Aula 06: Princpio de funcionamento de transistores bipolares

ANTONIO AUGUSTO LISBOA DE SOUZA

Transistores bipolares: princpio de funcionamento

Plano da aula Importncia dos transistores Reviso sobre diodos Anlise do diodo curto em polarizao direta Anlise do diodo em polarizao reversa Efeito transistor Construo de um bom transistor Efeito Early
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Importncia dos transistores

Problemtica: Controle da corrente em um par de terminais, atravs de outro par de terminais:
Uma fonte de corrente controlada em tenso pode agir como um amplificador de tenso! Ganho de tenso: Vout AV = = KR L Vin

Se KRL>1, o sinal (tenso) amplificado!!

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Importncia dos transistores

No princpio, havia os rels eletromecnicos (lentos e com bouncing):
Observe que neste caso s h o controle liga-desliga, no h controle do dispositivo sobre o valor da corrente...
Controle Carga

Leia um pouco: http://pt.wikipedia.org/wiki/Rel

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Importncia dos transistores

Para controlar o valor da corrente, havia as vlvulas terminicas, mas estas ocupavam muito espao... O Tubo de Raios Catdicos de sua antiga TV um exemplo de vlvula. O ENIAC foi construdo com mais de 17.000 Leia um pouco: http://pt.wikipedia.org/wiki/Vlvula_terminica vlvulas, e consumia 150kW!! http://pt.wikipedia.org/wiki/Tubo_de_raios_catdicos
http://pt.wikipedia.org/wiki/ENIAC

J pensou se o seu microprocessador fosse implementado com vlvulas...

E a vieram o Shockley e seus colegas...

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Reviso: diodos
Diodo curto sob polarizao direta:

No ponto 2: eltrons saem do diodo e lacunas entram no diodo No ponto 1: eltrons entram no diodo e lacunas saem do diodo (se recombinam na interface com o metal)

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Reviso: diodos
Diodo polarizado reversamente:
A polarizao inversa aumenta o campo eltrico na regio de depleo Os eltrons no lado P (minoritrios) que chegam na borda da regio de depleo so acelerados pelo campo, e cruzam a regio, chegando ao lado n Num diodo, os eltrons no lado P so minoritrios, o que limita a corrente reversa. Mas e se consegussemos injetar eltrons at a fronteira da regio de depleo do lado P??? 7 Transistores bipolares: princpio de funcionamento

Da juno PN ao transistor bipolar

Eureka!!

Os eltrons que atravessam a juno B-E difundem at a juno B-C, onde so acelerados pelo campo na regio de depleo e atravessam a juno B-C (os eltrons so coletados pela regio N direita, chamada Coletor).

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O transistor bipolar
Transistor NPN:

Para que o transistor funcione corretamente, imprescindvel que a base seja fina para que os eltrons injetados do emissor na base cheguem ao coletor sem se recombinar. Do contrrio, para haver corrente de Coletor precisaramos de um fluxo de lacunas vindas do Coletor, o que no seria possvel (lacunas so excassas no Coletor)

A partir da tenso Base-Emissor, controlamos a injeo de eltrons na base (vindos do emissor), que por sua vez ao chegarem no coletor, constituem a corrente de coletor. Eis o to sonhado controle!!! 9 Transistores bipolares: princpio de funcionamento

O transistor bipolar

VCE=VBE+VCB

podemos ter 4 possibilidades para as 2 junes:

B-E diretamente, B-C inversamente : Regio ativa direta B-E diretamente, B-C diretamente : Regio de saturao

B-E inversamente, B-C inversamente: Regio de corte B-E inversamente, B-C diretamente : Regio ativa inversa Transistores bipolares: princpio de funcionamento
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O transistor bipolar
Saturao: IC depende de VCE Regio ativa: IC quase independente de VCE VBE=0.750V

IC

VBE=0.725V VBE=0.700V VBE<0.5V

VCE
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Corte (IC0)
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O transistor bipolar
O transistor NPN na regio ativa direta: VBE > 0, VCB > 0

Dependendo da relao entre o comprimento de difuso dos eltrons na base (Ln) e a largura de base (WB), pode haver uma parte dos eltrons que chega na base e se recombina. Neste caso, a corrente de base formada pelas lacunas que cruzam a juno B-E e as lacunas que se recombinam com os eltrons na Base.

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O transistor bipolar
Desprezando a recombinao:

IE

IB

IC

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O transistor bipolar
IE IB

IC

IC DnB N EWE = IB D pE N BWB

Para aumentar o ganho de corrente direto em emissor comum (=IC/IB): Base fina (WB pequeno) NE>>NB Mostre que o ganho de corrente emissor-comum () de um transistor bipolar Si, para o qual: NE=1018, NB=1017, DnB/DpE=3, WB=0.2m e WE=1m de 150.

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O transistor bipolar
Resumo das correntes para a regio ativa direta (VBE > 0, VCB > 0)

VBE I C = I S exp VT VBE I B = I S exp VT 1 VBE VBE +1 IE = I S exp = I S exp VT VT F F o ganho de F = base + 1 corrente comum (= I /I < 1) .
C E

IE, IB e IC proporcionais rea do emissor!! Transistores bipolares: princpio de funcionamento

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O transistor bipolar
Com base nas equaes do slide anterior, veja alguns exemplos de modelos simplificados no-lineares equivalentes (transistor NPN na regio ativa direta):

V I C = I S exp BE VT V IE = I S exp BE F VT 1

IE =

I S exp

VBE VT

I C = I S exp 1

VBE VT

V I C = I S exp BE = F I E VT

VBE I B = I S exp VT
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O transistor bipolar
Visualizao das correntes (dados experimentais do BF494):

IB
BF494

1V
I C = I S exp IB = 1 VBE VT VBE VT

I S exp

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O transistor bipolar
Relembrando a estrutura:

J vimos que para termos ganho de corrente entre Coletor e Base, preciso que o Emissor seja mais dopado que a Base. Se o Coletor fosse to dopado quanto o Emissor, a estrutura seria simtrica, e poderamos trocar as conexes de Emissor e Coletor.

No entanto, o coletor geralmente tem dopagem diferente d emissor: a estrutura no simtrica!! Transistores bipolares: princpio de funcionamento
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O transistor bipolar
At agora vimos o regime ativo direto (Forward):
Observe o sentido das tenses aplicadas!!

Consideraremos as seguintes relaes de dopagem(no universais):

N D E > N A B > N D C
=>Emissor mais dopado do que a base, que mais dopada do que o coletor.

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O transistor bipolar
Se invertermos as polarizaes, operaremos o transistor no regime ativo inverso (Reverse):

Regime ativo inverso: juno B-E: reversamente juno B-C: diretamente

N D E > N A B > N D C

Por conta da dissimetria na dopagem, BR<<BF (em geral, menor que 1)

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O transistor bipolar
Como um modelo equivalente completo deve ser fiel realidade, deve prever o funcionamento sob qualquer modo de operao: VBE > 0, VBC < 0 VBE < 0, VBC > 0 Modelo Ebers-Moll (NPN)

E se polarizarmos as duas junes?? Transistores bipolares: princpio de funcionamento

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O transistor bipolar Regime de saturao:

Observe que o gradiente na Base diminuiu: para IE fixo, IC diminui!!

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O transistor bipolar Regime de saturao:

Observe a configurao!

VBE=VBE3 VBE=VBE2 VBE=VBE1

Ordem de grandeza de V1 para correntes moderadas (mA) : 0,2-0,5V Transistores bipolares: princpio de funcionamento
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O transistor bipolar
Revendo o Slide 11...
Saturao Regio ativa VBE=0.750V

IC

VBE=0.725V VBE=0.700V VBE<0.5V

VCE
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Corte (IC0)
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O transistor bipolar
O transistor PNP na regio ativa direta: VBE > 0, VCB > 0 IE IC

IB

Este transistor o dual do transistor NPN: a anlise pode ser feita trocando-se eltrons por lacunas e vice-versa. Observe que neste transistor a corrente coletada de lacunas, cuja mobilidade menor que a dos eltrons.

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O transistor bipolar
Visualizao do sentido das correntes:

Se IS=710-16A e =100, mostre que IB=100A, IC=10mA e IE=10.1mA em cada circuito, caso a juno B-E seja polarizada com 0,7573V (adote VT=0,025V, e suponha que a juno B-C est reversamente polarizada com 1V). Transistores bipolares: princpio de funcionamento
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Limitaes

Ser que uma fonte de corrente ideal (resistncia paralela infinita)?

Ser que posso aumentar VCE tanto quanto Siqueira?

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Limitaes
Efeito Early: modulao da largura efetiva da base

Impacto no gradiente de minoritrios na Base (eltrons em um NPN, lacunas em um PNP)

J. Early, Effects of space-charge layer widening in junction transistors, Proceedings of the IRE, vol. 40, no. 11, pp. 14011406, Nov. 1952.

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Limitaes
Com o aumento de VCB (VCE), o gradiente de minoritrios na Base aumenta: a corrente de coletor aumenta!!

Se o gradiente aumenta, IC aumenta

VA a tenso de Early
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Limitaes
Modelando o efeito Early:

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Limitaes

Existe um limite de VCB, acima do qual a juno B-C rompe. Em geral, desejase que este limite seja o maior possvel, portanto em geral o processo de ruptura por avalanche (coletor pouco dopado)

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Limitaes
Em geral, IC>>IB e VCE>VBE. A potncia dissipada no dispositivo praticamente o produto ICVCE
A converso de potncia em temperatura numericamente calculada atravs da resistncia trmica do componente:

+
RTH

Temperatura da juno
ambiente

RTH

T = P

Unidade =

K C ou W W

Potncia dissipada

TJuno = T0 + RTH P
Em Si (silcio), a temperatura mxima da ordem de 150 a200C

Exemplo: se RTH=100K/W, e T ambiente de 25C, a mxima potncia dissipada de 1.75W, para uma temperatura de juno mxima de 200C!

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Limitaes
Com o aumento de temperatura, um menor VBE necessrio para manter uma mesma corrente de coletor:
O que pode acontecer se mantivermos VBE e VCE constantes, com um alto nvel de potncia dissipada?

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Limitaes
Efeito da temperatura e do nvel de corrente no ganho de corrente de um transistor bipolar Si:

O que pode acontecer se mantivermos IB e VCE constantes , com um alto nvel de potncia dissipada?

varia com a corrente e com a temperatura!!!

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Limitaes
Alm disso, resistncias de acesso e capacitncias de difuso/juno.

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Modelo SPICE
Em um modelo SPICE, encontramos os seguintes parmetros:
BF BR IS VAF VAR NF NR Rb ... : Ganho de corrente em modo ativo direto : Ganho de corrente em modo ativo reverso : Corrente de saturao : Tenso Early em modo direto : Tenso Early em modo reverso : Fator de idealidade em modo direto () : Fator de idealidade em modo reverso : Resistncia de acesso da Base

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Exemplo de especificaes

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Atividades Literatura recomendada: Razavi: Captulo 4 Sedra: Captulo 5 Prxima aula: EXPERIMENTO!!!

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