FACULTAD : INGENIERIA CARRERA PROFESIONAL: INGENIERIA ELECTRONICA CURSO : FISICA ELECTRONICA SEMESTRE ACADMICO : 2011Ii

SLABO
I DATOS GENERALES 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 1.10 1.11 II Nombre de la asignatura Cdigo Ciclo de estudios Crditos Total de horas semestrales N de horas por semana Fecha de inicio Fecha de Culminacin Duracin Prerrequisitos Profesores Correo electrnico : FSICA ELECTRNICA : CIEN-177 NRC: 2185 : IV : 04 : 80 : Teora: 03 Prctica: 02 Total: 05 : 15 DE AGOSTO : 14 DE DICIEMBRE : 17 SEMANAS : 05 FISICA 3 : Dr. ROLDAN LOPEZ JOSE ANGEL : jroldanl@upao.edu.pe

FUNDAMENTACIN: La presente asignatura de naturaleza terico - prctica ofrece al estudiante de Ingeniera Electrnica, los conocimientos bsicos del funcionamiento de los dispositivos electrnicos. Se basa en el estudio y control de las propiedades electrnicas de determinados slidos, con el fin de formar dispositivos complejos que transportan o almacenan cargas elctricas. Los conocimientos alcanzados por la fsica electrnica han jugado un papel muy importante en la evolucin de la utilizacin de los semiconductores en la electrnica. Los dispositivos semiconductores han alcanzado un nivel de perfeccionamiento e importancia econmica, que excedi las ms altas expectativas de sus inventores. La industria electrnica ofrece permanentemente dispositivos de mejor comportamiento, consiguiendo penetrar en mercados nunca antes considerados. Sin embargo, para mantener esta iniciativa de crecimiento, es necesaria una amplia comprensin del funcionamiento interno de los dispositivos semiconductores por parte de los diseadores modernos de circuitos electrnicos y sistemas.

III

SUMILLA Estructura de la materia. Slidos cristalinos. Slidos amorfos. Red Cristalina. Teora cuntica de los electrones en redes peridicas. Fsica de los Semiconductores. Dispositivos Semiconductores: Diodos. Fotodiodos. Clulas Solares. LED. Diodos Lser. Transistor Bipolar. Transistor Unipolar. Fsica de los cristales lquidos. Aplicaciones a la electrnica. Tecnologa de dispositivos microelectrnicos. Nanoelectrnica. Estos tpicos se desarrollarn en cuatro unidades de aprendizaje, que son:

UNIDAD 01: Red Cristalina. Teora Cuntica de los Electrones en Redes Peridicas. UNIDAD 02: Fsica de los Semiconductores. UNIDAD 03: Diodos Semiconductores. UNIDAD 04: Transistores. Fsica de los Cristales Lquidos. Nanoelectrnica IV COMPETENCIAS DE LA ASIGNATURA conocimiento bsico de las caractersticas y propiedades fundamentales de la materia condensada de inters para la electrnica. 4.2.- Proporciona al estudiante las herramientas tericas bsicas para la comprensin de los principios de funcionamiento de los principales dispositivos electrnicos modernos, de tal manera que le permita desarrollar en forma prctica los montajes de los circuitos electrnicos. 4.3.- Presenta y examina en forma concisa los trminos, conceptos, ecuaciones y modelos que se emplean habitualmente en la descripcin del comportamiento operativo de los dispositivos electrnicos de estado slido. 4.4.- Familiariza al estudiante con la Fsica interna de un dispositivo electrnico, para aplicarla al diseo. V PROGRAMACIN POR UNIDADES DE APRENDIZAJE UNIDAD 01: RED CRISTALINA. TEORIA CUANTICA DE LOS ELECTRONES EN REDES PERIODICAS Capacidades a desarrollarse en la Unidad de Aprendizaje: Describe los aspectos bsicos de la estructura electrnica de la materia. Describe a los slidos cristalinos y analiza los mtodos para la determinacin de las estructuras cristalinas por difraccin de rayos X. Analiza el efecto de la periodicidad sobre la estructura de bandas y clasifica de esta manera los slidos en metales, semiconductores y aisladores. Duracin: 04 Semanas. Del 21 de Marzo al 16 de Abril Programacin de contenidos o saberes
Nde sema na Contenidos Conceptuales Contenidos Procedimentales Contenidos Actitudinales

4.1.- Da un

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Introduccin general. Estructura de la materia. Estado condensado. Clasificacin de los slidos por su tipo de enlace. Slidos amorfos. Slidos cristalinos. Red cristalina. Planos cristalinos. ndices de Miller. Red recproca. Determinacin de

-Reconoce como est constituida la materia. -Clasifica a los slidos por su tipo de enlace y distingue a los slidos amorfos y cristalinos

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-Distingue los diferentes sistemas cristalinos y clasifica a las redes de Bravais.

Muestra inters por conocer como esta constituida la materia, participando activamente con preguntas. Demuestra inters y responsabilidad para identificar un problema y establecer soluciones Muestra inters por conocer como se clasifican los slidos cristalinos.

estructuras cristalinas por difraccin de Rayos-X. Algunos aspectos de la mecnica cuntica. El teorema de Bloch. El modelo de Kroning-Penney.

.Identifica los diferentes mtodos para determinar las estructuras cristalinas. -Analiza algunos aspectos de la mecnica cuntica y establece la diferencia con la mecnica clsica.

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La aproximacin de los electrones cuasilibres. La aproximacin de los electrones fuertemente ligados. Estados localizados del electrn en un cristal. Clasificacin de los slidos basados en la estructura electrnica de bandas.

-Analiza los diferentes modelos de los electrones en un potencial peridico. -Clasifica a los slidos basados en su estructura electrnica de bandas de energa.

Demuestra inters y responsabilidad para identificar un problema y establecer soluciones Muestra inters por conocer los aspectos fundamentales de la mecnica cuntica. Demuestra inters y responsabilidad para identificar un problema y establecer soluciones Muestra inters por tratar de comprender como es que se clasifican los slidos por su estructura de bandas de energa. Demuestra inters y responsabilidad para identificar un problema y establecer soluciones

Evaluacin: Evaluacin del trabajo grupal. Evaluacin de progreso. Al final de cada temtica, mediante la participacin activa en las discusiones y en la solucin de problemas. PRIMERA PRCTICA CALIFICADA

UNIDAD 02:

FISICA DE LOS SEMICONDUCTORES

Capacidades a desarrollarse en la Unidad de Aprendizaje: Describe el comportamiento de los semiconductores en trminos de la teora de bandas para explicar las caractersticas elctricas de estos materiales. Comprende como contribuyen los portadores de carga en los fenmenos de transporte de los semiconductores. Describe los procesos de generacin recombinacin de los portadores de carga en los semiconductores. Duracin:04 Semanas. Del 18 de Abril al 14 de Mayo Programacin de contenidos o saberes
Nde seman a Contenidos Conceptuales Contenidos Procedimentales Contenidos Actitudinales

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Densidad de estados. Funciones de distribucin. Concentracin de portadores de carga.

-Distingue los semiconductores intrnsecos y extrnsecos

Muestra inters por la solucin de los problemas fsicos aplicados a la electrnica.

Semiconductores intrnsecos y extrnsecos. Fenmenos de transporte en desequilibrio estacionario. Conduccin por arrastre y difusin. Efecto Hall. Proceso de generacin y recombinacin de portadores de carga. Campo elctrico interno. Pseudoniveles y psedopotenciales de Fermi. Fenmenos de transporte en desequilibrio dinmico. Ecuaciones de continuidad. Ecuacin de Poisson. -Analiza los fenmenos de transporte en los semiconductores. Muestra inters por comprender los fenmenos de transporte en los semiconductores.

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-Describe los fenmenos de transporte en desequilibrio dinmico en los semiconductores. -Analiza los diferentes procesos de generacinreconbinacin en los semiconductores.

Muestra inters por comprender los procesos de generacinrecombinacin, y por solucionar problemas fsicos aplicados a la electrnica

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PRIMER EXAMEN PARCIAL

Evaluacin: Evaluacin del trabajo grupal. Evaluacin de progreso. Al final de cada temtica, mediante la participacin activa en las discusiones y en la solucin de problemas UNIDAD 03: DIODOS SEMICONDUCTORES Capacidades a desarrollarse en la Unidad de Aprendizaje: Describe y comprende las propiedades de la unin p-n en equilibrio y polarizada. Deduce la expresin matemtica de la caracterstica intensidad-voltaje de un diodo. Describe el funcionamiento de los diferentes dispositivos optoelectrnicos y conoce sus aplicaciones ms importantes en la industria electrnica actual. Duracin: 04 Semanas. Del 16 de Mayo al 11 de Junio Programacin de contenidos o saberes

N0
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CONCEPTUALES
La unin pn en equilibrio. La unin pn polarizado. Ecuacin del diodo. Fenmenos de ruptura Modelos del diodo para pequea seal. El diodo en conmutacin. Unin metalsemiconductor. Diodos Schottky Dispositivos optoelectrnicos: Fotodiodos, Clulas Solares, LED, Diodos lser.

PROCEDIMENTALES ACTITUDINALES
-Describe la unin pn en equilibrio y polarizada. -Deduce la ecuacin del diodo. -Analiza los diferentes fenmenos de ruptura. -Analiza los modelos del diodo para pequea seal. - Describe la unin metal-semiconductor. -Describe y analiza los Dispositivos optoelectrnicos. Muestra inters por comprender el funcionamiento de la unin pn. Muestra inters por la solucin de los problemas fsicos aplicados a la electrnica. Muestra inters por la solucin de los problemas fsicos aplicados a la electrnica. Muestra inters por comprender el funcionamiento de los Dispositivos optoelectrnicos.

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Evaluacin: Evaluacin del trabajo grupal. Evaluacin de progreso. Al final de cada temtica, mediante la participacin activa en las discusiones y en la solucin de problemas. SEGUNDA PRCTICA CALIFICADA

UNIDAD 04: TRANSISTORES. FISICA DE LOS CRISTALES LIQUIDOS. NANOELECTRONICA. Capacidades a desarrollarse en la Unidad de Aprendizaje: Describe y comprende el funcionamiento de los diferentes tipos de transistores. Deduce las curvas caractersticas intensidad-voltaje de los transistores. Conoce la fsica de los cristales lquidos y sus aplicaciones a la electrnica. Conoce las tendencias actuales en nanoelectrnica. Duracin: 04 Semanas.Del 13 de Junio al 09 de Julio Programacin de contenidos o saberes N0 CONCEPTUALES Transistor bipolar de unin. Funcionamiento del transistor bipolar. Curvas caractersticas I-V de los transistores bipolares. Modelos de pequea seal. El transistor bipolar en conmutacin. Transistores unipolares de efecto de campo. Capacidad MOS ideal. Capacidad MOS real. Transistor MOSFET. PROCEDIMENTALES -Describe el funcionamiento del transistor bipolar y analiza la curva caracterstica I-V. ACTITUDINALES Muestra inters por comprender el funcionamiento del transistor bipolar, y por solucionar problemas fsicos aplicados a la electrnica. Muestra inters por comprender el funcionamiento de los transistores efecto de campo, y por solucionar

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-Describe el funcionamiento de los transistores efecto de campo y analiza la curva caracterstica I-V.

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Transistor JFET. Transistor MESFET. Fsica de los cristales lquidos. Aplicaciones a la Electrnica Tecnologa de dispositivos microelectrnicos. Tendencias actuales en nanoelectrnica. EXAMEN FINAL EXAMEN DE APLAZADOS

-Describe la fsica de los cristales lquidos y analiza sus aplicaciones en la industria electrnica. -Analiza y discute las tendencias actuales en nanoelectrnica

problemas fsicos aplicados a la electrnica. Muestra inters por investigar las tendencias actuales en fsica electrnica, y por solucionar problemas fsicos aplicados a la industria electrnica.

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Evaluacin: Evaluacin del trabajo grupal. Evaluacin de progreso. Al final de cada temtica, mediante la participacin activa en las discusiones y en la solucin de problemas. VI ESTRATEGIAS METODOLGICAS La asignatura se desarrollara fomentando la interaccin entre docente y estudiante a travs de exposiciones de los temas que figuran en el contenido de cada unidad, utilizando el mtodo deductivo-inductivo y desarrollando ejemplos de solucin de los ejercicios y problemas para afianzar la comprensin de los tpicos a tratar. En cada unidad de aprendizaje se proporcionar un conjunto de problemas, que los estudiantes deben desarrollar con la orientacin del profesor en las horas de prctica de problemas. Se propiciar la interaccin entre estudiantes mediante la dinmica grupal y los trabajos de investigacin. VII MATERIALES EDUCATIVOS Y OTROS RECURSOS DIDCTICOS: Se har uso de: Aulas, plumones, motas, proyector multimedia, transparencias, separatas, biblioteca general y biblioteca especializada de Ingeniera Electrnica, Internet. VIII TCNICAS, INSTRUMENTOS E INDICADORES DE EVALUACIN: 8.1.Sistemas de evaluacin: La evaluacin del curso se har en base al sistema vigesimal (Nota Aprobatoria: 11-20; Nota Desaprobatoria: 01-10), usando los siguientes rubros: a.- Prcticas calificadas: Son pruebas escritas que se aplicaran de acuerdo al cronograma semanal establecido anteriormente. b.- Exmenes parciales: Son pruebas objetivas que se aplicaran en la 8va. y 16va. Semana del ciclo de acuerdo al rol que se establece para el efecto. c.- Exmenes de aplazados: Es una prueba objetiva que se aplicara en la 17va Semana del ciclo segn el rol que se establezca para el efecto. d.-Exposiciones de trabajos de investigacin: Son trabajos de investigacin de fsica aplicados a la electrnica. 8.2. Requisitos de Aprobacin: a.- Asistir regularmente a un mnimo de 70% de clases tericas y prcticas. El alumno que no cumpla con estos requisitos ser

inhabilitado por inasistencias. b.- Rendir las prcticas calificadas y los exmenes parciales programados. c.- La nota promocional (NP) se obtiene aplicando la siguiente formula: PPi = ( EPi + Ti + 2Ei )/4 , i = 1,2 NP = ( PP1 + PP2 )/2 EP1, EP2 Notas de Prcticas Calificadas. E1, E2 - Notas de Examen Parcial y Final. T1, T2 Notas de Trabajos de Investigacin. PP1, PP2 Notas del Primer y Segundo Promedio Parcial d.- La nota mnima aprobatoria es de once (11). La fraccin igual o mayor que 0.5 en el promedio final se considera a favor del estudiante. e.- El contenido de la prueba de aplazados abarcara toda la asignatura. f.- Para tener derecho a rendir el examen de aplazados el alumno debe obtener una nota promocional mayor o igual que 07 (Art. 160 reglamento general).

IX

PROGRAMA DE CONSEJERA La tutora y consejera es una actividad acadmica que tiene como propsito de orientar y apoyar a los estudiantes durante su proceso de formacin profesional. Para este fin, consideraremos actividades para brindar al estudiante motivaciones adecuadas para desarrollar los estilos de aprendizaje. REFERENCIAS BIBLIOGRFICAS 1. J.M. Albella, J.M. Martnez-Duart. Fundamentos de Electrnica Fsica y Microelectrnica. Addison-Wesley/U.A.M..1996. 2. Rosado. Electrnica Fsica y Microelectrnica. Paraninfo S.A. Madrid 1987. 3. Van der Ziel. Electrnica Fsica del estado slido. Edit. Pretice Hall. Internacional. Espaa 1987. 4. Juan F. Tisza. Los Dispositivos Electrnicos y sus Aplicaciones. UNI. 5. Shalimova K.V. Fisica de los Semiconductores. Mir. Mosc. 1975 6. McKelvey J.P. Fisica del Estado Slido y de Semiconductores.Limusa.Mexico.1976. 7. Kittel Charles. Introduccin a la fsica del estado slido. Editorial Reverte S.A. Barcelona 1982. 8. Humberto Asmat A. Introduccin a la Fsica del Estado Slido. UNI. 9. Len E. G. Fisica de los Cristales. Limusa. Mexico. 1984. 10. Beiser A. Conceptos de Fsica Moderna. Limusa.Mexico. 1997.

BIBLIOGRAFIA COMPLEMENTARIA 1. Cooke M.J. Semiconductor Devices. Prentice Hall International.N.York.1990. 2. R. B. Adler, A.C. Smith, R.L. Longini. Introduccin a la fsica de los semiconductores. Edit. Reverte S. A. 1981. 3. R. Boylestad , L. Nashelsky . Electrnica teora de circuitos. Prentice Hall Hispanoamericana S. A. 1994. 4. Neudek G.W. The PN Juntion Diode. Modular Series in Solid State Devices. Vol. II. Ed. por R.F. Pierret y G.M. Neudek. Addison Wesley Pub.Co. 1983.

5. Neudek G.W. The Bipolar Juntion Transistor. Modular Series in Solid State Devices. Vol. III. Ed. por R.F. Pierret y G.M. Neudek. Addison Wesley Pub.Co. 1983. 6. Pierret R.F. Field Effect Transistor. Modular Series in Solid State Devices. Vol. IV. Ed. por R.F. Pierret y G.M. Neudek. Addison Wesley Pub.Co. 1983. INTERNET 1. 2. 3. http://www.unicrom.com/ http://www.evirtual.com.co http://www.elprisma.com