicio t0 y su decremento ti , adems de cuntas deben ser las iteraciones por cada bucle.

5.1.5.1.

El parmetro de control.

En el inicio, generamos estados aleatoriamente en nmero suciente para estimar los valores iniciales vs 0 y 0 . En virtud de la expresin 5.3, la estimacin del valor medio al inicio en las primera etapas es:

vs

vs

0 t0

En el apartado 5.1.6, veremos que el valor medio no vara mucho de un bucle a otro en las primeras etapas. Por este motivo, es razonable elegir una temperatura inicial relativamente grande respecto a 0 .

t0

(5.4)

El decremento del valor de la temperatura ti debe ser lo sucientemente pequeo como para no alterar signicativamente el equilibrio de la cadena, pero a la vez lo mayor posible para no aumentar innecesariamente el nmero de bucles hasta llegar a la temperatura mnima. Podemos matizar el signicado de la alteracin del equilibrio de la cadena exponiendo el siguiente teorema:

s{s||vs

vs (t)|< (t)}
2

d (s,t) dt

(s, t)

<

(t) < t2 t

Si elegimos t = cte t(t) , la variacin relativa del de la funcin de distribucin de estados est acotada. Para estimar el valor de la constante, nos jamos en el hecho de que se debe cumplir t0 to , lo que nos conduce a elegir:

cte

0 t0

5.1. SIMULATED ANNEALING.

75

5.1.5.2. Nmero de iteraciones para cada valor del parmetro de control.


Para cada valor del parmetro de control ejecutamos un bucle que debe alcanzar el equilibrio en un nmero nito de iteraciones. Nos preguntamos cuntas iteraciones son necesarias. Si la cadena est en equilibrio, el valor de la entropa de la variable aleatoria compuesta por n sucesos condicionada a un estado inicial concreto Hsm |s0 debe ser igual a la entropa global HS . Tratndose de una cadena de Markov Hsm |s0 mHsactual |santerior . Nos queda la siguiente cota inferior. HS (ti ) m (ti ) Hsactual |santerior (ti ) De la expresin 5.3 podemos obtener el valor actual de la entropa:
t

HS (t) = HS (t0 ) +

d vs (t) t

siendo HS (t0 ) = ln (|S |). La entropa local Hsactual |santerior es ms complicada de calcular por la dicultad que entraa el clculo de (s, s, t). Empleamos la siguiente aproximacin: 1. Calculamos a =
|{s i |s i = si1 }| k

2. Aproximamos ( s, s ) por una constante igual para todo s ys . 3. Hsactual |santerior

a ln

m ax(0,vs ) t

+ (a 1) ln (1 a).

5.1.6. Relacin entre el parmetro de control y la distribucin del coste.


La relacin entre el parmetro de control y el comportamiento estadstico del coste depende de la distribucin del coste sobre los estados. Mediciones durante la ejecucin del algoritmo permiten estimar los indicadores ms importantes conforme variamos t. De todos modos, podemos predecir la existencia de dos zonas delimitadas por el valor t = T , que distingue la zona de control ligero de la del exhaustivo.

5.1.6.1. Rango de control ligero.


Para valores de t T la distribucin del coste sigue una ley normal con:
2 (t0 ) . t

vs (t) = vs (t0 ) 2 (t) = 2 (t0 ). HS (t) = HS (t0 )

2 ( t0 ) 2t2

Esta etapa se caracteriza por tener una escasa dependencia respeto a las variaciones de t. Podemos decir que el optimizador est rastreando el espacio de estados.

76

CAPTULO 5. DISEO: OPTIMIZACIN GLOBAL.

5.1.6.2.

Rango de control exhaustivo.

Para valores de tm n t < T la distribucin del coste sigue una ley gamma con:

vs (t) = vs (t0 ) + (t) = (t0 )


t T

2 (t0 ) T

t T

2 .

.
2 (t0 ) T2

HS (t) = HS (t0 )

ln

t T

1 2

Cabe esperar que el valor de la entropa en el ltimo bucle sea muy prximo a cero, ya que generalmente pocos estados tienen un coste cercano al mnimo absoluto. As podremos estimar a priori el valor mnimo del parmetro de control:

tm n = T e

T 2 HS (t0 ) +1 2 2 (t0 )

El valor T puede estimarse teniendo en cuenta que la varianza empieza a disminuir de forma conocida a partir de t = T :

T = (t0 ) m n

t (t)

5.1.6.3.

Condicin de parada y tolerancias mecnicas del dispositivo.

El diseo de un dispositivo electromagntico no slo comprende entre sus objetivos mritos de naturaleza elctrica, sino que tambin estos deben mantenerse estables frente a posibles desviaciones respecto a las dimensiones nominales. Podemos encontrar diseos robustos haciendo un uso coherente del criterio de parada y deniendo la funcin de discretizacin D como en 5.1. El algoritmo vara las dimensiones del dispositivo teniendo en cuenta la tolerancia mecnica para esa dimensin. Pararemos la optimizacin cuando el conjunto de mejores resultados tenga un tamao mnimo. El tamao del conjunto se mide con la entropa. Supongamos que buscamos que el nmero de mejores resultados sea del entorno del nmero de variables de optimizacin n. Con t sucientemente bajo la entropa de S cuando n estados tienen la mejor evaluacin es 1 1 HS (t) sS n ln n = ln(n). Por tanto paramos si:

HS (t) < cte ln(n)


con cte > 1.

(5.5)

5.1.7. Ejemplo de optimizacin de una funcin de coste analtica.


En [67], proponen una funcin de coste con cuatro variables:

f (x, y, 1 , 2 ) = 1 2 3 4

sen(1 ) 1

= 3 (x = 3 (x = 3 (x = 3 (x

sen(2 ) 2 14 7) y 4 y 7 14) 4 17 2) y 4 y 2 7) 4

sen(3 ) 3

sen(4 ) 4

1 2

(1 , 2 )

5.1. SIMULATED ANNEALING.

77

Figura 5.2: Variacin de la entropa en funcin del parmetro de control. donde (1 , 2 ) =

, si 1 > 2 . 0 , otros casos Las variables 1 y 2 nicamente afectan al factor de escala. Las otras dos caracterizan un dominio con numeros mximos locales. De entre todos ellos destacan cuatro: {(7, 14) , (2, 17) , (8, 25 , 18, 75) , (0, 8 , 12, 4)}

|1 2 | 10

El mximo absoluto se encuentra en (7, 14). En las gura 5.2 vemos la evolucin de la entropa a lo largo de la optimizacin. Puede verse claramente el cambio de comportamiento en cada una de las zonas de control. En la gura 5.3, tenemos el comportamiento del parmetro de control en funcin de las iteraciones. Este algoritmo logra encontrar el mximo absoluto de esta funcin de coste aproximadamente el 90 % de las ocasiones en unas 13000 iteraciones. En la gura 5.4, mostramos alguna de estas realizaciones. Este ejemplo nos ha servido para jar dos parmetros del optimizador que inuyen drsticamente en su comportamiento: La constante de la desigualdad que indica la nalizacin del proceso (ecuacin 5.5) es 5. En la ecuacin 5.4, indicamos que el parmetro t0 debe ser mucho mayor que 0 . Elegimos en concreto la relacin t0 = 100 . Sin embargo, en las 350 iteraciones iniciales que hacemos para calcular los estadsticos de partida, vamos guardando el mejor resultado que casualmente encontremos. Esta prctica puede situar el punto de partida en una zona donde sea difcil salir.

78

CAPTULO 5. DISEO: OPTIMIZACIN GLOBAL.

Figura 5.3: Progresin del parmetro de control t a lo largo de la ejecucin de S.A..

Figura 5.4: Progresin del mejor resultado a lo largo de la ejecucin de S.A..

5.2. SIMPLEX.

79

Para facilitar la exploracin de todo el espacio, y no quedar atrapados, aumentamos el valor del parmetro de control:

tnuevo = 25 t0 0
Aunque pueda parecer que esta medida alargue mucho el proceso, lo cierto es que la temperatura en el rango de control ligero disminuye rpidamente. Por tanto, este valor se elige con un amplio margen para asegurar el xito de la optimizacin, sin comprometer en exceso su eciencia.

5.2.

Simplex.

El algoritmo Simplex aparece descrito en [31]. Este optimizador local necesita muchas menos iteraciones que S.A. para ejecutarse. Por este motivo, puede sernos de utilidad arrancar una optimizacin local, utilizando como punto de partida algn estado intermedio de S.A., para obtener diseos tentativos antes de conocer el resultado nal. Tambin se utiliza para renar la salida de S.A.. Pero debemos tener cuidado con esto. La condicin de parada est diseada para proporcionar el mejor resultado que, a la vez, sea sucientemente robusto, atendiendo a la tecnologa empleada y otras restricciones que puedan aparecer. Simplex no atiende estos requisitos, y puede presentarnos resultados con muy buenas propiedades elctricas pero, quizs, demasiado sensibles a los parmetros de diseo.

80

CAPTULO 5. DISEO: OPTIMIZACIN GLOBAL.

Parte II

Aplicaciones

81

Captulo 6

Circuitos plano-H.
Empleamos el mtodo de anlisis S.F.E.L.P. particularizado para circuitos plano-H junto con el optimizador S.A. + simplex. Para obtener una correcta representacin del campo mallamos con un promedio de 10 elementos por . En estudios en banda ancha debemos tener la precaucin de elegir la correspondiente a la mayor frecuencia. El tipo de elemento y formulacin empleada es la descrita en 4.1.4. Con estos elementos se logra en un Pentium III a 1 GHz con una memoria de 1 Gbyte una respuesta en 50 puntos de frecuencia sobre la banda de inters en 3,5 - 10 segundos dependiendo del mallado utilizado y el tamao del circuito. Esta eciencia nos permite emplear S.A. que precisar de unas 13.000 iteraciones para completarse. Para conocer la precisin de nuestro mtodo de anlisis hemos hallado el coeciente de reexin de varios tramos de guaonda WR-90 (0,9 por 0,4 pulgadas) en banda X (de 8,2 GHz a 12,4 GHz) sobre distintos puntos de frecuencia. En la tabla 6.1 resumimos los resultados. Medidas de coecientes de reexin por debajo de 61 dB quedan fuera de la precisin del mtodo sobre un PC. En cada puerta de acceso al circuito planteamos una expansin modal que describa sucientemente bien el campo en ese plano. En principio empleamos tamaos de gua que soportan un solo modo pero si estamos cerca de alguna discontinuidad el nmero de modos de orden superior puede ser grande y debe ser incluido en la expansin. Estos modos constituyen los segundos miembros de nuestra formulacin y suponen un esfuerzo de computacin. Podemos reducir el nmero de modos necesarios en las puerta alejando stas de las discontinuidades a lo largo de una guaonda aprovechando el rpido decaimiento de la magnitud de los modos al corte. Este alejamiento supone un incremento en el nmero de GHz\cm 8,2 10 11 12,4 1,5 -96,6 -102 -79,8 -95,1 2,5 -121,4 -97,0 -106,5 -102,2 3,5 -108,0 -61,0 -104,5 -84,6 4,5 -95,0 -89,0 -102,6 -86,7

Cuadro 6.1: Coeciente de reexin en dB de un tramo de guaonda calculado con S.F.E.L.P. 2-D. 83

84

CAPTULO 6. CIRCUITOS PLANO-H.

elementos del mallado que tambin repercute negativamente en el tiempo de clculo. Existe un compromiso. En todos los ejemplos trabajamos sobre una gua WR-90. La constante de atenuacin del modo superior emsimo, T Em0 , a 12,4 GHz a una distancia de z = 0, 5 cm es:
q

T Em0 (f )z

=e

2 0 0 +( m a )

Nos preguntamos cuntos modos tenemos que considerar en cada puerta para que el primer modo no incluido en la expansin supusiera como mucho 60 dB respecto al fundamental:

m 20 log eT Em0 (f )z 61 dB
Debemos considerar al menos 11 modos en cada puerta rectangular. En todos los diseos de este apartado se presupone que van a ser construidos en una estacin de mecanizado que erosiona un bloque metlico (latn generalmente) con una fresa. Como indicbamos en 3.2.1 y segn la tecnologa a nuestro alcance tenemos que: asegurar un radio de curvatura mnimo, Rmin = 2 mm prever unas tolerancia, tol = 50 m y evitar picos salientes.

6.1. Vericacin del mtodo S.F.E.L.P. en circuitos plano-H.


Para evaluar la bondad del mtodo de anlisis desarrollado, comparamos nuestros resultados numricos con medidas realizadas sobre dispositivos. stos han sido extrados de la bibliografa y son: un dispositivo desfasador en guaonda a base de dielctrico y un divisor de potencia en T con poste inductivo.

6.1.1. Desfasador.
Analizamos un desfasador en guaonda con dielctrico en las paredes verticales. La seal se retrasa 90o en su trayecto respecto a la gua vaca. En [68] proponen varios diseos y proporcionan medidas sobre uno de ellos. En la gura 6.1 se especican las dimensiones del dispositivo de referencia. El material dielctrico es Rexolite con r = 2, 54 y tan ( ) = 6,6 104 a 25o C y 10 GHz . Este circuito presenta doble simetra: una transversal y otra longitudinal. Aprovecharemos la simetra longitudinal. Adems, como el modo fundamental T E10 tiene una pared magntica sobre el plano de simetra longitudinal slo tenemos que analizar una vez la mitad de la estructura para conocer sus parmetros elctricos de inters. El mtodo tiene en cuenta las prdidas en el material dielctrico. En la gura 6.2 mostramos el error de fase diferencial, que es el resultado de restar 90o a la diferencia de fases entre la gua vaca y la que tiene dielctrico, y el coeciente de reexin. Existe una razonable concordancia en toda la banda.

6.1. VERIFICACIN DEL MTODO S.F.E.L.P. EN CIRCUITOS PLANO-H.85

Figura 6.1: Desfasador de 90o sobre WR-62 (0,622 por 0,311 pulgadas) con D = 0, 382 cm y L = 10, 0 cm.

Error de fase dif. (grad)

5
Medida

0 5
S.F.E.L.P.

10 13 20

13.5

14 14.5 Frecuencia (GHz)


Medida

15

S11(dB)

40
S.F.E.L.P.

60 13

13.5

14 14.5 Frecuencia (GHz)

15

Figura 6.2: Respuesta elctrica medida y calculada del desfasador de la gura 6.1.

86

CAPTULO 6. CIRCUITOS PLANO-H.

Figura 6.3: Divisor de potencia en T sobre WR-229 con d = 5, 817 cm, h = 2, 55 cm y R = 0, 4 cm.

6.1.2. Divisor de potencia con poste.


En [69], se lleva a cabo el anlisis de un estructura en guaonda con tres puertas de igual tamao dispuestas en T. Un poste metlico cilndrico vertical mejora la respuesta en una estrecha banda de frecuencias. En la gura 6.3, denimos las dimensiones del dispositivo. La puerta 1 es la que no tiene ninguna otra enfrentada. En la gura 6.4, comparamos las respuestas obtenidas numricamente con las medidas. En los extremos de la banda, donde los niveles son ms elevados, ambas respuestas son similares. En el centro la diferencia es mayor. No podemos aventurar una justicacin precisa a esta discrepancia ya que no tenemos control sobre la medida ni la precisin en la fabricacin del dispositivo. Unos niveles tan bajos de seal precisan de una calibracin adecuada que contemple hasta la ms leve reexin en cables y conectores. En cambio podemos esperar una precisin en los clculos de hasta 61 dB con S.F.E.L.P.. Adems, en este anlisis no se han tenido en cuenta las prdidas.

6.2. Codo de 90o .


Empleamos el mtodo propuesto en esta tesis para disear, construir y medir un codo de 90o sobre una guaonda WR-90. Este dispositivo desva la direccin de propagacin del modo fundamental en un ngulo recto. En muchas aplicaciones es deseable que este giro se produzca en la menor longitud elctrica posible. Tambin es deseable que el coeciente de reexin sea bajo, y todo esto en toda la banda monomodo de la gua. Estas cualidades resultan difcilmente conciliables y su coexistencia constituye el objetivo de este diseo. Proponemos una estructura de longitud mnima (radio de curvatura interior nulo) mostrada en 6.5. El dispositivo es simtrico y la circunferencia exterior es sustituida por una concatenacin de 7 curvas como las descritas en 3.1.3.

6.2. CODO DE 90O .

87

20
Medidas

25

30
S11 (dB)
S.F.E.L.P

35

40

45 3.6

3.8

4 Frecuencia (GHz)

4.2

4.4

Figura 6.4: Respuesta elctrica medida y calculada del divisor de la gura 6.3 El punto de unin entre la curvas i e i + 1 se sita sobre la recta con un ngulo de elevacin i = 90 7 i. Las variables de optimizacin son las longitudes de estas rectas salvo R4 que indica la posicin del punto central de la cuarta curva para 4 = 45o . Hicimos un diseo con 15 tramos sin que mejoraran los resultados que presentaremos aqu. Las puertas elctricas quedan separadas de la discontinuidad 0, 5 cm como establecimos anteriormente.

6.2.1. Diseo.
6.2.1.1. Funcin de coste.
Puesto que la longitud elctrica es ya mnima debido a la disposicin de las puertas, no es necesario incluir su efecto en la funcin de coste.

f (x) = 100 +

fGHz (8,2, 12,4)

m ax

(|s11 |dB )

La evaluacin de cada ensayo de dispositivo depende del peor coeciente de reexin en la banda. La nica restriccin a los valores de las variables de optimizacin es el rango de variacin de las mismas. En la tabla 6.2 vemos todos estos valores y el resultado de la optimizacin.

6.2.1.2. Anlisis de tolerancias.


Una vez nalizado el proceso de optimizacin volvemos a utilizar el algoritmo (ahora slo Simplex ) pero con una funcin de coste que busque empeorar la respuesta elctrica. Utilizamos la funcin opuesta a la anterior:

f (x) =

fGHz (8,2, 12,4)

m ax

(|s11 |dB )

88

CAPTULO 6. CIRCUITOS PLANO-H.

R4

R3

R2

R1

Figura 6.5: Codo de 90o sobre WR-90. Denicin de las variables de optimizacin.

S.A.+Simplex R1 R2 R3 R4

Optimizado 2,202 2,090 2,116 2,198

Cuadro 6.2: Parmetros de optimizacin del codo de 90o en cm.

6.2. CODO DE 90O . tol=50 m R1 R2 R3 R4 Mnimo 2,197 2,085 2,111 1,193 Mximo 2,207 2,095 2,121 2,203 Optimizado 2,201 2,091 2,167 2,197

89

Cuadro 6.3: Anlisis de tolerancia del codo de 90o en cm.


30
Caso peor

40 50
S11(dB)
Medido

60 70
H.F.S.S.

80
S.F.E.L.P.

90 8

10 11 Frecuencia (GHz)

12

13

Figura 6.6: Respuesta elctrica medida y calculada del codo de la gura 6.5. El rango de variacin de las variables de optimizacin se construye sumando y restando la tolerancia de la tecnologa de fabricacin al punto ptimo que encontramos en el apartado anterior. En este caso son 50 m en todas las variables. En la tabla 6.3 lo resumimos todo.

6.2.1.3. Validacin del anlisis numrico.


Adems, hemos vericado nuestros resultados numricos antes de pasar a la fabricacin del dispositivo con el programa H.F.S.S. de Ansoft. En la gura 6.6, observamos niveles por debajo de 61 dB para ambos anlisis. No son representativos los valores por debajo de esta magnitud que, como ya hemos dicho, representa la mxima precisin de la mquina y el mtodo. Observamos tambin como la curva medida se sita entre los valores ptimos tericos y la prediccin del caso peor del anlisis de tolerancias.

6.2.2. Fabricacin y medida.


Una tcnica apropiada para la fabricacin de muchos circuitos plano-H es la fresadora. Segmentamos la pieza en dos de modo que sobre la primera se erosiona conforme a la geometra del circuito y la segunda acta de tapa. Puesto

90
     

CAPTULO 6. CIRCUITOS PLANO-H.




RS

TU

RS

TU



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'

'

1#

&

&6

A6

)0

)2

34

'

%)

'

)4

32

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"#

&

Figura 6.7: Planta del bloque erosionado.

que slo interesa construir un prototipo, no emplearemos moldes sobre los que depositar posteriormente metal u otras tcnicas que s resultaran ms ecientes en producciones a gran escala. En las guras 6.7 y 6.8, detallamos las dimensiones del bloque a erosionar. La curva suave que dene el perl facilita su mecanizado. En la planta, mostramos la posicin y el tipo de tornillera (M3 ) que debe asegurar un perfecto y continuo contacto elctrico entre piezas. En las guras 6.9 y 6.10 detallamos las dimensiones de la tapadera. Esta pieza incluye fosas para los cabezales de la tornillera. El dimetro de los agujeros debe ajustarse lo ms estrechamente posible al tornillo para evitar desalineamientos. Esto es especialmente importante para los conectores con las guas exteriores. Estos deben tener unas dimensiones especcas y cuentas con una tornillera particular, la UNC-8-32. Desalineamientos en las puerta aaden reexiones indeseables. En la gura 6.11, observamos dos poste de alineamiento que complementan la accin de la tornillera. La respuesta elctrica medida en un analizador de espectros (HP 8510C) conrma todas las predicciones tericas y la respuesta est siempre por debajo de 30 dB en toda la banda. Existen otros trabajos con codos como [70] en el que emplean septums que mejoran la respuesta. En la industria [71] tambin podemos encontrar estos dispositivos con un coeciente de reexin de unos 23 dB .

6.2. CODO DE 90O .

GH

AB

CD

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'

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'

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"

'

&

AB

CD

0 E

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"



S 

0 )

Figura 6.8: Alzado del bloque erosionado.

Figura 6.9: Planta de la tapadera.


& 2 (3 0 6 5 4 0 E @ 2 3 & B& 7 & 68 6 !"# @ @ 9 F 0 $ (  1 !"# (A 3 $  6 P C 9B ( 9 10 Q 3 D E 6 0 @ F ( ) 6 # B @8 G B 0 9 C

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3

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7 

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91

92

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4 $

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&

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Figura 6.10: Lado derecho de la tapadera.


&    " 5 ' ( 9@ #") 7 A 0 E " 2 '1 ' F # 0 (3  4  ( " 5 6 

9@

Figura 6.11: Bloque y tapadera del codo fabricado en latn.


 71     8 1 ' 2 (    

CAPTULO 6. CIRCUITOS PLANO-H.

6.3. DISEO DE DESFASADORES BASADOS EN DIELCTRICO.

93

6.3. Diseo de desfasadores basados en dielctrico.


Incluimos ahora un diseo con dielctricos. El objetivo es disear un desfasador en guaonda que en la menor longitud posible desfase la seal 90o respecto a la salida de otra guaonda de la misma longitud y con el menor coeciente de reexin posible. Utilizamos la siguiente funcin de coste: 200 + L Si [ < 2o ] [|s11 |dB < 30] 100 100 30 + L Si [ > 2o ] [|s11 | > 30] dB 2 |s11 |dB fi (x) = 100 + 100 + L Si [ > 2o ] [|s11 |dB < 30] 2 100 100 30 + L Si [ < 2o ] [|s11 |dB > 30] |s11 |
dB

siendo = 90 (T E10 d s21 ). Esta funcin a trozos es continua y penaliza si es mayor que 2o y el coeciente de reexin si es mayor que 30 dB a la frecuencia f ri . Buscamos un dispositivo centrado en 10 GHz que tenga un 15 % de banda (f ri (9, 25 GHz, 10, 75 GHz )). Por tanto:

f (x) =

1 fi (x) N i=1

Como en 6.1.1 slo contemplamos media seccin transversal que cerramos verticalmente con una pared magntica. Tambin se tendrn en cuenta las prdidas en el material dielctrico. Estudiaremos el caso en el que el dielctrico ocupa el centro del dispositivo y en el que el dielctrico se site en los bordes verticales. El anlisis de tolerancias lo llevaremos a cabo como en 6.2.1.2, perturbando el valor ptimo de las variables de optimizacin y evaluando cada caso con la funcin de coste opuesta a la expuesta anteriormente.

6.3.1. Dielctrico en los bordes.


En la gura 6.12, mostramos cmo cuatro variables de optimizacin, hi , denen cuatro tramos de curva continua que delimitan el perl del dielctrico. Como en 6.1.1, el material es Rexolite. Experimentos con ms tramos nos conrman que cuatro son sucientes. La longitud L tambin es una variable de optimizacin. La altura t = 0, 2 mm es ja y simula el imperfecto pegamento del dielctrico al metal cuyo perl tiene derivada nula. Todo para minimizar el coeciente de reexin. La nica restriccin que deben satisfacer las variables de optimizacin hi es no denir un perl que sobrepase los lmites denidos por la pared elctrica y 90 sino que las curvas que dan magntica. Esto no slo implica 0 hi bW R 2 lugar deben estar igualmente acotadas.

6.3.1.1. Diseo
En la tabla 6.4, tenemos las cotas y los valores resultantes de este diseo. Con una longitud de 7, 338 cm el error diferencial de fase (ver gura 6.13) aparece acotado entre 6o en la banda de inters. En la gura 6.14, el coeciente de reexin permanece por debajo de los 41 dB .

94

CAPTULO 6. CIRCUITOS PLANO-H.

Figura 6.12: Diseo desfasador de 90o sobre una guaonda WR-90 con dielctrico en los bordes.

S.A.+Simplex h1 h2 h3 h4 L

Optimizado 0,670 0,546 0,364 0,150 7,338

Cuadro 6.4: Parmetros del desfasador con dielctrico en los bordes en cm.

6.3. DISEO DE DESFASADORES BASADOS EN DIELCTRICO.

95

15 10
Error de fase diferencial (grados)

Caso peor

5 0 5 10 15 20
Optimizado

25 30 8

8.5

9.5

10 10.5 Frecuencia (dB)

11

11.5

12

12.5

Figura 6.13: Error diferencial de fase del diseo nal del desfasador de la gura 6.12 y su empeoramiento tras el anlisis de tolerancias.

30
Caso peor

35 40 45
S11 (dB)
Optimizado

50 55 60 65 70 8

8.5

9.5

10 10.5 11 Frecuencia (GHz)

11.5

12

12.5

Figura 6.14: Coeciente de reexin del desfasador de la gura 6.12 y su empeoramiento tras el anlisis de tolerancias.

96 tol=50 m h1 h2 h3 h4 L

CAPTULO 6. CIRCUITOS PLANO-H. Mnimo 0,665 0,541 0,359 0,145 7,333 Mximo 0,675 0,551 0,369 0,155 7,343 Optimizado 0,665 0,541 0,361 0,145 7.335

Cuadro 6.5: Anlisis de tolerancia del desfasador con dielctrico en los bordes.

Figura 6.15: Diseo desfasador de 90o sobre una guaonda WR-90 con dielctrico en el centro.

6.3.1.2.

Anlisis de tolerancias.

En la tabla 6.5, recogemos los valores del peor caso del anlisis de tolerancias. La peor perturbacin en las dimensiones desplaza la curva de fase hacia frecuencias ms altas.

6.3.2. Dielctrico en el centro.


En la gura 6.15, mostramos las variables de optimizacin hi que denen el perl del dielctrico y L la longitud del dielctrico. El material es tambin Rexolite. Las restricciones que deben satisfacer las variables de optimizacin hi son las mismas que antes:

0 hi

bW R90 2

las curvas a que dan lugar estn igualmente acotadas.

6.3.2.1.

Diseo

En la tabla 6.6, tenemos las cotas y los valores resultantes de este diseo.

6.3. DISEO DE DESFASADORES BASADOS EN DIELCTRICO. S.A.+Simplex h1 h2 h3 h4 L Optimizado 0,368 0,321 0,134 0,078 2.723

97

Cuadro 6.6: Parmetros del desfasador con dielctrico en el centro cm.


15 10
Error de fase diferencial (grados)

Caso peor

5 0

Optimizado
5 10 15 20 25 30 8

8.5

9.5

10 10.5 Frecuencia (dB)

11

11.5

12

12.5

Figura 6.16: Error diferencial de fase del diseo nal del desfasador de la gura 6.15 y su empeoramiento tras el anlisis de tolerancias.

Con una longitud de 2, 723 cm el error diferencial de fase (ver gura 6.13) aparece acotado entre 5o en la banda de inters. En la gura 6.14, el coeciente de reexin permanece por debajo de los 38 dB . Una posible explicacin de estos resultados en contraste con los anteriores (menor longitud y similares prestaciones) es que el modo fundamental transporta la mayor parte de la energa por el centro de la gua donde ahora colocamos el dielctrico encargado de retrasar la propagacin de la onda.

6.3.2.2. Anlisis de tolerancias.


En la tabla 6.7, recogemos los valores del peor caso del anlisis de tolerancias. La peor perturbacin en las dimensiones desplaza la curva de fase hacia frecuencias ms altas.

98

CAPTULO 6. CIRCUITOS PLANO-H.

10 15 20 25

S11 (dB)

30
Caso peor

35 40
Optimizado

45 50 55 60 8 8.5 9 9.5 10 10.5 Frecuencia (GHz) 11 11.5 12 12.5

Figura 6.17: Coeciente de reexin del desfasador de la gura 6.15 y su empeoramiento tras el anlisis de tolerancias.

tol=50 m h1 h2 h3 h4 L

Mnimo 0,363 0,316 0,129 0,073 2,718

Mximo 0,373 0,326 0,139 0,083 2,728

Optimizado 0,363 0,316 0,129 0,073 2.718

Cuadro 6.7: Anlisis de tolerancia del desfasador con dielctrico en los bordes.

6.4. DIVISORES DE POTENCIA SIMTRICOS.

99

6.4. Divisores de potencia simtricos.


Empleamos nuestro mtodo con redes de tres puertas. En este apartado disearemos dos divisores de potencia basados en guaondas dispuestas en T. Llamaremos puerta 1 a aquella que no est enfrentada a ninguna otra. La potencia entrante por la puerta 1 se repartir entre las otras dos dispuestas de forma simtrica. Se desea un dispositivo que: 1. tenga bajo coeciente de reexin en todas las puertas: |s11 |dB |s33 |dB 0 , 2. sea divisor a 3 dB : |s12 |dB = |s13 |dB = 3 y 3. tenga bajo acoplamiento entre salidas: |s23 |dB

|s22 |dB

Pero ste es un dispositivo pasivo y sin prdidas por lo que su matriz de dispersin cumple: St S =1 y teniendo en cuenta que por simetra los ndices 2 y 3 son intercambiables: 1. |s11 | + 2 |s12 | = 1, es decir: si se disea para tener un bajo coeciente de reexin tambin lograremos 3 dB de factor de divisin de potencia. 2. |s22 | + |s23 | + |s13 | = 1, es decir: si se disea |s13 |dB = 3 tendremos forzosamente un gran acoplo entre salidas y un coeciente de reexin en esas puertas alto. Teniendo en cuenta estas consideraciones podemos simplicar enormemente la funcin de coste. No es necesario evaluar todos los parmetros de mrito del dispositivo sino que como estn todos relacionados nos jamos en uno de ellos. As la funcin de coste nos queda:
2 2 2 2 2

f (x) = 100 +

fGHz (8,2, 12,4)

m ax

(|s11 |dB )

En el anlisis de tolerancias se emplea la funcin opuesta:

f (x) =

fGHz (8,2, 12,4)

m ax

(|s11 |dB )

A la vista de los resultados que presentaremos a continuacin, las estructuras plano-H no son apropiadas para el diseo de divisores de potencia en banda ancha. Intuitivamente podemos pensar que el campo elctrico del modo fundamental, que tiene slo componente vertical, choca contra una seccin vertical de metal que reeja esta incidencia. Las simetras no permiten eliminar esta seccin. En un divisor plano-E la seccin metlica es perpendicular al campo elctrico. La reexin es menor por tanto. De todos modos, en diseos de banda estrecha una estructura plano-H con poste vertical nos permite diseos con muy buenas prestaciones. De algn modo las reexiones llegan a cancelarse para algunas frecuencias.

100

CAPTULO 6. CIRCUITOS PLANO-H.

Figura 6.18: Diseo de un divisor de potencia a 3 dB en banda ancha sobre WR-90. S.A.+Simplex V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 Optimizado -0,094 -0,098 0,296 0,918 -0,440 -0.574 -0,352

Cuadro 6.8: Parmetros del divisor en banda ancha en cm.

6.4.1. Divisor en banda ancha.


En la gura 6.18, mostramos las variables de optimizacin V14 que denen el perl de la pared metlica opuesta a la puerta 1. Empleamos 4 tramos continuos curvos en esta zona. Para evitar picos salientes imposibles de mecanizar (ver 3.2.1.2) restringimos V4 > V3 . Tambin forzamos una pendiente nula en la conexin con las guas de salida. Las variables V57 denen otros cuatro tramos continuos curvos que constituyen la conexin metlica entre la puerta de salida y de entrada. Como antes, estas curvas inciden perpendicularmente al plano de la puerta de salida. La estructura es simtrica. Tambin llevamos a cabo diseos que incluan un poste vertical metlico pero ste no slo no aportaba mejoras sino que empeoraba la respuesta .

6.4.1.1.

Diseo

En la tabla 6.8, tenemos las cotas y los valores resultantes de este diseo. En la gura 6.19, observamos como el coeciente de reexin se mantiene por debajo de los 14 dB en toda la banda monomodo. Una T recta apenas llega

6.4. DIVISORES DE POTENCIA SIMTRICOS.


2

101

4 S31 optimizado 6

Potencia relativa (dB)

10

12 S11 optimizado 14 S11 caso peor

16

8.5

9.5

10 10.5 11 Frecuencia (GHz)

11.5

12

12.5

Figura 6.19: Respuesta elctrica del diseo nal del divisor en banda ancha de la gura 6.15 y su empeoramiento tras el anlisis de tolerancias. tol=50 m V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 Mnimo -0,099 -0,103 0,291 0,913 -0,445 -0,579 -0,357 Mximo -0,089 -0,093 0,301 0,923 -0,435 -0,569 -0,347 Optimizado -0,089 -0.100 0,296 -0,917 -0,436 -0,579 -0,348

Cuadro 6.9: Anlisis de tolerancia del divisor en banda ancha.

a los 6 dB como podemos ver en [72]. La transmisin de potencia a las puertas de salida es prcticamente constante en toda la banda y de valor 3, 18 dB en el peor de los casos.

6.4.1.2. Anlisis de tolerancias.


En la tabla 6.9, recogemos los valores del peor caso del anlisis de tolerancias. La peor perturbacin en las dimensiones desplaza las respuestas hacia frecuencias ms bajas, empeorando los valores de mrito en las frecuencias altas. La evaluacin de la robustez de este diseo depende de los requerimientos elctricos que tengamos sobre este dispositivo.

102

CAPTULO 6. CIRCUITOS PLANO-H.

Figura 6.20: Diseo de un divisor de potencia a 3 dB en banda estrecha sobre WR-90. S.A.+Simplex V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 h R Optimizado -0,036 0,016 0,202 0,232 -0,286 -0,362 -0,192 1,078 0,050

Cuadro 6.10: Parmetros del divisor en banda estrecha en cm.

6.4.2. Divisor en banda estrecha.


En este caso buscamos los mismos mritos que en el diseo anterior salvo que ahora en una banda ms estrecha (de 10,05 GHz a 10,3 GHz). Adems de las variables Vi y las consideraciones geomtricas del caso anterior, aadimos las variables h y R que posicionan un poste circular sintonizador. Restringimos el radio mnimo practicable para este poste a 1 mm. En la gura 6.20, observamos que el perl presenta un pico saliente a la altura da la variable V4 . El diseo resulta especialmente sensible a la variacin de la distancia entre ese punto y el poste vertical. Como ya hemos dicho, estos picos no son realizables con una fresadora y quedan curvos con el radio de la broca mnima . Si este diseo fuera a fabricarse debera simularse la curvatura de ese pico.

6.4.2.1.

Diseo

En la tabla 6.10, tenemos las cotas y los valores resultantes de este diseo.

6.4. DIVISORES DE POTENCIA SIMTRICOS.


10 15
S11 caso peor

103

20
Potencia relativa (dB)

25 30 35 40
S11 optimizado

45 50 55 8

8.5

9.5

10 10.5 11 Frecuencia (GHz)

11.5

12

12.5

Figura 6.21: Respuesta elctrica del diseo nal del divisor en banda estrecha de la gura 6.20 y su empeoramiento tras el anlisis de tolerancias. En la gura 6.21, observamos como el coeciente de reexin se mantiene por debajo de los 37 dB en toda la banda de inters. Fuera de la banda la respuesta empeora rpidamente. La transmisin de potencia a las puertas de salida es prcticamente 3 dB .

6.4.2.2. Anlisis de tolerancias.


En la tabla 6.9, recogemos los valores del peor caso del anlisis de tolerancias. La peor perturbacin en las dimensiones provoca un empeoramiento de la respuesta llevando el coeciente de reexin hasta los 31 dB en el caso peor. Esto demuestra la robustez del diseo en un posible proceso de fabricacin. tol=50 m V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 h R Mnimo -0,041 0,011 0,197 0,227 -0,291 -0,367 -0,197 1,073 0,045 Mximo -0,031 0,021 0,207 0,237 -0,281 -0,357 -0,187 1,083 0,055 Optimizado -0,039 0,017 0.203 0.229 -0.289 -0.363 -0.191 1.075 0,051

Cuadro 6.11: Anlisis de tolerancia del divisor en banda estrecha.

104

CAPTULO 6. CIRCUITOS PLANO-H.

Figura 6.22: Diseo de la unin en T de un diplexor de dos canales sobre WR-90.

6.5. Diplexor.
En este apartado, diseamos la unin en T simtrica de un diplexor de dos canales (B1 = [9, 8GHz , 10, 05GHz ] y B2 = [10, 55GHz , 10, 8GHz ]) a travs del mtodo propuesto en [73]. ste segmenta el diseo de la unin y de los ltros de canal de forma que podamos abordar separadamente estos elementos. Las condiciones que debe satisfacer la unin en T son:

|s22 | = |s33 | |s11 | 1 3


s22 f s23 f

|s11 |
s33 f

f B1 B2 0

Conforme a estas restricciones planteamos la siguiente funcin de coste:

f (x) = a + b + c Donde : a = m axf [B1 B2 ] ||s11 |dB |s33 |dB | b = m axf [B1 B2 ] |s11 |dB + 20 log 1 3 c = m axf [B1 B2 ] |s23 (fi ) s23 (fi+1 )|
Esta funcin de coste evala la mayor desigualdad dentro de las bandas de inters. No es necesario forzar la derivada nula de los parmetros s11 ni s33 1 puesto que se penaliza su desviacin respecto a 20 log 3 . Las variables Vi denen el perl inferior de la unin en T. Este tramo de 4 curvas concatenadas de forma continua y suave incide perpendicularmente al plano de la puertas enfrentadas. Las variables h y R posicionan un poste circular sintonizador. Restringimos el radio mnimo practicable para este poste a 1 mm.

6.5.0.3.

Diseo

En la tabla 6.12, tenemos las cotas y los valores resultantes de este diseo. En la gura 6.21, observamos como los coecientes s11 y s22 tienen valores semejantes en las bandas de los canales ( 9,5 dB ) y su variacin con la frecuencia es lenta.

6.5. DIPLEXOR.

105

S.A.+Simplex V1 V2 V3 V4 h R

Optimizado 0,074 0,030 -0,168 -0,108 0,366 0,198

Cuadro 6.12: Parmetros de la unin en T del diplexor en cm.

4 S23 caso peor 5 S23 optimizado

Potencia relativa (dB)

S11 optimizado S11 caso peor S22 optimizado B1 B2 S22 caso peor

10 8

8.5

9.5

10 10.5 11 Frecuencia (GHz)

11.5

12

12.5

Figura 6.23: Respuesta elctrica del diseo nal de la unin en T del diplexor de la gura 6.22 y su empeoramiento tras el anlisis de tolerancias.

106 tol=50 m V1 V2 V3 V4 h R

CAPTULO 6. CIRCUITOS PLANO-H. Mnimo 0.069 0,025 -0,173 -0,113 0,361 0,193 Mximo 0,079 0,035 -0,163 -0,103 0,371 0,203 Optimizado 0,078 0,031 -0,166 -0,109 0,367 0,197

Cuadro 6.13: Anlisis de tolerancia de la unin en T del diplexor. El diseo completo del diplexor debera incluir los dos ltros de canal. Estos ltros se disearan respecto a cargas normalizadas con la nica restriccin de tener rechazo a las frecuencias de paso del otro canal. En el articulo [73], indican a qu distancia deben colocarse los ltros para que el diplexor en su conjunto tenga un funcionamiento ptimo.

6.5.0.4.

Anlisis de tolerancias.

En la tabla 6.13, recogemos los valores del peor caso del anlisis de tolerancias. La peor perturbacin en las dimensiones apenas provoca empeoramiento de la respuesta elctrica.

Captulo 7

Aproximaciones racionales: Aplicacin.


El siguiente ejemplo es una aplicacin de mtodo propuesto en 4.3.2. Forma parte del trabajo realizado en una breve estancia en la Universit degli Studi di Perugia en Italia bajo la direccin del profesor Mauro Mongiardo. Analizaremos un ltro plano-H en cavidades resonante rectangulares. Veremos como aplicando la tcnica de segmentacin y aproximacin racional reducimos a unos pocos puntos de frecuencia los anlisis necesarios para conocer la respuesta en toda la banda. La estructura ha sido tomada de la bibliografa [25] y es reproducida en la gura 7.1. Segmentamos de la siguiente manera: Tramo de gua de longitud L1 . Iris de longitud L2 y anchura H1 . Tramo de gua de longitud L3 . Iris de longitud L4 y anchura H2 . Tramo de gua de longitud L5 . Las restantes secciones no necesitan ser analizadas porque la estructura es simtrica. Aunque las secciones de guaonda podran evaluarse de forma analtica sobre cada punto de frecuencia no lo hacemos y utilizamos el mtodo de interpolacin tambin sobre ellas. Empleamos 7 puntos de frecuencia repartidos uniformemente sobre la banda que va desde los 8,2 GHz a los 16 GHz. Cada segmento es analizado con A.M.. En la gura 7.2, representamos el mdulo obtenido del parmetro s11 del primer iris. Estos valores resultan prcticamente indistinguibles de la respuesta no interpolada. La concatenacin de las M.D.G. de cada segmento permite obtener la respuesta completa que exponemos en la gura 7.3. De nuevo resulta indistinguible de la obtenida punto a punto. Todos estos clculos han sido realizados en un ordenador PIII a 736 MHz con 384 Mbytes de RAM sobre 850 puntos de frecuencia. Aplicar este mtodo 107

108

CAPTULO 7. APROXIMACIONES RACIONALES: APLICACIN.

L1

L2

L3

L4

L5

H2 H1 b

Figura 7.1: Planta del ltro plano-H sobre una guaonda WR-75 con b = 1, 905 cm, L1 = 0, 5 cm, L2 = 0, 2 cm, L3 = 1, 06071918 cm, L4 = 0, 2 cm, L5 = 1, 1918 cm, H1 = 0, 494 cm y H2 = 0, 657 cm.

Potencia relativa (dB)

S11
0.2

0.4

0.6

Muestras
0.8

1 8

10

Frecuencia(GHz)

12

14

16

Figura 7.2: Respuesta elctrica obtenida por el mtodo de aproximaciones racionales a partir de 7 muestras equiespaciadas del iris de longitud L2 .

109

10 0 Potencia relativa (dB) 10 20


Muestras S11

30 40 50
S12

60 70 80 90 8 9 10 11 12 13 14 Frecuencia (GHz) 15 16

Figura 7.3: Respuesta elctrica obtenida por el mtodo de aproximaciones racionales a partir de 7 muestras equiespaciadas del ltro de la gura 7.1. requiere 2 minutos de clculo para este circuito. Sin l, nos lleva 2,5 minutos. Tenemos un ahorro del 25 % del tiempo de anlisis.

110

CAPTULO 7. APROXIMACIONES RACIONALES: APLICACIN.

Captulo 8

Bocinas cargadas de dielctrico.


Aplicamos S.F.E.L.P. + S.A. para disear antenas de bocina cargadas con dielctrico con simetra de revolucin y perl arbitrario. Aprovechamos la exibilidad del los elementos nitos para abordar estructuras de formas variadas y con distintos materiales. Restringindonos a estructuras con simetra de revolucin, alcanzamos una eciencia (1 min. por frecuencia) que nos permite utilizar S.A. para disear. El dominio de anlisis debe limitarse haciendo uso de tcnicas como el P.M.L. [48], A.B.C. o una expansin de modos esfricos [49] sobre una supercie esfrica. En este trabajo empleamos la expansin modal que permite resolver el problema en trminos de M.D.G. y calcular el campo radiado como superposicin de los modos esfricos. As obtendremos fcilmente datos como las perdidas de retorno, directividad y diagrama de radiacin. En principio, debemos posicionar la puerta esfrica de modo que contenga completamente a la estructura, sin embargo en este trabajo posicionaremos y reduciremos el radio de la esfera de forma que intercepte la bocina sucientemente lejos de la apertura. De este modo tendremos en consideracin todas las corrientes signicativas para la radiacin y reduciremos el nmero de elementos mejorando la eciencia del anlisis. En la gura 8.1 vemos un ejemplo. Mostraremos en este captulo ejemplos que validan esta aproximacin. Todos los modos esfricos son propagantes en una guonda esfrica a cualquier frecuencia. Por tanto, cualquier modo es susceptible de transportar potencia. Sin embargo, no todos son necesarios para describir el campo existente en una discontinuidad (antena). En [53] encontramos una expresin eurstica que nos indica hasta que orden n las funcin de Hankel deben aparecer en la expansin modal.

nmax

k Rpuerta esf e rica + 10

Estudios recientes elaborados por Frank Jensen y Aksel Frandsenel en Ticra (On The Number of Modes in Spherical Wave Expansions) concluyen que un lmite ms preciso para nmax sera:
dB nmax = k Rpuerta esf e rica + 0, 045 Pexcluida
3

k Rpuerta esf e rica

111

112

CAPTULO 8. BOCINAS CARGADAS DE DIELCTRICO.

Figura 8.1: Disposicin de la puerta esfrica en una bocina recta para obtener la mayor eciencia.
dB siendo Pexcluida la fraccin de potencia no considerada por truncar el sumatorio de modos esfricos. La antena es transparente a todos los modos incidentes descritos por una funcion de Hankel cuyo orden sea superior a nmax . Esto se puede expresar as:

|sii | = 1 i (n) ; n > nmax


Una referencia fundamental para el diseo de antenas de bocina cargadas con dielctrico es [74]. Tomaremos un par de ejemplos de este libro para ajustar los parmetros de la puerta esfrica. El inters por mejorar las prestaciones de las antenas ha llevado a otros, antes que a nosotros, a modicar el perl de las mismas [75]. Generalmente estos diseos son realizados con A.M. y no permiten incluir dielctricos de forma sencilla. Tambin pueden encontrarse diseos de bocinas parcialmente cargadas de dielctrico pero de perl recto [76]. En este captulo cubriremos el hueco y disearemos bocinas cargadas parcialmente con uno o ms dielctricos con perl curvo tanto en la pared metlica como en el material interior.

8.1. Vericacin del mtodo.


Comprobaremos con dos ejemplos la capacidad de anlisis del mtodo propuesto en esta tesis.

8.1.1. Bocina recta.


Tomamos un diseo de bocina recta de la bibliografa ([74] pag.155 g. 6.4) que utilizamos para ajustar el radio y colocacin ptima de la puerta esfrica.

8.1. VERIFICACIN DEL MTODO.

113

Figura 8.2: Parmetros de la bocina recta vaca y su puerta esfrica. Con este ejemplo vericamos a la vez la bondad del mtodo y la aproximacin descrita en el apartado anterior. Se trata de una bocina recta con:

9, 0845 cm de radio de apertura. 5o de semingulo de abocinamieno. Rent = 2 cm de radio en la boca de entrada. Rpuerta esf e rica = 20 cm. Lent = 2, 0234 cm. Ltotal = 83 cm.
Frecuencia = 6, 6 GHz En la gura 8.2, mostramos todos estos parmetros. La puerta esfrica intercepta la bocina a 4, 11 de la apertura radiante. Se han empleado 5 modos circulares en la guaonda de entrada y 20 modos esfricos. En la gura 8.3, representamos el diagrama de radiacin correspondiente a la contrapolar y al plano-H de la referencia y el obtenido por este mtodo. Podemos concluir una buena abilidad.

114

CAPTULO 8. BOCINAS CARGADAS DE DIELCTRICO.


Contrapolar y planoH 0
S.F.E.L.P.

10

Potencia relativa (dB)

20

30

40
Referencia

50

60 0

10

20

30

40 50 ngulo (grados)

60

70

80

90

Figura 8.3: Diagrama de radiacin de la bocina de la gura 8.2.

8.1.2. Bocina cargada con dielctrico.


Tomamos otro ejemplo de la bibliografa [74]. Una bocina cargada parcialmente con dielctrico. Comprobamos de esta forma la abilidad del mtodo ante la presencia de estos materiales. Este tipo de bocinas son interesantes porque logran un bajo nivel de contrapolar, son sencillas de fabricar y suelen utilizarse como alimentador de reectores en sustitucin de las bocinas corrugadas. Los valores de los parmetros de la bocina de la gura 8.4 son:

2, 6 cm de dimetro en la boca de entrada, D1 = 15, 4 cm y D2 = 12, 95 cm, = 12o , 1 = 1, 2 = 1, 13, L = 30, 11 cm y


frecuencia de 10,5 GHz. Se han empleado 5 modos circulares en la guaonda de entrada y 40 modos esfricos. Tambin en esta ocasin los diagramas calculados y los de la referencia son concordantes (ver gura 8.5).

8.1. VERIFICACIN DEL MTODO.

115

D1 D2

2 L

Figura 8.4: Parmetros de la bocina cargada parcialmente con dielctrico.

0 5 Potencia relativa (dB) 10

Contrapolar y planoH

Referencia

15 20 25 S.F.E.L.P. 30 35 40 0 5 10 15 20 25 ngulo (grados) 30 35

Figura 8.5: Diagrama de radiacin de la bocina de la gura 8.4.

116

CAPTULO 8. BOCINAS CARGADAS DE DIELCTRICO.

8.2. Bocina vaca.


Una vez vericado el correcto funcionamiento de la herramienta de anlisis nos planteamos varios diseos. En [77] se plantea la posibilidad de sustituir una bocina corrugada por otra lisa y vaca, pero con un determinado perl que trate de igualar sus propiedades elctricas, como alimentadora de un reector parablico centrado para aplicaciones de radioastronoma. El alimentador debe iluminar el extremo del reector situado a 14o con una potencia, relativa al origen, de entre 12 dB a 15 dB , con la menor contrapolar y longitud posible. La frecuencia de trabajo es 100 GHz. El artculo propone un diseo que satisface estas restricciones. Nosotros propondremos otras dos soluciones obtenidas con nuestro mtodo.

8.2.1. Funcin de coste.


Empleamos en estos diseo dos funciones de coste: 1. una que adems de asegurar las anteriores restricciones pretende obtener la menores prdidas de retorno

f1 (x) =

dB dB 10 10 + 30 30 |s11 |dB D ( =14o ,=0o )dB 30 10 10 15

N.L.S.=0

N.L.S.=90

=0 =90 =45 P.N. P.N. X.P. grados grados dB + 10 20 o 20 35 D ( =14 ,=90o )dB + 2 L + 63 15

siendo: N.L.S. el nivel del primer lbulo secundario y P.N. el ngulo del primer nulo de radiacin. 2. y otra que busca el diagrama de radiacin con el lbulo principal lo ms estrecho posible, baja contrapolar y bajo coeciente de reexin.

f2 (x) =

10 10

=0 N.L.S. dB 30 o =45 X.P. dB 35

10
|s11 |dB 30

=90 N.L.S. dB 30

=0 P.N. grados 20

=90 P.N. grados 20

10

=45 X.P. dB 35

+ 2 L + 43

Las variables de optimizacin son las 6 alturas Vi situadas uniformemente a lo largo de la longitud total L determinando el perl de la antena. En la gura 8.6 estas variables denen una concatenacin de 6 curvas continuas y suaves. En la unin de la guaonda con el abocinamiento la derivada es nula para fomentar un bajo coeciente de reexin. El radio de la guonda de entrada es de 1,485 mm congurando una banda de trabajo (de 85 GHz hasta 115.2 GHz).

8.2.2. Diseo.
Haremos dos diseos. El primero lo llevaremos a cabo con el algoritmo Simplex utilizando como punto de partida los parmetros correspondientes a la bocina propuesta en el artculo [77]. El segundo ser con S.A. y comenzar desde un punto arbitrario.

8.2. BOCINA VACA.

117

Figura 8.6: Parmetros de diseo de la bocina vaca.

Simplex V1 V2 V3 V4 V5 V6 L

Optimizado 0,311 0,443 0,524 0,740 0,879 1,178 7,110

Cuadro 8.1: Parmetros de la antena vaca diseada con Simplex en cm.

8.2.2.1. Con Simplex.


Tras 500 iteraciones y empleando la funcin de coste f2 (x), obtenemos como resultado una bocina muy similar a la de partida. Esto no es de extraar puesto que sta era un diseo ptimo que apuraba el mnimo ancho de haz que una bocina lisa de esa longitud poda lograr. En la tabla 8.1 recogemos el resultado de la optimizacin. En la gura 8.7 vemos el perl solapado al del otro diseo y al de la referencia. La longitud es prcticamente la misma ( 7 cm). El diagrama de radiacin (gura 8.8) es similar al proporcionado en [77] pero no cumple con los requisitos de la aplicacin. En coeciente de reexin est por debajo de 30 dB .

8.2.2.2. Con S.A..


Tras 13.000 iteraciones y empleando la funcin de coste f1 (x) obtenemos otro diseo. ste si que satisface las restricciones de la aplicacin. El algoritmo encuentra una solucin de menor longitud que la propuesta en la referencia. En las guras 8.6 y 8.7, podemos ver la imagen sintetizada y el perl de la antena. En la tabla 8.2, recogemos el resultado de la optimizacin.

118

CAPTULO 8. BOCINAS CARGADAS DE DIELCTRICO.

Figura 8.7: Perles de la bocina de referencia y de las diseadas con Simplex y S.A..

Figura 8.8: Diagrama de radiacin de la bocina diseada con Simplex.

8.3. BOCINA CON DIELCTRICO EN EL CENTRO. S.A. V1 V2 V3 V4 V5 V6 L Optimizado 0,300 0,379 0,430 0,592 1,077 1,083 5,623

119

Cuadro 8.2: Parmetros de la antena vaca diseada con S.A. en cm.


Contrapolar y planoH 0 5
Annealing

10

Potencia relativa (dB)

15 20
Referencia

25 30 35 40 45 50 0 10 20 30 ngulo (Grados) 40 50 60

Figura 8.9: Diagrama de radiacin de la bocina diseada con S.A.. En la gura 8.9, comparamos el diagrama de radiacin de este diseo con el de la referencia. En los 18o iniciales las componentes copolares son muy parecidas y las contrapolares estn por debajo de 33 dB . El coeciente de reexin est tambin por debajo de los 30 dB . Aunque hemos diseado a una sola frecuencia esta bocina debe actuar como alimentador en la banda de trabajo citada anteriormente. En la gura 8.10, mostramos los diagramas de radiacin para las frecuencias extremas de 85 GHz y 115.2 GHz. La banda til de esta bocina debe reducirse para poder cumplir con las especicaciones.

8.3. Bocina con dielctrico en el centro.


Vamos a disear una bocina cargada con un slo dielctrico (r = 1, 3) en el centro. ste va a ser un diseo pramente terico porque no prevemos

120

CAPTULO 8. BOCINAS CARGADAS DE DIELCTRICO.


Contrapolar y planoH 0 5 10

Potencia relativa (dB)

15
115,2 GHz

20 25 30 35 40 45 50 0 10
85 GHz

20

30 ngulo (Grados)

40

50

60

Figura 8.10: Estudio en banda de la bocina diseada con S.A.. la sujecin del material dentro de la estructura metlica ni las dimensiones permitirn encajar las piezas. La intencin es vericar qu ubicacin del material dielctrico permite obtener una antena con buenas propiedades. La guonda de alimentacin tiene un radio de 0, 498 . Una vez diseada la bocina optimizaremos con la misma funcin de coste otra de igual longitud cargada con idntico dielctrico y compararemos sus propiedades para comprobar que el uso de perles curvos es ventajoso frente a perles rectos.

8.3.1. Funcin de coste.


Empleamos en este diseo una funcin de coste que adems de minimizar la contrapolar y las prdidas de retorno fomenta una alta eciencia de apertura (E.A.).

f (x) =

=90 =45 =0 N.L.S. X.P. N.L.S. |s11 |dB dB dB dB 2 2 E.A. +L 30 30 35 30 (8.1) En el primer diseo empleamos 13 variables de optimizacin (ver gura 8.11):

6 variables hi que jan las distancias respecto a la perpendicular del eje de rotacin distribuidas uniformemente sobre ste. En ellas se apoyan 6 tramos de curva continuos que delimitan el perl del material dielctrico. El primer tramo incide perpendicularmente al plano de la puerta de entrada con el objeto de fomentar un bajo coeciente de reexin. 6 variables Dhi que representa el exceso de altura respecto a hi sobre las que se apoyan otros 6 tramos de curva continuos que denen el perl

8.4. BOCINA CON DIELCTRICO EN LOS BORDES.

121

Figura 8.11: Parmetros de diseo de la bocina curva con dielctrico en el centro. metlico. Por el mismo motivo que antes el primer tramo incide perpendicularmente al plano de la puerta de entrada. Una variable L: indica la longitud de la antena. En el segundo diseo tenemos slo dos parmetros puesto que la bocina es recta y la longitud ya est jada: uno es la altura h del dielctrico en la boca de la bocina y el otro es el exceso sobre esta altura Dh sobre el que se sita el borde metlico (ver gura 8.12).

8.3.2. Diseo.
Empleamos S.A.+Simplex y obtenemos consecutivamente los valores ptimos de la dos bocinas que presentamos en la tabla 8.3. En la gura 8.13, comparamos los diagramas de radiacin de las dos antenas diseadas. La aplicacin de este tipo de bocinas tan grandes suele consistir en comunicaciones punto a punto en las que se quiere prescindir del reector. Existen diseos de bocinas grandes y directivas, como sta, destinadas a ser embarcadas en satlites. Su funcin es iluminar alguna parcela terrestre. Sin embargo, las bocinas dielctricas no se emplean as por los problemas derivados del desgaste de los materiales expuestos a las extremas condiciones ambientales existentes fuera de la atmsfera. Como consecuencia de los resultados observados en la tabla 8.4, podemos concluir que introducir un material dielctrico en el centro de la guaonda y emplear perles curvos permite mejorar los factores de mrito de este tipo de dispositivos.

8.4. Bocina con dielctrico en los bordes.


Ensayamos ahora una bocina en la que el dielctrico se sita sobre la pared metlica interior. Utilizamos perles curvos, como en el caso anterior, tanto para

122

CAPTULO 8. BOCINAS CARGADAS DE DIELCTRICO.

Figura 8.12: Parmetros de diseo de la bocina recta con dielctrico en el centro.

S.A.+Simplex L h1 h2 h3 h4 h5 h6 Dh1 Dh2 Dh3 Dh4 Dh5 Dh6 h Dh

Optimizado 21,87 1,746 2,382 3,086 3,686 3,589 2,969 0,387 0,890 0,755 0,201 0,371 0,140 1,192 0,468

Cuadro 8.3: Parmetros de las antenas cargadas con dielctrico en .

Mrito E.A. ( %) Prdidas de retorno (dB) Contrapolar (dB) Anchura del haz a 3 dB (Grados)

Recta 53 -21 -37 8

Curva 88 -25 -32 5

Cuadro 8.4: Comparacin entre la bocina recta y la curva.

8.5. BOCINA CON DOS DIELCTRICOS.


Contrapolar y planoH 0
Recta

123

10
Tramos curvos

Potencia relativa (dB)

20

30

40

50

60 0

10

20

30

40 50 ngulo (Grados)

60

70

80

90

Figura 8.13: Diagramas de radiacin de las bocinas de las guras 8.11 y 8.3. el metal como para el material. Describimos cada uno de los dos perles con 6 tramos de curva continuos (ver gura 8.14). Las variables de optimizacin son las mismas de antes mas otra que representa la permitividad elctrica. Para jar el rango de variacin de este ltimo parmetro elegimos un producto comercial de la empresa Cuming Microwave Corporation. El C-Stock es un material dielctrico articial y ligero que puede obtenerse con unos valores de r de 2,5 a 5. El radio de la guonda de entrada es de 0, 485 . Optimizamos con la funcin de coste 8.1.

8.4.1. Diseo.
Las variables del diseo resultante se pueden ver en la tabla 8.5. El resultado es una bocina larga (> 18 ) y pesada (r = 3, 9). Las prdidas de retorno estn por encima de los 15 dB y la E.A. por debajo del 30 %. La contrapolar llega hasta los 17 dB (ver gura 8.15). Estos resultados nos conrman que esta disposicin de los elementos no permite obtener un campo en la apertura con fase y magnitud constante que es la propiedad indispensable para obtener una alta E.A..

8.5. Bocina con dos dielctricos.


La intencin que tenemos al introducir dielctricos y perles curvos es igualar o superar la E.A. de bocinas corrugadas [78] y la de las bocinas con hard walls [79] con longitudes de antena iguales o inferiores. Ambas tecnologas pretenden

124

CAPTULO 8. BOCINAS CARGADAS DE DIELCTRICO.

Figura 8.14: Parmetros de diseo de la bocina curva con dielctrico en los bordes.

S.A.+Simplex L h1 h2 h3 h4 h5 h6 Dh1 Dh2 Dh3 Dh4 Dh5 Dh6 r

Optimizado 18,608 0,493 0,951 2,355 2,824 2,157 2,183 1,342 1,605 1,563 1,932 1,758 1,307 3,9

Cuadro 8.5: Parmetros de las antenas cargada de dielctrico en los bordes en .

8.5. BOCINA CON DOS DIELCTRICOS.


Contrapolar y planoH 0 5 10

125

Potencia relativa (dB)

15 20 25 30 35 40 0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

ngulo (Grados)

Figura 8.15: Diagramas de radiacin de la bocinas de la gura 8.14. generar unas condiciones en el contorno metlico interno que favorezcan un campo uniforme en la apertura. La condicin de conductor perfecto impide esta homogeneidad, especialmente en bocinas cnicas. Los ejemplos anteriores nos han enseado que la colocacin de un material de mayor constante dielctrica en el centro de la bocina puede mejorar sus prestaciones. Podramos pensar que el campo se conna en el material de mayor r y ve poco al metal porque a pesar de encontrarse a escasa distancia est separado por un medio de menor r (el aire u otro matrial) que lo aisla. Es el mismo efecto electromagntico que permite el guiado del haz laser en bras pticas. Queremos hacer un diseo fcilmente fabricable. Para ello: Emplearemos dos materiales de diferente permitividad elctrica: uno para connar la radiacin y el otro para sostener al primero en la estructura metlica abocinada. La antena es compacta. Las piezas son encajables para que se puedan fabricar por separado y montar con facilidad. La interfase aire dielctrico est conformada segn se indica en el articulo [45], que recomienda una estructura cncava segn incide el modo fundamental por la puerta de entrada, para reducir el coeciente de reexin. Perlamos con tramos curvos continuos el perl dielctrico interior y con secciones de tramos rectos el perl metlico exterior.

126

CAPTULO 8. BOCINAS CARGADAS DE DIELCTRICO.

Figura 8.16: Parmetros de diseo de la bocina cargada con dos dielctricos. El radio de la guonda de entrada es de 0, 485 . Optimizamos con la funcin de coste 8.1.

8.5.1. Diseo.
Para describir los perles utilizamos 10 secciones para cada uno. Esto nos obliga a optimizar con tantas hi y Dhi . Adems conformamos la interfase dielctrico-aire con tres tramos curvos que precisan de dos variables ri . La longitud de antena L y de interfase D son tambin variables. En este ejemplo dejaremos ja la constante dielctrica del material exterior a 2,5 y variable la del interno (r de 2,5 a 5). Todas estas variables suman 25 y necesitamos unas 20.000 iteraciones en S.A. para ofrecer un diseo. Las variables del dispositivo resultante se pueden ver en la tabla 8.6. El resultado es una bocina corta (L = 3, 416 ) y ms ligera que las anteriores (r = 2, 7). Las prdidas de retorno estn por debajo de los 22 dB y la E.A. alcanza el 88 %. La contrapolar llega hasta los 34 dB (ver gura 8.17). Aunque no supera las prestaciones de las bocinas corrugadas (sobre todo por la radiacin contrapolar) este diseo consigue buenas caractersticas.

8.5.2. Anlisis de tolerancias.


Hemos perturbado los parmetros geomtricos de diseo de forma aleatoria con una tolerancia del 50 m. El empeoramiento del diagrama de radiacin puede compararse con el del diseo en 8.17. La reexin mxima sube hasta los 19 dB y la E.A. baja hasta el 68 %.

8.5. BOCINA CON DOS DIELCTRICOS.

127

S.A.+Simplex L h1 h2 h3 h4 h5 h6 h7 h8 h9 h10 D Dh1 Dh2 Dh3 Dh4 Dh5 Dh6 Dh7 Dh8 Dh9 Dh10 r1 r2 r

Optimizado 3,416 0,197 0,516 0,580 0,765 0,981 0,984 1,067 1,153 1,305 1,470 0,561 0,410 0,306 0,330 0,246 0,204 0,299 0,244 0,228 0,211 0,079 0,393 0,256 2,7

Cuadro 8.6: Parmetros de la antenas cargada con dos dielctricos en .

128

CAPTULO 8. BOCINAS CARGADAS DE DIELCTRICO.

Contrapolar y planoH 0

10

Potencia relativa (dB)

20

30

40
Caso peor

50
Optimizado

60 0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

ngulo (Grados)

Figura 8.17: Diagramas de radiacin de la bocina de la gura 8.16.

Captulo 9

Bocinas corrugadas.
Aunque el diseo de bocinas corrugadas ya ha sido resuelto a travs de mtodos derivados del A.M. [80, 78], vamos a utilizar el nuestro para optimizar una estructura con perles curvos. S.F.E.L.P. permite modicar individualmente la anchura y profundidad de cada corrugacin, pero esto producira un nmero de variables inmanejable. Solventamos esta situacin echando mano de los tramos curvos que ya hemos empleado en los diseos anteriores. Tendremos dos tramos: uno limita la profundidad de las corrugaciones y el otro limita el perl interno. Fijaremos la anchura de la corrugacin y el espacio entre ellas al valor indicado en [55] como el ms apropiado, para crear una condicin de contorno de pared magntica para los campos paralelos a las corrugaciones. En la gura 9.1, indicamos las dimensiones de una corrugacin. Segn la referencia stas deben cumplir:

P a1

4, 2 10 .

En nuestro caso a1 =

10 a1 3

a2 mucho menor que a1 . En nuestro caso a2 =

La construccin del mallado se hace por yuxtaposicin de piezas rectangulares (del tipo A y B de la gura 9.1) cuyas dimensiones vienen determinadas por la altura y anchura de cada corrugacin. En la gura 9.2, mostramos el mallado del diseo resultante del proceso de optimizacin La funcin de coste va a favorecer una antena con baja contrapolar, alta E.A. y reducido coeciente de reexin en la menor longitud:
=0 =90 =45 N.L.S. N.L.S. X.P. |s11 |dB L dB dB dB f (x) = 2 5E.A.5 + +14 50 50 50 30 10
o o o

El tiempo de anlisis de una bocina corrugada de 5 y 38 corrugaciones a una frecuencia es de aproximadamente un minuto y medio en un Pentium III a 1 GHz con una memoria de 1 Gbyte. 129

130

CAPTULO 9. BOCINAS CORRUGADAS.

a1

a2

Figura 9.1: Dimensiones de las corrugaciones.

MODULEF :

ETSITM-G.E

25/04/06

NOPZ

4439 57678 7985 7985 0

POINTS NODES ELEMENTS TRIANGLES HOLE(S)

LEFT DOWN LOCATION : -8.999 -1.686

RIGHT TOP LOCATION : 17.62 24.40

Figura 9.2: Mallado constituido por la yuxtaposicin de secciones rectangulares al que posteriormente se le aplica un algoritmo que le hace ms homogneo.

9.1. DISEO.

131

Figura 9.3: Denicin de los parmetros de diseo de la bocina corrugada.

Simplex L R1 R2 R3 R4 R5 h h1 h2 h3 h4 h5

Optimizado 4,654 0,480 0,889 1,121 1,345 1,523 0,468 0,365 0,320 0,370 0,326 0,462

Cuadro 9.1: Parmetros de diseo de la antenas corrugada en .

9.1. Diseo.
Hemos diseado con S.A. y con Simplex dos antenas. Ambos diseos tienen propiedades muy parecidas por lo que aqu slo presentamos el obtenido con Simplex. Utilizamos 5 variables Ri para denir un tramo de 5 curvas que delimita el extremo interior de las corrugaciones. Empleamos 6 variables hi que representan el exceso de altura respecto a Ri y que denen otro tramo de 5 curvas. stas delimitan la profundidad de cada corrugacin. Estos dos tramos cortan perpendicularmente al plano de la puerta de entrada. La longitud L tambin es una variable y establece el nmero de corrugaciones de la estructura. En la gura 9.3, representamos todas estas variables. El radio de la guaonda de entrada es R = 0, 495 . En la tabla 9.1, estn los valores de los restantes parmetros de este diseo.

132

CAPTULO 9. BOCINAS CORRUGADAS.


Contrapolar y planoH 0

10

Potencia relativa (dB)

20

30

40
Optimizado Perturbado

50

60 0

10

20

30

40 50 ngulo (Grados)

60

70

80

90

Figura 9.4: Diagramas de radiacin de la bocina de la gura 9.3. Las prdidas de retorno estn por debajo de los 40 dB y la E.A. alcanza el 84 %. La contrapolar llega hasta los 47 dB y la longitud de la antenas es de L = 4, 654 conteniendo 34 corrugaciones (ver gura 9.4).

9.2. Anlisis de tolerancias.


Como en otros ejemplos anteriores, hemos perturbado las variables de diseo con incrementos aleatorios de 50 m. Este diseo es bastante robusto a este tipo de errores. En la gura 9.4, solapamos el resultado con el del optimizado. El coeciente de reexin se sita en los 34 dB . La contrapolar es de 45 dB . La E.A. se mantiene en el 84 %.

Captulo 10

Antenas reectoras.
El estudio riguroso del comportamiento electromagntico de una antena reectora es problemtico debido fundamentalmente al gran tamao elctrico de estas estructuras. La forma habitual de afrontar este tipo de problemas considera que el alimentador no se ve perturbado por la presencia del disco reector. ste es iluminado por el campo procedente del alimentador y su dispersin es calculada a travs de tcnicas como la ptica Fsica o la Teora Geomtrica de Difraccin. En la literatura [81] encontramos soluciones aproximadas que encuentran una respuesta obviando diversos efectos como el bloqueo del alimentador o las corrientes en la parte trasera del disco reector. El primero en estudiar el efecto del bloqueo en reectores primarios fue S. Silver [82] en 1949. Recientemente se han desarrollado tcnicas hbridas [83, 84, 85] que permiten considerar el efecto del bloqueo. Los estudios han demostrado que este efecto parsito reduce la ganancia, aumenta la radiacin contrapolar y modica signicativamente los N.L.S.. En este captulo emplearemos S.F.E.L.P. junto con las tcnicas de segmentacin y de desplazamiento de puertas esfricas, expuesta en 2.2.3.3, para analizar de manera rigurosa y eciente este tipo de estructuras. Todo el anlisis es en 2-D porque consideraremos nicamente estructuras con simetra de revolucin. Analizaremos separadamente el disco reector y el alimentador. En la gura 10.1, mostramos cmo dos puertas esfricas concntricas limitan un subdominio de anlisis que contiene al disco. Por otro lado, encerramos en otra puerta esfrica la bocina que nos servir de alimentador. Una vez hayamos obtenido las M.D.G. de cada subdominio, transformamos la matriz del alimentador para referir su puerta esfrica respecto al mismo centro que las puertas esfricas del disco. Esto implica un desplazamiento segn z de una distancia oo . Ahora podemos conectar ambos subdominios a travs del segmento de gua esfrica de longitud Rint Rbocina . La M.D.G. global obtenida contiene todo la informacin electromagntica de la estructura incluidos todos los acoplos y las corrientes en bordes y parte trasera del disco reector. Hay que resaltar que con este mtodo la iluminacin del reector es exacta y considera los efectos del campo cercano de la bocina, y que el acoplo tambin es calculado de forma exacta teniendo en cuenta la forma geomtrica del alimentador. Por ser ste un mtodo basado en S.F.E.L.P., las formas geomtricas del disco y el alimentador son libres. La nica restriccin, que actualmente presenta el mtodo, es el tamao del reector, que no debe ser mayor de 30 . El motivo 133

134

CAPTULO 10. ANTENAS REFLECTORAS.

Rint h Rbocina Rext


O

Rbocina F

Figura 10.1: Situacin de los elementos de la antena reectora y disposicin de las puertas esfricas. de esta limitacin es, actualmente, la incapacidad de calcular el factorial de nmeros por encima de cierto valor involucrado en el proceso de normalizacin de puertas esfricas. Como hemos visto, la tcnica de segmentacin y de desplazamiento de puertas esfricas permite reducir la supercie mallada y obtener unos buenos tiempos de anlisis (3 min por frecuencia en un Pentium III a 1 GHz con una memoria de 1 Gbyte).

10.1. Vericacin.
Para constatar la bondad de este mtodo, hemos reproducido la respuesta del disco parablico propuesto en [81]. Tiene un dimetro D de 10 y una relacin F D de 0,4. Cada puerta esfrica, que encierra al disco reector, es descrita con 130 modos. En la bibliografa iluminan esta supercie con una fuente puntual de campo tipo coseno en el semiespacio del paraboloide y nulo en el otro. Nosotros iluminaremos con una fuente puntual que radia los dos primeros modos esfricos cuyo diagrama coincide con uno tipo coseno pero en todo el espacio. Esto quiere decir que no se anula en el semiespacio que no contiene al reector y que considera los efectos del campo cercano. Para imitar ms elmente la fuente puntual del artculo, hacemos cero todos los acoplos mutuos entre modos esfricos. Recordando el desglose de una M.D.G. con una puerta circular con un modo y una esfrica con dos modos, la matriz del alimentador empleado es: 0 0 [0] R 1 1 0 M.D.G. = = 2 T S 1 0 1 2

10.2. DISEO Y EFECTO DEL BLOQUEO DEL ALIMENTADOR.


Plano E 0 5 10 15

135

Potencia relativa (dB)

20
S.F.E.L.P.

25 30 35 40
Referencia

45 50 0 20 40 60 80 100 ngulo (Grados) 120 140 160 180

Figura 10.2: Diagramas de radiacin de un disco parablico iluminado con un alimentador ideal tipo coseno. En la gura 10.2, solapamos el resultado obtenido con el de la referencia. Existe una gran concordancia en aquellas zonas en las que la radiacin directa de la bocina no es la componente fundamental del campo y no en las otras. Esto debe ser as porque nuestro mtodo si considera la radiacin directa y el de la referencia no.

10.2. Diseo y efecto del bloqueo del alimentador.


Vamos a disear un pequeo reector alimentado por una bocina real (gran inuencia de los acoplos). Iluminamos un disco parablico de las mismas dimensiones que el empleado en el apartado anterior (ver gura 10.3). Modicaremos la longitud L de la bocina, el semingulo de abocinamiento y la distancia focal F . El radio de entrada de la bocina es de 0, 288 cm. Disearemos el dispositivo para tener baja contrapolar y bajos niveles de los lbulos secundarios en el 80 % de la banda monomodo de la guaonda de entrada (de 31,2 a 38,7 GHz) centrada en 35 GHz. Se analiza la antena a tres frecuencias (extremas y la central), evaluamos con f (x) cada una y hacemos un promedio.
=0 =90 =45 fi (x) = N.L.S. + N.L.S. + X.P. + 300 dB dB dB 3 f (x) = i=1 fi (x)
o o o

Cabe sealar que no tenemos que analizar toda la estructura en cada iteracin sino que la M.D.G. correspondiente al disco parablico es la misma durante todo el proceso. En la tabla 10.1, mostramos los valores resultantes de la optimizacin. En las guras 10.4 y 10.5, mostramos la radiacin copolar y contrapolar del reector resultante junto con el diagrama correspondiente al mismo reector

136

CAPTULO 10. ANTENAS REFLECTORAS.

Figura 10.3: Denicin de los parmetros de diseo de la bocina alimentadora de un reector parablico pequeo.

Simplex L F

Optimizado 0,355 cm 0,502 rad 4,102 cm

Cuadro 10.1: Parmetros de diseo del reector.

10.2. DISEO Y EFECTO DEL BLOQUEO DEL ALIMENTADOR.


Plano H 0

137

10

Potencia relativa (dB)

20
Con bloqueo

30

40

50
Sin bloqueo

60 0

20

40

60

80 100 120 ngulo (Grados)

140

160

180

Figura 10.4: Diagramas de radiacin copolar del reector de la gura 10.3 con y sin bloqueo. pero sin tener en consideracin los acoplos. Observamos que en general el bloqueo del alimentador eleva el nivel de los lbulos secundarios. Normalizamos independientemente cada diagrama de radiacin de cada antena para observar cmodamente las diferencias entre los niveles de lbulos secundarios En la gura 10.6, representamos los diagramas de radiacin copolar de nuestro diseo a las frecuencias extremas de la banda.

138

CAPTULO 10. ANTENAS REFLECTORAS.

Contrapolar 0

10

Potencia relativa (dB)

20

Con bloqueo
30

40

Sin bloqueo
50

60 0

20

40

60

80 100 120 ngulo (Grados)

140

160

180

Figura 10.5: Diagramas de radiacin contrapolar del reector de la gura 10.3 con y sin bloqueo.

Plano H 0

10

Potencia relativa (dB)

20

38,7 GHz

30

40

50

31,3 GHz
60 0 20 40 60 80 100 ngulo (Grados) 120 140 160 180

Figura 10.6: Diagramas de radiacin calculados en las frecuencias extremas de la banda del reector de la gura 10.3.

Parte III

Conclusiones

139

Captulo 11

Consideraciones nales.
Apuntaremos las aportaciones propias vertidas en este trabajo y las diferentes opciones para continuarlo. Tambin, recogemos las publicaciones a las que ha dado lugar.

11.1. Aportaciones de este trabajo.


Se ha desarrollado una nueva metodologa de diseo de circuitos pasivos de microondas que se distingue por: El empleo de S.F.E.L.P. en circuitos plano-H y con simetra de revolucin. La libre denicin de la geometra: Generalmente, los mtodos de anlisis ms ecientes, como el A.M. o el prototipado de circuitos, se restringen a un conjunto de geometras admisibles. Si queremos tener exibilidad en la eleccin de las geometras analizables, pagamos el precio con una peor eciencia. Este empeoramiento hace inviable la inclusin de tcnicas de anlisis exibles en ciclos de optimizacin. S.F.E.L.P. 2-D permite precisamente esto: gran eciencia y exibilidad. Optimizacin global multivariable: Gracias al logro apuntado anteriormente, podemos poner en marcha un algoritmo que, a travs de repetidas evaluaciones de diferentes conguraciones geomtricas del dispositivo a disear, encuentra la mejor de ellas con independencia del punto de partida. Para poner en marcha este mtodo, se han desarrollado varias herramientas, de las cuales destacamos: El mtodo S.F.E.L.P. en 2-D para estructuras plano-H: A partir del mtodo S.F.E.L.P. 3-D hemos desarrollado una particularizacin ms eciente que aprovecha todas las ventajas de los circuitos plano-H. Se han desarrollado puertas rectangulares y radiales que permiten el acceso al dispositivo. El mtodo S.F.E.L.P. en 2-D para estructuras con simetra de revolucin: De la misma manera que antes, partiendo del mtodo general en 3-D, hemos restringidos la tcnica aprovechando la simetra reduciendo el problema a otro en 2-D que se ejecuta de forma muy eciente. 141

142

CAPTULO 11. CONSIDERACIONES FINALES. Denicin de la puerta esfrica: Dentro del mtodo S.F.E.L.P. en 2-D para estructuras con simetra de revolucin, denimos esta puerta que es asimilada en la M.D.G. para posibilitar el estudio de dispositivos radiantes. Una tcnica de desplazamiento de puertas esfricas que reduce signicativamente el tiempo de clculo del anlisis de reectores con M.E.F.. Una nueva condicin de parada para el optimizador S.A. que minimiza el nmero de iteraciones necesarias y, a la vez, permite obtener un diseo robusto frente a errores en el mecanizado.

Utilizando este mtodo se han diseado mltiples dispositivos, entre los que se incluye un codo de 90o en guaonda con perl curvilneo de bajsimo coeciente de reexin en toda la banda monomodo. Este diseo ha sido construido y las medidas han vericado el resultado. No hemos encontrado en la literatura ni en el mercado ningn otro con mejores prestaciones. Tambin se han diseado: Desfasadores basados en dielctrico con perl curvilneo de mnima longitud elctrica en banda ancha. Divisores de potencia y diplexores. Bocinas vacas y cargadas con dielctrico con perl curvilneo. Una bocina corrugada y un reector parablico calculados de forma rigurosa.

11.2. Lineas futuras.


Esta tesis se ha centrado en la puesta a punto de un mtodo de diseo de circuitos tipo plano-H o con simetra de revolucin. Es posible ampliar la variedad de circuitos que pueden disearse atendiendo a la posible segmentacin de los circuitos en regiones con simetras (2-D) o sin ellas (3-D). Se optimizaran con este mtodo estos circuitos ejecutando cada iteracin nicamente S.F.E.L.P. 2-D y obteniendo la respuesta global como concatenacin de las M.D.G. de todas las secciones. El mtodo S.F.E.L.P. en 2-D para circuitos con simetra de revolucin se ha empleado para disear antenas de bocina y reectores, pero tambin puede emplearse para el diseo de monopolos con perles curvilneos y/o cargados con dielctrico. La tcnica empleada para el anlisis de la antena reectora puede emplearse tambin para el anlisis de radomos. Estos no tienen como cometido reejar la radiacin de un alimentador, sino que protegen al sistema radiante de las inclemencias meteorolgicas, permitiendo que la radiacin les atraviese. Pueden disearse no slo como protectores sino como elementos participantes del conformado del haz.

11.3. PROYECTOS DE INVESTIGACIN.

143

11.3. Proyectos de investigacin.


La elaboracin de esta tesis se ve enmarcada dentro del plan de desarrollo de los siguientes proyectos de investigacin: Comisin Interministerial de Ciencia y Tecnologa (C.I.C.Y.T.) TEC200400950/TCM: Nuevas Herramientas Software para CAD de Antenas. C.I.C.Y.T. TIC2001-2739: CAD de Componentes Pasivos de Microondas y Antenas.

11.4. Publicaciones.
Por orden cronolgico, presentamos las publicaciones a las que esta tesis doctoral ha dado lugar.

11.4.1. Artculos.
J. Monge, J. Rubio, y J. Zapata, A spherical port shift technique for a rigorous and ecient analysis and CAD of Compact reector antennas through nite elements, IEEE Trans. Antennas Propagat., 2006 en revisin. J. M. Cid, J. Garca, J. Monge, y J. Zapata, Design of microwave devices by segmentation, nite elements, reduced order models and neural networks, Microwave and Optical Technology Letters., 2006, en revisin. J. Monge, J. M. Cid, J. M. Gil, y J. Zapata, Optimisation of arbitrarily shaped dielectric axisymmetric horns through nite elements and the annealing algorithm, Microwave and Optical Technology Letters., Jun. 2006. J. M. Gil, J. Monge, J. Rubio, y J. Zapata, A cad-oriented method to analyse and design radiating structures based on bodies of revolution by using nite elements and generalized scattering matrix, IEEE Trans. Antennas Propagat., Mar. 2006. J. Monge, J. M. Gil, y J. Zapata, Optimisation of arbitrarily shaped Hplane passive microwave devices through nite elements and the annealing algorith, Microwave and Optical Technology Letters., vol. 46, no. 4, pp. 360367, Aug. 2005. J. Monge, J. Esteban, y J. Zapata, Finite element and evolution programs for the CAD of broadband rectangular-waveguide H-plane matched loads, Microwave and Optical Technology Letters., vol. 31, no. 9, pp. 491494, Dic. 2001.

11.4.2. Congresos.
J. Monge, J. M. Gil, y J. Zapata, CAD axisymmetric antennas through nite elements and global optimiser, en The rst European Conference on Antennas and Propagation (EuCAP 2006), Nice, Nov. 2006.

144

CAPTULO 11. CONSIDERACIONES FINALES. , Analysis of arbitrarily shaped dielectric-loaded axisymmetric horns through nite elements, en 2006 IEEE Antennas and Propagation Society International Symposium, USA, Jul. 2006. , Cad of arbitrarily shaped dielectric-loaded axisymmetric horns through nite elements, en 2006 IEEE Antennas and Propagation Society International Symposium, USA, Jul. 2006. , Optimisation of arbitrarily shaped corrugated horns through nite elements and simplex, en 13th IEEE Mediterranean Electrotechnical Conference, Spain, May. 2006. J. Martinez-Fernndez, J. Monge, J. Zapata, y J. M. Gil, Optimization of devices based on bodies of revolution with nite elements, en 8th International Workshop on Finite Elements for Microwave Engineering, Sudafrica, May. 2006. J. Martinez-Fernndez, J. Monge, y J. M. Gil, Analysis of structures with revolution symmetry using nite elements and generalized scattering matrix, en ACE Network of Excellence, Gandia, 2005. J. Monge, J. M. Gil, y J. Zapata, Diseo de bocinas cnicas dielctricas con perl arbitrario mediante el mtodo de los elementos nitos y simulated annealing, en XX Simposium de la U.R.S.I., Gandia, 2005. J. M. Gil, J. Monge, J. Rubio, y J. Zapata, An ecient method to analyse radiating structures based on bodies of revolution by using nite elements and generalized scattering matrix, en 28th ESA Antenna Workshop on Space Antenna Systems and Technologies State of the art in a strategic area and creative ways forward, Amsterdam, 2005. J. Monge, J. M. Gil, y J. Zapata, Optimizacin de circuitos en guaonda de forma arbitraria por el mtodo de los elementos nitos, en XIX Simposium de la U.R.S.I., Barcelona, 2004. , Computer aided design of passive microwave waveguide devices by the nite element method, en 7th International Workshop on Finite Elements for Microwave Engineering, Spain, May. 2004.

Chapter 11

Final considerations.
In this chapter, we will expose the main contributions of this work and some future research lines. A list of all publications is exposed too.

11.1. Main contributions.


We have developed a new passive microwave circuit design methodology based on: The use of S.F.E.L.P. for H-plane and axisymmetric circuits. Free geometrical shapes: The most ecient analysis techniques like M.M. and the circuital approximations can only analyse certain geometrical shapes. If we want to be able to increase the number of admissible geometries we need to use less ecient methods. Commonly these other methods do not allow its use in an optimisation loop. S.F.E.L.P. in 2-D solves this problem: it is very ecient and exible. Global multivariate optimisation: Thanks to the availability of a fast analysis technique, we can employ global optimiser that nd the best result, without dependence of the starting point, through several iterations of a cost function. We have developed several tools to start up this method: The 2-D S.F.E.L.P. for H-plane devices: We have developed a particular case of the 3-D S.F.E.L.P. method. This is much more ecient than the general case and reduce the domain to a 2-D space. We have also developed radial and rectangular ports to implement electrical access to these devices. The 2-D S.F.E.L.P. for axisymmetric devices: In the same way that for H-plane circuits we have developed a technique for analysis in 2-D of structures such as resonators, horns, reectors, ... Denition of a spherical port: In the 2-D S.F.E.L.P. for axisymmetric devices environment, we dene this port to easily nd the radiation properties of antennas using the G.S.M.. 145

146

CHAPTER 11. FINAL CONSIDERATIONS. The spherical port shift technique: This tool can translate a G.S.M. with spherical ports to other G.S.M. with these ports moved an arbitrary distance in the z axis. This technique in combination with the segmentation allow the ecient analysis of reectors with F.E.M.. We have established a new stop criterion that stops S.A. with the lowest number of iterations that ensure a global optimum taking into account the sensibility of the device to mechanical tolerances.

We have designed several circuits with this methodolgy. Firstly we designed a 90 degrees bend with 7 curved lines with low reection coecient in broadband in the shortest length. We have implemented and measured this device having good agreement between experimental data and theory. We did not nd any other bend in the literature neither in the market with such a good properties. We have also designed: Dielectric phase shifters in waveguide with arbitrary shape in broadband. Power dividers and a diplexer. Empty and dielectric loaded horns with arbitrary shapes. A corrugated horn and a parabolic reector with a rigorous technique.

11.2. Further research work.


This work has been focused on the start up of a design methodology for H-plane and axisymmetric devices. It is possible to increase the variety of optimisable geometries splitting the device in dierent sections. The split criteria would isolate sections with H-plane or revolution symmetry where 2-D S.F.E.L.P. is used. Only these sections could be designed through several iterations in the optimisation loop, while the 3-D S.F.E.L.P. is executed once for sections without symmetry. The overall response is obtained by concatenation of individual G.S.M.. The 2-D S.F.E.L.P. for axisymmetric devices has been used for the design of horns and reectors but can be also employed for dielectric loaded monopoles The technique used for the design of the parabolic reector can be also used for the analysis of radomes. These structures do not reect the radiation but only protect the radiant system against atmospheric conditions. We can design this structure not only for protection but also to modify the radiation pattern in a suitable way.

11.3. Research projects.


This PhD Thesis has been nanced under the development of the following research projects: Comisin Interministerial de Ciencia y Tecnologa (C.I.C.Y.T.) TEC200400950/TCM: Nuevas Herramientas Software para CAD de Antenas.

11.4. PUBLICATIONS.

147

C.I.C.Y.T. TIC2001-2739: CAD de Componentes Pasivos de Microondas y Antenas.

11.4. Publications.
. We show here the publications in chronological order derived from this work

11.4.1. Articles.
J. Monge, J. Rubio, and J. Zapata, A spherical port shift technique for a rigorous and ecient analysis and CAD of Compact reector antennas through nite elements, IEEE Trans. Antennas Propagat., 2006 under revision. J. M. Cid, J. Garca, J. Monge, and J. Zapata, Design of microwave devices by segmentation, nite elements, reduced order models and neural networks, Microwave and Optical Technology Letters., 2006, under revision. J. Monge, J. M. Cid, J. M. Gil, and J. Zapata, Optimisation of arbitrarily shaped dielectric axisymmetric horns through nite elements and the annealing algorithm, Microwave and Optical Technology Letters., Jun. 2006. J. M. Gil, J. Monge, J. Rubio, and J. Zapata, A cad-oriented method to analyse and design radiating structures based on bodies of revolution by using nite elements and generalized scattering matrix, IEEE Trans. Antennas Propagat., Mar. 2006. J. Monge, J. M. Gil, and J. Zapata, Optimisation of arbitrarily shaped Hplane passive microwave devices through nite elements and the annealing algorith, Microwave and Optical Technology Letters., vol. 46, no. 4, pp. 360367, Aug. 2005. J. Monge, J. Esteban, and J. Zapata, Finite element and evolution programs for the CAD of broadband rectangular-waveguide H-plane matched loads, Microwave and Optical Technology Letters., vol. 31, no. 9, pp. 491494, Dic. 2001.

11.4.2. Congress.
J. Monge, J. M. Gil, and J. Zapata, CAD axisymmetric antennas through nite elements and global optimiser, en The rst European Conference on Antennas and Propagation (EuCAP 2006), Nice, Nov. 2006. , Analysis of arbitrarily shaped dielectric-loaded axisymmetric horns through nite elements, en 2006 IEEE Antennas and Propagation Society International Symposium, USA, Jul. 2006.

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CHAPTER 11. FINAL CONSIDERATIONS. , Cad of arbitrarily shaped dielectric-loaded axisymmetric horns through nite elements, en 2006 IEEE Antennas and Propagation Society International Symposium, USA, Jul. 2006. , Optimisation of arbitrarily shaped corrugated horns through nite elements and simplex, en 13th IEEE Mediterranean Electrotechnical Conference, Spain, May. 2006. J. Martinez-Fernndez, J. Monge, J. Zapata, and J. M. Gil, Optimization of devices based on bodies of revolution with nite elements, en 8th International Workshop on Finite Elements for Microwave Engineering, Sudafrica, May. 2006. J. Martinez-Fernndez, J. Monge, and J. M. Gil, Analysis of structures with revolution symmetry using nite elements and generalized scattering matrix, en ACE Network of Excellence, Gandia, 2005. J. Monge, J. M. Gil, and J. Zapata, Diseo de bocinas cnicas dielctricas con perl arbitrario mediante el mtodo de los elementos nitos y simulated annealing, en XX Simposium de la U.R.S.I., Gandia, 2005. J. M. Gil, J. Monge, J. Rubio, and J. Zapata, An ecient method to analyse radiating structures based on bodies of revolution by using nite elements and generalized scattering matrix, en 28th ESA Antenna Workshop on Space Antenna Systems and Technologies State of the art in a strategic area and creative ways forward, Amsterdam, 2005. J. Monge, J. M. Gil, and J. Zapata, Optimizacin de circuitos en guaonda de forma arbitraria por el mtodo de los elementos nitos, en XIX Simposium de la U.R.S.I., Barcelona, 2004. , Computer aided design of passive microwave waveguide devices by the nite element method, en 7th International Workshop on Finite Elements for Microwave Engineering, Spain, May. 2004.

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