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INSTITUT NATIONAL DES SCIENCES APPLIQUEES DE TOULOUSE

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Conception des circuits CMOS analogiques Conception dun transceiver Bluetooth

Sonia Bendhia, Alexandre Boyer


sonia.bendhia@insa-toulouse.fr alexandre.boyer@insa-toulouse.fr

Janvier 2009

Conception Janvier 2009

CMOS

Analogique

1. Description du projet
Une socit de domotique cherche dvelopper une interface sans fils radio frquence (RF) permettant de connecter plusieurs de ses produits au sein dune mme habitation ou dun mme immeuble. Le standard de communication sans fil retenu est le standard Bluetooth (IEEE 802.15) en raison de ses qualits : bas cot, basse consommation et haut niveau de scurit. Afin de couvrir des zones dhabitation assez large, ltage de transmission est de type classe 1 (puissance dmission 100 mW) pour atteindre des portes allant de quelques dizaines de mtres 100 m. Nayant pas dexpertise dans ce domaine, cette socit a fait un appel doffre diffrentes socits spcialises dans la conception de circuits intgrs afin de dvelopper un systme intgr ddi cette interface Bluetooth. Votre socit a accept de mener une tude de faisabilit de ce systme. Il a t dcid de sparer linterface Bluetooth en 2 parties : une partie digitale ddie aux oprations effectues en bande de base et la modulation numrique un tage dmission-rception ou transceiver RF, qui effectue la transposition en frquence du signal (depuis une frquence intermdiaire vers la frquence RF ou inversement) Votre quipe a t charge de spcifier et de valider une architecture et un schma lectrique du transceiver Bluetooth, doit rpondre aux spcifications dfinies client (cf. 2. cahier des charges). La technologie identifie pour la ralisation du transceiver est une technologie CMOS 0.35m fournie par Austria MikroSystem (AMS). La figure ci-dessous vous prsente larchitecture typique dun tage dmission rception RF sur lequel vous allez vous baser. Parmi les blocs prsents, il vous est demand de travailler en priorit sur les blocs suivants, car ils dtermineront le niveau de performances de ltage : Low Noise Amplifier (LNA) Power Amplifier (PA) Mixeur (et filtre passe-bas)

S. Bendhia, A. Boyer

Conception Janvier 2009

CMOS

Analogique

LNA RX antenne Bypass Duplexeur + filtre PA

Mixeur

Filtre Passe Bas

VGA
Donnes reues frq. intermdiaire

VCO+ PLL

Horloge de rfrence

TX Power control

Donnes transmises frq. intermdiaire

Mixeur
Contrle puissance transmise

Transceiver Bluetooth

Dans un deuxime temps, il sera ventuellement possible de travailler sur loscillateur contrl en tension (VCO) et sur lamplificateur gain contrl en tension (VGA). Les contrles des puissances transmises et reues ne seront pas traits. Il vous est demand de : spcifier les caractristiques de chaque bloc proposer un schma lectrique de chaque bloc dimensionner chacun des blocs afin quils rpondent aux spcifications simuler son fonctionnement en utilisant les modles rels proposs par le design kit de vous assurer que vous pourrez fournir le support ncessaire sur vos blocs au client

2. Cahier des charges


Le tableau ci-dessous liste lensemble des spcifications du client : Description AMS CMOS 0.35 m 4 niveaux de mtaux, design kit AMS C35 HIT Kit v3.7, modle BSIM3v3 NMOS et PMOS, modle analog et mixed Modles transistors MOS analog NMOSRF et PMOSRF, modle RF Fonctionnement valider dans les Variation process conditions suivantes : typical mean worst case power worst case speed Vdd = 3.3 V +/- 20 % Tension dalimentation Puissance consomme A optimiser, < 500 mW 3 Caractristiques Technologie

Gnral

S. Bendhia, A. Boyer

Conception Janvier 2009

CMOS maximale Plage de fonctionnement en temprature Modulation Dbit binaire Frquence intermdiaire Frquence de fonctionnement Largeur canal RF Sparation entre canaux Porte perte de propagation max. Impdance de sortie de lantenne Puissance dentre Puissance dmission maximale Linarit Niveau de sensibilit rfrence Niveau reu en entre max. Niveau de sortie max. Seuil de bruit

Analogique

0c 80c QPSK, effectue en bande de base 1 Mbits/s 20 MHz Bande ISM - 2400 MHz 2483.5 MHz 1 MHz 1 MHz 100m -80 dB -95 dB 50 0 dBm Classe 1 - 100 mW

Description du systme

Emetteur

point de compression 1 dB en sortie : Pout 1 dB > 20 dBm de < -70 dBm

Rcepteur

Entressorties

-20 dBm 0 dBm bruit thermique capt par lantenne = -114 dBm seuil de bruit max en sortie = -91 dBm NF < 13 dB Noise Figure SNR > 10 dB Rapport signal bruit Bluetooth in-band interference Interfrences sur les canaux cf. adjacents contraintes performances dintermodulation > -20 dB IP3 global < -10 dB S11 en entre dfinis dans le design kit AMS C35 Pads analogiques modle APRIO50P, protections ESD incluses Capacit parasite de pad = 1.3 pF Pads RF Pas de protection ESD Pads alimentation / masse dfinis dans le design kit AMS C35 modles AVDDALLP / AGDNALLP, protections ESD incluses Inductance : 1.2 nH/mm de fil de bonding

Parasites botier

Gabarit frquentiel du signal de sortie : Bluetooth in-band interference performances La figure ci-dessous dcrit le gabarit frquentiel du spectre en rception recommand par la spcification Bluetooth. Ce gabarit dfinit les performances du Bluetooth en terme dinterfrences in-band , c'est--dire intervenant dans la bande de frquence alloue S. Bendhia, A. Boyer 4

Conception Janvier 2009

CMOS

Analogique

Bluetooth. La limite dcrite sur cette courbe reprsente la puissance maximale que peuvent prendre ces signaux bloquants sans que la rception du signal dsire en soit affecte. Ce gabarit est donn dans le cas o lamplitude de la porteuse du signal dsir est 10 dB au dessus du niveau de sensibilit de rfrence (cf. tableau de cahier des charges). En suivant ces recommandations, les produits dintermodulation entre signaux interfrants ne dgraderont pas la qualit du signal reu. Puissance (dBm)
Puissance max. des signaux bloquants

30 dB Signal dsir Niveau de sensibilit de rfrence


F0-3MHz

40 dB

10 dB

11 dB

F0-1MHz

F0-2MHz

F0

F0+1MHz

F0+3MHz

frquence

F0+2MHz

Brochage du transceiver : La figure ci-dessous dcrit le brochage du transceiver Bluetooth concevoir. TX et RX sont les broches dmission et de rception RF, connects lantenne externe : Dataout correspond une sortie analogique qui vhicule les signaux de donnes reues par le transceiver vers le circuit digital de bande de base. Les signaux sont moduls sur une porteuse la frquence intermdiaire. Limpdance de lentre du circuit de bande de base est de 50 . Durant les phases de simulation, on pourra modliser ces flux de donnes par un signal sinusodal la frquence intermdiaire. Datain correspond une entre analogique qui vhicule des donnes transmettre provenant du circuit digital de bande de base. Les signaux sont moduls sur une porteuse la frquence intermdiaire. Limpdance de sortie du circuit de bande de base est de 50 . Durant les phases de simulation, on pourra modliser ces flux de donnes par un signal sinusodal la frquence intermdiaire. Clkin correspond une entre dhorloge fournie par les circuits de bande de base, permettant de gnrer la frquence de loscillateur local RF. Par souci de simplification, on pourra considrer que cette entre fournit le signal le signal de loscillateur local. Le circuit est aliment par un ou plusieurs couples de broches VDD/GND. Il vous appartient de fixer le nombre de broches dalimentation ncessaires.

S. Bendhia, A. Boyer

Conception Janvier 2009

CMOS
VDD

Analogique

Datain TX Antenne RX Clkin Transceiver Bluetooth Dataout Circuits de bande de base

GND

S. Bendhia, A. Boyer